JPH0427199B2 - - Google Patents
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- JPH0427199B2 JPH0427199B2 JP61139693A JP13969386A JPH0427199B2 JP H0427199 B2 JPH0427199 B2 JP H0427199B2 JP 61139693 A JP61139693 A JP 61139693A JP 13969386 A JP13969386 A JP 13969386A JP H0427199 B2 JPH0427199 B2 JP H0427199B2
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ダイヤモンドの気相合成法に関し、
詳細には基板上の希望部分にダイヤモンド薄膜を
形成できる様にしたダイヤモンドの気相合成法に
関するものである。
詳細には基板上の希望部分にダイヤモンド薄膜を
形成できる様にしたダイヤモンドの気相合成法に
関するものである。
［従来の技術］
ダイヤモンドは、高硬度であることを利用して
古くは切削工具用途を中心に広く使用されてき
た。一方近年では、熱伝導度が大きいこと、Ｐ型
伝導性を示し半導体としての利用可能性があるこ
と等に着目され、前者の特性を利用するものとし
てIC（集積回路）基板のヒートシンク（冷却用放
熱器）への適用が検討され、また後者の特性を利
用するものとして半導体素子等の電子技術分野に
も応用されるに至り、ダイヤモンド膜を形成する
為の技術が急速に開発されつつある。
古くは切削工具用途を中心に広く使用されてき
た。一方近年では、熱伝導度が大きいこと、Ｐ型
伝導性を示し半導体としての利用可能性があるこ
と等に着目され、前者の特性を利用するものとし
てIC（集積回路）基板のヒートシンク（冷却用放
熱器）への適用が検討され、また後者の特性を利
用するものとして半導体素子等の電子技術分野に
も応用されるに至り、ダイヤモンド膜を形成する
為の技術が急速に開発されつつある。
ダイヤモンドの合成法としては、黒鉛を炭素原
料とし、Ni，Cr，Mn等を触媒として４〜７万気
圧、1000〜2000℃の高温・高圧で行なう高圧法が
知られているが、最近では気体状炭化水素を炭素
原料として比較的低圧条件下で行なう気相合成法
（以下CVD法と呼ぶこともある）も開発され特に
注目されている。CVD法によるダイヤモンドの
合成は、高圧法と比べてダイヤモンドの結晶が小
さくなるという欠点が従来より指摘されてきた
が、上述した様な電子技術分野への応用が進めら
れると、却つて薄膜の形成が容易であるという利
点が着目され、有用な技術であると位置付けられ
ている。そしてCVD法においても、 熱CVD法、化学輸送法、熱フイラメン
ト法、高周波法、マイクロ波法等の各種の方
法が知られている。
料とし、Ni，Cr，Mn等を触媒として４〜７万気
圧、1000〜2000℃の高温・高圧で行なう高圧法が
知られているが、最近では気体状炭化水素を炭素
原料として比較的低圧条件下で行なう気相合成法
（以下CVD法と呼ぶこともある）も開発され特に
注目されている。CVD法によるダイヤモンドの
合成は、高圧法と比べてダイヤモンドの結晶が小
さくなるという欠点が従来より指摘されてきた
が、上述した様な電子技術分野への応用が進めら
れると、却つて薄膜の形成が容易であるという利
点が着目され、有用な技術であると位置付けられ
ている。そしてCVD法においても、 熱CVD法、化学輸送法、熱フイラメン
ト法、高周波法、マイクロ波法等の各種の方
法が知られている。
第２図はダイヤモンド気相合成装置の一例を示
す概略説明図である。当該装置はマイクロ波を応
用した技術であり、その概略は下記の如くであ
る。第２図において、マイクロ波照射装置１から
発信されたマイクロ波（例えば2.45GHz）は導波
管２を通つて、石英管４等によつて形成される反
応室３内に導かれる。一方H2供給装置５及び
CH4供給装置６から夫々H2ガス及びCH4ガスが
所定量（例えば約100SCCM）流出され所定割合
に混合（例えばCH4１％−H299％）されつつ供
給管７を介して前記反応室３内に供給される。又
反応室３内は、所定量の混合ガスが吸引排気され
ることによつて予め定えた圧力（例えば40〜
50Torr）とされる（８は排気装置を示す）。反応
