JPH04294039A - 蛍光表示管及びその製作方法 - Google Patents
蛍光表示管及びその製作方法Info
- Publication number
- JPH04294039A JPH04294039A JP8622691A JP8622691A JPH04294039A JP H04294039 A JPH04294039 A JP H04294039A JP 8622691 A JP8622691 A JP 8622691A JP 8622691 A JP8622691 A JP 8622691A JP H04294039 A JPH04294039 A JP H04294039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- fluorescent display
- display tube
- electrode
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 65
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 142
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 91
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000007613 slurry method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【技術分野】本発明は、蛍光表示管とその製作方法、よ
り詳細には、熱陰極線から発せられる熱電子または冷陰
極からが発せられる電子が蛍光体に衝突する際に発光す
る蛍光により、情報の光書き込みを行う蛍光表示管及び
該蛍光表示管の製作方法に関する。
り詳細には、熱陰極線から発せられる熱電子または冷陰
極からが発せられる電子が蛍光体に衝突する際に発光す
る蛍光により、情報の光書き込みを行う蛍光表示管及び
該蛍光表示管の製作方法に関する。
【0002】
【従来技術】蛍光表示管は、例えば、一方向に一列又は
複数列に配列形成された多数の短冊状電極(セグメント
電極)に蛍光面を形成して、これを熱陰極とともに真空
容器中に封入し、熱陰極から熱電子を発生せしめる一方
、短冊状電極に選択的に正電圧を印加して、選択された
短冊状電極に熱電子を引き付け、この熱電子が蛍光面に
衝突する際に発する蛍光により表示等を行うものであり
、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリンタの光書き
込み部、あるいはフラットディスプレイパネル等に応用
されている。
複数列に配列形成された多数の短冊状電極(セグメント
電極)に蛍光面を形成して、これを熱陰極とともに真空
容器中に封入し、熱陰極から熱電子を発生せしめる一方
、短冊状電極に選択的に正電圧を印加して、選択された
短冊状電極に熱電子を引き付け、この熱電子が蛍光面に
衝突する際に発する蛍光により表示等を行うものであり
、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリンタの光書き
込み部、あるいはフラットディスプレイパネル等に応用
されている。
【0003】図8及び図9は蛍光表示管の一例を示す分
解斜視図及び断面図で、基板20はガラス、セラミック
、樹脂等からなり、該基板20には、一連の短冊状電極
21が該基板20の長手方向に列設されている。この短
冊状電極21には、その個々にドット状の蛍光面26が
形成されておりドットアレイを構成している。尚、個々
の蛍光面26のサイズは、40×40μm2のように極
めて微細なものであるが、図示の例では、蛍光面の形状
を判り易くするため、蛍光面の寸法を他の部材に比べて
大きく表してある。
解斜視図及び断面図で、基板20はガラス、セラミック
、樹脂等からなり、該基板20には、一連の短冊状電極
21が該基板20の長手方向に列設されている。この短
冊状電極21には、その個々にドット状の蛍光面26が
形成されておりドットアレイを構成している。尚、個々
の蛍光面26のサイズは、40×40μm2のように極
めて微細なものであるが、図示の例では、蛍光面の形状
を判り易くするため、蛍光面の寸法を他の部材に比べて
大きく表してある。
【0004】基板20の蛍光面26の配列の両側には、
絶縁体層22a,22bが基板長手方向に沿って形成さ
れ、これらの上には、グリッド電極23a,23bがそ
れぞれ形成されている。また、符号24は、基板長手方
向に張り渡された熱陰極としてのタングステンワイヤを
示しており、その表面にはBaSrO等の電子放射性物
質が塗布されている。また、符号25は、ガラス等から
なる透明な材料で形成されたフェイス部材で、図9に示
すように、基板側と一体化される。かくして、基板20
、絶縁体層22a,22b、グリッド電極23a,23
b、フェイス部材25は、閉空間を形成し、この空間内
には、短冊状電極21、蛍光体層による蛍光面26、熱
陰極24,24が封入され、上記閉空間は高度に真空化
される。
絶縁体層22a,22bが基板長手方向に沿って形成さ
れ、これらの上には、グリッド電極23a,23bがそ
れぞれ形成されている。また、符号24は、基板長手方
向に張り渡された熱陰極としてのタングステンワイヤを
示しており、その表面にはBaSrO等の電子放射性物
質が塗布されている。また、符号25は、ガラス等から
なる透明な材料で形成されたフェイス部材で、図9に示
すように、基板側と一体化される。かくして、基板20
、絶縁体層22a,22b、グリッド電極23a,23
b、フェイス部材25は、閉空間を形成し、この空間内
には、短冊状電極21、蛍光体層による蛍光面26、熱
陰極24,24が封入され、上記閉空間は高度に真空化
される。
【0005】さて、上記構成の蛍光表示管において、グ
リッド電極23a,23bに適宜の電圧を印加しておい
て、熱陰極24,24に数10mAの交流電圧を通ずる
と、熱陰極24,24はジュール熱によって加熱されて
熱電子を放出する。かかる状態において、短冊状電極列
21の一つに正電圧を印加してこれを正電位にすると、
上記熱電子は正電位の短冊状電極の電極部に引き寄せら
れ、該電極部に衝突して蛍光面26の蛍光物質のエネル
ギー状態を励起させる。そして、励起した蛍光物質は、
基底状態へ戻る際に蛍光を発し、この蛍光がフェイス部
材25を介して観察される。
リッド電極23a,23bに適宜の電圧を印加しておい
て、熱陰極24,24に数10mAの交流電圧を通ずる
と、熱陰極24,24はジュール熱によって加熱されて
