JPH04259732A - 蛍光体ドットアレイ管における蛍光面形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、蛍光表示管、光プリンタの光書
き込み部等に使用される蛍光体ドットアレイ管の蛍光面
形成方法に関するものであり、フラットディスプレイパ
ネル等にも応用可能なものである。

【０００２】

【従来技術】蛍光体ドットアレイ管は、一方向に一列又
は複数列に配列形成された多数の短冊状電極（セグメン
ト電極）に蛍光面を形成して、これを熱陰極とともに真
空容器中に封入し、熱陰極から熱電子を発生せしめる一
方、短冊状電極に選択的に正電圧を印加して、選択され
た短冊状電極に熱電子を引き付け、この熱電子が蛍光面
に衝突する際に発する蛍光により表示等を行うものであ
り、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリンタの光書
き込み部、あるいはフラットディスプレイパネル等に応
用されている。

【０００３】図３及び図４は蛍光体ドットアレイ管の一
例を示す分解斜視図及び断面図で、基板２０はガラス、
セラミック、樹脂等からなり、該基板２０には、一連の
短冊状電極２１が該基板２０の長手方向に列設されてい
る。この短冊状電極２１には、その個々にドット状の蛍
光面２６が形成されておりドットアレイを構成している
。尚、個々の蛍光面２６のサイズは、４０×４０μｍ２
のように極めて微細なものであるが、図示の例では、蛍
光面の形状を判り易くするため、蛍光面の寸法を他の部
材に比べて大きく表してある。

【０００４】基板２０の蛍光面２６の配列の両側には、
絶縁体層２２ａ，２２ｂが基板長手方向に沿って形成さ
れ、これらの上には、グリッド電極２３ａ，２３ｂがそ
れぞれ形成されている。また、符号２４は、基板長手方
向に張り渡された熱陰極としてのタングステンワイヤを
示しており、その表面にはＢａＳｒＯ等の電子放射性物
質が塗布されている。また、符号２５は、ガラス等から
なる透明な材料で形成されたフェイス部材で、図４に示
すように、基板２０側と一体化される。かくして、基板
２０、絶縁体層２２ａ，２２ｂ，グリッド電極２３ａ，
２３ｂ、フェイス部材２５は、閉空間を形成し、この空
間内には、短冊状電極２１、蛍光体層による蛍光面２６
、熱陰極２４，２４が封入され、上記閉空間は高度に真
空化される。

【０００５】さて、上記構成の蛍光体ドットアレイ管に
おいて、グリッド電極２３ａ，２３ｂに適宜の電圧を印
加しておいて、熱陰極２４，２４に数１０ｍＡの交流電
圧を通ずると、熱陰極２４，２４はジュール熱によって
加熱されて熱電子を放出する。かかる状態において、短
冊状電極列２１の一つに正電圧を印加してこれを正電位
にすると、上記熱電子は正電位の短冊状電極の電極部に
引き寄せられ、該電極部に衝突して蛍光面２６の蛍光物
質のエネルギー状態を励起させる。そして、励起した蛍
光物質は、基底状態へ戻る際に蛍光を発し、この蛍光が
フェイス部材２５を介して観察される。

【０００６】ところで、上述したような構成の蛍光体ド
ットアレイ管においては、短冊状電極に蛍光面を形成す
る際に、その蛍光面のサイズを正確に制御する必要があ
り、また、輝度の経時劣化が少ない蛍光面を形成するこ
とが必要とされる。このため従来より種々の蛍光面形成
方法が提案されている。

【０００７】次に、図５を参照して、従来技術による蛍
光体ドットアレイ管の蛍光面形成方法のより具体的な例
について説明する。図５に示す方法は、一般には、リフ
トオフ法と呼ばれ、フォトレジストで基板を被覆した後
に蛍光体の付着する部分を現像露光で除去してから電着
などの方法により露出した電極部に蛍光体を付着させ、
最後に、残ったレジスト層を焼成などの方法により除去
して蛍光体ドットを形成するものである。