室３内には、支持棒１０によつて所定位置に固定
された支持台１１が設けられており、この支持台
１１上にはSiウエハ等のダイヤモンド析出用基板
１５が配置される。
す概略説明図である。当該装置はマイクロ波を応
用した技術であり、その概略は下記の如くであ
る。第２図において、マイクロ波照射装置１から
発信されたマイクロ波（例えば2.45GHz）は導波
管２を通つて、石英管４等によつて形成される反
応室３内に導かれる。一方H2供給装置５及び
CH4供給装置６から夫々H2ガス及びCH4ガスが
所定量（例えば約100SCCM）流出され所定割合
に混合（例えばCH4１％−H299％）されつつ供
給管７を介して前記反応室３内に供給される。又
反応室３内は、所定量の混合ガスが吸引排気され
ることによつて予め定えた圧力（例えば40〜
50Torr）とされる（８は排気装置を示す）。反応
室３内には、支持棒１０によつて所定位置に固定
された支持台１１が設けられており、この支持台
１１上にはSiウエハ等のダイヤモンド析出用基板
１５が配置される。
この様にして混合ガスが供給された反応室３内
にマイクロ波の様な振動電波が導入されると、高
エネルギー電子によつて混合ガス成分々子が原
子・イオン・ラジカルに分解され、反応室３内に
は定常的なプラズマが発生する。前記基板１５は
プラズマ発生領域に配置されており、当該基板１
５上には混合ガス中の炭素を原料として約1μ
ｍ／時間程度の速度でダイヤモンド結晶が析出す
る。そして基板１５の種類や処理条件に応じて微
結晶又は薄膜等の様に異なつた形態のものが得ら
れる。尚図中１３は反射板であり、反応室３内を
拡散するマイクロ波を反射させる作用を果たす。
にマイクロ波の様な振動電波が導入されると、高
エネルギー電子によつて混合ガス成分々子が原
子・イオン・ラジカルに分解され、反応室３内に
は定常的なプラズマが発生する。前記基板１５は
プラズマ発生領域に配置されており、当該基板１
５上には混合ガス中の炭素を原料として約1μ
ｍ／時間程度の速度でダイヤモンド結晶が析出す
る。そして基板１５の種類や処理条件に応じて微
結晶又は薄膜等の様に異なつた形態のものが得ら
れる。尚図中１３は反射板であり、反応室３内を
拡散するマイクロ波を反射させる作用を果たす。
前記基板１５としては前述したSiウエハ以外
に、Ta，Co，Ｗ，Mo等の金属材料が用いられ
る場合もあるが、特にSiウエハを用いる場合につ
いて説明すると、(1)鏡面仕上げがされている基板
１５上を用いたときにはダイヤ微粒子が成長し、
(2)1μｍ程度のダイヤモンド・パウダーで表面を
バフ研磨し、微小な傷を高密度で形成したSiウエ
ハを用いたときには多結晶ダイヤモンドからなる
薄膜が形成される。基板１５の表面をバフ研磨す
る理由は、ダイヤモンドの核が発生するに必要な
表面欠陥を基板１５上に人工的に形成できるから
である。即ち、Siウエハの表面欠陥密度が十分に
高いとダイヤモンドの核発生が高密度で起こり、
生じたダイヤモンド微粒子が短時間で密着又は融
合し、多結晶ダイヤモンドからなる薄膜が形成で
きるのである。
に、Ta，Co，Ｗ，Mo等の金属材料が用いられ
る場合もあるが、特にSiウエハを用いる場合につ
いて説明すると、(1)鏡面仕上げがされている基板
１５上を用いたときにはダイヤ微粒子が成長し、
(2)1μｍ程度のダイヤモンド・パウダーで表面を
バフ研磨し、微小な傷を高密度で形成したSiウエ
ハを用いたときには多結晶ダイヤモンドからなる
薄膜が形成される。基板１５の表面をバフ研磨す
る理由は、ダイヤモンドの核が発生するに必要な
表面欠陥を基板１５上に人工的に形成できるから
である。即ち、Siウエハの表面欠陥密度が十分に
高いとダイヤモンドの核発生が高密度で起こり、
生じたダイヤモンド微粒子が短時間で密着又は融
合し、多結晶ダイヤモンドからなる薄膜が形成で
きるのである。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した様な従来技術を採用することによつて
基板上にダイヤモンドを形成すること自体は可能
となつたが、基板上の希望部分に任意に、即ち選
択的にダイヤモンド薄膜（又は微粒子）を形成す
ることはできないという問題があつた。しかしな
がら電子技術分野への応用等を考慮するならば、
基板上の希望部分に任意にダイヤモンド薄膜を形
成する技術の確立が望まれているのであるが、現
在のところではその様な技術は実現されていな
い。
