JP4632548B2 - プラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスの製造に関する。特に、本発明は、半導体プラズマ処理システムにおけるプラズマ処理中にウェハの均一性を向上させる方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体処理システムは、集積回路製造において半導体ウェハを処理するために使用される。特に、プラズマ半導体処理は、エッチング、酸化、化学蒸着(CVD)、その他において、一般的に使用される。プラズマ半導体処理は通常、プラズマ処理システムにより行われ、一般的には制御された設定を提供するプラズマ処理室が含まれる。
【0003】
従来のプラズマ処理室は、ウェハ(例えば、シリコンウェハまたは基板)を処理のための位置に保持する静電チャックを含む場合が多い。静電チャックは、静電気力を利用して、ウェハをチャックに固定し、一般的にはモノポーラ及びバイポーラ静電チャックに分類される。モノポーラ静電チャックは、単一の極を有し、バイポーラ静電チャックは2つの極を有する。静電チャックは、この技術において広く知られており、例えば、フランソワ・ギーヨにより一般所有されている米国特許第5,789,904号「高出力静電チャック接点」と、ジョーンズらによる米国特許出願第08/624,988号「動的フィードバック静電ウェハチャック」と、カストロらによる米国特許出願第08/550,510号と、クブリらによる米国特許第5,793,192号「ウェハ処理システムにおいて半導体ウェハを固定及び固定解除する方法及び装置」とにおいて、十分に説明されている。これら参照文献の開示は、本明細書に引用として組み込むものとする。
【0004】
図1は、ウェハ102を固定する代表的な静電チャック(ESC)100の断面図を示す。静電チャック100は、誘電層106及び110と、電極108の層とを含む。電極108は、誘電層106及び108の間に配置され、バイポーラESC配列において一対の極108A及び108Bとして構成され、その間に絶縁体が設けられる。
【0005】
極108A及び108Bは、電源112の正及び負の端子に結合される。したがって、極108Aには正のバイアスがかかり、極108Bには負のバイアスがかかる。極108A及び108Bのバイアス電位は、誘電層106及び110の隣接する表面領域の電荷を誘導する。例えば、極108Aの上に存在する誘電層106の底面領域116では負の電荷が誘導される。一方、底面領域116の反対側にある誘電層106の上面領域118では正の電荷が誘導される。同様に、極108Bの上に配置された誘電層106の底面領域120では正の電荷が誘導され、誘電層106の反対側の上面領域122では負の電荷が蓄積する。
【0006】
誘電層106の上面領域118及び122の正及び負の電荷は、次に、ウェハ102の底面領域124及び126に沿って蓄積される電荷を誘導する。誘電層106とウェハ102との間で誘導された電位は、ウェハ102を静電チャック100に固定することが可能な静電気力を生み出す。ウェハ102が固定された状態で、ウェハ上のプラズマ領域128にはプラズマソースガスが放出され、望ましい度合いのエッチングまたは蒸着が達成されるまで、エッチング、蒸着、スパッタリング、またはその他のプラズマ処理が行われる。
【0007】
残念ながら、こうしたプラズマ処理では通常、ウェハ102上でのプラズマの不均一な分布のため、均一な結果が生じない。例えば、図2Aは、ウェハのスパッタリング速度を表す代表的なグラフ200を示す。曲線202は、ウェハ102の中心204からの半径距離でのスパッタリング速度を示している。グラフ200に示すように、スパッタリング速度は、半径方向の位置がウェハの中心204に近づくと増加する。反対に、スパッタリング速度は、ウェハ102の半径距離が中心204から増加すると減少し、その後、ウェハのエッジ近くで急激に増加する。
【0008】
ウェハ上でのプラズマの不均一な分布は通常、ウェハの表面全体での不均一な処理結果を生み出す。図2Bは、従来のプラズマ処理室でエッチングした後のウェハのエッチング済み表面210を示す。例示の目的から、エッチング処理の前、ウェハの表面は均一な表面212であったと仮定する。エッチング処理後、ウェハの表面210は、どちらの方向においても、ウェハの中心214からの上向きの傾斜を形成している。特に、エッチング済み表面210は、中心領域での高いプラズマ密度から、ウェハの中心214が隣接する領域よりも多くエッチングされたことを示している。
【0009】
図2Cは、従来のプラズマ処理室においてプラズマ蒸着を実行した後のウェハ表面の半径距離での蒸着均一性を示している。破線220は、プラズマ蒸着前のウェハの表面に対応している。プラズマ蒸着処理後、結果として生じたウェハ表面222は、ウェハの中心224の最高点から下向きに傾斜している。結果として生じたウェハ表面222は一般に、図2Aにおいて上で例示したプラズマ分布またはスパッタリング速度を反映する。こうしたプラズマエッチング及び蒸着処理により生じたウェハの不均一な表面特性は、ウェハ当たりの歩留まり及びスループットを減少させるため、望ましくない。
【0010】
従来の方法では、ウェハの側部に配置される追加アパーチャまたはホールを有するシャワーヘッドを使用することで、プラズマの不均一性を改善している。こうした追加アパーチャまたはホールは、シャワーヘッドが更に多くのプラズマソースガスを放出できるように設計される。したがって、ウェハの中心から離れた位置にある領域で、更に多くのプラズマが生成され、こうした領域での低いプラズマ分布を補正する。このアプローチは、処理の不均一性をある程度は改善するが、シャワーヘッドとウェハとの間の距離に非常に敏感である。例えば、シャワーヘッドがウェハから遠すぎる場合、シャワーヘッドから放出されるプラズマソースガスは均一に分布しない恐れがあり、これはプラズマの不均一な分布につながる。一方、ウェハがシャワーヘッドに近すぎる場合、プラズマソースガスが均一に分布するための時間が十分ではない恐れがある。
【0011】
別のソリューションでは、シャワーヘッドまたは静電チャックの周囲で磁気閉じ込めリングを実施し、リングにより定められるエリア内にプラズマを閉じ込める。このようにプラズマを閉じ込めることにより、リングはウェハの半径方向外側の領域でのプラズマ密度を高めるように設計されている。しかしながら、残念なことに、磁気閉じ込めリングは、閉じ込めリングの磁場のため、ウェハの外周において、広く知られているカスプ効果を発生させる場合が多い。
【0012】
更に、ウェハ上で均一に分布するプラズマを生成することで、プラズマ密度減少の望ましくない影響が発生する可能性がある。これは、減少したプラズマ密度にさらされるウェハでは、高いプラズマ密度にさらされるウェハに比べ、望ましいエッチングまたは蒸着結果を生み出すための時間が一般に長くなるためである。したがって、均一に分布するプラズマ環境においては、エッチングまたは蒸着を完了させるまでの時間が長くなる可能性がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述した観点から、処理時間を大幅に増加させることなく、且つプラズマソースガスのソースからのウェハの距離に対して相当敏感になることなく、プラズマ処理中にウェハ処理の均一性を向上させる方法及び装置が望まれる。
【0014】
【課題を解決するための手段】
概して言えば、本発明は、プラズマ処理室における不均一なプラズマ処理を補正する方法及び装置を提供することで、こうした必要性を満たす。本発明は、プロセス、装置、システム、デバイス、方法、またはコンピュータ読み取り可能な媒体を含む多数の方法で実施できると理解されるべきである。本発明のいくつかの実施形態について、以下で説明する。
【0015】
一実施形態によれば、本発明は、プラズマ処理室における不均一なプラズマ処理を補正する方法を提供する。このプラズマ処理室は、ウェハを固定する静電チャックを有する。この静電チャックは複数の層を有する。第1のウェハ(例えば、サンプルウェハ)は、第1のウェハをプラズマにさらすことにより、第1のプラズマ処理室内において、静電チャック上で処理される。その後、処理された第1のウェハの不均一な特性が判断される。この不均一な特性に基づき、静電チャックの1つ以上の層は、不均一な特性を略補正するために構成される。その後、第2のウェハが、構成された静電チャック上で処理され、略均一な処理結果が生み出される。
【0016】
別な実施形態において、本発明は、プラズマ処理室における不均一なプラズマ処理を補正する方法を提供する。このプラズマ処理室は、ウェハを固定する静電チャックとウェハ上に配置された電極とを有する。第1のウェハは、第1のウェハをプラズマにさらすことにより、第1のプラズマ処理室内において、静電チャック上で処理される。処理された第1のウェハから、不均一な特性が判断される。その後、電極は、処理された第1のウェハにおける不均一な特性を略補正するために、複数の電気的に区分された部分により構成される。この構成済み電極を使用して、プラズマ処理室で第2のウェハが処置され、略均一な処理結果が生み出される。
【0017】
別の実施形態によれば、本発明は、プラズマ処理室でのプラズマ処理中にウェハを固定する静電チャックを提供する。この静電チャックは、第1の層と電極とを有する。この電極は、RF電力をプラズマに伝達するために第1の層の下に配置される。第1の層は、プラズマ処理室内のプラズマ(つまりイオン)が略均一な形でウェハに引き寄せられるように、ウェハ上に変化するDCバイアスを生成することに適合した変化する第1のインピーダンスを有する。
【0018】
有利なことに、本発明は、プラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する効率的な方法及び装置を提供する。層の厚さを変化させること及び他のインピーダンス素子を追加することにより、ウェハ上に変化するDCバイアス及び/または変化するプラズマ密度分布が生成される。この変化するDCバイアスは、ウェハ表面全体で、略均一な形でプラズマ(つまりイオン)を引き寄せることにより、ウェハ上での不均一なプラズマ処理を補正する働きをする。本発明の前記その他の利点は、以下の詳細な説明を読み、図面の様々な図を調べることにより明らかになろう。
【0019】
本発明は、添付図面に基づき、以下の詳細な説明から容易に理解されよう。尚、同一符号は同一構成要素を示す。
【0020】
【発明の実施の形態】
ここでは、プラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する方法及び装置に関する発明について説明する。以下の説明においては、本発明の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細について述べる。しかしながら、当業者にとって、こうした特定の詳細の全部または一部がなくとも、本発明を実施可能であることは明白となる。別の事例においては、本発明を不必要に曖昧にしないために、広く知られている処理工程については詳細に説明されていない。
【0021】
図3は、本発明の一実施例に従う半導体ウェハ302を処理する代表的なプラズマ処理システム300を示す。プラズマ処理システム300は、プラズマ処理室304と、ESC電源306と、一対のRF電源308及び310とを含む。プラズマ処理室304は、シャワーヘッド312と、バイポーラ静電チャック316とを含む。シャワーヘッド312は、プラズマ処理室304内のウェハ302上のプラズマ領域322にソースガスを導入するために使用される。ウェハ302は、プラズマ処理のために静電チャック316上に配置され固定される。最上部電極314は、単一の組立体ユニットとして、シャワーヘッド312上に配置することができる。シャワーヘッド312及び/または電極314は、アルミニウム、シリコン、グラファイト、またはその他といった任意の適切な材料により作ることができる。
【0022】
静電チャック316は、バイポーラ配列で金属層320上に形成された誘電層318を含む。誘電層318は、最適なインピーダンス特性を有する1つ以上の誘電材料により形成することができる。金属層320は、一対の極320A及び320Bを含み、静電極(つまり電極)として機能することに適合する。極320A及び320Bは、それぞれ、ESC電源306の負及び正の端子に結合される。これにより、極320Aは負極として機能し、極320Bは正極として動作する。ガス(例えば、ヘリウム)は、1本以上のフィードチューブ322を介して、静電チャック316を通じてウェハ302へ、圧力をかけて提供される。このガスは、プラズマ処理中のウェハ温度の制御を促進する冷媒の役割を果たす。静電チャック316は、層318及び320の上、下、または間に配置される他の層を有することができる。ここではバイポーラ静電チャックが例示されているが、このプラズマ処理システムは、任意の数及びタイプの層を有する他のモノポーラ及びバイポーラ静電チャックと共に使用可能であることを心に留めておくべきである。
【0023】
RF電源308は、シャワーヘッド312上に配置された電極314にRF電力を提供し、プラズマ処理室304内のプラズマを励起する。同様に、RF電源310は、静電チャック316にRF電力を提供するように構成される。RF電源308及び310は、コイル、プレートその他といった、RF電力を生成するのに適した任意のRF電力装置にすることができる。
【0024】
RF及びESC電源308、310、及び306が、プラズマ領域にソースガスを放出するシャワーヘッド312と共に起動されるとき、ウェハ302上のプラズマ領域322において、ソースガスからプラズマが生成される。生成されたプラズマは正及び負の電荷を含む。正の電荷は一般に、イオンと呼ばれる。同時に、電極層230の負極及び正極320A及び320Bは、極とそれぞれの上にあるウェハ領域との間で静電気力を誘導する。このためウェハ302は、プラズマ処理中、静電気力により静電チャック316に固定される。
【0025】
一実施例において、ESC電源306は数千ボルト(例えば±2,000ボルト)を伝達することが可能な高出力装置である。ESC電源306はDC電圧を伝達し、RF電源308及び310はRF電力を伝達する。認識すべき点として、本明細書では、本発明の利点の理解を促進するために、プラズマ処理システム300について詳細に説明している。しかしながら、本発明自体は、任意の特定のタイプのウェハ処理装置またはシステムに限定されず、任意の最適なウェハ処理システムでの使用に適合させることが可能であり、こうしたシステムには、その一部として、蒸着、酸化、エッチング(ドライエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング(RIE)、磁気反応性イオンエッチング(MERIE)、電子サイクロトロン共鳴(ECR)を含む)、またはその他の適合するものが含まれる。
【0026】
同じく図3について、DCバイアス電圧は通常、モノポーラ及びバイポーラESC配列の両方において、プラズマ処理システム300の動作中、ウェハ302上で生成される。こうしたDCバイアスの生成は、この技術で広く知られている。下で更に詳細に説明するように、本発明では、ウェハ上に変化するDCバイアスを生成し、ウェハの表面全体で略均一な形でプラズマ(つまりイオン)を引き寄せるために、静電チャックまたは最上部電極における1つ以上の層のジオメトリ及び/または材料を準備する。
【0027】
図4Aは、本発明の一実施例に従うプラズマ処理室における均一なウェハ処理を提供する方法のフローチャートを示す。この方法は、操作402で開始され、操作404に進み、ここでサンプルウェハが、プラズマ処理室内の従来の静電チャック上で処理される。このウェハ処理は、サンプルウェハに対して、エッチング、蒸着、スパッタリング、その他といった任意の最適なプラズマ処理を施すことを含むことができる。
【0028】
ウェハ処理の完了後、サンプルウェハは操作406において、好ましくはプラズマ処理室の外部で測定され、処理済みウェハの処理均一特性が生成される。好ましくは、この処理均一特性は、ウェハの複数の半径方向の位置における処理(例えば、エッチング、蒸着等)の処理均一性結果を測定することで得られる。例えば、エッチングまたは蒸着等の処理の結果として生じた深さを、ウェハの半径方向の位置の関数として、ウェハ上の様々な位置で測定することができる。これにより、この処理均一特性は、ウェハの半径幅での処理の均一性と相関する。この均一特性は、プロットして校正曲線を生成すること、表にすること、またはその他が可能である。
【0029】
その後、操作408において、処理均一特性に従ってサンプルウェハの不均一性を補正するために、静電チャックまたはウェハ上の最上部電極の1つ以上の層が構成される。一実施形態において、本発明は、静電チャックまたは電極の1つ以上の層のジオメトリ(つまり形状)を構成する。このジオメトリは、処理均一特性において表されるウェハの不均一な処理特性を略補正するインピーダンスを提供することに適合する。
【0030】
別の実施例において、本発明は、静電チャックまたは最上部電極の1つ以上の層の材料を構成する。例えば、選択された層が複数の部分に区分され、これは複数の材料で形成され、好ましくは一部分当たり一種類の材料となる。こうした部分の材料の性質は、ウェハの半径距離上で、不均一な処理特性を略補正するための変化するインピーダンスを提供する。更に別の実施形態においては、ウェハの不均一な処理特性を補正するのに必要なインピーダンスを提供するために、ジオメトリ及び材料の構成を組み合わせることができる。
【0031】
構成された静電チャック及び/または電極は、その後、新しいウェハの処理のためにプラズマ処理室に配置される。操作410では、新たに構成されたプラズマ処理室において新しいウェハが処理される。静電チャック及び/または電極は、ウェハの表面全体で略均一な形でプラズマ(つまりイオン)を引き寄せるように構成されているため、結果として生じるウェハは、略均一な処理特性を示す。この処理の後、この方法は操作412で終了する。ここでは単一のウェハについて例示したが、プラズマ処理室において複数のウェハを同時に処理することができる。例えば、複数のサンプルウェハを処理し、それぞれのウェハの処理均一特性を生成することができる。加えて、処理室内の構成済み静電チャックまたは最上部電極を使用して、複数の新しいウェハを処理することができる。
【0032】
図4Bは、本発明の一実施例に従うジオメトリ及び/または材料の構成に関する更に詳細な方法の操作408を示す。この方法は操作452で開始され、操作454に進み、ここでESCまたは最上部電極の1つ以上の層が構成のために選択される。前記のように、ESCは、複数の誘電層、電極層、その他を含むことができる。
【0033】
その後、操作456において、処理均一特性により表される測定された不均一性を略補正するDCバイアスを提供するために、選択された層のインピーダンスが決定される。様々なDCバイアスを提供するためのインピーダンスの決定は、この技術において広く知られている。例えば、このインピーダンスは、クーロンの法則、ガウスの法則、及びその他により説明される広く知られた方程式を使用することで決定できる。次に操作458において、決定されたインピーダンスを提供するために、選択された層のジオメトリ及び/または材料が構成される。その後、この方法は操作460で終了する。
【0034】
図5Aないし5Eは、複数の静電チャックの断面図を示す。それぞれの静電チャックは、電極層、誘電層、その他の複数の層を含む。しかしながら、この静電チャックは単なる例であり、ウェハ上での均一なプラズマ処理を提供するために任意の数の層及び材料を任意の順序で有することが可能であると理解するべきである。加えて、最上部電極も、均一特性に従ってジオメトリ及び/または材料を構成することで、静電チャックと同様の形で構成することができる。
【0035】
図5Aは、本発明の一実施例に従う不均一な処理特性を補正することに適合するジオメトリを有する代表的な静電チャック502を示す断面図である。静電チャック502は、電極層506上に配置された誘電層504を含む。誘電層504の上面は平坦だが、底面508は、誘電層504全体に変化する厚さを提供するためにカーブしている。好適な実施形態において、誘電層504は、複数の部分504A、504B、504C、504D、504E、504F、504G、504H、及び504I(以降「504Aないし504I」と呼ぶ)に区分される。ここではこのように区分された層を例示しているが、本発明は部分毎に区分されていない誘電層でも機能すると理解するべきである。
【0036】
それぞれの部分504Aないし504Iは、隣接する部分から電気的に絶縁されたそれぞれの部分に区分される。部分504Aないし504Iは、好ましくは同じ材料で形成されるが、異なる材料を使用することもできる。電極層506は、誘電層504の底面508を補完する。
【0037】
この仕組みにおいて、誘電層504の電気的に絶縁された部分504Aないし504Iの変化する厚さは、誘電層504全体に変化するインピーダンスを提供することに適合する。誘電層504の変化する厚さは、次に、変化するDCバイアスを生成する働きをし、これはウェハ表面全体で略均一な形でプラズマ(つまりイオン)を引き寄せることで、ウェハ上の不均一なプラズマ処理を補正する。例えば、静電チャック502は、図2A、2B、及び2Cにおいて上で例示したウェハの処理の不均一性を補正するために使用することができる。誘電層504の下部表面508はカーブするように表示されているが、これは他の形状またはジオメトリにすることもできる。実際、誘電層504は、均一特性に従った線形、非線形、曲線、または階段形状を一部として含む任意の形状で形成することができる。加えて、静電チャック502は、層508及び506の上、下、または間に配置される他の多数の層を含むことができる。
【0038】
図5Bは、本発明の別の実施例に従う階段ジオメトリにより不均一な処理特性を補正する代表的な静電チャック512を示す断面図である。静電チャック512は、電極層516の上に配置された誘電層514を含む。誘電層514は、複数の部分514A、514B、514C、514D、514E、514F、514G、514H、及び514I(以降「514Aないし514I」と呼ぶ)に区分され、そのそれぞれは隣接する部分から電気的に絶縁される。誘電層514の底面518は、部分514Aないし514Iの変化する厚さのため、階段型に成形される。誘電層514の下の電極層516は、補完的な階段層を形成する。
【0039】
層514の厚さは、中央部分514Eから部分514B及び514Hまで、段階的に減少する。エッジ部分514A及び514Iは、ウェハのエッジ部の上での高いプラズマ密度を補正するために、部分514B及び514Hよりも大幅に厚くなっている。階段形状の変化する厚さは、静電チャック512の表面上に変化するインピーダンスを提供し、これによりウェハ表面全体で均一な形でプラズマ(つまりイオン)を引き寄せるための変化するDCバイアスを提供する。誘電層及び電極層514及び516の階段形状は、均一特性(例えば、均一性曲線、表、その他)を複数の領域に区分することで実施できる。その後、誘電層の厚さは、区分した領域毎に決定することができる。
【0040】
同様に、図5Cは、本発明の別の実施例に従う階段形状を有する代表的な静電チャック522を示す断面図である。静電チャック522において、電極層526は、上部誘電層524と下部誘電層528との間に挟まれている。上部誘電層524は、電気的に絶縁された部分524A、524B、524C、524D、524E、524F、524G、524H、及び524Iに区分される。層524の底面530は、階段形状で形成される。電極層526は、上部誘電層524の階段表面530を補完する。
【0041】
静電チャックまたは上部電極の層は、層のジオメトリの変化の有無にかかわらず、異なる材料により構成することができる。例えば、図5Dは、本発明の一実施例に従う層内に複数の材料を有するように構成された静電チャック542を示す断面図である。静電チャック542は、電極層546上に配置された誘電層544を含む。誘電層544は、複数の部分544A、544B、544C、544D、544E、544F、544G、544H、及び544I(以降「544Aないし544I」と呼ぶ)に区分される。それぞれの部分544Aないし544Iは、望ましいインピーダンスを提供することに適合する材料を含む。例えば、均一特性(例えば、均一性曲線、均一性表、その他)は、複数の領域に区分することができる。その後、誘電層は、区分された均一特性の領域に対応する複数の部分548ないし564に区分することができる。区分されたそれぞれの部分544Aないし544Iに関して、不均一性を補正するために必要なインピーダンスが決定される。その後、区分されたそれぞれの部分544Aないし544Iは、必要なインピーダンスを提供する材料により形成される。このようにすることで、誘電層544は全体として、ウェハ全体に変化するDCバイアスを生成するための変化するインピーダンスを提供し、これにより均一な形でウェハにプラズマ(つまりイオン)を引き寄せる。
【0042】
一実施例において、それぞれの部分544Aないし544Iは、固有のインピーダンスを提供するための異なる材料を含む。別の実施例において、部分544Aないし544Iは、中央部分556に関して対称となるように材料を含むことができる。例えば、部分544A及び544Iは同一の材料を含むことが可能であり、部分544B及び544Hは別の材料により形成することが可能であり、部分544C及び544Gは同じ材料を有することが可能であり、部分544D及び544Fは更に別の材料を有することが可能である。こうした配置は、対称曲線の不均一性を補正するのに適しており、この例は前に図2B及び2Cで例示されている。
【0043】
図5Eは、本発明の別の実施例に従う代表的な静電チャック552を示す断面図である。静電チャック552は、上部誘電層554と下部誘電層558との間に配置された電極層556を含む。電極層556は、電気的に絶縁された複数の部分556A、556B、556C、556D、及び556Eに区分され、そのそれぞれは望ましいインピーダンスを提供するのに適した材料により形成される。したがって、複数の部分556A、556B、556C、556D、及び556Eは、ウェハの表面上に変化するDCバイアスを発生させるための変化するインピーダンスを提供する。
【0044】
ジオメトリ及び/または材料を構成することに加え、望ましいインピーダンスを生成するために追加的なインピーダンス素子を提供することができる。例えば、静電チャックの電極層は、インピーダンス素子と結合させることができる。図5Fは、本発明の一実施形態による複数のインピーダンス素子560A、560B、560C、560D、及び560Eを有する静電チャック562の例を示す断面図である。図5Eに例示した静電チャックと同じく、静電チャック562は、一対の誘電層564及び568の間に配置された電極層566を含む。しかしながら、静電チャック562においては、電極層566全体に変化するインピーダンスを提供するために、インピーダンス素子560A、560B、560C、560D、及び560Eが、電気的に区分された部分566A、566B、566C、566D、及び566Eにそれぞれ結合されている。インピーダンス素子は、インピーダンス素子として機能することが可能な任意の既知の要素にすることが可能であり、これには抵抗器、コンデンサ、インダクタ、またはこれらの任意の組み合わせといったデバイスが含まれる。図5E及び5Fにおいては、電極層556及び566それぞれの上にある誘電層554及び564を区分することも可能である点に注意するべきである。
【0045】
最上部電極も、均一特性に従ってジオメトリ及び/または材料を構成すること、或いは追加インピーダンス素子を提供することにより、静電チャックと同様の方法で構成することができる。例えば、図5Gは、本発明の一実施例に従う複数のインピーダンス素子576A、576B、576C、576D、及び576Eを有する代表的な電極572を示す断面図である。電極572は、電極層574と、複数のインピーダンス素子576A、576B、576C、576D、及び576Eとを含み、これらはRF電源に結合される。電極層574は、電気的に絶縁された複数の部分574A、574B、574C、574D、及び574Eに区分され、これらは同じ材料または複数の異なる材料により形成することができる。部分574A、574B、574C、574D、及び574Eは、それぞれインピーダンス素子576A、576B、576C、576D、及び576Eに電気的に結合され、これらはウェハ表面に変化するDCバイアスを発生させるため、或いは変化するプラズマ密度分布を発生させるために、電極層574において変化するインピーダンスを提供するように構成される。注意点として、静電チャックの構成は、本発明の説明した実施形態に従って、DCバイアス及び/またはプラズマ密度分布を変化させる同様の働きをする。
【0046】
別の実施例に従うと、本発明は、ウェハの外周領域での不均一性を補正することに適合したESCリングを提供する。例えば、図6Aは、本発明の一実施例に従うRF電極604上に配置されたESCリング602を含む静電チャック600を示す斜視図である。ESCリング602は、静電チャック600の外周の周りでリングを形成し、上部誘電層606と下部誘電層610との間に配置された電極層608を含む。ESCリング602内のRF電極604上にはオプションの誘電層が設けられる。ESCリング602は、従来の静電チャックのものよりも小さいため、製造に関する複雑性及びコストは大幅に減少される。
【0047】
図6Bは、本発明の一実施例に従う層606の材料及びジオメトリを示す静電チャック600の断面図を示す。静電チャック600は、ウェハを処理のための位置に固定する。誘電層606は、2つの部分614及び618を含み、これらは異なる材料で形成される。加えて、2つの部分614及び618は、異なるジオメトリを有する。こうした変化する材料部分及びジオメトリのインピーダンスにより、ウェハ616の表面にプラズマ(つまりイオン)をより均一に引き寄せることができる。
【0048】
コスト及び複雑性を減少させるために、ESCリング602は更に簡略化することができる。図7は、本発明の一実施例に従うESCリング602の代わりに複数の部分702、704、706、及び708を含む代表的な静電チャック700を示す斜視図である。部分702、704、706、及び708の層は、望ましいインピーダンスを提供するために独立して構成すること、或いは対称に構成することができる。したがって、静電チャック700では、製造に関するコスト及び複雑性が大幅に削減される。
【0049】
本発明、つまりプラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する方法及び装置について、以上のように説明した。本発明は、いくつかの好適な実施例に関して説明されているが、本発明の範囲に属する変形例、置換例、及び等価物が存在する。更に、本発明の方法及び装置を実施する多数の代替方法が存在する点にも注意するべきである。従って、前記特許請求の範囲は、本発明の本来の趣旨及び範囲に属するこうしたすべての変形例、置換例及び等価物を含むものとして解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ウェハを固定する代表的な静電チャックを示す断面図である。
【図2A】 ウェハ上でのスパッタリング速度を表す代表的なグラフを示す図である。
【図2B】 従来のプラズマ処理室においてエッチングした後のウェハのエッチング済み表面を示す図である。
【図2C】 従来のプラズマ処理室においてプラズマ蒸着を実行した後の半径距離でのウェハ表面の蒸着の不均一性を示す図である。
【図3】 本発明の一実施例に従う半導体ウェハを処理する代表的なプラズマ処理システムを示す図である。
【図4A】 本発明の一実施例に従うプラズマ処理室において均一なウェハ処理を提供する方法を示すフローチャートである。
【図4B】 本発明の一実施例に従うジオメトリ及び/または材料を構成する方法を示す図である。
【図5A】 不均一な処理特性を補正するのに適合したジオメトリを有する代表的な静電チャックを示す断面図である。
【図5B】 階段ジオメトリにより不均一な処理特性を補正する代表的な静電チャックを示す断面図である。
【図5C】 本発明の別の実施例に従う階段層を有する代表的な静電チャックを示す断面図である。
【図5D】 本発明の一実施例に従う層内に複数の材料を有するように構成された静電チャックを示す断面図である。
【図5E】 代表的な静電チャックを示す断面図である。
【図5F】 本発明の一実施例に従う複数のインピーダンス素子を有する静電チャックの断面図である。
【図5G】 本発明の一実施例に従う複数のインピーダンス素子を有する代表的な電極を示す断面図である。
【図6A】 RF電極上に配置されたESCリングを含む代表的な静電チャックを示す斜視図である。
【図6B】 本発明の一実施例に従う修正された層の材料及びジオメトリを示す静電チャックを示す断面図である。
【図7】 ESCリングの代わりに複数の部分を含む代表的な静電チャックを示す斜視図である。
Claims (36)
- 複数の層を有してウェハを挟持する静電チャックを有するプラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する方法であって、
第1のプラズマ処理室内の静電チャック上で第1のウェハを処理する工程であって、前記第1のウェハが前記第1のプラズマ処理室内でプラズマにさらされる工程と、
前記処理された第1のウェハの不均一特性を決定する工程と、
前記静電チャックの半径方向に沿ってインピーダンスが変化するように前記静電チャックの1つ以上の層を構成することで前記静電チャックの半径方向に沿って変化するDCバイアスを形成して、前記処理された第1のウェハにおいて測定された前記不均一特性を補正する工程と、
前記構成された静電チャック上で第2のウェハを処理する工程と、
を備える方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記処理された第1のウェハの前記不均一特性は、複数の半径方向位置で前記処理された第1のウェハを測定することで決定される方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記均一特性は、前記処理された第1のウェハと前記半径方向位置との関係を示す均一性曲線を得ることで生成される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記1つ以上の層のうちの特定の層は、複数の電気的に絶縁された部分に区分されている方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記特定の層は、変化するインピーダンスにより特徴付けられる厚さの変化する形で構成され、前記変化するインピーダンスは、前記不均一特性が補正されるように、前記ウェハ上に変化するDCバイアスを生成することができる方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記区分された部分のそれぞれは、前記不均一特性が補正されるように、前記ウェハ上に変化するDCバイアスを生成することが可能な異なるインピーダンス特性を有する異なる材料で形成される方法。 - 請求項5記載の方法において、
前記区分された部分は同じ材料で形成される方法。 - 請求項5記載の方法において、
前記形状は階段型である方法。 - 請求項5記載の方法において、
前記形状は曲線である方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記区分された部分は、一部分当たり一材料として、複数の材料を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記静電チャックは基部層を有し、前記1つ以上の層は、前記基部層の外周に沿って前記基部層上に配置される方法。 - 請求項11記載の方法において、
前記1つ以上の層は、前記基部層上に配置されてリングを形成する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記構成された静電チャックが、前記第2のウェハの処理のために第2の処理室内に配置される方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記プラズマはイオンを含み、1つ以上の層を構成する前記操作は、
前記静電チャックの前記特定の層を選択する工程と、
前記第2のウェハにDCバイアスを印加するために前記選択された層の前記区分された部分それぞれのインピーダンスを決定する工程であって、前記DCバイアスが、前記イオンを均一な形で前記第1のウェハに引き寄せるためのものである工程と、
第2のプラズマのイオンを均一な形で前記第2のウェハに引き寄せるように前記選択された層を構成する工程と、
を備える方法。 - 請求項14記載の方法において、
前記選択された層は、前記インピーダンスを提供する形で構成される方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記静電チャックは電極層を含み、該電極層は前記複数の部分に区分され、前記静電チャックは、更に、前記不均一特性が補正されるように、前記ウェハ上に変化するDCバイアスを印加すべく前記区分された部分に結合される複数のインピーダンス素子を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記プラズマ処理室は前記ウェハ上に配置された電極を有し、前記電極は、前記第1のウェハ上の前記不均一特性を補正するように構成された複数の電気的に区分された部分を含む方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記電極は、前記不均一特性を補正することに適合した形で構成される方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記電極は、前記不均一特性を補正することに適合した複数の材料を有するように構成される方法。 - 請求項16記載の方法において、
複数のインピーダンス素子は、前記不均一特性が補正されるように、前記ウェハ上に変化するDCバイアスを印加すべく前記区分された部分に結合される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記1つ以上の層は誘電層を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記1つ以上の層は電極層を含む方法。 - ウェハを挟持する静電チャックを有すると共に前記ウェハ上に配置された電極を有するプラズマ処理室における不均一なプラズマ処理を補正する方法であって、
第1のプラズマ処理室内の前記静電チャック上で第1のウェハを処理する工程であって、前記第1のウェハが前記第1のプラズマ処理室内の前記静電チャックと電極との間でプラズマにさらされる工程と、
前記処理された第1のウェハの不均一特性を決定する工程と、
前記電極の半径方向に沿ってインピーダンスが変化するように前記電極の1つ以上の層を構成することで前記電極の半径方向に沿って変化するDCバイアスを形成して、前記処理された第1のウェハにおいて測定された前記不均一特性を補正する工程と、
前記構成された電極上で第2のウェハを処理する工程と、
を備える方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記第1のウェハの前記不均一特性は、複数の半径方向位置で前記処理された第1のウェハを測定することで決定される方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記不均一特性は、前記処理された第1のウェハと前記半径方向位置との間の関係を示す均一性曲線を生成することで決定される方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記電極は、前記不均一特性を補正することに適合した形で構成される方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記電極は、前記不均一特性を補正することに適合した複数の材料を有するように構成される方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記電極は、複数の材料を有し且つ前記不均一特性が補正されるような形で構成される方法。 - プラズマ処理室におけるプラズマ処理中にウェハを挟持する静電チャックであって、
前記プラズマ処理室内のプラズマのイオンが、前記ウェハ上で均一になる形で前記ウェハに引き寄せられるように、前記静電チャックの半径方向に沿ってインピーダンスが変化するよう構成されることで、前記静電チャックの半径方向に沿って変化するDCバイアスを形成する第1の層と、
前記プラズマにRF電力を伝達するために前記第1の層の下に配置される電極と、
を備える静電チャック。 - 請求項29記載の静電チャックにおいて、
前記第1の層は、前記変化するインピーダンスを印加することに適合する形で構成される複数の電気的に絶縁された部分に区分される静電チャック。 - 請求項30記載の静電チャックにおいて、
前記区分された部分は、前記変化するインピーダンスを印加することに適合する複数の材料を有するように構成される静電チャック。 - 請求項29記載の静電チャックにおいて、
前記変化するインピーダンスは、前記第1の層を、複数の材料を有すると共に前記イオンを前記均一な形で前記ウェハに引き寄せるような形で構成することにより生成される静電チャック。 - 請求項29記載の静電チャックにおいて、
前記第1の層は誘電層である静電チャック。 - 請求項29記載の静電チャックにおいて、
前記静電チャックは、1つ以上の誘電層を含み、前記第1の層が電極層である静電チャック。 - 請求項29記載の静電チャックにおいて、
前記第1の層は少なくとも1つの誘電層と電極層とを含む静電チャック。 - 請求項29記載の静電チャックにおいて、
前記静電チャックは電極層を含み、該電極層が複数の部分に区分され、前記静電チャックは、更に、前記ウェハ上に変化するDCバイアスを印加すべく前記区分された部分に結合される複数のインピーダンス素子を含む、静電チャック。
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US6894245B2 (en) * | 2000-03-17 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression |
US7220937B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination |
US6853141B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-02-08 | Daniel J. Hoffman | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
JP2001308065A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Nec Corp | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
US7479456B2 (en) * | 2004-08-26 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck |
US20060191637A1 (en) * | 2001-06-21 | 2006-08-31 | John Zajac | Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control |
US20050059250A1 (en) * | 2001-06-21 | 2005-03-17 | Savas Stephen Edward | Fast etching system and process for organic materials |