【０００８】先ず、基板１上に短冊状電極２を形成し、
短冊状電極２を含む基板表面に、短冊状電極２の配列方
向に沿って上記短冊状電極２の一部を露出させる絶縁層
３を形成してセグメント電極列を形成した後、フォトレ
ジスト層４で基板１を被覆し（ａ）、この後、蛍光体を
付着するべき部分をフォトマスク６の穴５を通して現像
し（ｂ）、その部分を除去（ｃ）してから、電着などの
方法により、上記露出した電極部に蛍光体７を付着させ
（ｄ）、最後に、残ったフォトレジスト層４を焼成など
の方法により除去し（ｅ）、蛍光体ドット７を形成する
ものである。

【０００９】ここで、フォトレジスト４は、セグメント
電極２の露出部分以外に蛍光体が付着することを防止す
るための設けられているが、フォトレジストとしては、
精度上の問題により、ポジ型のフォトレジストを用いる
。このポジ型のフォトレジストは、通常、電着時に分散
媒として用いるＩＰＡなどの有機溶媒に溶解しないよう
に、紫外線などを照射してハードニングを行い、蛍光体
を付着させた後、焼成などにより除去する。

【００１０】ところが、この方法ではフォトレジストの
除去の際、付着している蛍光体がその雰囲気などにより
、蛍光体自身の発光効率や、発光寿命を低下させられて
しまうなどの影響が考えられる。また、基板の長手方向
にわたって均一に十分なレジストのハードニングが行わ
れなかった場合、電着時に、レジストが溶解して適切な
蛍光体ドットが形成できなかったり、電着液を汚染した
り、また、逆に部分的に過剰なハードニングをされた場
合、通常の焼成条件ではレジストが除去できず、基板表
面上に残ってしまい、管球化後の諸特性（輝度、寿命な
ど）に悪影響するなども考えられ、問題となる。

【００１１】ところで、従来より蛍光ドットアレイ管に
用いられている絶縁層は、アルミニウム（Ａｌ）などか
らなる短冊状電極を直接覆うように、スクリーン印刷な
どの方法により形成されているが、この絶縁層は酸化鉛
を主成分とする硼硅酸鉛ガラスで構成されており、腐食
性が高く、短冊状電極であるＡｌを劣化させてしまう。 また、スクリーン印刷で塗布された後、大気中５５０〜
６００℃の条件で焼成する際や、高湿な雰囲気による水
分の付着などにより、Ａｌ電極が腐食されてしまい電気
伝導度が著しく低下してしまうという問題が生じる。

【００１２】上述の問題点を解決するために、本出願人
は、先に、前述したフォトレジストによる蛍光体ドット
パターンを形成する方法ではなく、全工程にわたって、
蛍光体自身に影響せず、かつ管球後の諸特性にも全く影
響しない蛍光面形成方法について提案した。

【００１３】更に、前述した腐食の問題に対して、腐食
がアルミニウム薄膜と絶縁層の界面で生ずることから、
アルミニウム配線と絶縁層との間に、ＳｉＯ２などの不
純物の無い膜や層を設けて、その界面に生じる腐食の原
因を除去し、蛍光体ドットアレイ管の寿命の向上を図る
ことについて提案した。

【００１４】図６は、本出願人が先に提案した蛍光面形
成方法の一例を説明するための図で、電極形成工程にお
いて、先ず、スパッタリングや真空蒸着等の方法を用い
て導電性材料２を基板表面１に付着させる。尚、導電性
材料としては、コスト面からＡｌを用いる。次に、通常
のフォトリソグラフィ法により短冊状のＡｌの配線パタ
ーン２を形成する（ａ）。

【００１５】次に、絶縁パターン層形成工程において、
絶縁膜として例えばＳｉＯ２膜を用い、低温（４００℃
以下）のプラズマＣＶＤや、ＳｉＯ２被膜形成用塗布液
等による方法を用いて、上記短冊状のＡｌ配線パターン
２上にＳｉＯ２膜８を形成し被覆する（ｂ）。尚、ＣＶ
Ｄ法を用いる場合、下地の電極２がＡｌ等の熱に弱い導
電性材料の場合には、高温になると粒界が移動したヒー
ロック等の突起が多く発生する等の問題が生じるため、
低温下での成膜を行う。

【００１６】また、塗布液を用いる方法の場合は、例え
ば、ＳｉＯ２系被膜形成用塗布液ＯＣＤ（東京応化社製
）等を用いて、スピナーにより塗布すれば３０００Å位
までの膜厚のＳｉＯ２膜が得られ、１０００℃位までの
耐熱性を持つ。