基板上にダイヤモンドを形成すること自体は可能
となつたが、基板上の希望部分に任意に、即ち選
択的にダイヤモンド薄膜（又は微粒子）を形成す
ることはできないという問題があつた。しかしな
がら電子技術分野への応用等を考慮するならば、
基板上の希望部分に任意にダイヤモンド薄膜を形
成する技術の確立が望まれているのであるが、現
在のところではその様な技術は実現されていな
い。
結局本発明の目的は上記趣旨から明らかである
様に、基板上の希望する部分に任意にダイヤモン
ド薄膜を形成できる様なダイヤモンドの気相合成
法を提供する点にある。
様に、基板上の希望する部分に任意にダイヤモン
ド薄膜を形成できる様なダイヤモンドの気相合成
法を提供する点にある。
［問題点を解決する為の手段］
上記問題点を解決し得た本発明方法とは、基板
上にダイヤモンドを気相合成するに当たり、前記
基板表面上のダイヤモンドが形成されるべき部分
をマスク部材で被覆すると共に、該マスク部材で
被覆された部分以外の残余の部分をアモルフアス
性材料で被覆し、しかる後、前記マスク部材を除
去して基板表面を露出し、気相合成を行なうこと
により該露出された基板表面部分にダイヤモンド
薄膜を形成する点に要旨を有するダイヤモンドの
気相合成法である。
上にダイヤモンドを気相合成するに当たり、前記
基板表面上のダイヤモンドが形成されるべき部分
をマスク部材で被覆すると共に、該マスク部材で
被覆された部分以外の残余の部分をアモルフアス
性材料で被覆し、しかる後、前記マスク部材を除
去して基板表面を露出し、気相合成を行なうこと
により該露出された基板表面部分にダイヤモンド
薄膜を形成する点に要旨を有するダイヤモンドの
気相合成法である。
［作用］
本発明者らは上記目的を達成する為種々検討
し、Siウエハ上にアモルフアスSi（以下ａ−Si又
はａ−Si：Ｈと略称する）膜を被覆した基板を用
い、CVD法によつて基板表面にダイヤモンドを
形成することを試みていたところ、ａ−Si（又は
ａ−Si：Ｈ）上には殆どダイヤモンドが形成され
ないという注目すべき知見が得られた。そしてこ
の知見に基づいて更に鋭意研究した結果、本発明
を完成するに至つたものである。
し、Siウエハ上にアモルフアスSi（以下ａ−Si又
はａ−Si：Ｈと略称する）膜を被覆した基板を用
い、CVD法によつて基板表面にダイヤモンドを
形成することを試みていたところ、ａ−Si（又は
ａ−Si：Ｈ）上には殆どダイヤモンドが形成され
ないという注目すべき知見が得られた。そしてこ
の知見に基づいて更に鋭意研究した結果、本発明
を完成するに至つたものである。
本発明は上述の如く構成されるが、要はダイヤ
モンドが形成されるべき特定部分以外の残余の部
分をアモルフアス性材料で被覆（保護）すること
によつて、基板上の残された部分（ダイヤモンド
被膜の形成希望部分）にダイヤモンド薄膜を形成
し得たものである。即ち、CVD法においてはダ
イヤモンドの核は基板の表面欠陥を起点として発
生するが、アモルフアス性材料にはこのような表
面欠陥が少なく、ダイヤモンドの形成が強く抑制
されるのである。またたとえアモルフアス性材料
の表面にダイヤモンドが形成されたとしても、密
着性が極めて弱く容易に除去できるので本発明の
目的を達成する上で何の不都合もない。
モンドが形成されるべき特定部分以外の残余の部
分をアモルフアス性材料で被覆（保護）すること
によつて、基板上の残された部分（ダイヤモンド
被膜の形成希望部分）にダイヤモンド薄膜を形成
し得たものである。即ち、CVD法においてはダ
イヤモンドの核は基板の表面欠陥を起点として発
生するが、アモルフアス性材料にはこのような表
面欠陥が少なく、ダイヤモンドの形成が強く抑制
されるのである。またたとえアモルフアス性材料
の表面にダイヤモンドが形成されたとしても、密
着性が極めて弱く容易に除去できるので本発明の
目的を達成する上で何の不都合もない。
本発明に従えば基板上の希望する部分に任意の
形状を持つダイヤモンド薄膜を形成できるので、
ダイヤモンドの高い熱伝導性を利用して例えば排
熱回路（ヒートシンク）等を希望する形状に形成
することが可能となる。尚ダイヤモンドを気相合
成する際に、炭素源となるCH4−H2混合ガス中
に、例えばジボラン（B2H6）やホスフイン
（PH3）等の様なＢやＰを含む不純ガスを添加す
れば、形成したダイヤモンド薄膜に半導体として
の特性を持たせることもできる。この様に、本発
明は電子技術分野の今後の発展に大いに寄与し得
