JP3567793B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベースウェハの上面にガラスフリットを介して接着一体化したキャップウェハで気密封止される半導体素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】
ベースウェハの上面に設けられ、かつ、ガラスフリットを介して前記ベースウェハに接着一体化したキャップウェハで気密封止される半導体素子の製造方法としては、例えば、特開平5−291388号公報がある。
【0003】
すなわち、下面に環状のガラスフリットを形成したキャップウェハを、ベースウェハの上面に位置決めし、加熱,加圧して接着一体化する方法である。この方法では、加熱温度が転移温度以上になると、ガラスフリットが固体から流動体に変化し、温度が上昇するにつれてガラスフリットの粘度が低くなり、流動性が増加する。そして、温度が転移温度以下になり、ガラスフリットが流動体から固体に戻るときに接触していた材料に接着する性質を利用している。
【0004】
しかしながら、この方法では、所定の接着強度を確保すべく、流動体となったガラスフリットにキャップウェハあるいはベースウェハの重み、および/または、接合機の圧力により、加圧したままの状態で加熱,冷却していた。このため、加熱によって流動体となったガラスフリットは低くなると同時に、厚くなって固化していた。したがって、前述の方法では、前記ガラスフリットを所定の均一な高さに維持するための調整作業が困難であった。特に、1枚のウェハ上に多数個の製品を製造する場合には、製品個々の高さ寸法にバラツキが生じやすい。
【0005】
また、密封される半導体素子が高くなるにつれてガラスフリットを高くする必要がある。この場合、ガラスフリットの高さ,厚さを大きくすれば可能である。しかし、接合の際の圧力によってガラスフリットの厚さ寸法がより一層増加する。このため、製品個々の床面積が大きくなり、ウェハ1枚から得られる製品の個数が少なくなるので、製品の単価が高いという問題点がある。
【0006】
本発明は、前記問題点に鑑み、寸法精度が高く安価に製造できる半導体素子の製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、前記目的を達成するため、上面に半導体素子を設けたベースウェハに、下面に環状のガラスフリットを形成したキャップウェハを接着一体化し、前記半導体素子を密封した半導体素子の製造方法において、前記ベースウェハおよび前記キャップウェハの対向面のいずれか一方に、少なくとも1つの位置決め突部を設けた構成としてある。
【0008】
前記位置決め突部は、前記キャップウェハの対向面に形成してもよい。また、前記位置決め突部は、3個以上設けてもよい。
【0009】
前記位置決め突部は、前記半導体素子の周囲を包囲する突条であってもよい。また、前記位置決め突部は、ダイシング領域に配置しておいてもよい。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態は、図1ないし図28に示すように、マイクロリレーに適用した場合について説明する。特に、図1ないし図18は、一個のマイクロリレーを製造する場合の第1実施形態を示し、図19ないし図28は、多数個のマイクロリレーを同時に製造する場合の第2,第3,第4実施形態を示す。
【0011】
第1実施形態にかかるマイクロリレーは、図1ないし図3に示すように、パイレックス等の絶縁材からなるベースウェハ10と、環状のガラスフリット30と、パイレックス等の絶縁材からなるキャップウェハ40とからなるものである。
【0012】
前記ベースウェハ10の上面には、図3に示すように、固定電極11、4本の配線13,14,15,16、可動素子20および一対の突部17a,17bが設けられている。
前記固定電極11は、前記ベースウェハ10の上面中央に平面略Π字形に形成され、その表面は絶縁膜12で被覆されている(図4(C))。
4本の前記配線うち、その2本の配線14,15は、その一端部が接続パッド14a,15aとなっている一方、その他端部が前記固定電極11の中央にそれぞれ延在し、固定接点部14b,15bとなっている。また、他の1本の配線13は、その一端部が接続パッド13aとなっている一方、その他端部が前記固定電極11に接続されている。さらに、残る他の1本の配線16は、その一端部が接続パッド16aとなっている一方、その他端部が可動素子20に電気接続されている。
そして、位置決め突部17a,17bは、前記ベースウェハ10上面の隣り合う隅部に設けられている。
【0013】
可動素子20は、図3に示すように、平面略C字形のアンカ22から延在する4本の支持梁23を介し、可動電極24を板厚方向に駆動可能に支持したものである。前記支持梁23は、スリット21を設けることにより、形成されている。また、前記可動電極24は、その中央部に2本のスリット25,25を並設することにより、可動接触片26が切り出されている。この可動接触片26の下面中央には、絶縁層27を介して可動接点28が設けられている(図13)。この可動接点28は前記固定接点14b,15bに接離可能に対向している。
【0014】
そして、ガラスットフリット30を介して前記ベースウェハ10と前記キャップウェハ40との間に形成される空間内に、前記可動素子20が気密封止されている。
