JPH04269416A - 静電リレーおよびその製造方法 - Google Patents
静電リレーおよびその製造方法Info
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- JPH04269416A JPH04269416A JP3017691A JP3017691A JPH04269416A JP H04269416 A JPH04269416 A JP H04269416A JP 3017691 A JP3017691 A JP 3017691A JP 3017691 A JP3017691 A JP 3017691A JP H04269416 A JPH04269416 A JP H04269416A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、静電力（クーロン力
）を利用して接点の接離を行う静電リレーおよびその製
造方法に関する。
）を利用して接点の接離を行う静電リレーおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電リレーは、電磁リレーのように電磁
コイルを必要とせず小型化が図れることから、開発が盛
んに進められている。図８および図９は従来の静電リレ
ーをあらわす。この静電リレー８１では、可動板８２の
表面に設けられた可動接点８３と基体８４表面に設けら
れた固定接点８５が対向配置され、可動板８２は可動接
点８３が固定接点８５に対し接離する変位可能に一側で
前記基体８４に直に支持されている。この静電リレー８
１は可動板８２（の駆動電極８８）と基体８４間への電
圧印加により発生する静電力で可動板８２が下側に変位
して両接点８３、８５が接触し、静電力の消滅に伴い可
動板８２が元の位置に戻り両接点８３、８５が離れるよ
うになっている。
コイルを必要とせず小型化が図れることから、開発が盛
んに進められている。図８および図９は従来の静電リレ
ーをあらわす。この静電リレー８１では、可動板８２の
表面に設けられた可動接点８３と基体８４表面に設けら
れた固定接点８５が対向配置され、可動板８２は可動接
点８３が固定接点８５に対し接離する変位可能に一側で
前記基体８４に直に支持されている。この静電リレー８
１は可動板８２（の駆動電極８８）と基体８４間への電
圧印加により発生する静電力で可動板８２が下側に変位
して両接点８３、８５が接触し、静電力の消滅に伴い可
動板８２が元の位置に戻り両接点８３、８５が離れるよ
うになっている。
【０００３】図１０および図１１は、従来の他の静電リ
レーをあらわす。この静電リレー９１では、可動電極ブ
ロックＡと固定電極ブロックＢがスペーサＣを介して接
合された構造を有している。可動電極ブロックＡは可動
板９２および支持部９３とを備えるとともに可動板９２
の裏面に可動接点９４が設けられ、固定電極ブロックＢ
が基体９６を備えるとともに同基体９６表面に固定接点
９７が設けられている。可動接点９４と固定接点９７は
対向配置され、可動板９２は可動接点９４が固定接点９
７に対して接離する変位可能に一側で支持部９３により
支持されていて、可動板９２と基体９６（の駆動電極９
８）間への電圧印加により発生する静電力で可動板９２
が下側に変位して両接点９４、９７が接触し、静電力の
消滅に伴い可動板９２が元の位置に戻り両接点９４、９
７が離れるようになっている。
レーをあらわす。この静電リレー９１では、可動電極ブ
ロックＡと固定電極ブロックＢがスペーサＣを介して接
合された構造を有している。可動電極ブロックＡは可動
板９２および支持部９３とを備えるとともに可動板９２
の裏面に可動接点９４が設けられ、固定電極ブロックＢ
が基体９６を備えるとともに同基体９６表面に固定接点
９７が設けられている。可動接点９４と固定接点９７は
対向配置され、可動板９２は可動接点９４が固定接点９
７に対して接離する変位可能に一側で支持部９３により
支持されていて、可動板９２と基体９６（の駆動電極９
８）間への電圧印加により発生する静電力で可動板９２
が下側に変位して両接点９４、９７が接触し、静電力の
消滅に伴い可動板９２が元の位置に戻り両接点９４、９
７が離れるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記静
電リレー８１は、接点の信頼性が十分でないという問題
がある。可動接点８３が可動板８２から剥離し易いので
ある。可動接点８３は可動板８２の表面に設けられてお
り、接点接触時には常に可動接点８３と可動板８２が分
離する向きの力が加わるので、可動接点８３の剥離が起
こり易いのである。
電リレー８１は、接点の信頼性が十分でないという問題
がある。可動接点８３が可動板８２から剥離し易いので
ある。可動接点８３は可動板８２の表面に設けられてお
り、接点接触時には常に可動接点８３と可動板８２が分
離する向きの力が加わるので、可動接点８３の剥離が起
こり易いのである。