るものである。
形状を持つダイヤモンド薄膜を形成できるので、
ダイヤモンドの高い熱伝導性を利用して例えば排
熱回路（ヒートシンク）等を希望する形状に形成
することが可能となる。尚ダイヤモンドを気相合
成する際に、炭素源となるCH4−H2混合ガス中
に、例えばジボラン（B2H6）やホスフイン
（PH3）等の様なＢやＰを含む不純ガスを添加す
れば、形成したダイヤモンド薄膜に半導体として
の特性を持たせることもできる。この様に、本発
明は電子技術分野の今後の発展に大いに寄与し得
るものである。
用いられる基板としては、Si以外にTa，Co，
Ｗ，Mo等の金属材料が用いられることがあるの
は前述した通りであるが、入手の容易さやダイヤ
モンドの形成速度等を考慮するとSi基板が好まし
い。又アモルフアス性材料としては前述のａ−Si
（又はａ−Si：Ｈ）以外にアモルフアスＣ（以下ｉ
−Ｃと略称する）、その他のアモルフアス金属や
アモルフアス・セラミツクス及び有機物質等が挙
げられるが、被覆の容易さ等を考慮するとａ−Si
及びｉ−Ｃが最も好ましい。更にこの様なアモル
フアス性材料を被覆する方法は何ら限定されるも
のではないが、蒸着法、エレクトロビーム蒸着
法、イオンビーム法、イオンプレーテイング法及
びCVD法等が挙げられる。
Ｗ，Mo等の金属材料が用いられることがあるの
は前述した通りであるが、入手の容易さやダイヤ
モンドの形成速度等を考慮するとSi基板が好まし
い。又アモルフアス性材料としては前述のａ−Si
（又はａ−Si：Ｈ）以外にアモルフアスＣ（以下ｉ
−Ｃと略称する）、その他のアモルフアス金属や
アモルフアス・セラミツクス及び有機物質等が挙
げられるが、被覆の容易さ等を考慮するとａ−Si
及びｉ−Ｃが最も好ましい。更にこの様なアモル
フアス性材料を被覆する方法は何ら限定されるも
のではないが、蒸着法、エレクトロビーム蒸着
法、イオンビーム法、イオンプレーテイング法及
びCVD法等が挙げられる。
以下本発明を実施例によつて更に詳細に説明す
るが、後述の実施例は本発明を限定するものでは
ない。例えば後述の実施例では基板表面をバフ研
磨した場合について開示するけれども、バフ研磨
しない場合も本発明の技術的範囲に含まれるのは
言う迄もない。尚バフ研磨する場合は、基板表面
上のダイヤモンドが形成される部分よりも多少大
きな領域を研磨するだけでよい。
るが、後述の実施例は本発明を限定するものでは
ない。例えば後述の実施例では基板表面をバフ研
磨した場合について開示するけれども、バフ研磨
しない場合も本発明の技術的範囲に含まれるのは
言う迄もない。尚バフ研磨する場合は、基板表面
上のダイヤモンドが形成される部分よりも多少大
きな領域を研磨するだけでよい。
［実施例］
実施例 １
第１図は本発明の一実施例の工程を示す概略説
明図である。
明図である。
まず基板１５としては10mm×20mmのSiウエハを
切り出し［第１図１］、該基板１５の表面を1μｍ
のダイヤモンドペーストでバフ研磨した。［第１
図２］。次に当該基板１５におけるダイヤモンド
が形成されるべき表面部分１５ａ（基板１５の半
分の部分）をマスク部材１６で被覆すると共に、
それ以外の部分をアモルフアス性材料１７で被覆
した［第１図３］。アモルフアス性材料１７とし
てはａ−Si：Ｈを用いた。しかる後前記マスク部
材１６を除去して気相合成を行なうと［第１図
４］、前記マスク部材１６が被覆されていた表面
部分１５ａにのみダイヤモンド薄膜１８が形成さ
れた［第１図５］。この様な基板１５において、
ダイヤモンド薄膜１８が形成されている部分と、
形成されていない部分（アモルフアス性材料１７
の部分）とは明瞭な境界で区別できた。
切り出し［第１図１］、該基板１５の表面を1μｍ
のダイヤモンドペーストでバフ研磨した。［第１
図２］。次に当該基板１５におけるダイヤモンド
が形成されるべき表面部分１５ａ（基板１５の半
分の部分）をマスク部材１６で被覆すると共に、
それ以外の部分をアモルフアス性材料１７で被覆
した［第１図３］。アモルフアス性材料１７とし
てはａ−Si：Ｈを用いた。しかる後前記マスク部
材１６を除去して気相合成を行なうと［第１図
４］、前記マスク部材１６が被覆されていた表面
部分１５ａにのみダイヤモンド薄膜１８が形成さ
れた［第１図５］。この様な基板１５において、
ダイヤモンド薄膜１８が形成されている部分と、
形成されていない部分（アモルフアス性材料１７