【００１７】さて、上述の絶縁パターン層形成工程によ
って短冊状電極列２をＳｉＯ２絶縁層膜８で被覆した後
は、通常のフォトリソグラフィの工程と同様に、先ずフ
ォトレジスト層形成工程によりＳｉＯ２絶縁膜８の上に
フォトレジスト層４が形成され（ｃ）、フォトマスク６
を用いて露光・現像が行われ（ｄ）、短冊状電極列２上
の蛍光体が付着するべきドット部のフォトレジスト層が
除去されたレジストパターン４が形成される（ｅ）。そ
して、レジストパターン４を形成した後、次のエッチン
グ工程により、蛍光体が付着される部分のＳｉＯ２絶縁
膜８をエッチングにより除去する（ｆ）。

【００１８】次に、上述のエッチング工程終了後、フォ
トレジスト層除去工程で余分なレジストを剥離液などを
用いて完全に除去すれば、蛍光体が付着する部分のＡｌ
電極２が露出される（ｇ）。

【００１９】次に、絶縁層形成工程により、短冊状Ａｌ
電極列を含む基板１の表面に電極の配列方向に沿って上
記電極の蛍光体を付着すべき露出部分を含む一部を露出
させた絶縁層３を従来方法により形成する（ｈ）。

【００２０】そして、絶縁層３の形成後、蛍光面形成工
程において、電着装置により、蛍光体７を電極列２の露
出部分にドット状に付着させれば所望の蛍光体ドットア
レイを得ることができる（ｉ）。

【００２１】さて、このようにしてドットアレイ状の蛍
光面７が形成された蛍光体ドットアレイ管では、Ａｌ配
線（Ａｌ電極）２と絶縁層３との間にＳｉＯ２絶縁膜８
が形成されているため、Ａｌ配線（Ａｌ電極）２と絶縁
層３とが直接接触することがないため、従来技術で問題
となっていた腐食によるＡｌ配線の断線等の発生が著し
く改善される。

【００２２】また、上記蛍光面形成方法では、フォトレ
ジストを除去した後に蛍光面の形成が行われるため、蛍
光体７にフォトレジスト除去時の熱や有機溶媒等による
影響が及ばず、蛍光体の劣化等の問題が解消される。

【００２３】図７は、本出願人が先に提案した蛍光面形
成方法の他の例を説明するための図で、その方法は、図
６に示した蛍光面形成方法の工程順を入れ替えて、絶縁
層３の形成工程を、絶縁パターン層８の形成工程後であ
ってフォトレジスト層４の形成工程の直前に行うように
したものである。

【００２４】つまり、図７の電極２の形成工程（ａ）及
び絶縁パターン層８の形成工程（ｂ）は、図６の（ａ）
及び（ｂ）に示した工程と同様であり、絶縁層８の形成
工程（図７の（ｂ））後の工程、すなわち、図７の（ｃ
）〜（ｈ）の工程は、図６の（ｃ）〜（ｉ）の工程から
絶縁層形成工程（図６の（ｇ））を除いた工程と同様で
あるため、説明を省略する。

【００２５】ところで、図６に示す工程、若しくは図７
に示す工程を経て蛍光体ドットアレイが形成された蛍光
管においては、蛍光管の構造によって絶縁パターン層８
の表面にカソードフィラメントからの電子が滞ってしま
うチャージアップ現象が発生する場合があるが、この場
合には、絶縁パターン層８を絶縁層３とＡｌ短冊状電極
２の電極面との境界面部分にのみ形成させるような構成
にするか、Ａｌ短冊状電極２間にチャージアップ防止用
の疑似電極を付加形成するなどの構成にすればよい。

【００２６】上記本出願人が先に提案した蛍光用形成方
法によると、フォトレジストの代わりに管球化後も残る
絶縁層膜で被覆してパターニングして蛍光面を形成して
いる。しかし、これらは、蛍光面を形成した後に、絶縁
層の上に金属板（ステンレスが最も良く使われる）をエ
ッチング処理した制御電極を置き、低融点ガラスで固定
することが必要である。この制御電極の、寸法精度、組
立位置精度等は、蛍光体の輝度に非常に大きく影響する
。特に、組立精度が他の精度と比較して非常に悪い。 また、制御電極それ自体の強度が必要なため、５０ミク
ロン以下の厚さにするのは難しく、制御電極の上面の高
さの設計に自由が少なくなる。

【００２７】また、Ａｌなどの短冊状電極を直接覆うよ
うにスクリーン印刷して形成した絶縁層が必要であるが
、この絶縁層は酸化鉛を主成分とする硼硅酸鉛ガラスで
構成されているため腐食性が高く、短冊状電極であるＡ
ｌを劣化させてしまう。さらに、スクリーン印刷で塗布
された後、大気中５５０〜６００℃の条件で焼成する際
や高湿な雰囲気により水の付着によりＡｌ電極が腐食さ
れてしまい、また、Ａｌ電極表面自体も高温のためにヒ
ートロックが起こり、表面深くまで酸化され、蛍光体や
ボンディング時のワイヤの付着力が低下したりする。

【００２８】

【目的】本発明は、上記従来技術の方法を改良し、パタ
ーニングする絶縁膜の上に絶縁層を新たに設けること無
く直接金属薄膜を設け、これを制御電極として用いるよ
うにすることにより、製法の簡単な精度の高い制御電極
の形成工程までも含んだ蛍光面形成方法を提供すること
を目的としてなされたものである。

【００２９】

【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
蛍光体ドットアレイ管における蛍光面形成方法において
、基板上に導電性材料からなる短冊状電極を少なくとも
一列設ける電極形成工程と、前記短冊状電極を含む前記
基板表面を絶縁性を有する膜で被覆する絶縁膜形成工程
と、前記絶縁膜を金属薄膜で被覆する工程と、前記金属
薄膜にフォトレジスト層を塗布する工程と、、少なくと
も蛍光体が付着する部分を覆っているフォトレジスト層
を除去する工程と、前記蛍光体が付着する部分を覆って
いる金属膜と絶縁膜を連続してエッチング除去して前記
短冊状電極を一部露出する工程と、前記蛍光体が付着す
べき電極部分の一つ一つに蛍光体を付着させて蛍光面を
形成する蛍光面形成工程とにより、蛍光体ドットアレイ
を形成するようにしたこと、更には、（２）前記（１）
において、前記蛍光体ドットアレイ管における蛍光面形
成方法において、前記絶縁膜としてＳｉＯ２系の絶縁膜
を用い、その厚さを０．２〜１．５μｍとしたこと、更
には、（３）前記（１）又は（２）において、前記蛍光
体ドットアレイ管における蛍光面形成方法において前記
金属薄膜と前記絶縁膜を連続してエッチング除去する場
合に、連続して少なくとも２種類のエッチャントを用い
ること、或いは、（４）前記（３）において、前記蛍光
体ドットアレイ管における蛍光面形成方法において前記
エッチャントの最初に用いるエッチャントに絶縁膜に対
するエッチング速度が前記金属薄膜に対するエッチング
速度より遅いエッチャントを用い、前記金属薄膜を完全
にエッチング処理した後、連続して絶縁膜のエッチング
工程に入ることを特徴としたものであり、或いは、（５
）蛍光体ドットアレイ管における蛍光面形成方法におい
て、基板上に導電性材料からなる短冊状電極を少なくと
も一列設ける電極形成工程と、前記短冊状電極を含む前
記基板表面を絶縁性を有する膜で被覆する絶縁膜形成工
程と、前記絶縁膜を金属薄膜で被覆する工程と、前記金
属膜と絶縁膜の少なくとも蛍光体が付着する部分を覆っ
ている部分をエッチングにより除去する工程と、前記蛍
光体が付着すべき電極部分の一つ一つに蛍光体を付着さ
せて蛍光面を形成する蛍光面形成工程からなる蛍光面形
成方法において、前記金属薄膜を印刷法により形成した
ことを特徴としたものである。以下、本発明の実施例に
基づいて説明する。

【００３０】図１は、本発明による蛍光面形成方法の一
実施例を図解的に示す工程図で、最初に、同図を用いて
請求項１に記載の発明について説明する。まず、電極形
成工程において、Ａｌなどの導電性材料１２をスパッタ
などの方法により基板１１上に形成させ、通常のフォト
リソグラフィ工程により短冊状のＡｌ配線パターン１２
を形成する（ａ）。