【0015】
次に、本実施形態の製造方法について説明する。なお、図4ないし図8は図3のA−A線断面図に従って切断した場合のプロセス工程図を示す。図9ないし図13は図3のB−B線断面図に従って切断した場合のプロセス工程図を示す。図14ないし図18は図3のC−C線断面図に従って切断した場合のプロセス工程図を示す。
【0016】
図4(A)、図9(A)および図14(A)に示すパイレックス等のガラスウェハ10の上面に、平面略Π字形の電極11および配線13,14,15,16をスパッタリング、蒸着、メッキ、スクリーン印刷等で所定の位置に形成する(図4(B)、図9(B)、図14(B))。さらに、前記電極11の表面を絶縁膜12で被覆する(図4(C)、図9(C)、図14(C))。
【0017】
図5(A)、図10(A)および図15(A)に示すように、結晶方位(100)の単結晶シリコンウェハからなるSOI(silicon−on−insulator)シリコンウェハ29を用意する。そして、所望の支持梁厚さ及び可動電極厚さを確保するため、前記SOIシリコンウェハ29の活性層29a側の表面にTMAH(アルカリエッチング液)エッチングを施し、アンカ22および突部17a,17bを形成する(図5(B)、図10(B)、図15(B))。同様に、TMAHエッチングで前記アンカ22に段部22aを形成する(図5(C))。さらに、酸化膜27を形成した後、導電材をスパッタリング、蒸着、メッキ、スクリーン印刷等により、可動接点28を形成するとともに、中継接続部22bを形成する(図5(D)、図10(D))。ついで、可動接点28の下方側に位置する酸化膜だけを除き、酸化膜27を除去する(図5(E)、図5(E)、図15(E))。
【0018】
図6、図11および図16に示すように、ベースウェハ10に前記SOIウェハ29を位置決めし、陽極接合を行う(図6(A)、図11(A)、図16(A))。そして、SOIウェハ29の上面をTMAH、KOH等のアルカリエッチング液で除去してシンニングする(図6(B))。このアルカリエッチング液の酸化膜エッチングレートはシリコンに比し、極端に遅い。このため、埋設されている酸化膜29bでエッチングを止めることができ、膜厚精度の高いシンニングを行うことができる。その後、露出した前記酸化膜29bを、突部17a,17bの上方に位置する部分を除き、HF等で除去する(図11(B)、図16(B))。酸化膜29bを残存させるのは、キャップウェハ40との接着強度を高めるためである。さらに、残っているSOIウェハ29の活性層29aにドライエッチングを施してスリット21,25を形成することにより、可動電極24および可動接触片26を切り出す(図6(C)、図11(C)、図16(C))。この結果、位置決め突部17a,17bがそれぞれ単独で自立する。
【0019】
図7、図12および図17に示すように、キャップウェハ40に用いるパイレックス等のガラスウェハの下面に、凹所41を形成する。さらに、この凹所41の周辺縁部に環状のガラスフリット30をスクリーン印刷で形成する。そして、図8(A)、図13(A)および図18(A)で示すように、ベースウェハ10にガラスフリット30を介してキャップウェハ40を加熱,加圧して接着一体化する。ついで、配線13,14,15,16の接続パッド13a,14a,15a,16aを覆うキャップウェハ40の一部をダイシングで除去する(図8(B)、図13(B)、図18(B))。
【0020】
次に、前述の構成からなるマイクロリレーの動作を説明する。
配線13,16の接続パッド13a,16aから固定電極11と可動電極24との間に電界が印加されていない場合、可動接点28が固定接点部14b,15bから開離している(図13(B))。
【0021】
そして、配線13,16の接続パッド13a,16aから固定電極11と可動電極24との間に電界を印加すると、両電極の間に生じる静電力で固定電極11に可動電極24が吸引される。このため、支持梁23のバネ力に抗して可動電極24が板厚方向に下降し、その可動接点28が固定接点部14b,15bに接触した後、可動電極24が固定電極11に絶縁膜12を介して吸着する。
【0022】
ついで、前述の電圧の印加を停止することにより、可動電極24が支持梁23のバネ力で復帰し、固定接点部14b,15bから可動接点28が開離して元の状態に復帰する。
【0023】
第2実施形態は、図19に示すように、1枚のウェハから多数個のマイクロリレーを製造する場合である。特に、本実施形態では、1枚のパイレックス等からなるベースウェハ10の上面に多数のマイクロリレーユニット19を形成するとともに、4本の位置決め突部17を形成している(図19(A))。一方、キャップウェハ40の下面のうち、前記マイクロリレーユニット19と対応する位置に環状のガラスフリット30を形成してある(図19(B))。そして、前記ベースウェハ10にキャップウェハ40を重ね合わせ、所定の位置に位置決めするとともに、前記位置決め突部17にキャップウェハ40を当接させる。ついで、ベースウェハ10にガラスフリット30を介してキャップウェハ40を接着一体化する(図19(C))。
【0024】
第3実施形態は、図20に示すように、1枚のベースウェハ10の上面に多数のマイクロリレーユニット10を格子状に配置するとともに、各交差点に位置決め突部17を形成したものである(図20(A))。
本実施形態によれば、デッドスペースであったマイクロリレーユニット19間の空隙を有効に利用でき、位置決め突部17を設けるために特別なスペースを必要としない。このため、1枚のウェハからより多くのマイクロリレーを切り出すことができ、製造単価を低減できるという利点がある。
【0025】
第4実施形態は、図21示すように、1枚のベースウェハ10の上面に多数のマイクロリレーユニット19を格子状に配置する。さらに、前記マイクロリレーユニット19間の間隙に位置決め突条18を格子状に形成した場合である。
【0026】
本実施形態の製造方法を、図22ないし図28の添付図面について説明する。まず、図24(A)に示すパイレックス等のガラスウエハ10の上面に、平面略Π字形の固定電極11および配線13,14,15,16をスパッタリング、蒸着、メッキ、スクリーン印刷等で所定の位置に形成する(図24(B))。さらに、前記固定電極11の表面を絶縁膜12で被覆する(図24(C))。
【0027】
そして、図25(A)に示すように、結晶方位(100)の単結晶シリコンウェハからなるSOI(silicon−on−insulator)シリコンウェハ29を用意する。そして、所望の支持梁厚さ及び可動電極厚さを確保するため、前記SOIシリコンウェハ29の活性層29a側の表面にTMAH(アルカリエッチング液)エッチングを施し、アンカ22および突条18を形成する(図25(B))。同様に、TMAHエッチングで前記アンカ22の基部に段部22aを形成する(図25(C))。さらに、酸化膜27を形成した後、導電材をスパッタリング、蒸着、メッキ、スクリーン印刷等により、パターンニングを施して可動接点(図示せず)を形成するとともに、中継接続部22bを形成する(図25(D))。ついで、前記可動接点の下方側に位置する酸化膜だけを除き、酸化膜27を除去する(図25(E))。
【0028】
ついで、図26に示すように、ベースウェハ10に前記SOIウェハ29を位置決めし、陽極接合を行う(図26(A))。そして、SOIウェハ29の上面をTMAH、KOH等のアルカリエッチング液で除去してシンニングする(図26(B))。このとき、各マイクロリレーユニット19は位置決め突条18で仕切られているので、シンニングするためのエッチング液でマイクロリレーユニット19が損傷することはない。
そして、露出した前記酸化膜29b(図26(B))をHF等で除去する。さらに、残存するSOIウェハ29の活性層29aにドライエッチングでスリットを形成することにより、可動電極24を切り出し(図26(C))、マイクロリレーユニット19が完成する。このとき、位置決め突条18も格子状に残存している。
【0029】
図27に示すように、パイレックス等のガラスウェハからなるキャップウェハ40の下面に、凹所41を形成するとともに、その周辺縁部に環状のガラスフリット30をスクリーン印刷で形成する。そして、図28(A)に示すように、前記ベースウェハ10にキャップウェハ40を重ね合わせ、前記位置決め突条18にキャップウェハ40を当接させるとともに、所定の位置に位置決めする。ついで、ベースウェハ10にキャップウェハ40を加熱,加圧しながら接着一体化する。ついで、前記キャップウェハ40をダイシングで個々に切り離す(図28(B))。最後に、前記位置決め突条18に沿ってダイシングし、ベースウェハ10を個々に切り離すことにより、マイクロリレーが完成する(図28(C))。
【0030】
なお、前述の実施形態に係る各マイクロリレーの動作は、第1実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。
【0031】
第3,第4実施形態によれば、デッドスペースであったマイクロリレーユニット19間の空隙を有効に利用でき、位置決め突部17,突条18を設けるために特別なスペースを必要としない。このため、1枚のウェハからより多くのマイクロリレーを切り出すことができ、製造単価を低減できる。
また、前記位置決め突条18によってマイクロリレーユニット19が仕切られている。このため、ベースウェハ10にキャップウェハ40を接着一体化した後、前記キャップウェハ40をシンニングする場合に、エッチング液が前記ユニット19内に侵入できない。このため、エッチング液によるマイクロリレーユニット19の損傷を抑制できるという利点がある。
【0032】
本発明はマイクロリレーに限らず、例えば、マイクロスイッチ等の他の半導体素子に適用できる。
【0033】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、ベースウェハにキャップウェハを接着一体化する際に、両者の対向面の少なくともいずれか一方に設けた位置決め突部が、両者間の対向距離を規制する。このため、対向面間の距離にバラツキがなくなり、高い寸法精度の半導体素子が得られる。
また、両者を接着一体化する際に従来例のようにガラスフリットが押し潰されることがない。このため、ガラスフリットは背が高く薄肉のままで固化するので、床面積の小さい半導体素子が得られる。この結果、1枚のウエハからより多くの製品が得られ、製造単価の安い製品が得られる。
【0034】
請求項2によれば、位置決め突部をキャップウェハに形成できるので、設計の自由度が大きくなる。
【0035】
請求項3によれば、少なくとも3個の位置決め突部を設けるので、ベースウェハおよびキャップウェハを平行に対向させることができる。このため、より寸法精度の高い半導体素子が得られることになる。
【0036】
請求項4によれば、半導体素子を位置決め突条が包囲する。このため、ベースウェハにキャップウェハを接着一体化した後にシンニングを行っても、エッチング液による半導体素子の損傷を抑制できる。
【0037】
請求項5によれば、ダイシング領域に位置決め突部を形成してある。このため、ダイシングすると同時に、位置決め突部を除去して切り離すことができる。この結果、生産工数が少なくなり、生産性が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるマイクロリレーの第1実施形態を示す斜視図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】図1のキャップウエハを取り外した場合の平面図である。
【図4】図3のA−A線に沿って切断した場合を示すベースウェハのプロセス工程図である。
【図5】図3のA−A線に沿って切断した場合を示すSOIシリコンウェハのプロセス工程図である。
【図6】図3のA−A線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図7】図3のA−A線に沿って切断した場合を示すキャップウェハのプロセス工程図である。
【図8】図3のA−A線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図9】図3のB−B線に沿って切断した場合を示すベースウェハのプロセス工程図である。
【図10】図3のB−B線に沿って切断した場合を示すSOIシリコンウェハのプロセス工程図である。
【図11】図3のB−B線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図12】図3のB−B線に沿って切断した場合を示すキャップウェハのプロセス工程図である。
【図13】図3のB−B線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図14】図3のC−C線に沿って切断した場合を示すベースウェハのプロセス工程図である。
【図15】図3のC−C線に沿って切断した場合を示すSOIシリコンウェハのプロセス工程図である。
【図16】図3のC−C線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図17】図3のC−C線に沿って切断した場合を示すキャップウェハのプロセス工程図である。
【図18】図3のC−C線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図19】本発明にかかるマイクロリレーの第2実施形態を示す概略プロセス工程図である。
【図20】本発明にかかるマイクロリレーの第3実施形態を示す概略プロセス工程図である。
【図21】本発明にかかるマイクロリレーの第4実施形態を示す概略プロセス工程図である。
【図22】図19(A)の拡大平面図である。
【図23】図21(C)の拡大平面図である。
【図24】図22のA−A線に沿って切断した場合を示すベースウェハのプロセス工程図である。
【図25】図22のA−A線に沿って切断した場合を示すSOIシリコンウェハのプロセス工程図である。
【図26】図22のA−A線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【図27】図22のA−A線に沿って切断した場合を示すキャップウェハのプロセス工程図である。
【図28】図22のA−A線に沿って切断した場合の接合方法を示すプロセス工程図である。
【符号の説明】
10…ベースウェハ、11…固定電極、12…絶縁膜、13,14,15,16…配線、13a,14a,15a,16a…接続パッド、14b,15b…固定接点部、17,17a,17b…位置決め突部、18…位置決め突条、19…マイクロリレーユニット、20…可動素子、21…スリット、22…アンカ、23…支持梁、24…可動電極、25…スリット、26…可動接触片、27…絶縁層、28…可動接点、29…SOIシリコンウェハ、30…ガラスフリット、40…キャップウェハ。
Claims (5)
- 上面に半導体素子を設けたベースウェハに、下面に環状のガラスフリットを形成したキャップウェハを接着一体化し、前記半導体素子を密封した半導体素子の製造方法において、
前記ベースウェハおよび前記キャップウェハの対向面のいずれか一方に、少なくとも1つの位置決め突部を設けたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記位置決め突部が、前記キャップウェハの対向面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記位置決め突部が、3個以上設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記位置決め突部が、前記半導体素子の周囲を包囲する突条であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記位置決め突部が、ダイシング領域に配置されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
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