【０００５】一方、上記静電リレー９１の場合には、可
動接点９４は可動板９２の裏面に設けられていて、接点
接触時には常に可動板９２が可動接点９４を押す向きの
力が加わるために可動接点９４の剥離が起こり難いので
あるが、製造し難いという問題がある。可動電極ブロッ
クＡと固定電極ブロックＢを個別に製造した後、スペー
サＣを挟み接合する工程が必要であり、この工程では小
さなブロックを高い位置合わせ精度で接合しなければな
らず、そのため、リレー製造は非常に難しいのである。
動接点９４は可動板９２の裏面に設けられていて、接点
接触時には常に可動板９２が可動接点９４を押す向きの
力が加わるために可動接点９４の剥離が起こり難いので
あるが、製造し難いという問題がある。可動電極ブロッ
クＡと固定電極ブロックＢを個別に製造した後、スペー
サＣを挟み接合する工程が必要であり、この工程では小
さなブロックを高い位置合わせ精度で接合しなければな
らず、そのため、リレー製造は非常に難しいのである。
【０００６】この発明は、上記事情に鑑み、接点の信頼
性が高く製造し易い静電リレーを提供することを第１の
課題とし、このような有用な静電リレーを簡単に得るこ
とのできる方法を提供することを第２の課題とする。
性が高く製造し易い静電リレーを提供することを第１の
課題とし、このような有用な静電リレーを簡単に得るこ
とのできる方法を提供することを第２の課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記第１の課題を解決す
るため、請求項１記載の発明にかかる静電リレーでは、
可動板の裏面に設けられた可動接点と基体表面に設けら
れた固定接点とが所定のギャップを隔てて対向配置され
、前記可動板は基体表面に設けられた支持部により可動
接点が固定接点に対し接離する変位可能に一側で支持さ
れ、前記可動板と基体間への電圧印加により発生する静
電力で前記可動板が基体に近づいて両接点が接触し、静
電力の消滅に伴い可動板が基体から遠ざかり両接点が離
れるようになっている構成に加えて、前記可動板および
支持部が前記基体表面へ直接に積層形成された堆積層か
らなる構成をとっている。
るため、請求項１記載の発明にかかる静電リレーでは、
可動板の裏面に設けられた可動接点と基体表面に設けら
れた固定接点とが所定のギャップを隔てて対向配置され
、前記可動板は基体表面に設けられた支持部により可動
接点が固定接点に対し接離する変位可能に一側で支持さ
れ、前記可動板と基体間への電圧印加により発生する静
電力で前記可動板が基体に近づいて両接点が接触し、静
電力の消滅に伴い可動板が基体から遠ざかり両接点が離
れるようになっている構成に加えて、前記可動板および
支持部が前記基体表面へ直接に積層形成された堆積層か
らなる構成をとっている。
【０００８】そして、前記第２の課題を解決するため、
請求項２記載の発明にかかる静電リレーの製造方法では
、請求項１記載の静電リレーを製造するにあたり、表面
に固定接点が設けられているとともにその上から、支持
部に接合する面は覆わないようにして両接点間に必要な
ギャップに見合う厚みのマスクが施されている基体を準
備しておいて、前記マスクの表面における固定接点と対
面する位置に可動接点を形成した後、その上に可動板お
よび支持部となる堆積層を形成し、ついで、前記マスク
を選択的に除去するようにしている。
請求項２記載の発明にかかる静電リレーの製造方法では
、請求項１記載の静電リレーを製造するにあたり、表面
に固定接点が設けられているとともにその上から、支持
部に接合する面は覆わないようにして両接点間に必要な
ギャップに見合う厚みのマスクが施されている基体を準
備しておいて、前記マスクの表面における固定接点と対
面する位置に可動接点を形成した後、その上に可動板お
よび支持部となる堆積層を形成し、ついで、前記マスク
を選択的に除去するようにしている。
【０００９】可動板および支持部用の堆積層としては、
例えば、請求項３のように、先に積層形成される絶縁膜
とその上に積層形成されるポリシリコン系膜ないしアモ
ルファスシリコン系膜からなるものが挙げられる。
例えば、請求項３のように、先に積層形成される絶縁膜
とその上に積層形成されるポリシリコン系膜ないしアモ
ルファスシリコン系膜からなるものが挙げられる。
【００１０】
【作用】請求項１の静電リレーおよび請求項２の方法で
得られる静電リレーの場合、可動接点が可動板裏面に設
けられており、接点接触時には常に可動接点を可動板が
押す向きの力が加わるので可動接点の剥離が起こり難く
、しかも、支持部および可動板を直接に基体に積層形成
するかたちを採っており、小さいブロック同士をスペー
サで接合するという困難な工程が省けるため、製造し易
い。
得られる静電リレーの場合、可動接点が可動板裏面に設
けられており、接点接触時には常に可動接点を可動板が
押す向きの力が加わるので可動接点の剥離が起こり難く
、しかも、支持部および可動板を直接に基体に積層形成
するかたちを採っており、小さいブロック同士をスペー
サで接合するという困難な工程が省けるため、製造し易
い。
【００１１】請求項２の方法の場合、可動接点の上に可
動板が堆積されるために可動接点が可動板表面に埋め込
まれたようなかたちとなり、可動接点がしっかりと可動
板に接合され非常に剥がれ難くなる。請求項３のように
、可動板および支持部用の堆積層が、先に積層形成され
る絶縁膜とその上に積層形成されるポリシリコン系膜な
いしアモルファスシリコン系膜からなる場合、機械的強
度に優れた可動板となり、しかも、ポリシリコン系膜を
静電力発生用の導電部として使うことができる。
動板が堆積されるために可動接点が可動板表面に埋め込
まれたようなかたちとなり、可動接点がしっかりと可動
板に接合され非常に剥がれ難くなる。請求項３のように
、可動板および支持部用の堆積層が、先に積層形成され
る絶縁膜とその上に積層形成されるポリシリコン系膜な
いしアモルファスシリコン系膜からなる場合、機械的強
度に優れた可動板となり、しかも、ポリシリコン系膜を
静電力発生用の導電部として使うことができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照しなが
ら詳しく説明する。図１は、実施例の静電リレーを断面
してみた状態をあらわし、図２は、実施例の静電リレー
を上方よりみた状態をあらわす。実施例の静電リレー１
は、可動接点４が裏面に設けられた可動板３と固定接点
６が表面に設けられた基体５とを備えており、これら可
動接点４と固定接点６は所定のギャップを隔てて対向配
置されている。可動板３は基体５表面に直に接合してい
る支持部２により可動接点４が固定接点６に対し接離す
る変位可能に一側で支持されている。
ら詳しく説明する。図１は、実施例の静電リレーを断面
してみた状態をあらわし、図２は、実施例の静電リレー
を上方よりみた状態をあらわす。実施例の静電リレー１
は、可動接点４が裏面に設けられた可動板３と固定接点
６が表面に設けられた基体５とを備えており、これら可
動接点４と固定接点６は所定のギャップを隔てて対向配
置されている。可動板３は基体５表面に直に接合してい
る支持部２により可動接点４が固定接点６に対し接離す
る変位可能に一側で支持されている。
【００１３】支持部２および可動板３は基体５の表面へ
直接に積層形成された堆積層、すなわち絶縁膜１１およ
びポリシリコン膜１２からなり、製造し易いことは前述
の通りである。ポリシリコン膜１２の表面には可動側の
駆動電極１３が設けられており、これを通してポリシリ
コン膜１２に駆動用の電圧が印加される。基体５ではシ
リコン単結晶部分１４の上に絶縁膜１５を介して固定側
の駆動電極１６が設けられている。この駆動電極１６と
固定接点６の間には絶縁膜１７が設けられていて、電極
６、１６間の電気的な絶縁が確保されている。なお、シ
リコン単結晶部分１４の下にも絶縁膜１８が設けられて
いる。
直接に積層形成された堆積層、すなわち絶縁膜１１およ
びポリシリコン膜１２からなり、製造し易いことは前述
の通りである。ポリシリコン膜１２の表面には可動側の
駆動電極１３が設けられており、これを通してポリシリ
コン膜１２に駆動用の電圧が印加される。基体５ではシ
リコン単結晶部分１４の上に絶縁膜１５を介して固定側
の駆動電極１６が設けられている。この駆動電極１６と
固定接点６の間には絶縁膜１７が設けられていて、電極
６、１６間の電気的な絶縁が確保されている。なお、シ
リコン単結晶部分１４の下にも絶縁膜１８が設けられて
いる。
【００１４】静電リレー１では、駆動電極１３と駆動電
極１６の間への電圧印加により発生する静電力で可動板
３が基体５に近づいて両接点４、６が接触し、静電力の
消滅に伴い可動板３が基体から遠ざかり接点４、６が離
れるようになっている。この静電リレー１は、以下のよ
うに、請求項２記載の発明の一例により製造されている
。
極１６の間への電圧印加により発生する静電力で可動板
３が基体５に近づいて両接点４、６が接触し、静電力の
消滅に伴い可動板３が基体から遠ざかり接点４、６が離
れるようになっている。この静電リレー１は、以下のよ
うに、請求項２記載の発明の一例により製造されている
。
【００１５】静電リレー１の製造にあたっては、図５に
みるように、予め所定のマスク３１を設けた基体５を準
備する。すなわち、表面に固定接点６が設けられている
とともにその上から、支持部に接合する面Ｓａは覆わな
いようにして両接点間に必要なギャップに見合う厚みの
マスク３１が面Ｓｂに施されている基体５、つまり固定
側を作っておき、この上に可動側を直接作り込んでゆく
のである。図５に示す基体５は以下のようにして作製で
きる。
みるように、予め所定のマスク３１を設けた基体５を準
備する。すなわち、表面に固定接点６が設けられている
とともにその上から、支持部に接合する面Ｓａは覆わな
いようにして両接点間に必要なギャップに見合う厚みの
マスク３１が面Ｓｂに施されている基体５、つまり固定
側を作っておき、この上に可動側を直接作り込んでゆく
のである。図５に示す基体５は以下のようにして作製で
きる。
【００１６】図３にみるように、シリコン単結晶ウエハ
３０の両面に絶縁膜１５、１８用の厚み約１μｍの熱酸
化膜（二酸化シリコン膜）を形成した後、表面側の絶縁
膜１５の上に、図４にみるように、駆動電極１６、絶縁
膜１７および固定接点６をこの順に形成して基体５を得
る。駆動電極１６は、例えば、金や白金等の導電材料を
真空蒸着やスパッタリング等の方法で膜付し、フォトリ
ソグラフィ工程およびイオンミリングによるドライエッ
チング工程により必要なパターン化を施すことにより形
成する。絶縁膜１７は、例えば、ＣＶＤやスパッタリン
グ等の方法で二酸化シリコンの膜付をして、リード端子
部用の窓２１をフォトリソグラフィ工程およびＨＦ水溶
液によるウエットエッチング工程で開けることにより形
成する。固定接点６は、例えば、金や白金等の導電材料
を真空蒸着やスパッタリング等の方法で膜付し、フォト
リソグラフィ工程およびイオンミリングによるドライエ
ッチング工程により必要なパターン化を施すことにより
形成する。そして、固定接点６形成の後、マスク３１を
形成する。マスク３１は、例えば、ノンドープドポリシ
リコン膜（あるいはノンドープドアモルファスシリコン
膜）をＣＶＤ等の方法で積層し、可動接点を設ける箇所
に凹み３１ａをつけることにより形成する。これで図５
に示す通りの基体５が出来上がる。
３０の両面に絶縁膜１５、１８用の厚み約１μｍの熱酸
化膜（二酸化シリコン膜）を形成した後、表面側の絶縁
膜１５の上に、図４にみるように、駆動電極１６、絶縁
膜１７および固定接点６をこの順に形成して基体５を得
る。駆動電極１６は、例えば、金や白金等の導電材料を
真空蒸着やスパッタリング等の方法で膜付し、フォトリ
ソグラフィ工程およびイオンミリングによるドライエッ
チング工程により必要なパターン化を施すことにより形
成する。絶縁膜１７は、例えば、ＣＶＤやスパッタリン
グ等の方法で二酸化シリコンの膜付をして、リード端子
部用の窓２１をフォトリソグラフィ工程およびＨＦ水溶
液によるウエットエッチング工程で開けることにより形
成する。固定接点６は、例えば、金や白金等の導電材料
を真空蒸着やスパッタリング等の方法で膜付し、フォト
リソグラフィ工程およびイオンミリングによるドライエ
ッチング工程により必要なパターン化を施すことにより
形成する。そして、固定接点６形成の後、マスク３１を
形成する。マスク３１は、例えば、ノンドープドポリシ
リコン膜（あるいはノンドープドアモルファスシリコン
膜）をＣＶＤ等の方法で積層し、可動接点を設ける箇所
に凹み３１ａをつけることにより形成する。これで図５
に示す通りの基体５が出来上がる。
【００１７】次に、図６にみるように、マスク３１の凹
み３１ａに可動接点４をフォトリソグラフィ技術等を利
用して設けた後、ＣＶＤやスパッタリング等の方法で絶
縁膜１１となる二酸化シリコンの膜付けをしてから、パ
ターン化する。このパターン化では、絶縁膜１１がマス
ク端部３１ｂの表面を覆わないようにすることが好まし
い。
み３１ａに可動接点４をフォトリソグラフィ技術等を利
用して設けた後、ＣＶＤやスパッタリング等の方法で絶
縁膜１１となる二酸化シリコンの膜付けをしてから、パ
ターン化する。このパターン化では、絶縁膜１１がマス
ク端部３１ｂの表面を覆わないようにすることが好まし
い。
【００１８】続いて、図７にみるように、高濃度（１０
１９以上）ボロンドープのアモルファスシリコンないし
ポリシリコンを積層し、支持部および可動板用の堆積層
を積層形成し、フォトリソグラフィ工程およびエッチン
グ工程により所定の形状にパターン化してから、駆動電
極１６と同様にして可動側の駆動電極１３を形成する。 最後に、マスク３１をＫＯＨ水溶液等により選択的にエ
ッチング除去すると、静電リレー１が出来上がる。この
場合、マスク端部２１ｂ表面が露出しているとエッチン
グが進み易くなる。この実施例では、支持部および可動
板となる堆積層のドープドアモルファスシリコンやドー
プドポリシリコンが、ノンドープドポリシリコンやノン
ドープドアモルファスシリコンよりもエッチングレート
が低いことを利用して、選択エッチングを施しているの
である。この発明の方法の場合、マスク３１の厚みが接
点ギャップを決定するため、マスク３１厚みの調整によ
り接点ギャップのコントロールができる。
１９以上）ボロンドープのアモルファスシリコンないし
ポリシリコンを積層し、支持部および可動板用の堆積層
を積層形成し、フォトリソグラフィ工程およびエッチン
グ工程により所定の形状にパターン化してから、駆動電
極１６と同様にして可動側の駆動電極１３を形成する。 最後に、マスク３１をＫＯＨ水溶液等により選択的にエ
ッチング除去すると、静電リレー１が出来上がる。この
場合、マスク端部２１ｂ表面が露出しているとエッチン
グが進み易くなる。この実施例では、支持部および可動
板となる堆積層のドープドアモルファスシリコンやドー
プドポリシリコンが、ノンドープドポリシリコンやノン
ドープドアモルファスシリコンよりもエッチングレート
が低いことを利用して、選択エッチングを施しているの
である。この発明の方法の場合、マスク３１の厚みが接
点ギャップを決定するため、マスク３１厚みの調整によ
り接点ギャップのコントロールができる。
【００１９】この発明は、上記実施例に限らない。上記
実施例の場合、基体に広範囲にわたって形成した金属膜
を固定側の静電力発生用の導電部としていたが、基体の
シリコン単結晶部分を静電力発生用の導電部として用い
るようにしてもよい。また、絶縁膜や接点、電極および
マスクの形成材料も上記例示のものにかぎらない。
実施例の場合、基体に広範囲にわたって形成した金属膜
を固定側の静電力発生用の導電部としていたが、基体の
シリコン単結晶部分を静電力発生用の導電部として用い
るようにしてもよい。また、絶縁膜や接点、電極および
マスクの形成材料も上記例示のものにかぎらない。
【００２０】
【発明の効果】以上に述べたように、請求項１の静電リ
レーは、可動接点が可動板の裏面に設けられており、接
点接触時には常に可動接点を可動板が押す向きの力が加
わるために可動接点の剥離が起こり難く、しかも、支持
部および可動板を直接に基体に積層形成し接合するとい
うかたちを採っており、小さいブロック同士をスペーサ
で接合するという困難な工程が省けるため、製造し易い
。
レーは、可動接点が可動板の裏面に設けられており、接
点接触時には常に可動接点を可動板が押す向きの力が加
わるために可動接点の剥離が起こり難く、しかも、支持
部および可動板を直接に基体に積層形成し接合するとい
うかたちを採っており、小さいブロック同士をスペーサ
で接合するという困難な工程が省けるため、製造し易い
。
【００２１】請求項２の静電リレーの製造方法によれば
、請求項１にかかる有用な静電リレーを簡単に得ること
ができる。請求項３の発明の場合、可動板の機械的強度
が高く、静電力発生用の導電部が可動板に自然に作り込
まれるという利点がある。
、請求項１にかかる有用な静電リレーを簡単に得ること
ができる。請求項３の発明の場合、可動板の機械的強度
が高く、静電力発生用の導電部が可動板に自然に作り込
まれるという利点がある。
【図１】実施例にかかる静電リレーをあらわす断面図で
ある。
ある。
【図２】実施例にかかる静電リレーをあらわす平面図で
ある。
ある。
【図３】実施例で使う基体の作製途中の状態をあらわす
断面図である。
断面図である。
【図４】実施例で使う基体をあらわす断面図である。
【図５】実施例で使うマスク付き基体をあらわす断面図
である。
である。
【図６】実施例における作製途中段階の静電リレーの状
態をあらわす断面図である。
態をあらわす断面図である。
【図７】実施例における完成状態の静電リレーをあらわ
す断面図である。
す断面図である。
【図８】従来の静電リレーをあらわす斜視図である。
【図９】従来の静電リレーをあらわす断面図である。
【図１０】従来の他の静電リレーをあらわす平面図であ
る。
る。
【図１１】従来の他の静電リレーをあらわす断面図であ
る。
る。
１ 静電リレー
２ 支持部
３ 可動板
４ 可動接点
５ 基体
６ 固定接点
３１ マスク
Claims (3)
- 【請求項１】 可動板の裏面に設けられた可動接点と
基体表面に設けられた固定接点とが所定のギャップを隔
てて対向配置され、前記可動板は基体表面に設けられた
支持部により可動接点が固定接点に対し接離する変位可
能に一側で支持され、前記可動板と基体間への電圧印加
により発生する静電力で前記可動板が基体に近づいて両
接点が接触し、静電力の消滅に伴い可動板が基体から遠
ざかり両接点が離れるようになっている静電リレーにお
いて、前記可動板および支持部が前記基体表面に直接に
積層形成された堆積層からなることを特徴とする静電リ
レー。 - 【請求項２】 請求項１記載の静電リレーを製造する
方法であって、表面に固定接点が設けられているととも
にその上から、支持部に接合する面は覆わないようにし
て両接点間に必要なギャップに見合う厚みのマスクが施
されている基体を準備しておいて、前記マスクの表面に
おける固定接点と対面する位置に可動接点を形成した後
、その上に可動板および支持部となる堆積層を形成し、
ついで、前記マスクを選択的に除去するようにすること
を特徴とする静電リレーの製造方法。 - 【請求項３】 可動板および支持部となる堆積層が、
絶縁膜とその上に積層形成されるポリシリコン系膜ない
しアモルファスシリコン系膜からなる請求項１記載の静
電リレーまたは請求項２記載の静電リレーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017691A JPH04269416A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 静電リレーおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017691A JPH04269416A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 静電リレーおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269416A true JPH04269416A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12296447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017691A Pending JPH04269416A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 静電リレーおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04269416A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000041200A1 (fr) * | 1999-01-07 | 2000-07-13 | Nec Corporation | Commutateur de micromachine |
| WO2000065626A1 (fr) * | 1999-04-27 | 2000-11-02 | Nec Corporation | Commutateur de micromachine et son procede de fabrication |
| JP2001287199A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ構造体及びその製造方法 |
| US7466065B2 (en) | 2002-07-22 | 2008-12-16 | Advantest Corporation | Bimorph switch, bimorph switch manufacturing method, electronic circuitry and electronic circuitry manufacturing method |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3017691A patent/JPH04269416A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000041200A1 (fr) * | 1999-01-07 | 2000-07-13 | Nec Corporation | Commutateur de micromachine |
| US6624367B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-09-23 | Nec Corporation | Micromachine switch |
| WO2000065626A1 (fr) * | 1999-04-27 | 2000-11-02 | Nec Corporation | Commutateur de micromachine et son procede de fabrication |
| EP1176620A1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-01-30 | NEC Corporation | Micromachine switch and method of manufacture thereof |
| EP1176620A4 (en) * | 1999-04-27 | 2002-06-19 | Nec Corp | MICROMACHINE SWITCH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| US6657324B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-12-02 | Nec Corporation | Micromachine switch and method of manufacture thereof |
| JP2001287199A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ構造体及びその製造方法 |
| US7466065B2 (en) | 2002-07-22 | 2008-12-16 | Advantest Corporation | Bimorph switch, bimorph switch manufacturing method, electronic circuitry and electronic circuitry manufacturing method |
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