US6838387B1 (en) | 2001-06-21 | 2005-01-04 | John Zajac | Fast etching system and process |
TWI283899B (en) * | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
US20040027781A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Hiroji Hanawa | Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling |
US6723574B1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-20 | Lam Research Corporation | Method for quantifying uniformity patterns and including expert knowledge for tool development and control |
US7795153B2 (en) * | 2003-05-16 | 2010-09-14 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters |
US7247218B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-07-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power |
US7470626B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Method of characterizing a chamber based upon concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure |
US7901952B2 (en) * | 2003-05-16 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor control by translating desired values of M plasma parameters to values of N chamber parameters |
US7452824B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method of characterizing a chamber based upon concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of plural chamber parameters |
US7910013B2 (en) | 2003-05-16 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure |
US7075771B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system |
US7771562B2 (en) * | 2003-11-19 | 2010-08-10 | Tokyo Electron Limited | Etch system with integrated inductive coupling |
US7426900B2 (en) * | 2003-11-19 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | Integrated electrostatic inductive coupling for plasma processing |
US20060096951A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-11 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for controlling process non-uniformity |
US7359177B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output |
US7802917B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-09-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for chuck thermal calibration |
US7418921B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-09-02 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD apparatus for forming uniform film |
US7525787B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-04-28 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck assembly with dielectric material and/or cavity having varying thickness, profile and/or shape, method of use and apparatus incorporating same |
JP4920991B2 (ja) | 2006-02-22 | 2012-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8038850B2 (en) | 2006-06-23 | 2011-10-18 | Qimonda Ag | Sputter deposition method for forming integrated circuit |
JP5142360B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2013-02-13 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | セルフバイアス制御装置およびプラズマ処理装置 |
KR101245430B1 (ko) * | 2008-07-11 | 2013-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
EP2368263A4 (en) * | 2008-11-25 | 2012-05-16 | M Cubed Technologies Inc | ELECTROSTATIC FEED |
CN102387655B (zh) * | 2010-09-06 | 2015-10-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于等离子体设备的下电极及等离子体设备 |
US20140042152A1 (en) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage |
KR101362860B1 (ko) | 2012-10-04 | 2014-02-21 | 주식회사 알지비하이텍 | 평탄도 교정장치 |
JP6348321B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2018-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | エッチング装置 |
CN109643682A (zh) * | 2016-06-01 | 2019-04-16 | 应用材料公司 | 静电卡盘及其制造方法 |
JP6818351B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-01-20 | サムコ株式会社 | ウエハ処理装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3941966A (en) | 1974-05-22 | 1976-03-02 | Applied Materials, Inc. | RF Power transmission line |
JP2838810B2 (ja) | 1990-07-16 | 1998-12-16 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
US5187454A (en) | 1992-01-23 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Electronically tuned matching network using predictor-corrector control system |
JPH05226462A (ja) | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
US5463525A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Guard ring electrostatic chuck |
JP2659919B2 (ja) * | 1994-01-13 | 1997-09-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | プラズマの不均一性を補正するプラズマ装置 |
US5463526A (en) | 1994-01-21 | 1995-10-31 | Lam Research Corporation | Hybrid electrostatic chuck |
US5671116A (en) | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
US5670066A (en) | 1995-03-17 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated |
US5609720A (en) | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Lam Research Corporation | Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching |
US5793162A (en) | 1995-12-29 | 1998-08-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for controlling matching network of a vacuum plasma processor and memory for same |
JPH09251985A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Hitachi Ltd | 電 極 |
US5812361A (en) | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
US5708250A (en) | 1996-03-29 | 1998-01-13 | Lam Resarch Corporation | Voltage controller for electrostatic chuck of vacuum plasma processors |
US5689215A (en) | 1996-05-23 | 1997-11-18 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor |
US5737175A (en) | 1996-06-19 | 1998-04-07 | Lam Research Corporation | Bias-tracking D.C. power circuit for an electrostatic chuck |
US5798904A (en) | 1996-06-28 | 1998-08-25 | Lam Research Corporation | High power electrostatic chuck contact |
US5793192A (en) | 1996-06-28 | 1998-08-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
JP3911787B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2007-05-09 | 株式会社日立製作所 | 試料処理装置及び試料処理方法 |
JP3650248B2 (ja) | 1997-03-19 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5835335A (en) | 1997-03-26 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Unbalanced bipolar electrostatic chuck power supplies and methods thereof |
US5942042A (en) * | 1997-05-23 | 1999-08-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system |
US5933314A (en) * | 1997-06-27 | 1999-08-03 | Lam Research Corp. | Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks |
US6074488A (en) * | 1997-09-16 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc | Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring |
-
1999
- 1999-03-31 US US09/282,644 patent/US6188564B1/en not_active Expired - Lifetime
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