JP2004128509A - 低温で基板を試験するプローバ - Google Patents
低温で基板を試験するプローバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004128509A JP2004128509A JP2003343146A JP2003343146A JP2004128509A JP 2004128509 A JP2004128509 A JP 2004128509A JP 2003343146 A JP2003343146 A JP 2003343146A JP 2003343146 A JP2003343146 A JP 2003343146A JP 2004128509 A JP2004128509 A JP 2004128509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- prober
- test substrate
- substrate
- radiation shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】チャック1が作業範囲内でチャック駆動装置2によって移動可能であり、チャックが加熱手段と冷却手段によって温度調節可能であり、チャックが試験基板17を収容するための収容面16と、試験基板17を収容する基板支持体12を固定するための保持手段10を備えている、低温で基板を試験するためのプローバにおいて、チャック1の作業範囲を取り囲む真空室3が配置され、この真空室が真空ポンプに接続され、チャック1が一方では冷却されないチャック駆動装置2から熱的に分離され、他方では試験基板17に分離可能に熱的に連結され、試験基板17が直接冷却される熱放射シールド18によって、周囲の冷却されないアセンブリに対して遮蔽されている。
【選択図】図1
Description
2 チャック駆動装置
3 真空室
4 装填開口
5 フラップ
6 点検開口
7 冷却媒体管
8 チャックヒータ
9 中間部材
10 第1の保持手段
11 第2の保持手段
12 基板支持体
13 保持ピン
14 ばね
15 頭
16 チャックの収容面
17 試験基板
18 熱放射シールド
19 探針ホルダー
20 縁部
21 カニューレ
22 シールドヒータ
23 貫通口
Claims (12)
- チャック(1)が作業範囲内でチャック駆動装置(2)によって移動可能であり、チャックが加熱手段と冷却手段によって温度調節可能であり、チャックが試験基板(17)を収容するための収容面(16)と、試験基板(17)を収容する基板支持体(12)を固定するための保持手段(10)を備えている、低温で基板を試験するためのプローバにおいて、チャック(1)の作業範囲を取り囲む真空室(3)が配置され、この真空室が真空ポンプに接続され、チャック(1)が一方では冷却されないチャック駆動装置(2)から熱的に分離され、他方では試験基板(17)に分離可能に熱的に連結され、試験基板(17)が直接冷却される熱放射シールド(18)によって、周囲の冷却されないアセンブリの熱放射に対して遮蔽されていることを特徴とするプローバ。
- 真空室(3)がチャック(1)の上側に対抗するその上側に、点検開口(6)を備えていることを特徴とする、請求項1記載のプローバ。
- チャック(1)が金属と比べて熱伝導率の小さな材料からなる中間部材(9)によって、チャック駆動装置(2)に連結されていることを特徴とする、請求項1または2記載のプローバ。
- 熱放射シールド(18)が中央に貫通口(23)を備えていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプローバ。
- 貫通口(23)が選択された波長の光をろ波する透明な閉鎖部材を備えていることを特徴とする、請求項4記載のプローバ。
- 試験基板(17)が単一探針と多重探針のための探針ホルダー(19)を少なくとも間接的に備え、この探針ホルダーがチャック(1)に熱伝導的に連結されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つに記載のプローバ。
- 熱放射シールド(18)が単一探針と多重探針のための探針ホルダー(19)を少なくとも間接的に備え、この探針ホルダーが熱放射シールド(18)に熱伝導的に連結されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つに記載のプローバ。
- 基板支持体(12)用保持手段(10)が基板近くの部分を冷却式チャック(1)に熱的に連結した垂直方向に移動可能な頭(15)と、チャック駆動装置(2)に固定した保持ピン(13)とを備え、この保持ピンが金属よりも熱伝導率の小さな材料からなっていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つに記載のプローバ。
- チャック(1)がチャック面を有するチャック本体と、このチャック面上に全面で載るチャック板とからなり、このチャック板がチャック本体から分離可能であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つに記載のプローバ。
- 直接的または間接的に冷却される、チャック(1)と熱放射シールド(18)の部分が熱伝導性の良好な材料からなり、チャック(1)の冷却される部分が高反射の表面を備えていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一つに記載のプローバ。
- チャック(1)がチャックヒータ(8)を備えていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一つに記載のプローバ。
- 熱放射シールド(18)がシールドヒータ(22)を備えていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一つに記載のプローバ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10246282.8 | 2002-10-02 | ||
DE2002146282 DE10246282B4 (de) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | Prober zum Testen von Substraten bei tiefen Temperaturen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004128509A true JP2004128509A (ja) | 2004-04-22 |
JP2004128509A5 JP2004128509A5 (ja) | 2006-10-05 |
JP4820534B2 JP4820534B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=32010197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003343146A Expired - Fee Related JP4820534B2 (ja) | 2002-10-02 | 2003-10-01 | 低温時の基板を試験するプローバ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4820534B2 (ja) |
DE (1) | DE10246282B4 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027218A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007201484A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007227250A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査装置の予備排気室を真空排気する方法 |
JP2007235171A (ja) * | 2007-05-17 | 2007-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
US7855569B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with the same |
JP2014167394A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Avc Co Ltd | 四端子抵抗測定装置および四端子測定用プローブ |
CN107389455A (zh) * | 2017-09-05 | 2017-11-24 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 用于磁驱动斜波压缩中样品初始温度的降温装置及方法 |
CN108918977A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-11-30 | 沈阳工业大学 | 一种低温条件下电介质气固界面闪络特性测量装置及方法 |
CN111965516A (zh) * | 2019-05-03 | 2020-11-20 | 艾伏有限公司 | 测试设备 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005015334B4 (de) * | 2005-04-01 | 2017-02-09 | Cascade Microtech, Inc. | Prober zum Testen von Substraten bei Temperaturen im Bereich der Siedetemperatur von Helium |
DE102006038457B4 (de) * | 2006-08-16 | 2014-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Verfahren und Vorrichtung zum Temperieren elektronischer Bauelemente |
DE102007058457B4 (de) | 2006-12-08 | 2018-06-07 | Cascade Microtech, Inc. | Anordnung und Verfahren zur Testung von Halbleitersubstraten unter definierter Atmosphäre |
WO2009050038A1 (de) * | 2007-10-10 | 2009-04-23 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Verfahren zur prüfung eines testsubstrats unter definierten thermischen bedingungen und thermisch konditionierbarer prober |
DE102013215781A1 (de) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Ers Electronic Gmbh | Thermische Abschirmvorrichtung für eine Probecard und entsprechende Probecardanordnung |
CN116165472B (zh) * | 2023-04-22 | 2023-07-04 | 深圳市森美协尔科技有限公司 | 一种低温探针测试设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62190737A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Fujitsu Ltd | 低温用オ−トプロ−バ− |
JPH0581175B2 (ja) * | 1988-04-30 | 1993-11-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | |
JPH0685020A (ja) * | 1990-05-16 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | 低温領域の気体吸着防止機構 |
JPH06323955A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Canon Inc | 半導体試験装置 |
JPH0982785A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体ウェハ温度制御装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4109908C2 (de) * | 1991-03-26 | 1994-05-05 | Erich Reitinger | Anordnung zur Prüfung von Halbleiter-Wafern |
US5345999A (en) * | 1993-03-17 | 1994-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling semiconductor wafers |
-
2002
- 2002-10-02 DE DE2002146282 patent/DE10246282B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-01 JP JP2003343146A patent/JP4820534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62190737A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Fujitsu Ltd | 低温用オ−トプロ−バ− |
JPH0581175B2 (ja) * | 1988-04-30 | 1993-11-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | |
JPH0685020A (ja) * | 1990-05-16 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | 低温領域の気体吸着防止機構 |
JPH06323955A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Canon Inc | 半導体試験装置 |
JPH0982785A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体ウェハ温度制御装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201484A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
US7855569B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with the same |
JP2007027218A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
US7425838B2 (en) | 2005-07-13 | 2008-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Body for keeping a wafer and wafer prober using the same |
JP2007227250A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査装置の予備排気室を真空排気する方法 |
JP2007235171A (ja) * | 2007-05-17 | 2007-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2014167394A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Avc Co Ltd | 四端子抵抗測定装置および四端子測定用プローブ |
CN107389455A (zh) * | 2017-09-05 | 2017-11-24 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 用于磁驱动斜波压缩中样品初始温度的降温装置及方法 |
CN108918977A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-11-30 | 沈阳工业大学 | 一种低温条件下电介质气固界面闪络特性测量装置及方法 |
CN108918977B (zh) * | 2018-05-02 | 2024-02-06 | 沈阳工业大学 | 一种低温条件下电介质气固界面闪络特性测量装置及方法 |
CN111965516A (zh) * | 2019-05-03 | 2020-11-20 | 艾伏有限公司 | 测试设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10246282B4 (de) | 2005-12-29 |
JP4820534B2 (ja) | 2011-11-24 |
DE10246282A1 (de) | 2004-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7046025B2 (en) | Test apparatus for testing substrates at low temperatures | |
JP4820534B2 (ja) | 低温時の基板を試験するプローバ | |
JP4825812B2 (ja) | 温度を調整可能なチャック装置を用いた半導体ウエハ検査方法および装置 | |
JP5555633B2 (ja) | 所定の温度条件下で試験基板を検査する方法及び温度条件を設定可能な検査装置 | |
US5410162A (en) | Apparatus for and method of rapid testing of semiconductor components at elevated temperature | |
KR100342016B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 유지 장치 및 반도체 웨이퍼 수납실 | |
TWI283451B (en) | Probe apparatus for temperature control of the examined body and probe examining method | |
CN1920585B (zh) | 基板检查装置 | |
US4845426A (en) | Temperature conditioner for tests of unpackaged semiconductors | |
EP1174723A1 (en) | Temperature control apparatus | |
US20140239991A1 (en) | Method for verifying a test substrate in a prober under defined thermal conditions | |
KR101724954B1 (ko) | 마이크로 진공 프로브 시스템 | |
US8432176B2 (en) | Apparatus and method for testing semiconductor devices | |
KR20100057118A (ko) | 온도 가변형 프로브 스테이션 | |
US11287399B2 (en) | Sensing device | |
JPH11145225A (ja) | ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室 | |
JP3294175B2 (ja) | 信頼性試験用ウエハ収納室 | |
JP2000260839A (ja) | 低温試験装置 | |
JP3294174B2 (ja) | ウエハ保持体の温度測定装置及びウエハ収納室 | |
JPH11145271A (ja) | ウエハ保持体 | |
JPH1131724A (ja) | サーモチャック及び回路板検査装置 | |
CN111307715B (zh) | 面向低维半导体界面调控的原位测试装置 | |
KR20230079862A (ko) | 마이크로 프로브 시스템 | |
EP3734302A1 (en) | Cryogenic wafer prober with camera, window and shutter | |
JPH10253558A (ja) | 熱的特性及び/もしくは反応特性の測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100215 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100308 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100407 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100525 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110610 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110816 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4820534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |