JPH04290227A - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

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Publication number
JPH04290227A
JPH04290227A JP5305391A JP5305391A JPH04290227A JP H04290227 A JPH04290227 A JP H04290227A JP 5305391 A JP5305391 A JP 5305391A JP 5305391 A JP5305391 A JP 5305391A JP H04290227 A JPH04290227 A JP H04290227A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
disk
part electrode
electrode
dry etching
Prior art date
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Pending
Application number
JP5305391A
Other languages
English (en)
Inventor
Heiichiro Onuma
大沼　平一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04290227A publication Critical patent/JPH04290227A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関し、特にバッチ式ドライエッチング装置の電極構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置は、図２に
示すように、円板型の上部電極１とウェーハ２を配置す
る円板型の下部電極３を有しており、高周波電源４によ
り上部電極１と下部電極３との間に、高周波電圧を印加
する構造となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、上部電極と下部電極共に円板型であり
、ウェーハが配置されるのは下部電極の外周側である。 高周波電圧は下部電極の全面に印加されるため、ウェー
ハ上には設定された１００％の高周波電圧が集中的に印
加されないため効率が悪く、しかもウェーハ面内のエッ
チングが不均一になるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、ウェーハを載置する下部電極と、この下部電
極上に設けられた上部電極とを有するドライエッチング
装置において、少くとも前記下部電極は絶縁性円板とこ
の絶縁性円板の周囲に設けられウェーハを載置するため
の環状の導電性円板とから構成されているものである。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例の電極の断面図である。
【０００６】図１において、上部電極１Ａと下部電極３
Ａはそれぞれ、テフロン円板５とこのテフロン円板５の
周囲に設けられた環状のアルミ円板６とから構成されて
いる。このアルミ円板６はアルマイト処理され、その幅
は配置するウェーハ２の直径の１．２〜１．５倍となっ
ている。なおテフロン円板の代りにセラミック円板を用
いてもよい。
【０００７】このように構成された本実施例によれば、
高周波電源４により上部電極１Ａと下部電極３Ａ間に高
周波電圧を印加した場合、アルミ円板６間に高周波電圧
を１００％印加できる。この為、ウェーハ面内のエッチ
ングの不均一性を従来の２５〜３０％から１０〜１５％
に向上させることができた。
【０００８】尚、上記実施例においては上部電極と下部
電極とをテフロン円板とアルミ円板で構成した場合につ
いて説明したが、上部電極は従来のものと同様のもので
あってもよい。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、上
部電極と下部電極との間のウェーハの配置される範囲の
領域のみに高周波電圧を１００％印加させることができ
るため、ウェーハ面内のエッチングの均一性を向上させ
ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の電極の断面図。
【図２】従来のドライエッチング装置の電極の断面図。
【符号の説明】
１，１Ａ　　　　上部電極 ２　　　　ウェーハ ３，３Ａ　　　　下部電極 ４　　　　高周波電源 ５　　　　テフロン円板 ６　　　　アルミ円板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ウェーハを載置する下部電極と、この
    下部電極上に設けられた上部電極とを有するドライエッ
    チング装置において、少くとも前記下部電極は絶縁性円
    板とこの絶縁性円板の周囲に設けられウェーハを載置す
    るための環状の導電性円板とから構成されていることを
    特徴とするドライエッチング装置。
JP5305391A 1991-03-19 1991-03-19 ドライエッチング装置 Pending JPH04290227A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502268B1 (ko) * 2000-03-01 2005-07-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57114231A (en) * 1981-01-07 1982-07-16 Toshiba Corp Plasma etching device

Patent Citations (1)

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Legal Events

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A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19971028