熱電子を放出する。かかる状態において、短冊状電極列
21の一つに正電圧を印加してこれを正電位にすると、
上記熱電子は正電位の短冊状電極の電極部に引き寄せら
れ、該電極部に衝突して蛍光面26の蛍光物質のエネル
ギー状態を励起させる。そして、励起した蛍光物質は、
基底状態へ戻る際に蛍光を発し、この蛍光がフェイス部
材25を介して観察される。
【0006】上述のごとき蛍光表示管において、蛍光面
を形成する場合、従来、蛍光面を形成する部分の電極を
露出させて、そこに電着法による蛍光体粒子を付着させ
て形成する方法、電極全面に蛍光体粒子を付着させたの
ちに、レジストを塗布し、通常のフォトリソ法のエッチ
ングのように、不要な部分の蛍光体粒子を除去する方法
、蛍光体粒子をベヒクルと混合してスクリーン法などに
より印刷する方法(一般的な方法)等がある。蛍光面を
形成する部分を露出させた部分に、蛍光体粒子を付着さ
せる方法は、電極を精度良く形成できるという利点はあ
るが、電着という方法を用いるため、一般の蛍光表示管
に用いられる印刷法に比べて、量産性やコストが劣り、
また、安定して精度のよい蛍光面を形成するには、比較
的高度な技術が要求される。電着法と違って、印刷法は
、ベヒクルの他にも種々の添加物を混合できる上、蛍光
体粒子の特性(材質、表面特性、粒径等)がある程度変
化しても、安定して蛍光面を形成できる。有機溶媒を主
成分とする電着液による電気化学反応が必要ないため、
空気中の温度、湿度等環境の変化を受けにくい。また、
既存のスクリーン印刷を利用できる等の利点がある。し
かし、印刷法では、蛍光面の精度がでず、面積バラツキ
も大きく、蛍光面も印刷時に添加するべヒクルにより正
方形または長方形になりにくく、エッヂも丸くなりやす
い。このため、実際には、微少な蛍光面が要求される光
プリントヘッド用蛍光体ドットアレイ管では、レジスト
を用いた電着法による蛍光面形成が行われており、印刷
法は、一般の表示用の蛍光管に用いられる。また、電着
法も、精度が十分というわけではなく、高密度の書き込
み素子では、蛍光面どうしの短絡が起きたり、電着液中
の凝集粒子が蛍光面に付着したりすることにより製造の
歩留りを低下させている。このため、量産性に優れた精
度のよい蛍光面形成方法が望まれている。
を形成する場合、従来、蛍光面を形成する部分の電極を
露出させて、そこに電着法による蛍光体粒子を付着させ
て形成する方法、電極全面に蛍光体粒子を付着させたの
ちに、レジストを塗布し、通常のフォトリソ法のエッチ
ングのように、不要な部分の蛍光体粒子を除去する方法
、蛍光体粒子をベヒクルと混合してスクリーン法などに
より印刷する方法(一般的な方法)等がある。蛍光面を
形成する部分を露出させた部分に、蛍光体粒子を付着さ
せる方法は、電極を精度良く形成できるという利点はあ
るが、電着という方法を用いるため、一般の蛍光表示管
に用いられる印刷法に比べて、量産性やコストが劣り、
また、安定して精度のよい蛍光面を形成するには、比較
的高度な技術が要求される。電着法と違って、印刷法は
、ベヒクルの他にも種々の添加物を混合できる上、蛍光
体粒子の特性(材質、表面特性、粒径等)がある程度変
化しても、安定して蛍光面を形成できる。有機溶媒を主
成分とする電着液による電気化学反応が必要ないため、
空気中の温度、湿度等環境の変化を受けにくい。また、
既存のスクリーン印刷を利用できる等の利点がある。し
かし、印刷法では、蛍光面の精度がでず、面積バラツキ
も大きく、蛍光面も印刷時に添加するべヒクルにより正
方形または長方形になりにくく、エッヂも丸くなりやす
い。このため、実際には、微少な蛍光面が要求される光
プリントヘッド用蛍光体ドットアレイ管では、レジスト
を用いた電着法による蛍光面形成が行われており、印刷
法は、一般の表示用の蛍光管に用いられる。また、電着
法も、精度が十分というわけではなく、高密度の書き込
み素子では、蛍光面どうしの短絡が起きたり、電着液中
の凝集粒子が蛍光面に付着したりすることにより製造の
歩留りを低下させている。このため、量産性に優れた精
度のよい蛍光面形成方法が望まれている。
【0007】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、最初に電極面に形成した蛍光面のエッヂが粗く
、面積バラツキが大きい場合でも、後から蛍光面を整形
することにより、簡易で、安価な、蛍光面のエッヂのき
れいな、面積バラツキの小さい蛍光表示管を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
もので、最初に電極面に形成した蛍光面のエッヂが粗く
、面積バラツキが大きい場合でも、後から蛍光面を整形
することにより、簡易で、安価な、蛍光面のエッヂのき
れいな、面積バラツキの小さい蛍光表示管を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
【0008】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、(1)
真空中に電子を放出する陰極と、この電子を受けて発光
する蛍光面とを備えた蛍光表示管において、電極上に蛍
光体粒子を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部
分をマスキングする絶縁膜を持つこと、又は、(2)真
空中に電子を放出する陰極と、この電子を受けて発光す
る蛍光面とを備えた蛍光表示管において、電極上に蛍光
体粒子を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部分
をマスキングする絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された
制御電極とを持つことを特徴としたものであり、更には
、上述のごとき蛍光表示管を製作するための方法、すな
わち、前記(1)又は(2)に記載の蛍光表示管を製作
する製作方法において、(3)前記絶縁膜を、少なくと
も1回以上SiO2系被膜形成用塗布液を塗布すること
により形成すること、或いは、(4)電極上に蛍光体粒
子を付着させる工程と、この上に絶縁膜を形成する工程
と、蛍光面として必要な部分の絶縁膜をエッチング除去
する工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜で
マスキングすること、或いは、(5)電極上に蛍光体粒
子を付着させる工程と、蛍光面として必要な部分にレジ
ストを形成した後絶縁膜を形成する工程と、この後レジ
ストと同時に蛍光面として必要な部分の絶縁層を除去す
る工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜でマ
スキングすること、或いは、(6)前記(2)に記載の
蛍光表示管を製作する製作方法において、電極上に蛍光
体粒子を付着させる工程と、この上に絶縁膜を形成する
工程と、この絶縁膜上に少なくとも蛍光面として必要な
部分より大きな開口部をもつ導電性薄膜からなる制御電
極を形成する工程と、蛍光面として必要な部分の絶縁膜
を除去する工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶
縁膜でマスキングし、かつ制御電極をこの絶縁膜上に形
成すること、或いは、(7)前記(1)又は(4)又は
(5)又は(6)における電極上に蛍光体粒子を付着さ
せる工程に、電極上にベヒクルと共に蛍光体粒子を印刷
する工程と、この蛍光面が露出した後にベヒクルを除去
し蛍光体粒子のみを残す工程とを用いること、或いは、
(8)前記(2)において、前記制御電極が金属薄板で
形成され、該制御電極と前記絶縁膜との間に導電性薄膜
を有することを特徴としたものである。以下、本発明の
実施例に基いて説明する。
真空中に電子を放出する陰極と、この電子を受けて発光
する蛍光面とを備えた蛍光表示管において、電極上に蛍
光体粒子を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部
分をマスキングする絶縁膜を持つこと、又は、(2)真
空中に電子を放出する陰極と、この電子を受けて発光す
る蛍光面とを備えた蛍光表示管において、電極上に蛍光
体粒子を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部分
をマスキングする絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された
制御電極とを持つことを特徴としたものであり、更には
、上述のごとき蛍光表示管を製作するための方法、すな
わち、前記(1)又は(2)に記載の蛍光表示管を製作
する製作方法において、(3)前記絶縁膜を、少なくと
も1回以上SiO2系被膜形成用塗布液を塗布すること
により形成すること、或いは、(4)電極上に蛍光体粒
子を付着させる工程と、この上に絶縁膜を形成する工程
と、蛍光面として必要な部分の絶縁膜をエッチング除去
する工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜で
マスキングすること、或いは、(5)電極上に蛍光体粒
子を付着させる工程と、蛍光面として必要な部分にレジ
ストを形成した後絶縁膜を形成する工程と、この後レジ
ストと同時に蛍光面として必要な部分の絶縁層を除去す
る工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜でマ
スキングすること、或いは、(6)前記(2)に記載の
蛍光表示管を製作する製作方法において、電極上に蛍光
体粒子を付着させる工程と、この上に絶縁膜を形成する
工程と、この絶縁膜上に少なくとも蛍光面として必要な
部分より大きな開口部をもつ導電性薄膜からなる制御電
極を形成する工程と、蛍光面として必要な部分の絶縁膜
を除去する工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶
縁膜でマスキングし、かつ制御電極をこの絶縁膜上に形
成すること、或いは、(7)前記(1)又は(4)又は
(5)又は(6)における電極上に蛍光体粒子を付着さ
せる工程に、電極上にベヒクルと共に蛍光体粒子を印刷
する工程と、この蛍光面が露出した後にベヒクルを除去
し蛍光体粒子のみを残す工程とを用いること、或いは、
(8)前記(2)において、前記制御電極が金属薄板で
形成され、該制御電極と前記絶縁膜との間に導電性薄膜
を有することを特徴としたものである。以下、本発明の
実施例に基いて説明する。
【0009】図1は、請求項1に記載の発明の一実施例
を説明するための図で、(a)図は要部断面図、(b)
図は平面透視図で、図中、1は基板、2は電極、3は電
極2に付着した蛍光体粒子、4は絶縁膜で、5は付着し
た蛍光体粒子のうち蛍光面として不要な部分である。電
極上に付着した蛍光体粒子は破線6で囲まれる部分であ
り、面積バラツキが大きかったり、エッヂが粗くとも、
5にて示した部分が絶縁膜4で覆われるため、実際の蛍
光面3′は絶縁膜4を形成する精度で形成できるため、
蛍光面3′の面積や位置を精度よく制御できる。最初の
蛍光面形成は、2,3ミクロンオーダーの精度を気にし
ないでよいので、電極上に蛍光体粒子を付着させる方法
には、電着法を用いて付着させる他にも、スラリー法や
ダスティン法の様なブラウン管の蛍光面形成に用いられ
る方法を用いてもよい。例えば、光プリントヘッド用の
蛍光体ドットアレイ管で、ドット配列が一列で300D
PI対応では、必要とする蛍光面の大きさが約50ミク
ロン、ピッチ84.6ミクロンと設計したときを考える
。最初の蛍光体粒子3を付着させる蛍光面の大きさを6
5±10ミクロンで粗く付着させた後に、絶縁膜4を5
0±2ミクロンの正方形の開口部を持つように形成する
と、結果として、(50±2)2=2500±200平
方ミクロン(面積バラツキ約±8%)の蛍光面が得られ
る。これは、最初から蛍光面の大きさを50±10ミク
ロンとして形成しようとすると、(50±10)2=2
500±1000(面積バラツキ約44%)となって、
非常に面積バラツキが大きいのを、実用レベル(光量バ
ラツキで、2階調プリンタで約±15%以内)に簡単に
することが出来ることを意味している。例えば、蛍光体
粒子の平均粒径は、蛍光表示管でよく使われるP15−
G2では、約3ミクロンであり、そのまま蛍光体粒子を
付けると、50±3ミクロンの大きさになってもおかし
くない。この点からみても精度を出せる薄膜を用いて後
で整形した方が、蛍光面の面積バラツキを減少できるこ
とが納得できる。電着法とリフトオフ法等を組み合わせ
て、同程度の精度の蛍光面を形成することは出来るが、
そのためには、電着時に、液流や、電着時間、電着電流
を慎重に制御すると共に、量産には電着専用の装置を必
要とする上、基板の形状変更への対応が難しかったり、
1枚の基板からの多数枚取りには向いていない。上記実
施例のような蛍光面形成をした蛍光表示管であれば、均
一な電着液流を生じさせたり、電着液の成分をきちんと
制御しなくとも、最初に粗い精度で蛍光体粒子が付着さ
えすれば、後から絶縁膜で高精度にマスキングすること
により、高精度な蛍光面を形成することが出来る。また
、電着で付着させる方法の他にも、前述のように、ブラ
ウン管等の蛍光面形成で利用している中程度の精度の方
法(現在、300ミクロン以下のピッチの蛍光面も形成
可能である)を用いて、量産性を高めることが出来る。