【００３１】次に、絶縁膜層形成工程において、絶縁膜
１３として例えばＳｉＯ２膜を用い、低温（４００℃以
下）のプラズマＣＶＤや、ＳｉＯ２被膜形成用塗布液等
による方法を用いて、上記短冊状のＡｌ配線パターン１
２上にＳｉＯ２膜を形成して絶縁膜１３を形成する（ｂ
）。尚、ＣＶＤ法を用いる場合、下地の電極１２がＡｌ
等の熱に弱い導電性材料の場合には、高温になると粒界
が移動したヒートロック等の突起が多く発生する等の問
題が生じるため、低温下での成膜を行う。また、塗布液
を用いる方法の場合は、例えば、ＳｉＯ２系被膜形成用
塗布液ＯＣＤ（東京応化社製）等を用いて、スピナーに
より塗布すれば０．２〜１．５μｍ位までの膜厚のＳｉ
Ｏ２膜が得られ、１０００℃位までの耐熱性を持つ。

【００３２】絶縁膜１３で被覆した後は、再びＡｌなど
の導電性材料をスパッタなどの方法により基板上に金属
薄膜１４として形成させ（ｃ）、その後、通常のフォト
リソグラフィ工程を１回だけ行うことにより制御電極の
パターンの形成と、蛍光体が付着する部分を覆っている
絶縁膜の除去による短冊状電極のパターン形成と電極面
の露出を連続して行なう。これは、レジスト塗布工程（
ｄ）で、例えば、ポジ型レジスト１５（ＯＦＰＲ８００
、東京応化等）をスピナーにより塗布すれば、１．２ミ
クロン位の厚さに容易にでき、紫外線をレジスト除去部
に露光した後アルカリ性現像液（ＮＭＤ−Ｗ、東京応化
等）に浸漬して、レジストパターニング（Ｉ）工程（ｅ
）を行なったのち、金属薄膜１４と絶縁膜１３の両方を
エッチングできるエッチャント（例えば、この場合ウェ
ットエッチングであれば、弗酸と弗化アンモニウムなど
からなるエッチング液）に浸漬してエッチングする（ｆ
）。両方をドライエッチングしても良い。このとき、絶
縁膜を完全にエッチングし、下地のＡｌ短冊状電極のエ
ッチングを極力小さくしたジャストエッチングが必要で
ある。実験では、アルミニウムに自身が弗酸系のエッチ
ャントに対してエッチング速度が小さいことと、表面に
酸化アルミニウムが形成されたため、精度の良いエッチ
ングができた。

【００３３】前記金属薄膜１４の厚さは、好ましくは、
前記絶縁膜１３の厚さの少なくとも半分の厚さ以上の厚
さとする。このように、金属薄膜１４の厚さを絶縁膜１
３の厚さに対して相対的に厚くする理由は下記の理由に
よる。すなわち、金属薄膜１４の厚さが、絶縁膜１３に
対して薄いと、絶縁膜１３と金属薄膜１４がほぼ同じ速
度でエッチングされる場合には問題ないが、金属薄膜１
４より絶縁膜１３のエッチング速度が大きい時、ウェッ
トエッチンク等の等方性エッチングでは金属薄膜の下面
が削られていくため、金属薄膜１４がオーバーハングの
状態になる。この時、金属薄膜１４が薄いと、この金属
薄膜の機械的強度が小さいため、容易に破壊されてしま
う。このためには、削られる長さ（≒絶縁膜の膜厚）に
対して、金属薄膜１４の厚さがある程度以上厚ければよ
い。このように、絶縁膜１３の厚さと金属薄膜１４の厚
さは、相互に関連しており、絶縁膜１３の厚さを薄くす
れば、それに応じて金属薄膜１４の厚さも薄くすること
が可能であり、請求項２に記載の発明のように、絶縁膜
１３の厚さを実現可能な限り薄くすると、それに応じて
金属薄膜１４も薄くすることが可能であり、しかも、金
属薄膜のオーバーハング部の折損や折り曲がりがない、
製作精度のよい蛍光面の形成が可能となる。

【００３４】次に、レジスト除去工程で余分なレジスト
を剥離液などで完全に除去すれば、蛍光体が付着する部
分のＡｌ電極と、制御電極が露出する（ｇ）。最後に、
この蛍光体が付着する部分のＡｌ電極に例えば蛍光体粒
子を含む電着液中で電着を行ない、蛍光面１６を形成す
る（ｈ）。

【００３５】この方法は、従来の酸化鉛を主成分とする
硼硅酸鉛ガラスからなる絶縁層を用いていないため、Ａ
ｌなどの金属配線の腐食を起こしにくい。また、制御電
極も通常の薄膜プロセスで同時に簡単に形成できるため
、精度が高くでき、蛍光面に近付けることもできる。 さらに、蛍光体を付着する面をレジストで被覆しておら
ず、電極面が汚染されにくく蛍光体が付着しやすい。ま
た、蛍光体を付着した後にレジストの除去工程が無いた
め、蛍光体の効率が低下しにくい等の利点がある。また
、レジストの塗布を含む通常のフォトリソ工程が１回で
済むので精度が高く、製法が簡易であり、安価にできる
。

【００３６】次に、請求項３に記載の発明について説明
する。図１において、レジストパターニング（Ｉ）工程
（ｅ）を行なったのち、金属薄膜と絶縁膜の両方をエッ
チングする場合に、最初の金属薄膜が主にエッチングさ
れるときは比較的弱い酸性のエッチャント（例えば、リ
ン酸や塩酸を主成分とするもの）を用い、主に絶縁膜を
エッチングするときは弗酸を主成分とする強いエッチャ
ントを用い、下地のＡｌ短冊状電極付近になったら、例
えばこれの薄いエッチング速度の小さいエッチャントに
する。これにより、レジストパターンに正確な、下地の
Ａｌ短冊状電極のエッチングを極力小さくしたエッチン
グができる。また、制御電極の寸法精度を高めることが
できる。

【００３７】図２は、請求項４に記載の発明の実施例を
図解的に説明するための図で、例えば、金属薄膜にアル
ミニウムを用いた場合、前述の工程（ｅ）のレジストパ
ターニング（Ｉ）を行なったのち、酸性のエッチャント
（（例えば、リン酸を主成分とするもの）で金属薄膜１
４だけのエッチングを行ない完全に金属薄膜をエッチン
グし、制御電極の形成を行なう（ｉ）。この後、弗酸と
硝酸、または弗酸と弗化アンモニウムなどからなるエッ
チング液）に浸漬して蛍光体が付着する部分を覆ってい
る絶縁膜１３をエッチングする（ｊ）。これにより、一
度エッチャント液に露出した表面が絶縁膜だけになる状
態があるので、この時点から、絶縁膜の厚さに依存した
均一なエッチングができ、下地のＡｌ短冊状電極１２の
エッチングを極力小さくしたエッチングができる。なお
、図２において、（ａ）〜（ｅ）の工程、及び、（ｇ）
，（ｈ）の工程は図１と同じである。

【００３８】次に、請求項５に記載の発明について説明
する。前述のごとく、図１は、本発明による蛍光面形成
方法の一実施例を図解的に示す工程図で、まず、電極形
成工程において、Ａｌなどの導電性材料１２をスパッタ
などの方法により、基板１１上に形成させ、通常のフォ
トリソグラフィ工程により短冊状のＡｌ配線パターン１
２を形成する（ａ）。次に、絶縁膜層形成工程において
、絶縁膜１３として例えばＳｉＯ２膜を用い、低温（４
００℃以下）のプラズマＣＶＤやＳｉＯ２被膜形成用塗
布液等による方法を用いて、上記短冊状のＡｌ配線パタ
ーン１２にＳｉＯ２膜１３を形成して絶縁膜１３を形成
する（ｂ）。絶縁膜１３で被覆した後は、再びＡｌなど
の導電性材料を含んだ導電性塗料を印刷法により金属膜
１４として形成させる（ｃ）。これにより、通常のフォ
トリソグラフィ工程により金属薄膜を制御電極にパター
ン形成をする必要が無くなる。または、蛍光体が付着す
る部分のＡｌ電極付近のみを、この後、通常のフォトリ
ソグラフィ工程によりパターン形成すればよく、蛍光面
以外の部分の金属薄膜の除去（例えば、フィラメントサ
ポート部、ＩＣ実装部等）を考慮する必要が無くなり、
工程を簡略化できる。

【００３９】

【効果】以上の説明から明らかなように、請求項１乃至
４に記載の発明によると、蛍光体ドットアレイ管の蛍光
面形成方法において、絶縁膜で短冊状電極のパターニン
グを行なうとともに、この絶縁膜上に金属薄膜の制御電
極を形成しているので、蛍光体の効率が低下しない様に
蛍光面を形成できると同時に、配線電極の腐食に強く、
制御電極の精度の高い蛍光体ドットアレイを提供するこ
とができる。また、請求項５に記載の発明によると、蛍
光体ドットアレイ管の蛍光面形成方法において、絶縁膜
上の金属薄膜を印刷法により形成しているので、制御電
極のパターン形成が容易になり、蛍光体の効率が低下し
ない様に蛍光面を形成できると同時に、配線電極の腐食
に強く、制御電極の精度の高い蛍光体ドットアレイを提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明による蛍光面形成方法の一実施例を
図解的に説明する工程図である。

【図２】　　本発明による蛍光面形成方法の他の実施例
を図解的に説明するための工程図である。

【図３】　　蛍光体ドットアレイ管の一例を示す分解斜
視図である。

【図４】　　図４の断面図である。

【図５】　　従来技術による蛍光面形成方法の具体例を
断面図で示す工程図である。

【図６】　　本出願人が先に提案した従来技術による蛍
光面形成方法の他の具体例を断面図で示す工程図である
。

【図７】　　　　本出願人が先に提案した従来技術によ
る蛍光面形成方法の他の具体例を断面図で示す工程図で
ある。

【符号の説明】

１１…基板、１２…配線パターン、１３…絶縁層、１４
…金属膜、１５…レジスト膜、１６…蛍光面。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　蛍光体ドットアレイ管における蛍光面
   形成方法において、基板上に導電性材料からなる短冊状
   電極を少なくとも一列設ける電極形成工程と、前記短冊
   状電極を含む前記基板表面を絶縁性を有する膜で被覆す
   る絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜を該絶縁膜の少なくと
   も半分の厚さ以上の厚さの金属薄膜で被覆する工程と、
   前記金属薄膜にフォトレジスト層を塗布する工程と、、
   少なくとも蛍光体が付着する部分を覆っているフォトレ
   ジスト層を除去する工程と、前記蛍光体が付着する部分
   を覆っている金属膜と絶縁膜を連続してエッチング除去
   して前記短冊状電極を一部露出する工程と、前記蛍光体
   が付着すべき電極部分の一つ一つに蛍光体を付着させて
   蛍光面を形成する蛍光面形成工程とにより、蛍光体ドッ
   トアレイを形成するようにしたことを特徴とする蛍光面
   形成方法。
2. 【請求項２】　　請求項１における前記蛍光体ドットア
   レイ管における蛍光面形成方法において、前記絶縁膜と
   してＳｉＯ２系の絶縁膜を用い、その厚さを０．２〜１
   ．５μｍとしたことを特徴とする蛍光面形成方法。
3. 【請求項３】　　請求項１又は２における前記蛍光体ド
   ットアレイ管における蛍光面形成方法において、前記金
   属薄膜と前記絶縁膜を連続してエッチング除去する場合
   に、連続して少なくとも２種類のエッチャントを用いる
   ことを特徴とする蛍光面形成方法。
4. 【請求項４】　　請求項３における前記蛍光体ドットア
   レイ管における蛍光面形成方法において、前記エッチャ
   ントの最初に用いるエッチャントに絶縁膜に対するエッ
   チング速度が前記金属薄膜に対するエッチング速度より
   遅いエッチャントを用い、前記金属薄膜を完全にエッチ
   ング処理した後、連続して絶縁膜のエッチング工程に入
   ることを特徴とする蛍光面形成方法。
5. 【請求項５】　　蛍光体ドットアレイ管における蛍光面
   形成方法において、基板上に導電性材料からなる短冊状
   電極を少なくとも一列設ける電極形成工程と、前記短冊
   状電極を含む前記基板表面を絶縁性を有する膜で被覆す
   る絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜を金属薄膜で被覆する
   工程と、前記金属膜と絶縁膜の少なくとも蛍光体が付着
   する部分を覆っている部分をエッチングにより除去する
   工程と、前記蛍光体が付着すべき電極部分の一つ一つに
   蛍光体を付着させて蛍光面を形成する蛍光面形成工程か
   らなる蛍光面形成方法において、前記金属薄膜を印刷法
   により形成したことを特徴とする蛍光面形成方法。