の部分）とは明瞭な境界で区別できた。
実施例 ２
第３図は本発明の他の実施例の工程を示す概略
説明図である。基板１５として前記実施例１と同
様にSiウエハを用い［第３図１］、この基板１５
の表面を1μｍダイヤモンドペーストで30分間バ
フ研磨した［第３図２］。次に「日」型のマスク
部材１６で基板１５の表面部分１５ａを被覆する
と共に、それ以外の以外の部分をプラズマCVD
法によつてアモルフアス性材料１７で1000〓厚と
なる様に被覆した。［第３図３］。アモルフアス性
材料１７としては、ａ−Siを用いた。しかる後、
マスク部材１６を除去し、マイクロ波CVD法に
よりダイヤモンドの形成を６時間行なつた。その
結果、基板１５の表面部分１５ａ上に「日」型を
した5μｍ厚のダイヤモンド薄膜１８が形成され
た［第３図４］。そしてアモルフアス性材料１７
の部分と、ダイヤモンド薄膜１８の部分との間に
は前記マスク部材１６の「日」型の形状に従つた
明瞭な境界が認められた。
説明図である。基板１５として前記実施例１と同
様にSiウエハを用い［第３図１］、この基板１５
の表面を1μｍダイヤモンドペーストで30分間バ
フ研磨した［第３図２］。次に「日」型のマスク
部材１６で基板１５の表面部分１５ａを被覆する
と共に、それ以外の以外の部分をプラズマCVD
法によつてアモルフアス性材料１７で1000〓厚と
なる様に被覆した。［第３図３］。アモルフアス性
材料１７としては、ａ−Siを用いた。しかる後、
マスク部材１６を除去し、マイクロ波CVD法に
よりダイヤモンドの形成を６時間行なつた。その
結果、基板１５の表面部分１５ａ上に「日」型を
した5μｍ厚のダイヤモンド薄膜１８が形成され
た［第３図４］。そしてアモルフアス性材料１７
の部分と、ダイヤモンド薄膜１８の部分との間に
は前記マスク部材１６の「日」型の形状に従つた
明瞭な境界が認められた。
実施例 ３
前記実施例２と同様にして、アモルフアス性材
料１７としてａ−Siの代りにｉ−Ｃを用い、前述
した「日」型状のダイヤモンド薄膜１８を形成し
た［第３図４参照］。この場合においてもダイヤ
モンド薄膜１８を形成した部分と、それ以外の部
分との間には明瞭な境界が認められた。
料１７としてａ−Siの代りにｉ−Ｃを用い、前述
した「日」型状のダイヤモンド薄膜１８を形成し
た［第３図４参照］。この場合においてもダイヤ
モンド薄膜１８を形成した部分と、それ以外の部
分との間には明瞭な境界が認められた。
尚この場合にはダイヤモンドの気相合成中にｉ
−Ｃの部分はエツチング作用によつて完全に除去
されるが、このとき基板１５は約800℃の高温に
保たれている為に、ダイヤモンド結晶核の発生に
必要な表面欠陥はアニールされて消失してしま
う。即ちｉ−Ｃで被覆された部分はエツチングに
よつてｉ−Ｃが除去され、下地である基板１５の
表面がプラズマ雰囲気に晒されるのであるが、ｉ
−Ｃで被覆されなかつた部分のみでダイヤモンド
薄膜１８が結晶成長することとなるので、結局の
ところ実施例２の場合と同様の効果が得られる。
−Ｃの部分はエツチング作用によつて完全に除去
されるが、このとき基板１５は約800℃の高温に
保たれている為に、ダイヤモンド結晶核の発生に
必要な表面欠陥はアニールされて消失してしま
う。即ちｉ−Ｃで被覆された部分はエツチングに
よつてｉ−Ｃが除去され、下地である基板１５の
表面がプラズマ雰囲気に晒されるのであるが、ｉ
−Ｃで被覆されなかつた部分のみでダイヤモンド
薄膜１８が結晶成長することとなるので、結局の
ところ実施例２の場合と同様の効果が得られる。
［発明の効果］
以上述べた如く本発明によれば、既述の構成を
採用することによつて、基板上の希望する部分に
任意の形状でダイヤモンド薄膜を形成し得た。
採用することによつて、基板上の希望する部分に
任意の形状でダイヤモンド薄膜を形成し得た。
第１図は本発明の一実施例の工程を示す概略説
明図、第２図はダイヤモンド気相合成装置の一例
を示す概略説明図、第３図は本発明の他の実施例
の工程を示す概略説明図である。 １……マイクロ波照射装置、２……導波管、３
……反応室、１５……基板、１６……マスク部
材、１７……アモルフアス性材料、１８……ダイ
ヤモンド薄膜。
明図、第２図はダイヤモンド気相合成装置の一例
を示す概略説明図、第３図は本発明の他の実施例
の工程を示す概略説明図である。 １……マイクロ波照射装置、２……導波管、３
……反応室、１５……基板、１６……マスク部