を説明するための図で、(a)図は要部断面図、(b)
図は平面透視図で、図中、1は基板、2は電極、3は電
極2に付着した蛍光体粒子、4は絶縁膜で、5は付着し
た蛍光体粒子のうち蛍光面として不要な部分である。電
極上に付着した蛍光体粒子は破線6で囲まれる部分であ
り、面積バラツキが大きかったり、エッヂが粗くとも、
5にて示した部分が絶縁膜4で覆われるため、実際の蛍
光面3′は絶縁膜4を形成する精度で形成できるため、
蛍光面3′の面積や位置を精度よく制御できる。最初の
蛍光面形成は、2,3ミクロンオーダーの精度を気にし
ないでよいので、電極上に蛍光体粒子を付着させる方法
には、電着法を用いて付着させる他にも、スラリー法や
ダスティン法の様なブラウン管の蛍光面形成に用いられ
る方法を用いてもよい。例えば、光プリントヘッド用の
蛍光体ドットアレイ管で、ドット配列が一列で300D
PI対応では、必要とする蛍光面の大きさが約50ミク
ロン、ピッチ84.6ミクロンと設計したときを考える
。最初の蛍光体粒子3を付着させる蛍光面の大きさを6
5±10ミクロンで粗く付着させた後に、絶縁膜4を5
0±2ミクロンの正方形の開口部を持つように形成する
と、結果として、(50±2)2=2500±200平
方ミクロン(面積バラツキ約±8%)の蛍光面が得られ
る。これは、最初から蛍光面の大きさを50±10ミク
ロンとして形成しようとすると、(50±10)2=2
500±1000(面積バラツキ約44%)となって、
非常に面積バラツキが大きいのを、実用レベル(光量バ
ラツキで、2階調プリンタで約±15%以内)に簡単に
することが出来ることを意味している。例えば、蛍光体
粒子の平均粒径は、蛍光表示管でよく使われるP15−
G2では、約3ミクロンであり、そのまま蛍光体粒子を
付けると、50±3ミクロンの大きさになってもおかし
くない。この点からみても精度を出せる薄膜を用いて後
で整形した方が、蛍光面の面積バラツキを減少できるこ
とが納得できる。電着法とリフトオフ法等を組み合わせ
て、同程度の精度の蛍光面を形成することは出来るが、
そのためには、電着時に、液流や、電着時間、電着電流
を慎重に制御すると共に、量産には電着専用の装置を必
要とする上、基板の形状変更への対応が難しかったり、
1枚の基板からの多数枚取りには向いていない。上記実
施例のような蛍光面形成をした蛍光表示管であれば、均
一な電着液流を生じさせたり、電着液の成分をきちんと
制御しなくとも、最初に粗い精度で蛍光体粒子が付着さ
えすれば、後から絶縁膜で高精度にマスキングすること
により、高精度な蛍光面を形成することが出来る。また
、電着で付着させる方法の他にも、前述のように、ブラ
ウン管等の蛍光面形成で利用している中程度の精度の方
法(現在、300ミクロン以下のピッチの蛍光面も形成
可能である)を用いて、量産性を高めることが出来る。
【0010】図2は、請求項2に記載の発明の一実施例
を説明するための図で、(a)図は、要部断面図、(b
)図は平面透視図で、図中、図1に示した実施例と同様
の作用をする部分には図1の場合と同一の参照番号が付
してある。図2において、7は絶縁膜4上に形成した制
御電極であり、例えば、A1薄膜等の導電性薄膜で形成
しても、ステンレス等の金属薄板(例えば、これを6角
メシュ状にエッチング処理したもの)でも構わない。従
来の蛍光表示管は、絶縁ガラス等を厚膜スクリーン印刷
して、これを絶縁層として用い、この上に金属薄板を設
けていた。本発明は、これを図1にて説明した蛍光面の
マスキング用の絶縁膜4を利用して、この上に直接制御
電極7を形成するようにしたもので、これにより、絶縁
ガラス等の形成工程が不要なばかりではなく、制御電極
上面と蛍光面とを近付けることも出来、制御電極の厚さ
や、蛍光面からの距離を最適値に設計しやすくしている
。また、導電性薄膜を用いた場合は、その制御電極とし
ての精度を上げやすく、多数の蛍光体ドットアレイを形
成する際は、電界分布のバラツキによる光量バラツキが
生じ難い。
を説明するための図で、(a)図は、要部断面図、(b
)図は平面透視図で、図中、図1に示した実施例と同様
の作用をする部分には図1の場合と同一の参照番号が付
してある。図2において、7は絶縁膜4上に形成した制
御電極であり、例えば、A1薄膜等の導電性薄膜で形成
しても、ステンレス等の金属薄板(例えば、これを6角
メシュ状にエッチング処理したもの)でも構わない。従
来の蛍光表示管は、絶縁ガラス等を厚膜スクリーン印刷
して、これを絶縁層として用い、この上に金属薄板を設
けていた。本発明は、これを図1にて説明した蛍光面の
マスキング用の絶縁膜4を利用して、この上に直接制御
電極7を形成するようにしたもので、これにより、絶縁
ガラス等の形成工程が不要なばかりではなく、制御電極
上面と蛍光面とを近付けることも出来、制御電極の厚さ
や、蛍光面からの距離を最適値に設計しやすくしている
。また、導電性薄膜を用いた場合は、その制御電極とし
ての精度を上げやすく、多数の蛍光体ドットアレイを形
成する際は、電界分布のバラツキによる光量バラツキが
生じ難い。
【0011】次に、請求項3に記載の発明について説明
する。而して、この発明は、図1及び図2において説明
した絶縁膜4を形成する際、少なくとも1回以上SiO
2系被膜形成用塗布液を塗布するようにしたもので、こ
のようにすることにより、精度の高い、絶縁膜によるマ
スキングができる。また、2度以上塗ることにより、そ
の機械的強度を大きく出来る。SiO2系被膜は、例え
ば、OCD(東京応化製)等を用いて、スピナーにより
塗布すれば、約0.2から1ミクロン以上までのSiO
2膜が得られる。これは、1000℃位までの耐熱性を
持ち、蛍光表示管の管球化工程に必要な温度に対して、
それ自身では十分である。管球化は、一般の蛍光表示管
では、低融点ガラスでフェイスガラス部分を基板部分と
真空封着させるのに、400から500℃位まで加熱す
る。また、この膜の上に、制御電極等の薄膜等を形成し
易く、絶縁性も良好なことから、都合がよい。また、S
iO2系被膜は、フッ酸系のエッチャントにより容易に
エッチング可能であり、蛍光面として必要な部分の開口
部を持つような絶縁膜を容易に形成し易い。ただ、厚す
ぎると、基板や電極との熱膨張係数との差により、クラ
ックが入りやすくなるため、塗る回数や、膜厚にはその
基板などに限界がある。
する。而して、この発明は、図1及び図2において説明
した絶縁膜4を形成する際、少なくとも1回以上SiO
2系被膜形成用塗布液を塗布するようにしたもので、こ
のようにすることにより、精度の高い、絶縁膜によるマ
スキングができる。また、2度以上塗ることにより、そ
の機械的強度を大きく出来る。SiO2系被膜は、例え
ば、OCD(東京応化製)等を用いて、スピナーにより
塗布すれば、約0.2から1ミクロン以上までのSiO
2膜が得られる。これは、1000℃位までの耐熱性を
持ち、蛍光表示管の管球化工程に必要な温度に対して、
それ自身では十分である。管球化は、一般の蛍光表示管
では、低融点ガラスでフェイスガラス部分を基板部分と
真空封着させるのに、400から500℃位まで加熱す
る。また、この膜の上に、制御電極等の薄膜等を形成し
易く、絶縁性も良好なことから、都合がよい。また、S
iO2系被膜は、フッ酸系のエッチャントにより容易に
エッチング可能であり、蛍光面として必要な部分の開口
部を持つような絶縁膜を容易に形成し易い。ただ、厚す
ぎると、基板や電極との熱膨張係数との差により、クラ
ックが入りやすくなるため、塗る回数や、膜厚にはその
基板などに限界がある。
【0012】図3は、請求項4に記載の発明の一実施例
を説明するための図で、(a)は、基板1上の電極2の
上に蛍光体粒子3を付着させた図であり、(b)はこの
蛍光体粒子3の全面に絶縁膜4を形成した図で、この絶
縁膜4は、前述のように、OCDを用いて、スピナーに
より塗布してもよい。この後、(c)のように、レジス
ト8でエッチングする開口部以外を被覆する。これは、
例えば、OFPR800(東京応化)30cpの様なポ
ジのレジストをスピナーで3000rpmで塗布すると
、約1.2ミクロンの厚さが得られ、これを露光後、現
像することにより、所定の形状の開口部を±2ミクロン
程度の精度で容易に得られる。これを、ドライエッチン
グまたはウェットエッチングにより開口部分のSiO2
系被膜をエッチングしたのが(d)である。例えば、ウ
ェットエッチングであれば、49%HF:70%HNO
3:H2O(=15:10:300)位のエッチャント
を用いると、そのレートは、900A/min位であり
、このとき注意するのは、下地の付着した蛍光体粒子ま
でエッチングしない様、ジャストエッチングにすること
である。次に、剥離液やバーンアウトによりレジスト8
を除去して、(e)を得る。スクリーン印刷等により、
絶縁ガラス等を印刷すると、その位置精度が悪く、また
、それ自身面積バラツキも大きく、わざわざ蛍光体粒子
の付着部分を絶縁膜でマスキングする必要がないときさ
えある。これに対し、この方法は、通常のフォトリソ方
法であり、蛍光体粒子の付着面という比較的凹凸のある
面に対して精度良く絶縁膜の開口部を形成することが出
来る。このとき、エッチャントやレジストの剥離工程が
蛍光体粒子の発光効率を低下させないようにすることが
大切である。
を説明するための図で、(a)は、基板1上の電極2の
上に蛍光体粒子3を付着させた図であり、(b)はこの
蛍光体粒子3の全面に絶縁膜4を形成した図で、この絶
縁膜4は、前述のように、OCDを用いて、スピナーに
より塗布してもよい。この後、(c)のように、レジス
ト8でエッチングする開口部以外を被覆する。これは、
例えば、OFPR800(東京応化)30cpの様なポ
ジのレジストをスピナーで3000rpmで塗布すると
、約1.2ミクロンの厚さが得られ、これを露光後、現
像することにより、所定の形状の開口部を±2ミクロン
程度の精度で容易に得られる。これを、ドライエッチン
グまたはウェットエッチングにより開口部分のSiO2
系被膜をエッチングしたのが(d)である。例えば、ウ
ェットエッチングであれば、49%HF:70%HNO
3:H2O(=15:10:300)位のエッチャント
を用いると、そのレートは、900A/min位であり
、このとき注意するのは、下地の付着した蛍光体粒子ま
でエッチングしない様、ジャストエッチングにすること
である。次に、剥離液やバーンアウトによりレジスト8
を除去して、(e)を得る。スクリーン印刷等により、
絶縁ガラス等を印刷すると、その位置精度が悪く、また
、それ自身面積バラツキも大きく、わざわざ蛍光体粒子
の付着部分を絶縁膜でマスキングする必要がないときさ
えある。これに対し、この方法は、通常のフォトリソ方
法であり、蛍光体粒子の付着面という比較的凹凸のある
面に対して精度良く絶縁膜の開口部を形成することが出
来る。このとき、エッチャントやレジストの剥離工程が
蛍光体粒子の発光効率を低下させないようにすることが
大切である。
【0013】図4は、請求項5に記載した発明の一実施
例を説明するための工程図で、(a)は、基板1上の電
極2の上に蛍光体粒子3を付着させた図、(b)は付着
した蛍光体粒子3の蛍光面を形成したい部分にレジスト
膜8を形成した図である。この基板の全面に絶縁薄膜4
を形成した(c)後、剥離液でレジスト8と共に、この
上の絶縁膜4を除去したのが(d)である。これは、通
常のリフトオフ法であるが、蛍光体粒子にダメージを与
えるのがレジストの現像液、または剥離液等であり、前
述の図3に示した発明と少し異なる。蛍光体の種類また
は絶縁膜の種類等で、なるべくダメージが少ないように
フォトリソ法かリフトオフ法かを選択するとよい。
例を説明するための工程図で、(a)は、基板1上の電
極2の上に蛍光体粒子3を付着させた図、(b)は付着
した蛍光体粒子3の蛍光面を形成したい部分にレジスト
膜8を形成した図である。この基板の全面に絶縁薄膜4
を形成した(c)後、剥離液でレジスト8と共に、この
上の絶縁膜4を除去したのが(d)である。これは、通
常のリフトオフ法であるが、蛍光体粒子にダメージを与
えるのがレジストの現像液、または剥離液等であり、前
述の図3に示した発明と少し異なる。蛍光体の種類また
は絶縁膜の種類等で、なるべくダメージが少ないように
フォトリソ法かリフトオフ法かを選択するとよい。
【0014】図5は、請求項6に記載した発明の一実施
例を説明するための工程図で、(a)は、基板1上の電
極2上に蛍光体粒子3を付着させた図、(b)は、この
後、絶縁膜4を形成した図、(c)は、この上に制御電
極7を形成した図、(d)は、この後、絶縁膜4に開口
部4′を設けた図である。絶縁膜4上に導電性薄膜で制
御電極7を形成した後に、蛍光面として必要な部分の絶
縁膜を除去4′しているので、蛍光体粒子が、制御電極
7を形成したことによるダメージをいっさい受けないで
済む。実際には、例えば、SiO2系被膜で形成した絶
縁膜4上にAlを蒸着した後、レジストを用いた通常の
フォトリソ工程により、制御電極7を形成し、さらに、
フッ酸系のエッチャントでエッチングすればよい。この
とき、Al制御電極の上に保護膜を更に形成してもよい
。また、Alは、フッ酸系のエッチャントに対してエッ
チング速度が比較的遅いので、そのままでもよい。
例を説明するための工程図で、(a)は、基板1上の電
極2上に蛍光体粒子3を付着させた図、(b)は、この
後、絶縁膜4を形成した図、(c)は、この上に制御電
