JPH0426782B2 - - Google Patents

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JPH0426782B2
JPH0426782B2 JP63155739A JP15573988A JPH0426782B2 JP H0426782 B2 JPH0426782 B2 JP H0426782B2 JP 63155739 A JP63155739 A JP 63155739A JP 15573988 A JP15573988 A JP 15573988A JP H0426782 B2 JPH0426782 B2 JP H0426782B2
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gold paste
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bonding pad
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Yutaka Tatsumi
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この発明は、サーマルプリントヘツド等に適用
される、金ペーストにより導体パターンを形成す
る印刷回路基板に関する。
(ロ) 従来の技術 金ペーストにより導体パターンを形成する印刷
回路基板技術は、例えば厚膜形サーマルプリント
ヘツドに適用される。厚膜形サーマルプリントヘ
ツドは、絶縁基板上に金ペーストを印刷焼成し
て、共通電極、個別電極、その他配線用の導体パ
ターンが形成される。また、前記絶縁基板上に
は、前記共通電極、個別電極を跨ぐように厚膜抵
抗体が形成される。さらに、前記絶縁基板上に
は、駆動用のICチツプがボンデイングされ、前
記個別電極のボンデイングパツド部とこのICチ
ツプのボンデイングパツド(及び配線用の導体パ
ターンのボンデイングパツド部及びICチツプの
ボンデイングパツド)が、金ワイヤにより接続
(ワイヤボンデイング)される。
(ハ) 発明が解決しようとする課題 上記金ペーストには、有機金ペースト(例えば
メタルオーガニツクペースト等)と無機金ペース
ト(例えばガラスフリツトペースト等)とが知ら
れているが、厚膜形サーマルプリントヘツドの場
合には有機金ペーストが使用されていることが多
い。
第4図は、サーマルプリントヘツドに有機金ペ
ーストMo、無機金ペーストGfを用いた場合を比
較して、投入電力と印字濃度との関係を示す図で
ある。この図からも明らかなように、有機金ペー
ストMoの場合には、抵抗体からリードパターン
への熱拡散が少ないため低い投入電力でより高い
印字濃度が得られる。以上の点より、有機金ペー
ストが多用されているのである。
しかしながら、さらに省エネルギ性を高めるた
め、導体パターンを薄くすると、ワイヤボンデイ
ングが低温度では行いにくくなる。第5図は、有
機金ペーストMo1,Mo2と無機金ペーストGf1
Gf2とを比較して、絶縁基板温度に対するワイヤ
ボンデイング強度を示しているが、2種類の有機
金ペーストMo1,Mo2はいずれの場合でも無機金
ペーストGf1,Gf2の場合よりも、低温でのワイ
ヤボンデイング強度が低い。従つて、安定にワイ
ヤボンデイングを行うためには、有機金ペースト
の場合には、絶縁基板全体を高温加熱してワイヤ
を圧着しなければならない。
上記不都合を解決するためには、局部多層印刷
を行うことにより、ワイヤボンデイングパツド部
の有機金膜厚を増加させる事も考えられるが、コ
ストが上昇するという新たな問題が生じる。
この発明は上記に鑑みなされたもので、省エネ
ルギ性を損なうことなく、ワイヤボンデイングを
行い易くする印刷回路基板の提供を目的としてい
る。
(ニ) 課題を解決するための手段及び作用 上記課題を解決するため、この発明の印刷回路
基板は、絶縁基板上に、有機金ペーストよりなる
導体パターンを形成してなるものにおいて、前記
導体パターンのボンデイングパツド部の少なくと
も表層は無機金ペーストよりなることを特徴とし
ている。無機金ペーストは、第5図にも示すよう
に低温でのワイヤボンデイング性が向上できる
し、導体パターンのボンデイングパツド部以外の
部分は、従来と同様有機金ペーストで形成されて
いるから、省エネルギ性を損なうこともない。
(ホ) 実施例 この発明の一実施例を第1図乃至第3図に基づ
いて以下に説明する。
この実施例は、この発明を厚膜形サーマルプリ
ントヘツド1に適用したものであり、第1図及び
第2図は、それぞれ同じサーマルプリントヘツド
1の要部平面図及び要部断面図である。
2は、アルミナセラミツク等よりなる絶縁基板
である。この絶縁基板2表面2aには、有機金ペ
ーストを印刷焼成してなる共通電極3、及び個別
電極4,…,4が形成される。共通電極3は、絶
縁基板2の縁部2bに沿つて形成され、一定間隔
で突出部3a,…,3aが櫛歯状に突出してい
る。
一方、個別電極4の先端部4aは、突出部3
a,3a間に位置し、また、末端部はボンデイン
グパツド部4bとされる。ボンデイングパツド部
4b上には、無機金ペースト層5が形成される。
共通電極突出部3a、個別電極先端部4a上に
は、両者に跨がるように、酸化ルテニウム等より
なる厚膜発熱抵抗体6が形成される。この発熱抵
抗体6の、共通電極突出部3a,3a間に挟まれ
る部分6aが、1ドツトに対応する。
絶縁基板2上には、発熱抵抗体6に電圧が印加
して駆動するためのICチツプ7が設けられてい
る。ICチツプ7のボンデイングパツド7a,…,
7aと対応する個別電極ボンデイングパツド部4
b,…,4bとは、それぞれ金線8でワイヤボン
デイングされる。個別電極ボンデイングパツド部
4bは、無機金ペーストよりなる導体層5で覆わ
れているから、低温でも確実にワイヤボンデイン
グを行うことができる。
なお、絶縁基板2上には、グレーズ層が形成さ
れているが、第1図及び第2図ではこれを省略し
ている。
第3図は、この実施例サーマルプリントヘツド
1′の変形例を示す断面図である。この変形例で
は、個別電極4のボンデイングパツド部4b全体
が、無機金ペースト層9により形成されている点
が第1図の場合と相違する。
上記実施例は、厚膜形サーマルプリントヘツド
について説明しているが、この発明の適用範囲は
これに限定されるものではない。
(ヘ) 発明の効果 以上説明したように、この発明の印刷回路基板
は、有機金ペーストよりなる導体パターンのボン
デイングパツド部の、少なくとも表層は無機金ペ
ーストよりなることを特徴としているから、省エ
ネルギ性を損なうことなく、ワイヤボンデイング
性を向上できる利点を有する。特に、低温でのワ
イヤボンデイングが可能となり、異種材料(例え
ばガラスエポキシ材)との間での組合せワイヤボ
ンデイングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に係る厚膜形サ
ーマルプリントヘツドの要部断面図、第2図は、
同厚膜形サーマルプリントヘツドの要部平面図、
第3図は、同厚膜形サーマルプリントヘツドの変
形例を示す要部断面図、第4図は、有機金ペース
トと無機金ペーストとをサーマルプリントヘツド
に適用した場合の投入電力と印字濃度との関係を
比較して示す図、第5図は、有機金ペーストと無
機金ペーストのワイヤボンデイング温度と基板温
度との関係を比較して示す図である。 2:絶縁基板、3:共通電極、4:個別電極、
5:無機金ペースト層、4b:ボンデイングパツ
ド部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 絶縁基板上に、有機金ペーストよりなる導体
    パターンを形成してなる印刷回路基板において、 前記導体パターンのボンデイングパツド部の少
    なくとも表層が無機金ペーストよりなることを特
    徴とする印刷回路基板。
JP63155739A 1988-06-23 1988-06-23 印刷回路基板 Granted JPH01321644A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63155739A JPH01321644A (ja) 1988-06-23 1988-06-23 印刷回路基板

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JP63155739A JPH01321644A (ja) 1988-06-23 1988-06-23 印刷回路基板

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5331897A Division JPH06293149A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 熱印字用印刷回路基板
JP5331896A Division JPH06293151A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 熱印字用印刷回路基板
JP5331895A Division JP2667787B2 (ja) 1993-12-27 1993-12-27 サーマルプリントヘッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01321644A JPH01321644A (ja) 1989-12-27
JPH0426782B2 true JPH0426782B2 (ja) 1992-05-08

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JP63155739A Granted JPH01321644A (ja) 1988-06-23 1988-06-23 印刷回路基板

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5876286A (ja) * 1981-10-31 1983-05-09 Mitsubishi Electric Corp サ−マルヘツド

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5876286A (ja) * 1981-10-31 1983-05-09 Mitsubishi Electric Corp サ−マルヘツド

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JPH01321644A (ja) 1989-12-27

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