材、１７……アモルフアス性材料、１８……ダイ
ヤモンド薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にダイヤモンドを気相合成するに当た
り、前記基板表面上のダイヤモンドが形成される
べき部分をマスク部材で被覆すると共に、該マス
ク部材で被覆された部分以外の残余の部分をアモ
ルフアス性材料で被覆し、しかる後、前記マスク
部材を除去して基板表面を露出し、気相合成を行
なうことにより該露出された基板表面部分にダイ
ヤモンド薄膜を形成することを特徴とするダイヤ
モンドの気相合成法。 ２ 前記基板がSi基板である特許請求の範囲第１
項に記載のダイヤモンドの気相合成法。 ３ 前記アモルフアス性材料がアモルフアスSiで
ある特許請求の範囲第１又は２項に記載のダイヤ
モンドの気相合成法。 ４ 前記アモルフアス性材料がアモルフアスＣで
ある特許請求の範囲第１又は２項に記載のダイヤ
モンドの気相合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13969386A JPS62297298A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | ダイヤモンドの気相合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13969386A JPS62297298A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | ダイヤモンドの気相合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297298A JPS62297298A (ja) | 1987-12-24 |
| JPH0427199B2 true JPH0427199B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=15251217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13969386A Granted JPS62297298A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | ダイヤモンドの気相合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62297298A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2228745B (en) * | 1989-01-10 | 1993-09-08 | Kobe Steel Ltd | Process for the selective deposition of thin diamond film by gas phase synthesis |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727878A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-15 | Hitachi Ltd | Controlling operating system in case of earthquake of travelling elevator |
| JPS60200897A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP13969386A patent/JPS62297298A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727878A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-15 | Hitachi Ltd | Controlling operating system in case of earthquake of travelling elevator |
| JPS60200897A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62297298A (ja) | 1987-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |