JPH04271085A - 携帯形記憶装置 - Google Patents
携帯形記憶装置Info
- Publication number
- JPH04271085A JPH04271085A JP3032650A JP3265091A JPH04271085A JP H04271085 A JPH04271085 A JP H04271085A JP 3032650 A JP3032650 A JP 3032650A JP 3265091 A JP3265091 A JP 3265091A JP H04271085 A JPH04271085 A JP H04271085A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage device
- portable storage
- gnd
- panel
- wiring board
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体記憶素子を内
蔵する携帯形記憶装置の、外来ノイズ耐量の向上に関す
るものである。
蔵する携帯形記憶装置の、外来ノイズ耐量の向上に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の携帯形記憶装置を示す斜視
図、図４は図３に示したＢ・Ｂにおける断面図である。 図において、１は半導体記憶素子、２はコネクタ、３は
半導体記憶素子１及びコネクタ２が実装される配線基板
、４は配線基板３を固定する為の樹脂成形フレーム、５
は樹脂成形フレーム４に接着固定される金属パネル、６
は配線基板３のＧＮＤパターンと金属パネル５とを電気
的に接続する為のパネル・ＧＮＤ導通ばねである。
図、図４は図３に示したＢ・Ｂにおける断面図である。 図において、１は半導体記憶素子、２はコネクタ、３は
半導体記憶素子１及びコネクタ２が実装される配線基板
、４は配線基板３を固定する為の樹脂成形フレーム、５
は樹脂成形フレーム４に接着固定される金属パネル、６
は配線基板３のＧＮＤパターンと金属パネル５とを電気
的に接続する為のパネル・ＧＮＤ導通ばねである。
【０００３】次に動作について説明する。従来の携帯形
記憶装置が外部機器に接続された状態で、静電気を帯電
した人体が、携帯形記憶装置を外部機器へ挿入したり、
外部機器から抜去する為に携帯形記憶装置に接触する場
合には外来ノイズとして静電気が金属パネル５に印加さ
れることになる。
記憶装置が外部機器に接続された状態で、静電気を帯電
した人体が、携帯形記憶装置を外部機器へ挿入したり、
外部機器から抜去する為に携帯形記憶装置に接触する場
合には外来ノイズとして静電気が金属パネル５に印加さ
れることになる。
【０００４】金属パネル５に印加された静電気は、パネ
ル・ＧＮＤ導通ばね６を介して、配線基板３のＧＮＤパ
ターンを通り、コネクタ２のＧＮＤ端子を通って外部機
器のＧＮＤ端子へと流れ込む。しかし、外部機器側のＧ
ＮＤパターンのインピーダンスが十分に低くない場合は
、静電気放電電流により外部機器のＧＮＤレベルが変動
し、外部機器の誤動作が生じることがあり、パネル・Ｇ
ＮＤ導通ばね６が無い方が、静電気放電耐量が上がる場
合もある。
ル・ＧＮＤ導通ばね６を介して、配線基板３のＧＮＤパ
ターンを通り、コネクタ２のＧＮＤ端子を通って外部機
器のＧＮＤ端子へと流れ込む。しかし、外部機器側のＧ
ＮＤパターンのインピーダンスが十分に低くない場合は
、静電気放電電流により外部機器のＧＮＤレベルが変動
し、外部機器の誤動作が生じることがあり、パネル・Ｇ
ＮＤ導通ばね６が無い方が、静電気放電耐量が上がる場
合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の携帯形記憶装置
は、以上のように構成されているので、外部機器との組
合せ試験の後にパネル・ＧＮＤ導通ばねの要否が決定さ
れた。パネル・ＧＮＤ導通ばねは携帯形記憶装置を構成
する樹脂成形フレームに組み込まれ、金属パネルで封じ
込める構造なので、外部からの着脱が不可能であり、同
一の携帯形記憶装置の異なる外部機器間での共通使用が
できない場合が生じるなどの問題点があった。
は、以上のように構成されているので、外部機器との組
合せ試験の後にパネル・ＧＮＤ導通ばねの要否が決定さ
れた。パネル・ＧＮＤ導通ばねは携帯形記憶装置を構成
する樹脂成形フレームに組み込まれ、金属パネルで封じ
込める構造なので、外部からの着脱が不可能であり、同
一の携帯形記憶装置の異なる外部機器間での共通使用が
できない場合が生じるなどの問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、金属パネルと配線基板のＧＮＤ
との接続を外部より容易に切り換えることが可能な携帯
形記憶装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、金属パネルと配線基板のＧＮＤ
との接続を外部より容易に切り換えることが可能な携帯
形記憶装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る携帯形記
憶装置は、外部より切り換え可能なパネル・ＧＮＤ接続
スイッチにより、金属パネルと内部の配線基板のＧＮＤ
パターンとの電気的接続を切り換えることを可能とした
ものである。
憶装置は、外部より切り換え可能なパネル・ＧＮＤ接続
スイッチにより、金属パネルと内部の配線基板のＧＮＤ
パターンとの電気的接続を切り換えることを可能とした
ものである。
【０００８】
【作用】この発明における携帯形記憶装置は、外部より
切り換え可能なパネル・ＧＮＤ接続スイッチにより、金
属パネルと内部の配線基板のＧＮＤパターンとの電気的
接続、非接続が容易に切り換えられる。
切り換え可能なパネル・ＧＮＤ接続スイッチにより、金
属パネルと内部の配線基板のＧＮＤパターンとの電気的
接続、非接続が容易に切り換えられる。
【０００９】
【実施例】実施例１．
以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
は携帯形記憶装置の斜視図、図２は図１に示したＡ・Ａ
における断面図である。図において１〜５は図３、図４
の従来例に示した１〜５と同等であるので説明を省略す
る。７は金属パネル５と内部の配線基板３のＧＮＤパタ
ーンとを電気的に接続あるいは非接続とする為のパネル
・ＧＮＤ接続スイッチである。
は携帯形記憶装置の斜視図、図２は図１に示したＡ・Ａ
における断面図である。図において１〜５は図３、図４
の従来例に示した１〜５と同等であるので説明を省略す
る。７は金属パネル５と内部の配線基板３のＧＮＤパタ
ーンとを電気的に接続あるいは非接続とする為のパネル
・ＧＮＤ接続スイッチである。
【００１０】次に携帯形記憶装置が外部機器に接続され
た状態で、携帯形記憶装置の金属パネル５に静電気が印
加された場合の静電気放電について説明する。パネル・
ＧＮＤ接続スイッチ７がＯＮの場合は、金属パネル５に
印加された静電気はパネル・ＧＮＤ接続スイッチ７を通
って、配線基板３上のＧＮＤパターンに流れ込み、コネ
クタ２のＧＮＤ端子を介して外部機器のＧＮＤパターン
に流れ込む。外部機器によっては、ＧＮＤパターンのイ
ンピーダンスが高いために、わずかな静電気放電電流に
より外部機器のＧＮＤ電位が変動し、誤動作する場合が
生じる為、パネル・ＧＮＤ接続スイッチ７をＯＦＦした
方が、静電気耐量が向上する場合もある。
た状態で、携帯形記憶装置の金属パネル５に静電気が印
加された場合の静電気放電について説明する。パネル・
ＧＮＤ接続スイッチ７がＯＮの場合は、金属パネル５に
印加された静電気はパネル・ＧＮＤ接続スイッチ７を通
って、配線基板３上のＧＮＤパターンに流れ込み、コネ
クタ２のＧＮＤ端子を介して外部機器のＧＮＤパターン
に流れ込む。外部機器によっては、ＧＮＤパターンのイ
ンピーダンスが高いために、わずかな静電気放電電流に
より外部機器のＧＮＤ電位が変動し、誤動作する場合が
生じる為、パネル・ＧＮＤ接続スイッチ７をＯＦＦした
方が、静電気耐量が向上する場合もある。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、携帯形
記憶装置の外装の金属パネルと内部の配線基板のＧＮＤ
パターン間の電気的接続、非接続を、パネル・ＧＮＤ接
続スイッチにより外部から切り換え可能としたため、ノ
イズ耐量の高いシステムを安価に実現することができる
。
記憶装置の外装の金属パネルと内部の配線基板のＧＮＤ
パターン間の電気的接続、非接続を、パネル・ＧＮＤ接
続スイッチにより外部から切り換え可能としたため、ノ
イズ耐量の高いシステムを安価に実現することができる
。
【図１】この発明の一実施例による携帯形記憶装置の構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図２】図１に示したＡ・Ａにおける拡大断面図である
。
。
【図３】従来の携帯形記憶装置の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図４】図３に示したＢ・Ｂにおける拡大断面図である
。
。
【符号の説明】
１ 半導体記憶素子
２ コネクタ
３ 配線基板
４ 樹脂成形フレーム
５ 金属パネル
７ パネル・ＧＮＤ接続スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体記憶素子、その他の回路素子、
及び外部機器との電気的接続を得る為のコネクタを実装
した配線基板と、該配線基板を固定する樹脂成形フレー
ムと、該フレームに接着固定される金属パネルとから構
成される携帯形記憶装置において、上記配線基板のＧＮ
Ｄと上記金属パネルとの電気的接続／非接続を切換える
為の、パネル・ＧＮＤ接続スイッチを設けたことを特徴
とする携帯形記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032650A JPH04271085A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 携帯形記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032650A JPH04271085A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 携帯形記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271085A true JPH04271085A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12364735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3032650A Pending JPH04271085A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 携帯形記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271085A (ja) |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3032650A patent/JPH04271085A/ja active Pending
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