JPH01321644A - 印刷回路基板 - Google Patents
印刷回路基板Info
- Publication number
- JPH01321644A JPH01321644A JP63155739A JP15573988A JPH01321644A JP H01321644 A JPH01321644 A JP H01321644A JP 63155739 A JP63155739 A JP 63155739A JP 15573988 A JP15573988 A JP 15573988A JP H01321644 A JPH01321644 A JP H01321644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold paste
- bonding pad
- paste
- wire bonding
- printed circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、サーマルプリントヘッド等に適用される、
金ペーストにより導体パターンを形成する印刷回路基板
に関する。
金ペーストにより導体パターンを形成する印刷回路基板
に関する。
(ロ)従来の技術
金ペーストにより導体パターンを形成するEI7刷1回
路基板技術は、例えば厚膜形サーマルプリントヘッドに
適用される。厚膜形サーマルプリントヘッドは、絶n
’2!、板上に金ペーストを印刷焼成して、共′J′1
17vL極、個別電極、その他配線用の導体パターンが
形成される。また、前記絶卑(基板上には、前記共通電
(勇、個別TL極を跨ぐように厚膜抵抗体が形成される
。さらに、前記絶縁基板上には、駆動用のICチップが
ボンディングされ、前記個別電極のボンディングパッド
部とこのICチップのボンディングパッド(及び配線用
の導体パターンのホンティングパッド部及びICチップ
のボンディングパッド)が、金ワイヤにより接続(ワイ
ヤボンディング)される。
路基板技術は、例えば厚膜形サーマルプリントヘッドに
適用される。厚膜形サーマルプリントヘッドは、絶n
’2!、板上に金ペーストを印刷焼成して、共′J′1
17vL極、個別電極、その他配線用の導体パターンが
形成される。また、前記絶卑(基板上には、前記共通電
(勇、個別TL極を跨ぐように厚膜抵抗体が形成される
。さらに、前記絶縁基板上には、駆動用のICチップが
ボンディングされ、前記個別電極のボンディングパッド
部とこのICチップのボンディングパッド(及び配線用
の導体パターンのホンティングパッド部及びICチップ
のボンディングパッド)が、金ワイヤにより接続(ワイ
ヤボンディング)される。
(ハ)発明が解決しようとする課題
上記金ペーストには、有橡金ペースト(例えばメタルオ
ーガニックペースト等)と無機金ペースト(例えばガラ
スフリットペースト等)とが知られているが、厚nり形
サーマルプリントヘッドの場合には有機金ペーストが使
用されていることが多い。
ーガニックペースト等)と無機金ペースト(例えばガラ
スフリットペースト等)とが知られているが、厚nり形
サーマルプリントヘッドの場合には有機金ペーストが使
用されていることが多い。
第4図は、サーマルプリントヘッドに有■金ペーストM
o、無機金ペース1−Gfを用いた場合を比較して、投
入電力と印字ン・=度との関係を示す図である。この図
からも明らかなように、有1恵金ぺ−ストMOの場合に
は、抵抗体からリードパターンへの熱拡散が少ないため
低い投入電力でより高い印字;農産が得られる。以上の
点より、有機金ペーストが多用されているのである。
o、無機金ペース1−Gfを用いた場合を比較して、投
入電力と印字ン・=度との関係を示す図である。この図
からも明らかなように、有1恵金ぺ−ストMOの場合に
は、抵抗体からリードパターンへの熱拡散が少ないため
低い投入電力でより高い印字;農産が得られる。以上の
点より、有機金ペーストが多用されているのである。
しかしながら、さらに省エネルギ性を高めるため、導体
パターンを薄くすると、ワイヤボンディングがfl(’
7HJ、γでは行いにくくなる。第5図は、有機金ペー
ストMo+ 、Moz と無I!覚金ペーストGr、、
Gf2とを比較して、緯打基板温度に対するワイヤ7に
ンディング強度を示しているが、2種類の有陥金ペース
l−Mo、、Mo□はいずれの場合でも無機金ペースト
Gf、、Gr2の場合よりも、低温でのワイヤボンディ
ング強度が低い。従って、安定にワイヤボンディングを
行うためには、有代金ペーストの場合には、絶縁j、!
、仮全体を高温加熱してワイヤを圧着しなければならな
い。
パターンを薄くすると、ワイヤボンディングがfl(’
7HJ、γでは行いにくくなる。第5図は、有機金ペー
ストMo+ 、Moz と無I!覚金ペーストGr、、
Gf2とを比較して、緯打基板温度に対するワイヤ7に
ンディング強度を示しているが、2種類の有陥金ペース
l−Mo、、Mo□はいずれの場合でも無機金ペースト
Gf、、Gr2の場合よりも、低温でのワイヤボンディ
ング強度が低い。従って、安定にワイヤボンディングを
行うためには、有代金ペーストの場合には、絶縁j、!
、仮全体を高温加熱してワイヤを圧着しなければならな
い。
上記不都合を解決するためには、局部多層印刷を行うこ
とにより、ワイヤボンディングパッド部の有■金TI?
:!、厚を増加させる事も考えられるが、コストが上昇
するという新たな間口が生じる。
とにより、ワイヤボンディングパッド部の有■金TI?
:!、厚を増加させる事も考えられるが、コストが上昇
するという新たな間口が生じる。
この発明は上記に濫みなされたもので、省エネルギ性を
1nなうことなく、ワイヤボンディングを行い易くする
印刷回路基板の提供を目的としている。
1nなうことなく、ワイヤボンディングを行い易くする
印刷回路基板の提供を目的としている。
(ニ)課題を解決するための手段及び作用上記課題を解
決するため、この発明の印刷回路基板は、絶縁基板上に
、有機金ペーストよりなる導体パターンを形成してなる
ものにおいて、前記導体パターンのボンディングパッド
部の少なくとも表層は無機金ペーストよりなることを特
徴としている。無機金ペーストは、第5図にも示すよう
に低温でのワイヤボンディング性が向上できるし、導体
パターンのボンディングパッド部以外の部分は、従来と
同様有機金ペーストで形成されているから、省エネルギ
性をtrlなうこともない。
決するため、この発明の印刷回路基板は、絶縁基板上に
、有機金ペーストよりなる導体パターンを形成してなる
ものにおいて、前記導体パターンのボンディングパッド
部の少なくとも表層は無機金ペーストよりなることを特
徴としている。無機金ペーストは、第5図にも示すよう
に低温でのワイヤボンディング性が向上できるし、導体
パターンのボンディングパッド部以外の部分は、従来と
同様有機金ペーストで形成されているから、省エネルギ
性をtrlなうこともない。
(ホ)実施例
この発明の一実施例を第1図乃至第3図に基づいて以下
に凝明する。
に凝明する。
この実施例は、この発明をI′7膜形サーマルプリント
ヘッド1に適用したものであり、第1図及び第2図は、
それぞれ同じサーマルプリントヘッド1の要部平面図及
び要部断面図である。
ヘッド1に適用したものであり、第1図及び第2図は、
それぞれ同じサーマルプリントヘッド1の要部平面図及
び要部断面図である。
2は、アルミナセラミック等よりなる絶縁基板である。
この絶縁基板2表面2aには、有機金ペース)4印刷焼
成してなる共通電極3、及び個別電極4、・・・、4が
形成される。ノ(薄電極3は、絶Xi 、W を反2の
縁部2bに沿って形成され、一定間隔で突出部3a、・
・・、3aがlit l”FT状に突出している。
成してなる共通電極3、及び個別電極4、・・・、4が
形成される。ノ(薄電極3は、絶Xi 、W を反2の
縁部2bに沿って形成され、一定間隔で突出部3a、・
・・、3aがlit l”FT状に突出している。
一方、個別電極4の先端部4aは、突出部3a、3a間
に位置し、また、末端部はボンディングパッド部4bと
される。ボンディングパッド部4b上には、無橡金ペー
スト層5が形成される。
に位置し、また、末端部はボンディングパッド部4bと
される。ボンディングパッド部4b上には、無橡金ペー
スト層5が形成される。
共通電極突出部3a、個別T;、極先極部端部4a上、
両者に跨がるように、酸化ルテニウl、等よりなる厚膜
発熱抵抗体6が形成される。この発熱抵抗体6の、共通
電極突出部3a、3a間に挾まれる部分6aが、1ドツ
トに対応する。
両者に跨がるように、酸化ルテニウl、等よりなる厚膜
発熱抵抗体6が形成される。この発熱抵抗体6の、共通
電極突出部3a、3a間に挾まれる部分6aが、1ドツ
トに対応する。
を色縁基vi、2上には、発熱抵抗体6に電圧が印加し
て駆動するためのICチップ7が設けられている。IC
チップ7のボンディングパッド7a、・・・、7aと対
応する個別電極ボンディングパッド部4b、・・・、4
bとは、それぞれ金線8でワイヤボンディングされる。
て駆動するためのICチップ7が設けられている。IC
チップ7のボンディングパッド7a、・・・、7aと対
応する個別電極ボンディングパッド部4b、・・・、4
bとは、それぞれ金線8でワイヤボンディングされる。
個別電極ボンディングパッド部4bは、無機金ペースト
よりなる導体層5で覆われているから、低温でも確実に
ワイヤボンディングを行うことができる。
よりなる導体層5で覆われているから、低温でも確実に
ワイヤボンディングを行うことができる。
なお、絶縁基板2上には、グレーズ層が形成されている
が、第1図及び第2図ではこれを省略している。
が、第1図及び第2図ではこれを省略している。
第31″i′Iは、この実施例サーマルプリントヘッド
ビの変形例を示す断面図である。この変形例では、個別
電極4のボンディングパッド部4b全体が、無殿金ペー
スト層9により形成されている点が第1図の場合と相違
する。
ビの変形例を示す断面図である。この変形例では、個別
電極4のボンディングパッド部4b全体が、無殿金ペー
スト層9により形成されている点が第1図の場合と相違
する。
上記実施例は、Iy、膜形サーマルプリントヘッドにつ
いて説明しているが、この発明の適用範囲はこれに尿定
されるものではない。
いて説明しているが、この発明の適用範囲はこれに尿定
されるものではない。
(へ)発明の詳細
な説明したように、この発明の印刷回路基板は、有機金
ペーストよりなる導体パターンのボンディングパッド部
の、少なくとも表層は無機金ペーストよりなることを特
徴としているから、省エネルギ性をtrlなうことなく
、ワイヤボンディング性を向上できる利点を有する。特
に、低温でのワイヤボンディングが可能となり、異種材
f:l (例えばガラスエポキシ材)との間での組合せ
ワイヤボンディングが可能となる。
ペーストよりなる導体パターンのボンディングパッド部
の、少なくとも表層は無機金ペーストよりなることを特
徴としているから、省エネルギ性をtrlなうことなく
、ワイヤボンディング性を向上できる利点を有する。特
に、低温でのワイヤボンディングが可能となり、異種材
f:l (例えばガラスエポキシ材)との間での組合せ
ワイヤボンディングが可能となる。
第1図は、この発明の一実施例に係るI″7膜形サーマ
ルプリントへ・ンドの要部断面図、第2図は、同厚膜形
サーマルプリントヘッドの要部平面図、第3図は、同厚
膜形サーマルプリントヘッドの変形例を示す要部断面図
、第4図は、有機金ペーストとyrrF、fi金ペース
トとをサーマルプリントヘッドに適用した場合の投入電
力と印字会=度との関係を比較して示す図、第5図は、
有機金ペーストと無機金ペーストのワイヤボンディング
温度と基板温度との関係を比較して示す図である。 2:絶縁基板、 3:共通TL極、4:個別電極、
5:無機金ペースト層、4b=ボンディングパ
ッド部。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 リボ 村 茂 信第1図
第3図 2:地球#仮 3:共逍電枢 4: イ囚5り電1曇 5:簗、イ枝金べ一又ト漕 4b:ホ′ンテオンク′ノぐット秤 第2図 2:絶縁基板 3:尺↓電揚 4:イI!]JIJJりμ6i 5:跳梃奮ペースト冴 4b:氷゛ンヂインク゛パ4・・ト船 第4図 設入電力− 第5図 萎状逼度−
ルプリントへ・ンドの要部断面図、第2図は、同厚膜形
サーマルプリントヘッドの要部平面図、第3図は、同厚
膜形サーマルプリントヘッドの変形例を示す要部断面図
、第4図は、有機金ペーストとyrrF、fi金ペース
トとをサーマルプリントヘッドに適用した場合の投入電
力と印字会=度との関係を比較して示す図、第5図は、
有機金ペーストと無機金ペーストのワイヤボンディング
温度と基板温度との関係を比較して示す図である。 2:絶縁基板、 3:共通TL極、4:個別電極、
5:無機金ペースト層、4b=ボンディングパ
ッド部。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 リボ 村 茂 信第1図
第3図 2:地球#仮 3:共逍電枢 4: イ囚5り電1曇 5:簗、イ枝金べ一又ト漕 4b:ホ′ンテオンク′ノぐット秤 第2図 2:絶縁基板 3:尺↓電揚 4:イI!]JIJJりμ6i 5:跳梃奮ペースト冴 4b:氷゛ンヂインク゛パ4・・ト船 第4図 設入電力− 第5図 萎状逼度−
Claims (1)
- (1)絶縁基板上に、有機金ペーストよりなる導体パタ
ーンを形成してなる印刷回路基板において、前記導体パ
ターンのボンディングパッド部の少なくとも表層が無機
金ペーストよりなることを特徴とする印刷回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63155739A JPH01321644A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 印刷回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63155739A JPH01321644A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 印刷回路基板 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5331897A Division JPH06293149A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 熱印字用印刷回路基板 |
JP5331896A Division JPH06293151A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 熱印字用印刷回路基板 |
JP5331895A Division JP2667787B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | サーマルプリントヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01321644A true JPH01321644A (ja) | 1989-12-27 |
JPH0426782B2 JPH0426782B2 (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=15612382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63155739A Granted JPH01321644A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 印刷回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01321644A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5876286A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツド |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63155739A patent/JPH01321644A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5876286A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0426782B2 (ja) | 1992-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7616223B2 (en) | Thermal printhead | |
JPH01321644A (ja) | 印刷回路基板 | |
JP2667787B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
US4990935A (en) | Thermal head | |
JPH06293149A (ja) | 熱印字用印刷回路基板 | |
US5781220A (en) | Thermal head | |
JP3819640B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
JP2019051628A (ja) | サーマルヘッド | |
JP3320151B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
JPH04338556A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
JPH10138542A (ja) | サーマルヘッド | |
JPH02286261A (ja) | サーマルヘッド | |
JPH06293151A (ja) | 熱印字用印刷回路基板 | |
JPH03121862A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JP2001191572A (ja) | サーマルヘッド | |
JPH0339251Y2 (ja) | ||
JPS592865A (ja) | ドライバ搭載型サ−マルヘツド | |
JPH02121851A (ja) | 絶縁基板およびこれを用いたサーマルヘッド | |
JP2001199092A (ja) | サーマルヘッド | |
JPS62259876A (ja) | エツジ形感熱ヘツド | |
JPS6166662A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS63179763A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH106542A (ja) | 熱印字ヘッド | |
JPS58158273A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS60171173A (ja) | サ−マルヘツド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090508 Year of fee payment: 17 |