極7を形成した図、(d)は、この後、絶縁膜4に開口
部4′を設けた図である。絶縁膜4上に導電性薄膜で制
御電極7を形成した後に、蛍光面として必要な部分の絶
縁膜を除去4′しているので、蛍光体粒子が、制御電極
7を形成したことによるダメージをいっさい受けないで
済む。実際には、例えば、SiO2系被膜で形成した絶
縁膜4上にAlを蒸着した後、レジストを用いた通常の
フォトリソ工程により、制御電極7を形成し、さらに、
フッ酸系のエッチャントでエッチングすればよい。この
とき、Al制御電極の上に保護膜を更に形成してもよい
。また、Alは、フッ酸系のエッチャントに対してエッ
チング速度が比較的遅いので、そのままでもよい。
【0015】図6は、請求項7に記載した発明の一実施
例を説明するための工程図で、(a)は、基板1上の電
極2の上にベヒクルと共に蛍光体粒子8を印刷した図、
(b)は、これを絶縁膜4で必要な蛍光面以外をマスキ
ングした図、(c)は、この蛍光面が露出した後に、ベ
ヒクルを除去し蛍光体粒子のみを残した図である。最初
の蛍光体粒子を電極面に付着させるには、電着法等に比
して、印刷法が非常に量産性の先で優れているが、蛍光
体粒子のみの付着はできず、一般には、エチルセルロー
スを主成分とするベヒクルと混練してペースト状とし、
シルクスクリーン、ステンレスメッシュなどを介して押
印塗布する。このため、ベヒクルの残りが蛍光体粒子間
に残り、蛍光体の発光効率が非常に低下する。もしくは
、発光しない。このため、ベヒクルを除去する必要があ
るが、これを、蛍光体粒子を基板上の電極上に付着させ
てすぐに行うのではなく、(b)の様に絶縁膜4でマス
キングして、開口部を設けた後に、例えば、加熱するこ
とにより除去すれば、絶縁膜4をエッチングするエッチ
ャントや、レジスト剥離液等に対して、蛍光体がダメー
ジを受けることがなくなる。このとき、逆に、ベヒクル
を、絶縁膜4をエッチングするエッチャントや、レジス
ト剥離液等に反応させて、工程を簡単にすることも出来
る。しかし、蛍光体の保護という観点からは、なるべく
ベヒクルが反応しないようにそれぞれを選択することが
望ましい。
例を説明するための工程図で、(a)は、基板1上の電
極2の上にベヒクルと共に蛍光体粒子8を印刷した図、
(b)は、これを絶縁膜4で必要な蛍光面以外をマスキ
ングした図、(c)は、この蛍光面が露出した後に、ベ
ヒクルを除去し蛍光体粒子のみを残した図である。最初
の蛍光体粒子を電極面に付着させるには、電着法等に比
して、印刷法が非常に量産性の先で優れているが、蛍光
体粒子のみの付着はできず、一般には、エチルセルロー
スを主成分とするベヒクルと混練してペースト状とし、
シルクスクリーン、ステンレスメッシュなどを介して押
印塗布する。このため、ベヒクルの残りが蛍光体粒子間
に残り、蛍光体の発光効率が非常に低下する。もしくは
、発光しない。このため、ベヒクルを除去する必要があ
るが、これを、蛍光体粒子を基板上の電極上に付着させ
てすぐに行うのではなく、(b)の様に絶縁膜4でマス
キングして、開口部を設けた後に、例えば、加熱するこ
とにより除去すれば、絶縁膜4をエッチングするエッチ
ャントや、レジスト剥離液等に対して、蛍光体がダメー
ジを受けることがなくなる。このとき、逆に、ベヒクル
を、絶縁膜4をエッチングするエッチャントや、レジス
ト剥離液等に反応させて、工程を簡単にすることも出来
る。しかし、蛍光体の保護という観点からは、なるべく
ベヒクルが反応しないようにそれぞれを選択することが
望ましい。
【0016】図7は、請求項8に記載した発明の一実施
例を説明するための構成図で、(a)図は、要部断面図
、(b)図は平面図で、10は絶縁膜4の上に形成した
別部品である金属薄板からなる制御電極であり、11は
この制御電極10と絶縁膜4との間に設けた導電性薄膜
である。金属薄板10は、前述のようにステンレス板の
エッチングにより容易に作れ、厚さ100ミクロン以下
も可能である。これを、制御電極として設けた場合、蛍
光面3と制御電極10間の絶縁膜4、または制御電極1
0がメッシュ構造にしてあれば、その隙間の絶縁膜4に
電子がたまって、チャージアップの現象が起き易く、電
界分布が変化し、蛍光体の輝度が減少することがある。 この防止策として、本発明では、絶縁膜4と制御電極1
0との間に導電性薄膜11(制御電極として用いないの
で、チャージアップしない程度の導電率でよい)を設け
ている。
例を説明するための構成図で、(a)図は、要部断面図
、(b)図は平面図で、10は絶縁膜4の上に形成した
別部品である金属薄板からなる制御電極であり、11は
この制御電極10と絶縁膜4との間に設けた導電性薄膜
である。金属薄板10は、前述のようにステンレス板の
エッチングにより容易に作れ、厚さ100ミクロン以下
も可能である。これを、制御電極として設けた場合、蛍
光面3と制御電極10間の絶縁膜4、または制御電極1
0がメッシュ構造にしてあれば、その隙間の絶縁膜4に
電子がたまって、チャージアップの現象が起き易く、電
界分布が変化し、蛍光体の輝度が減少することがある。 この防止策として、本発明では、絶縁膜4と制御電極1
0との間に導電性薄膜11(制御電極として用いないの
で、チャージアップしない程度の導電率でよい)を設け
ている。
【0017】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と以下のような効果がある。 (1)請求項1に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部分をマス
キングする絶縁膜を持っているので、量産性に優れた、
エッヂのきれいな、面積バラツキの小さい蛍光面を形成
することが出来る。 (2)請求項2に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部分をマス
キングする絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された制御電
極とを持っているので、制御電極を高精度に蛍光面に近
づけることができ、蛍光面の電流密度を上げ、輝度を高
めることが出来る。 (3)請求項3に対する作用効果:絶縁膜を、少なくと
も1回以上SiO2系被膜形成用塗布液を塗布すること
により形成しているので、精度の高い、耐熱性のある蛍
光面の開口部を作ることが出来る。 (4)請求項4に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着させる工程と、この上に絶縁膜を形成する工程と
、蛍光面として必要な部分の絶縁膜をエッチング除去す
る工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜でマ
スキングしているので、精度よく絶縁膜の開口部を形成
することが出来る。 (5)請求項5に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着させる工程と、蛍光面として必要な部分にレジス
トを形成した後に絶縁膜を形成する工程と、この後レジ
ストと同時に蛍光面として必要な部分の絶縁層を除去す
る工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜でマ
スキングしているので、蛍光体粒子にダメージを与えず
、精度よく絶縁膜の開口部を形成することが出来る。 (6)請求項6に対する作用効果:電極上に付着させた
蛍光体粒子を、絶縁膜で保護している状態で、制御電極
を形成しているので、蛍光体粒子がダメージを受けない
で、制御電極を形成できる。 (7)請求項7に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着させる場合に、電極上にベヒクルと共に蛍光体粒
子を印刷する工程と、この蛍光面が露出した後にベヒク
ルを除去し蛍光体粒子のみを残しているので、蛍光体粒
子にダメージを与えず、精度よく絶縁膜の開口部を形成
することが出来る。 (8)請求項8に対する作用効果:薄板からなる制御電
極を設置する場合に、絶縁膜上に導電性薄膜を形成して
あるので、絶縁膜によるチャージアップを防止すること
ができる。
と以下のような効果がある。 (1)請求項1に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部分をマス
キングする絶縁膜を持っているので、量産性に優れた、
エッヂのきれいな、面積バラツキの小さい蛍光面を形成
することが出来る。 (2)請求項2に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着した部分の中で、蛍光面として不要な部分をマス
キングする絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された制御電
極とを持っているので、制御電極を高精度に蛍光面に近
づけることができ、蛍光面の電流密度を上げ、輝度を高
めることが出来る。 (3)請求項3に対する作用効果:絶縁膜を、少なくと
も1回以上SiO2系被膜形成用塗布液を塗布すること
により形成しているので、精度の高い、耐熱性のある蛍
光面の開口部を作ることが出来る。 (4)請求項4に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着させる工程と、この上に絶縁膜を形成する工程と
、蛍光面として必要な部分の絶縁膜をエッチング除去す
る工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜でマ
スキングしているので、精度よく絶縁膜の開口部を形成
することが出来る。 (5)請求項5に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着させる工程と、蛍光面として必要な部分にレジス
トを形成した後に絶縁膜を形成する工程と、この後レジ
ストと同時に蛍光面として必要な部分の絶縁層を除去す
る工程とにより、蛍光面として不要な部分を絶縁膜でマ
スキングしているので、蛍光体粒子にダメージを与えず
、精度よく絶縁膜の開口部を形成することが出来る。 (6)請求項6に対する作用効果:電極上に付着させた
蛍光体粒子を、絶縁膜で保護している状態で、制御電極
を形成しているので、蛍光体粒子がダメージを受けない
で、制御電極を形成できる。 (7)請求項7に対する作用効果:電極上に蛍光体粒子
を付着させる場合に、電極上にベヒクルと共に蛍光体粒
子を印刷する工程と、この蛍光面が露出した後にベヒク
ルを除去し蛍光体粒子のみを残しているので、蛍光体粒
子にダメージを与えず、精度よく絶縁膜の開口部を形成
することが出来る。 (8)請求項8に対する作用効果:薄板からなる制御電
極を設置する場合に、絶縁膜上に導電性薄膜を形成して
あるので、絶縁膜によるチャージアップを防止すること
ができる。
【図1】 請求項1に記載した発明の一実施例を説明
するための図で、(a)は要部断面図、(b)は平面透
視図である。
するための図で、(a)は要部断面図、(b)は平面透
視図である。
【図2】 請求項2に記載した発明の一実施例を説明
するための図で、(a)は要部断面図、(b)は平面透
視図である。
するための図で、(a)は要部断面図、(b)は平面透
視図である。
【図3】 請求項4に記載した発明の一実施例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図4】 請求項5に記載した発明の一実施例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図5】 請求項6に記載した発明の一実施例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図6】 請求項7に記載した発明の一実施例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図7】 請求項8に記載した発明の一実施例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図8】 蛍光表示管の一例を説明するための分解斜
視図である。
視図である。
【図9】 蛍光表示管の一例を説明するための断面図
である。
である。
1…基板、2…電極、3…蛍光体粒子、4…絶縁膜、7
…制御電極、8…レジスト膜、8…ベヒクル混練蛍光体
粒子、10…金属薄膜電極、11…制御電極。
…制御電極、8…レジスト膜、8…ベヒクル混練蛍光体
粒子、10…金属薄膜電極、11…制御電極。
Claims (8)
- 【請求項1】 真空中に電子を放出する陰極と、放出
された電子を受けて発光する蛍光面とを備えた蛍光表示
管において、電極上に蛍光体粒子を付着した部分の中で
、蛍光面として不要な部分をマスキングする絶縁膜を有
することを特徴とした蛍光表示管。 - 【請求項2】 真空中に電子を放出する陰極と、放出
された電子を受けて発光する蛍光面とを備えた蛍光表示
管において、電極上に蛍光体粒子を付着した部分の中で
、蛍光面として不要な部分をマスキングする絶縁膜と、
該絶縁膜上に形成された制御電極とを有することを特徴
とした蛍光表示管。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の蛍光表示管を
製作する製作方法において、前記絶縁膜を、少なくとも
1回以上SiO2系被膜形成用塗布液を塗布することに
より形成することを特徴とした蛍光表示管の製作方法。 - 【請求項4】 請求項1又は2に記載の蛍光表示管を
製作する製作方法において、電極上に蛍光体粒子を付着
させる工程と、その上に絶縁膜を形成する工程と、蛍光
面として必要な部分の絶縁膜をエッチング除去する工程
より成り、蛍光面として不要な部分を前記絶縁膜でマス
キングすることを特徴とした蛍光表示管の製作方法。 - 【請求項5】 請求項1又は2に記載の蛍光表示管を
製作する製作方法において、電極上に蛍光体粒子を付着
させる工程と、蛍光面として必要な部分にレジストする
工程と、該レジストを含む前記電極上に前記レジストと
同時に蛍光面として必要な部分の絶縁層を除去する工程
より成り、蛍光面として不要な部分を前記絶縁膜でマス
キングすることを特徴とした蛍光表示管の製作方法。 - 【請求項6】 請求項2に記載の蛍光表示管を製作す
る製作方法において、電極上に蛍光体粒子を付着させる
工程と、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上
に少なくとも蛍光面として必要な部分より大きな開口部
をもつ導電性薄膜からなる制御電極を形成する工程と、
蛍光面として必要な部分の前記絶縁膜を除去する工程よ
り成り、蛍光面として不要な部分を前記絶縁膜でマスキ
ングし、かつ、該絶縁膜の上に制御電極を形成する工程
とから成ることを特徴とした蛍光表示管の製作方法。 - 【請求項7】 前記電極上に蛍光体粒子を付着させる
工程に、電極上にベヒクルと共に蛍光体粒子を印刷する
工程と、この蛍光面が露出した後にベヒクルを除去し蛍
光体粒子のみを残す工程とを用いることを特徴とした請
求項1又は4又は5又は6に記載の蛍光表示管の製作方
法。 - 【請求項8】 前記制御電極が金属薄板で形成され、
該制御電極と前記絶縁膜との間に導電性薄膜を有するこ
とを特徴とする請求項2に記載の蛍光表示管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8622691A JPH04294039A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 蛍光表示管及びその製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8622691A JPH04294039A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 蛍光表示管及びその製作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04294039A true JPH04294039A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13880877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8622691A Pending JPH04294039A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 蛍光表示管及びその製作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04294039A (ja) |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP8622691A patent/JPH04294039A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3998678A (en) | Method of manufacturing thin-film field-emission electron source | |
EP0434001A2 (en) | Electron emission device and method of manufacturing the same | |
US7528536B2 (en) | Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch | |
US6116975A (en) | Field emission cathode manufacturing method | |
WO1999040600A2 (en) | Gate electrode structure for field emission devices and method of making | |
JPH09274845A (ja) | 電子放出素子と電子放出素子用収束電極およびその製造方法 | |
KR100701476B1 (ko) | 전계 방출 음극과 그 제조 방법 | |
JP2002245927A (ja) | 細線を有する基板及び電子源及び画像表示装置 | |
JPH04294039A (ja) | 蛍光表示管及びその製作方法 | |
KR100378103B1 (ko) | 전자원, 화상 형성 장치 및 전자원 제조 방법 | |
JP2000315453A (ja) | 電界放出陰極のエミッタ及びその製造方法 | |
US5836799A (en) | Self-aligned method of micro-machining field emission display microtips | |
KR20010104960A (ko) | 전계방출소자용 캐소드 및 그 제조방법 | |
JPH0787074B2 (ja) | 電子放出素子およびその製造方法 | |
JPH04284325A (ja) | 電界放出型陰極装置 | |
JP2002056770A (ja) | 電界放出カソード及びその製造方法 | |
JPH04259732A (ja) | 蛍光体ドットアレイ管における蛍光面形成方法 | |
KR100795176B1 (ko) | 전계 방출 소자 및 그 제조방법 | |
KR100285316B1 (ko) | 대면적화 한 전계 방출 표시소자 | |
KR100323979B1 (ko) | 전계방출소자와그제조방법 | |
JPH03190034A (ja) | 電子放出素子とその製造方法 | |
KR950003102B1 (ko) | 형광프린터헤드 및 그 제조방법 | |
JPH04248224A (ja) | 蛍光体ドットアレイ管における蛍光面形成方法 | |
JPH07254355A (ja) | 電界放出型冷陰極アレイ | |
JPH11162326A (ja) | 電界電子放出素子 |