JP2002203469A - 冷陰極電子装置 - Google Patents
冷陰極電子装置Info
- Publication number
- JP2002203469A JP2002203469A JP2000398999A JP2000398999A JP2002203469A JP 2002203469 A JP2002203469 A JP 2002203469A JP 2000398999 A JP2000398999 A JP 2000398999A JP 2000398999 A JP2000398999 A JP 2000398999A JP 2002203469 A JP2002203469 A JP 2002203469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cold cathode
- tantalum
- substrate
- electronic device
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲート、エミッタ間の距離を短縮でき駆動電
圧を大幅に低下できる冷陰極電子装置（ＦＥＤ）を得
る。 【解決手段】 アノード１６に向けてエミッタ１３をも
つ冷陰極１１から放出される電子を制御するゲートの支
持およびゲート１５、エミッタ間の絶縁に自己酸化膜を
有するタンタル基板１４を用いる。
圧を大幅に低下できる冷陰極電子装置（ＦＥＤ）を得
る。 【解決手段】 アノード１６に向けてエミッタ１３をも
つ冷陰極１１から放出される電子を制御するゲートの支
持およびゲート１５、エミッタ間の絶縁に自己酸化膜を
有するタンタル基板１４を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は冷陰極電子装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】真空中の電子の移動速度、制御性などに
注目し、微小な冷陰極により電子を放出させて、ＦＥＤ
（Field Emission Display）などの装置に応用しようと
する真空マイクロの開発が行われている。特に冷陰極の
電子放出体（エミッタ）としてカーボンナノチューブな
どの細く、長いナノチューブを用いたディスプレイの開
発が活発である（S.Uemura, J.Yotani et ai.,SID'00,3
20(2000)）。
注目し、微小な冷陰極により電子を放出させて、ＦＥＤ
（Field Emission Display）などの装置に応用しようと
する真空マイクロの開発が行われている。特に冷陰極の
電子放出体（エミッタ）としてカーボンナノチューブな
どの細く、長いナノチューブを用いたディスプレイの開
発が活発である（S.Uemura, J.Yotani et ai.,SID'00,3
20(2000)）。
【０００３】そのディスプレイの構成を図３に示す。外
囲器となるエミッタ側ガラス基板３１、エミッタ配線３
２、エミッタ３３としてのナノチューブ、第一のリブ３
４、制御電極としてグリッド３５、第２のリブ３６、蛍
光体３７、アノード３８としての透明電極、外囲器とな
るアノード側ガラス基板３９などでディスプレイは構成
され、エミッタ側ガラス基板３１とアノード側ガラス基
板３９の内部は真空に保持されている。グリッド３５は
開口した金属の箔例えばＮｉなどでライン状に構成さ
れ、各画素ラインに対応し、ライン数だけ配設されてい
る。
囲器となるエミッタ側ガラス基板３１、エミッタ配線３
２、エミッタ３３としてのナノチューブ、第一のリブ３
４、制御電極としてグリッド３５、第２のリブ３６、蛍
光体３７、アノード３８としての透明電極、外囲器とな
るアノード側ガラス基板３９などでディスプレイは構成
され、エミッタ側ガラス基板３１とアノード側ガラス基
板３９の内部は真空に保持されている。グリッド３５は
開口した金属の箔例えばＮｉなどでライン状に構成さ
れ、各画素ラインに対応し、ライン数だけ配設されてい
る。
【０００４】電子はグリッドラインとエミッタ配線ライ
ンとの間に印加された電圧による電界で、該当した画素
エミッタ３３から放出され、アノード３８に印加された
電圧により電子は吸引されアノード３８にある蛍光体３
７に射突し蛍光を発生する。
ンとの間に印加された電圧による電界で、該当した画素
エミッタ３３から放出され、アノード３８に印加された
電圧により電子は吸引されアノード３８にある蛍光体３
７に射突し蛍光を発生する。
【０００５】グリッド３５はエミッタ３３と絶縁される
ため、スペーサとなるガラス製の第一のリブ３４の上に
形成される。またアノードとも絶縁が必要であるため第
二のリブ３６を第一のリブ３４の上に直交させて、配設
する。しかしリブはガラスでできていて割れやすく、ま
た接着固定材のフリットなどで立てて固定する作業で
は、百μｍ以上の高さを必要とするため、グリッド３５
とエミッタ３３の間隔も百μｍ以上となり、電子放出に
必要な電界をえるには高い電圧による駆動が必要とな
る。
ため、スペーサとなるガラス製の第一のリブ３４の上に
形成される。またアノードとも絶縁が必要であるため第
二のリブ３６を第一のリブ３４の上に直交させて、配設
する。しかしリブはガラスでできていて割れやすく、ま
た接着固定材のフリットなどで立てて固定する作業で
は、百μｍ以上の高さを必要とするため、グリッド３５
とエミッタ３３の間隔も百μｍ以上となり、電子放出に
必要な電界をえるには高い電圧による駆動が必要とな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は制御電極とエ
ミッタの間隔を狭くすることにより駆動電圧を低下さ
せ、高性能な冷陰極電子装置を提供することを目的とす
る。
ミッタの間隔を狭くすることにより駆動電圧を低下さ
せ、高性能な冷陰極電子装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前課題に鑑み、本発明は
タンタルの薄板を制御電極の支持基板に用いる。すなわ
ち、真空外囲器と、この外囲器内に配置され、電子を放
出する冷陰極と、この冷陰極に対向して設けられるアノ
ードと、前記冷陰極とアノード間に設けられ前記電子を
制御する制御電極とを具備する冷陰極電子装置におい
て、前記制御電極は自己酸化膜で覆われたタンタル板か
らなるタンタル基板で支持されてなることを特徴とする
冷陰極電子装置である。
タンタルの薄板を制御電極の支持基板に用いる。すなわ
ち、真空外囲器と、この外囲器内に配置され、電子を放
出する冷陰極と、この冷陰極に対向して設けられるアノ
ードと、前記冷陰極とアノード間に設けられ前記電子を
制御する制御電極とを具備する冷陰極電子装置におい
て、前記制御電極は自己酸化膜で覆われたタンタル板か
らなるタンタル基板で支持されてなることを特徴とする
冷陰極電子装置である。
【０００８】基板は絶縁性であり、冷陰極と制御電極の
間隔を保持するスペーサになり、狭い間隔を精密に確保
する。タンタル板は５μｍ乃至５０μｍ厚の範囲程度の
薄い基板では充分柔軟性を有し、取扱いなどでの破壊は
なく、また線膨張率が６．５×１０−６［℃−１］とガ
ラスなどの線膨張係数に近いなど、ガラスとなじみやす
い性質があり、さらにタンタル板に自己酸化などで１μ
ｍ乃至１０μｍの厚さのＴａ酸化膜を形成することによ
り、密着性が高く、絶縁性の高い絶縁膜がタンタル板上
に形成でき、またタンタル板を完全には酸化させないで
残すことにより、基板全体ではタンタルの柔軟性がある
基板が得られることが分かった。タンタル自己酸化膜は
５００℃以上の水蒸気酸化などにより容易に形成でき
る。
間隔を保持するスペーサになり、狭い間隔を精密に確保
する。タンタル板は５μｍ乃至５０μｍ厚の範囲程度の
薄い基板では充分柔軟性を有し、取扱いなどでの破壊は
なく、また線膨張率が６．５×１０−６［℃−１］とガ
ラスなどの線膨張係数に近いなど、ガラスとなじみやす
い性質があり、さらにタンタル板に自己酸化などで１μ
ｍ乃至１０μｍの厚さのＴａ酸化膜を形成することによ
り、密着性が高く、絶縁性の高い絶縁膜がタンタル板上
に形成でき、またタンタル板を完全には酸化させないで
残すことにより、基板全体ではタンタルの柔軟性がある
基板が得られることが分かった。タンタル自己酸化膜は
５００℃以上の水蒸気酸化などにより容易に形成でき
る。
【０００９】薄板の厚さが薄くなるほどそり発生の影響
が大きくなるため、投入時の基板のそりは少ない方が良
く、面粗さも小さい方がいい。そのためには結晶粒は１
００ｎｍ以下のほうがそり発生が少なく、表面粗さも１
００ｎｍ以下が望ましい。
が大きくなるため、投入時の基板のそりは少ない方が良
く、面粗さも小さい方がいい。そのためには結晶粒は１
００ｎｍ以下のほうがそり発生が少なく、表面粗さも１
００ｎｍ以下が望ましい。
【００１０】さらにレジストなどでパターニングを形成
し、タンタル基板をエッチングすることでスルーホール
なども容易に形成でき、タンタル酸化膜を形成した上
に、さらにパターニングされた配線を形成することがで
きる。
し、タンタル基板をエッチングすることでスルーホール
なども容易に形成でき、タンタル酸化膜を形成した上
に、さらにパターニングされた配線を形成することがで
きる。
【００１１】タンタルのエッチングはＣＦ４と酸素を用
いたドライエッチングなどで行うことができ、またタン
タル酸化膜はフッ化アンモニウムなどを用いたウェット
エッチングなどにより容易にエッチングできるためタン
タル基板の加工性は高い。
いたドライエッチングなどで行うことができ、またタン
タル酸化膜はフッ化アンモニウムなどを用いたウェット
エッチングなどにより容易にエッチングできるためタン
タル基板の加工性は高い。
【００１２】一方酸化タンタルの比誘電率は２８と酸化
珪素の４．５に比較して高いため、全体として誘電率を
下げる必要がある場合には、酸化タンタル膜上に酸化珪
素膜などを形成することもできる。酸化珪素は例えば３
００℃から４００℃に加熱したシラン（ＳｉＨ４）の酸
化熱分解によるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
法、ポリシラザンなどを用いたＳＯＧ（Spin On Glas
s）法などで形成することができる。
珪素の４．５に比較して高いため、全体として誘電率を
下げる必要がある場合には、酸化タンタル膜上に酸化珪
素膜などを形成することもできる。酸化珪素は例えば３
００℃から４００℃に加熱したシラン（ＳｉＨ４）の酸
化熱分解によるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
法、ポリシラザンなどを用いたＳＯＧ（Spin On Glas
s）法などで形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施例を図面を参
照しながら説明する。図１は本実施例の冷陰極電子装置
の構造を説明するもので、また図２（ａ）〜（ｆ）は図
１のタンタル基板とゲート（制御電極）の作製工程を示
す。
照しながら説明する。図１は本実施例の冷陰極電子装置
の構造を説明するもので、また図２（ａ）〜（ｆ）は図
１のタンタル基板とゲート（制御電極）の作製工程を示
す。
【００１４】図１において、エミッタ側ガラス基板１０
上に冷陰極１１を形成するエミッタ配線１２、エミッタ
１３が配設されている。エミッタ配線１２は例えば、モ
リブデンータンタル合金をスパッタ法などにより約０．
５μｍ厚のストライプ状に形成される。画素ライン数に
応じてストライプ数がきまる。エミッタ１３は例えば面
状に配列したカーボンナノチューブ群を銀ペーストなど
でエミッタ配線上に固定、焼成したものである。その上
にゲートの絶縁支持体として、放出した電子を通すため
の開口を有し自己酸化膜で覆われた１０μｍの厚さのタ
ンタル板からなるタンタル基板１４を配設する。タンタ
ル基板１４は図２（ｄ）に示すようにタンタル板２１両
面にタンタル自己酸化膜２４が被着して構成され、さら
に膜全体の比誘電率を低下させるためタンタル自己酸化
膜の上に酸化珪素膜２５を例えばＣＶＤ法などにより５
μｍ程度形成している。
上に冷陰極１１を形成するエミッタ配線１２、エミッタ
１３が配設されている。エミッタ配線１２は例えば、モ
リブデンータンタル合金をスパッタ法などにより約０．
５μｍ厚のストライプ状に形成される。画素ライン数に
応じてストライプ数がきまる。エミッタ１３は例えば面
状に配列したカーボンナノチューブ群を銀ペーストなど
でエミッタ配線上に固定、焼成したものである。その上
にゲートの絶縁支持体として、放出した電子を通すため
の開口を有し自己酸化膜で覆われた１０μｍの厚さのタ
ンタル板からなるタンタル基板１４を配設する。タンタ
ル基板１４は図２（ｄ）に示すようにタンタル板２１両
面にタンタル自己酸化膜２４が被着して構成され、さら
に膜全体の比誘電率を低下させるためタンタル自己酸化
膜の上に酸化珪素膜２５を例えばＣＶＤ法などにより５
μｍ程度形成している。
【００１５】さらにその上面にはゲート１５をかねたゲ
ート配線が形成されている。ゲート１５には例えばクロ
ム、アルミニウムなどがスパッタ法などでそれぞれ０．
０５μｍおよび１μｍ各々積層して形成され、エミッタ
配線とマトリクスを形成するようにストライプにパター
ニングされている。各ゲートはタンタル基板１４の各開
口部１４ａに対応して開口している。
ート配線が形成されている。ゲート１５には例えばクロ
ム、アルミニウムなどがスパッタ法などでそれぞれ０．
０５μｍおよび１μｍ各々積層して形成され、エミッタ
配線とマトリクスを形成するようにストライプにパター
ニングされている。各ゲートはタンタル基板１４の各開
口部１４ａに対応して開口している。
【００１６】さらに、アノード側ガラス基板１８に、冷
陰極１１に対向してアノード１６として透明導電膜（Ｉ
ＴＯ）をスパッタ法などで形成し、その上に蛍光膜１９
を塗布乾燥して形成する。アノード１６との絶縁のため
に、アノード１６とゲート１５との間のゲート１５の上
にガラスでできたリブ１７が配設されている。リブ１７
は真空支持、絶縁支持及び蛍光光の滲み防止として各画
素に対応し、フリットガラスなどで固定配設される。
陰極１１に対向してアノード１６として透明導電膜（Ｉ
ＴＯ）をスパッタ法などで形成し、その上に蛍光膜１９
を塗布乾燥して形成する。アノード１６との絶縁のため
に、アノード１６とゲート１５との間のゲート１５の上
にガラスでできたリブ１７が配設されている。リブ１７
は真空支持、絶縁支持及び蛍光光の滲み防止として各画
素に対応し、フリットガラスなどで固定配設される。
【００１７】次にアノード側ガラス基板１８をエミッタ
側ガラス基板１０と側面ガラスホルダ（図示せず）とと
もに貼りあわせ、真空引きを行うことにより真空外囲器
２０とし、冷陰極電子装置を作製する。
側ガラス基板１０と側面ガラスホルダ（図示せず）とと
もに貼りあわせ、真空引きを行うことにより真空外囲器
２０とし、冷陰極電子装置を作製する。
【００１８】図２によりゲートの絶縁支持基板となるタ
ンタル基板の製造を説明する。 （工程ａ）厚さ１０μｍのタンタル板２１を用意する。 （工程ｂ）つぎに画素に対応し放出電子を通過させる開
口部１４ａを設けるためにレジスト２３でパターニング
を行い、ドライエッチングによりタンタル板の開口部１
４ａを形成する。ドライエッチングは例えばＣＦ４を２
００ｓｃｃｍ、酸素を１００ｓｃｃｍ導入した真空エッ
チング装置に真空度４０ｐａで、６００Ｗのマイクロ波
プラズマにより、反応性ガス成分を発生させ、タンタル
をエッチングするものである。 （工程ｃ）開口部１４ａを形成したタンタル基板２１に
熱酸化を行い、タンタル自己酸化膜２４を形成する。自
己酸化は１０００℃に加熱した電気炉中で酸素と水蒸気
を導入し、５時間設置することで約３μｍのタンタル酸
化膜２４がスルーホール内にも形成される。 （工程ｄ）絶縁体の全誘電率を下げるため酸化珪素膜２
５を形成する。酸化珪素膜２５は例えば４００℃に加熱
したＣＶＤ装置中にシランを４０ｓｃｃｍ、酸素を４０
０ｓｃｃｍ導入し、基板を約１時間設置することにより
形成する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよ
い。 （工程ｅ）パターニングされたゲート１５をタンタル基
板１４上に形成する。例えばゲート材料としてクロムを
５０ｎｍ、Ａｌを１０００ｎｍ真空蒸着法などにより全
面に形成する。 （工程ｆ）ついでレジスト２７でパターニングし、クロ
ム及びＡｌをエッチングする。クロムエッチングは例え
ば硝酸２セリウムアンモニウム水溶液を用い、Ａｌエッ
チングは例えば燐酸、硝酸、酢酸混合液などをもちいて
行う。
ンタル基板の製造を説明する。 （工程ａ）厚さ１０μｍのタンタル板２１を用意する。 （工程ｂ）つぎに画素に対応し放出電子を通過させる開
口部１４ａを設けるためにレジスト２３でパターニング
を行い、ドライエッチングによりタンタル板の開口部１
４ａを形成する。ドライエッチングは例えばＣＦ４を２
００ｓｃｃｍ、酸素を１００ｓｃｃｍ導入した真空エッ
チング装置に真空度４０ｐａで、６００Ｗのマイクロ波
プラズマにより、反応性ガス成分を発生させ、タンタル
をエッチングするものである。 （工程ｃ）開口部１４ａを形成したタンタル基板２１に
熱酸化を行い、タンタル自己酸化膜２４を形成する。自
己酸化は１０００℃に加熱した電気炉中で酸素と水蒸気
を導入し、５時間設置することで約３μｍのタンタル酸
化膜２４がスルーホール内にも形成される。 （工程ｄ）絶縁体の全誘電率を下げるため酸化珪素膜２
５を形成する。酸化珪素膜２５は例えば４００℃に加熱
したＣＶＤ装置中にシランを４０ｓｃｃｍ、酸素を４０
０ｓｃｃｍ導入し、基板を約１時間設置することにより
形成する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよ
い。 （工程ｅ）パターニングされたゲート１５をタンタル基
板１４上に形成する。例えばゲート材料としてクロムを
５０ｎｍ、Ａｌを１０００ｎｍ真空蒸着法などにより全
面に形成する。 （工程ｆ）ついでレジスト２７でパターニングし、クロ
ム及びＡｌをエッチングする。クロムエッチングは例え
ば硝酸２セリウムアンモニウム水溶液を用い、Ａｌエッ
チングは例えば燐酸、硝酸、酢酸混合液などをもちいて
行う。
【００１９】上記のようにして作製した基板を図１の冷
陰極電子装置（ＦＥＤ）に適用した。
陰極電子装置（ＦＥＤ）に適用した。
【００２０】図３に示す従来のゲート３５はグリッドと
してガラスリブ上などに形成されていたため、ガラスリ
ブは取扱い上数百μｍ以上の厚さが必要であった。ガラ
スの厚さ分ゲート、エミッタ間距離が大きかった。
してガラスリブ上などに形成されていたため、ガラスリ
ブは取扱い上数百μｍ以上の厚さが必要であった。ガラ
スの厚さ分ゲート、エミッタ間距離が大きかった。
【００２１】本発明では基板の厚さが１０μｍと薄く柔
軟性があり、スペーサとして機能させることでゲート、
エミッタ間距離を大幅に小さくすることができるため、
ＦＥＤのゲート駆動電圧が従来２００Ｖ以上必要であっ
たのが４０Ｖ程度と１／５以下に低くできるという効果
が得られた。
軟性があり、スペーサとして機能させることでゲート、
エミッタ間距離を大幅に小さくすることができるため、
ＦＥＤのゲート駆動電圧が従来２００Ｖ以上必要であっ
たのが４０Ｖ程度と１／５以下に低くできるという効果
が得られた。
【００２２】なお本実施例ではタンタル板の厚さを１０
μｍとしたが、５μｍ以上から作成でき従来の百μｍが
限界であったガラスに比べてより薄くすることができ
る。
μｍとしたが、５μｍ以上から作成でき従来の百μｍが
限界であったガラスに比べてより薄くすることができ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明はゲートの絶
縁に自己酸化膜を有するタンタル基板を使用することで
ゲート、エミッタ間の距離が小さくでき、低駆動電圧の
ＦＥＤを提供することができる。
縁に自己酸化膜を有するタンタル基板を使用することで
ゲート、エミッタ間の距離が小さくでき、低駆動電圧の
ＦＥＤを提供することができる。
【図１】図１は本発明の一実施例の構造を示す概略斜視
図である。
図である。
【図２】図２は図１のゲートとタンタル基板の製造工程
を示す略図である。
を示す略図である。
【図３】図３は従来の構造の概略斜視図である。
１０ エミッタ側ガラス基板、 １１ 冷陰極 １２ エミッタ配線、 １３ エミッタ、 １４ タンタル基板、 １５ ゲート、 １６ アノード、 １７ リブ、 １８ アノード側ガラス基板、 １９ 蛍光膜、 ２０ 外囲器 ２１ タンタル板、 ２２ 開口部、 ２３ レジスト、 ２４ 自己酸化膜、 ２５ 酸化珪素膜、 ２７ レジスト
Claims (5)
- 【請求項１】 真空外囲器と、この外囲器内に配置さ
れ、電子を放出する冷陰極と、この冷陰極に対向して設
けられるアノードと、前記冷陰極とアノード間に設けら
れ前記電子を制御する制御電極とを具備する冷陰極電子
装置において、 前記制御電極は自己酸化膜で覆われたタンタル板からな
るタンタル基板で支持されてなることを特徴とする冷陰
極電子装置。 - 【請求項２】 前記タンタル基板は前記冷陰極と前記制
御電極との間に配置されてスペーサとして作用する請求
項１記載の冷陰極電子装置。 - 【請求項３】 前記タンタル基板は厚さが５μｍ乃至５
０μｍ厚のタンタル板と、このタンタル板の両面に形成
された１μｍ乃至１０μｍ厚のタンタル自己酸化膜から
なることを特徴とした請求項１記載の冷陰極電子装置。 - 【請求項４】 前記タンタル基板において、基板上に酸
化珪素または窒化珪素の絶縁膜を１μｍ乃至１０μｍ厚
に両面に堆積されていることを特徴とする請求項１また
は３記載の冷陰極電子装置。 - 【請求項５】 前記基板上に制御電極となる配線をパタ
ーニングして有することを特徴とする請求項１記載の冷
陰極電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000398999A JP2002203469A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 冷陰極電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000398999A JP2002203469A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 冷陰極電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203469A true JP2002203469A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=18863852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000398999A Pending JP2002203469A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 冷陰極電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002203469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207239A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出素子およびその製造方法 |
| WO2006006470A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置 |
| US7233301B2 (en) | 2002-10-09 | 2007-06-19 | Noritake Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000398999A patent/JP2002203469A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7233301B2 (en) | 2002-10-09 | 2007-06-19 | Noritake Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
| JP2004207239A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出素子およびその製造方法 |
| WO2006006470A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6741026B2 (en) | Field emission display including carbon nanotube film and method for fabricating the same | |
| US7247227B2 (en) | Buffer layer in flat panel display | |
| US6607930B2 (en) | Method of fabricating a field emission device with a lateral thin-film edge emitter | |
| US5772485A (en) | Method of making a hydrogen-rich, low dielectric constant gate insulator for field emission device | |
| JPH06223707A (ja) | シリコン電界放出素子及びその製造方法 | |
| JP2002025477A (ja) | 平面ディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP2002203469A (ja) | 冷陰極電子装置 | |
| US20050275336A1 (en) | Field emission device and method for making same | |
| JP3033178B2 (ja) | 電界放出型エミッタ | |
| KR100556747B1 (ko) | 전계 방출 소자 | |
| JP2001351510A (ja) | 発光素子用陽極基板及び電界発光素子 | |
| KR100282261B1 (ko) | 전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법 | |
| KR100724369B1 (ko) | 자외선 차폐층을 구비한 전계방출소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100352972B1 (ko) | 전계방출소자와그제조방법 | |
| JP2002056770A (ja) | 電界放出カソード及びその製造方法 | |
| KR100285156B1 (ko) | 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법 | |
| KR100323979B1 (ko) | 전계방출소자와그제조방법 | |
| KR100546581B1 (ko) | 전계방출소자의 제조방법 | |
| KR20000005864A (ko) | 전계방출캐소드및그제조방법 | |
| KR100700527B1 (ko) | 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100511257B1 (ko) | 전계방출소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100795176B1 (ko) | 전계 방출 소자 및 그 제조방법 | |
| KR19990027719A (ko) | 전계방출표시소자용 다이아몬드상 카본 에미터 팁의 제조방법 | |
| KR20050042950A (ko) | 전계 방출 소자 | |
| JPH05182587A (ja) | 電界放出素子を用いた発光装置の製造方法 |