JPH0426695A - 新規フェロセン誘導体,その製造方法及び薄膜の製造方法 - Google Patents
新規フェロセン誘導体,その製造方法及び薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規フェロセン誘導体、その製造方法及び薄膜
の製造方法に関し、詳しくはフェロセン骨格を形成する
2つの五員環の一方に結合した長鎖置換基に分岐を有す
る新規な構造のフェロセン誘導体、及び該フェロセン誘
導体を簡単な工程操作で製造する方法、該フェロセン誘
導体を含有し、無機物質もしくは疎水性有機物質を可溶
化もしくは分散させることのできる界面活性剤、並びに
この界面活性剤を用いて無機物質もしくは疎水性有機物
質を可溶化する方法及びその薄膜を製造する方法に関す
る。
の製造方法に関し、詳しくはフェロセン骨格を形成する
2つの五員環の一方に結合した長鎖置換基に分岐を有す
る新規な構造のフェロセン誘導体、及び該フェロセン誘
導体を簡単な工程操作で製造する方法、該フェロセン誘
導体を含有し、無機物質もしくは疎水性有機物質を可溶
化もしくは分散させることのできる界面活性剤、並びに
この界面活性剤を用いて無機物質もしくは疎水性有機物
質を可溶化する方法及びその薄膜を製造する方法に関す
る。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕一般に
、フタロシアニンあるいはその誘導体等の色素は、水に
対して不溶であり、また、ジメチルホルムアミド(DM
F)、テトラヒドロフラン(T HF )等の有機溶媒
には可溶であるが、その可溶化量は少なく、数■程度の
溶解度しかない。
、フタロシアニンあるいはその誘導体等の色素は、水に
対して不溶であり、また、ジメチルホルムアミド(DM
F)、テトラヒドロフラン(T HF )等の有機溶媒
には可溶であるが、その可溶化量は少なく、数■程度の
溶解度しかない。
従来からこのフタロシアニン等を水に熔かすだめの界面
活性剤が研究されているが、未だ満足しうるものは開発
されていない。官能基置換したフタロシアニン誘導体に
ついては、スルホン系界面活性剤で若干水に溶解できる
ことが報告されているが、その溶解度は必ずしも充分に
高くなく、しかも無置換のフタロシアニンについては全
く溶解することができない。
活性剤が研究されているが、未だ満足しうるものは開発
されていない。官能基置換したフタロシアニン誘導体に
ついては、スルホン系界面活性剤で若干水に溶解できる
ことが報告されているが、その溶解度は必ずしも充分に
高くなく、しかも無置換のフタロシアニンについては全
く溶解することができない。
また、水に不溶性のポリマーについても、上述したと同
様に水に溶かすための界面活性剤が研究されているが、
未だ充分な成果が得られていないのが現状である。
様に水に溶かすための界面活性剤が研究されているが、
未だ充分な成果が得られていないのが現状である。
本発明者らのグループは、先般、フタロシアニンやその
誘導体等の色素あるいは水に不溶性のポリマー等を可溶
化する界面活性剤として、ポリオキシエチレン鎖を有す
るフェロセン誘導体を開発し、また該フェロセン誘導体
を用いて所謂ミセル電解法にて有機薄膜を形成する方法
を開発した(国際公開WO89101939)。
誘導体等の色素あるいは水に不溶性のポリマー等を可溶
化する界面活性剤として、ポリオキシエチレン鎖を有す
るフェロセン誘導体を開発し、また該フェロセン誘導体
を用いて所謂ミセル電解法にて有機薄膜を形成する方法
を開発した(国際公開WO89101939)。
上記国際公開に記載のフェロセン誘導体を製造するため
には、原料となるフェロセン誘導体へのアシル化3加水
分解、還元反応を行って、フェロセン誘導体へのアルキ
ル化を行っているが、反応段数が3ステツプかかり、反
応操作も煩雑で、反応条件も強酸性条件を必要としてい
る。
には、原料となるフェロセン誘導体へのアシル化3加水
分解、還元反応を行って、フェロセン誘導体へのアルキ
ル化を行っているが、反応段数が3ステツプかかり、反
応操作も煩雑で、反応条件も強酸性条件を必要としてい
る。
そこで本発明者らは、上記のフェロセン誘導体の可溶化
能及び電解性能を向上もしくは維持しつつ、製7法の容
易なフェロセン誘導体を開発すべく鋭意検討した。その
結果、フェロセン骨格に結合する長鎖置換基が分岐構造
となっている新規なフェロセン誘導体が、可溶化能及び
電解性能に優れるとともに、簡単な工程、及び操作で効
率よく製造することが可能であることを見出した。本発
明はかかる知見に基いて完成したものである。
能及び電解性能を向上もしくは維持しつつ、製7法の容
易なフェロセン誘導体を開発すべく鋭意検討した。その
結果、フェロセン骨格に結合する長鎖置換基が分岐構造
となっている新規なフェロセン誘導体が、可溶化能及び
電解性能に優れるとともに、簡単な工程、及び操作で効
率よく製造することが可能であることを見出した。本発
明はかかる知見に基いて完成したものである。
すなわち本発明は、−形式
〔式中、R1及びR2はそれぞれ水素、メチル基、メト
キシ基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基あるいは
ハロゲンを示し、Aは一般式 −Y −(−CHCHO
)、H・・・ (If)2 R4 または →Y)、+(CHz)、、B ・・・
(II[)(式中、R3及びR″はそれぞれ水素、メチ
ル基あるいはエチル基を示し、Yは−0−または−C−
0−を示し、Bは一般式 %式%) (式中、R5はメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基あるいはフェニル基を示し、Mはアルカリ金
属、Xはハロゲンを示す。)、nは2〜70の実数、j
はOまたは1を示す。) aは1〜4の整数、bは1〜5の整数である。またに、
mおよびrはそれぞれ1〜20の整数であり、かつ
2≦に+m+r≦30を満たす。〕 で表わされる新規フェロセン誘導体(α)および−形式 〔式中、R’、R2,a、b+に、mは前記と同じ、D
はハロゲン原子、シアノ基、水酸基、あるいは−形式−
C−0−R’ (式中R5は前記と同じ)を示す。〕 で表わされる新規フェロセン誘導体(β)を提供すると
ともに、−形式 (式中、R’、R”、a、bは前記と同じ)で表わされ
るフェロセン化合物と、−形式%式% 〔式中、k、mは前記と同じ、Dはハロゲン原子、シア
ノ基、水酸基、あるいは−形式C,−0−R5(式中R
5は前記と同じ)をII を示す。〕 で表されるオレフィン誘導体とを、触媒の存在下に反応
させることを特徴とする新規フェロセン誘導体(β)の
製造方法を提供する。
キシ基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基あるいは
ハロゲンを示し、Aは一般式 −Y −(−CHCHO
)、H・・・ (If)2 R4 または →Y)、+(CHz)、、B ・・・
(II[)(式中、R3及びR″はそれぞれ水素、メチ
ル基あるいはエチル基を示し、Yは−0−または−C−
0−を示し、Bは一般式 %式%) (式中、R5はメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基あるいはフェニル基を示し、Mはアルカリ金
属、Xはハロゲンを示す。)、nは2〜70の実数、j
はOまたは1を示す。) aは1〜4の整数、bは1〜5の整数である。またに、
mおよびrはそれぞれ1〜20の整数であり、かつ
2≦に+m+r≦30を満たす。〕 で表わされる新規フェロセン誘導体(α)および−形式 〔式中、R’、R2,a、b+に、mは前記と同じ、D
はハロゲン原子、シアノ基、水酸基、あるいは−形式−
C−0−R’ (式中R5は前記と同じ)を示す。〕 で表わされる新規フェロセン誘導体(β)を提供すると
ともに、−形式 (式中、R’、R”、a、bは前記と同じ)で表わされ
るフェロセン化合物と、−形式%式% 〔式中、k、mは前記と同じ、Dはハロゲン原子、シア
ノ基、水酸基、あるいは−形式C,−0−R5(式中R
5は前記と同じ)をII を示す。〕 で表されるオレフィン誘導体とを、触媒の存在下に反応
させることを特徴とする新規フェロセン誘導体(β)の
製造方法を提供する。
さらに本発明は、無機物質もしくは疎水性有機物質を、
水性媒体中で前記新規フェロセン誘導体(α)を含有す
る界面活性剤にて可溶化もしくは分散することを特徴と
する可溶化もしくは分散方法、ならびにこの可溶化もし
くは分散方法で得られるミセル溶液を電解して電極上に
前記無機物質もしくは疎水性有機物質の薄膜を形成する
薄膜の製造方法をも提供するものである。
水性媒体中で前記新規フェロセン誘導体(α)を含有す
る界面活性剤にて可溶化もしくは分散することを特徴と
する可溶化もしくは分散方法、ならびにこの可溶化もし
くは分散方法で得られるミセル溶液を電解して電極上に
前記無機物質もしくは疎水性有機物質の薄膜を形成する
薄膜の製造方法をも提供するものである。
本発明のフェロセン誘導体(α)は、上記−形式〔I〕
で表わされるものである。−形式(1)中の記号は上記
した通りである。ずなわち、R1及びR2はそれぞれ水
素(H)、メチル基(CH3)。
で表わされるものである。−形式(1)中の記号は上記
した通りである。ずなわち、R1及びR2はそれぞれ水
素(H)、メチル基(CH3)。
メトキシ基(OCH3)、水酸基(OH)、アミノ基(
Nl2)、ジメチルアミノ基(N(CH3)Z))ある
いはハロゲン原子(塩素、臭素、フッ素、沃素等)を示
す。R1及びR2は同一であっても異なってもよく、さ
らにR1及びR2がそれぞれ複数個フェロセンの五員環
に存在した場合にも、複数の置換基がそれぞれ同一であ
っても異なっていてもよい。
Nl2)、ジメチルアミノ基(N(CH3)Z))ある
いはハロゲン原子(塩素、臭素、フッ素、沃素等)を示
す。R1及びR2は同一であっても異なってもよく、さ
らにR1及びR2がそれぞれ複数個フェロセンの五員環
に存在した場合にも、複数の置換基がそれぞれ同一であ
っても異なっていてもよい。
本発明のフェロセン誘導体(α)は上記のごとき構成の
フェロセン骨格を形成する2つの五員環の一方に、炭素
数、即ちmが1〜20の炭素鎖を介して上記−形式(I
l)あるいは−形式〔■]で示される基を有する主鎖が
結合するとともに、この主鎖のフェロセン骨格に結合す
る炭素原子に、炭素数、即ちkが1〜20のアルキル基
からなる分岐鎖が結合したものである。
フェロセン骨格を形成する2つの五員環の一方に、炭素
数、即ちmが1〜20の炭素鎖を介して上記−形式(I
l)あるいは−形式〔■]で示される基を有する主鎖が
結合するとともに、この主鎖のフェロセン骨格に結合す
る炭素原子に、炭素数、即ちkが1〜20のアルキル基
からなる分岐鎖が結合したものである。
上記主鎖及び分岐鎖におりる炭素鎖の長さ、即ちm及び
kば、上記のごとく1〜20の整数、特に好ましくは1
〜15の整数である。さらにmとkの和を3〜15とす
ることが好ましい。m及び■ kが小さいと無機物質および疎水性有機物質の可溶化能
が低く、またm及びkが20を超える整数ではフェロセ
ン誘導体自体の親水性が低くなり好ましくない。
kば、上記のごとく1〜20の整数、特に好ましくは1
〜15の整数である。さらにmとkの和を3〜15とす
ることが好ましい。m及び■ kが小さいと無機物質および疎水性有機物質の可溶化能
が低く、またm及びkが20を超える整数ではフェロセ
ン誘導体自体の親水性が低くなり好ましくない。
上記−形式Cl1l及び−形式〔■〕中のYは酸素(−
0−)又はオキシカルボニル基(−C−0−)を示ず。
0−)又はオキシカルボニル基(−C−0−)を示ず。
従って、−形式(II)は、
または −C−0(−CHCHO)rlH・−−(nb
)II OR”R’ で表わされるものの三種類に分けることができる。
)II OR”R’ で表わされるものの三種類に分けることができる。
式中のnはオキシエチレン基の繰り返し数を示すもので
、2〜70の整数のみならず、これを含む実数を意味し
、これらの基の繰り返し数の平均値を示すものである。
、2〜70の整数のみならず、これを含む実数を意味し
、これらの基の繰り返し数の平均値を示すものである。
また、R3,R’は上記のごとくそれぞれ水素、メチル
基あるいはエチル基を示すが、R3及びR4は同一であ
っても異なっていてもよい。
基あるいはエチル基を示すが、R3及びR4は同一であ
っても異なっていてもよい。
また−形式(III)は、式中のjがOもしくは1であ
り、酸素またはオキシカルボニル基の有無を表している
から、 一般式 −0(−CH2)、B ・・・(III
a )(、O+cH2)、B ・−・I:IITb
)または +CI(2)rB ・・・〔■C〕
で表わされるものの三種類に分けることができる。
り、酸素またはオキシカルボニル基の有無を表している
から、 一般式 −0(−CH2)、B ・・・(III
a )(、O+cH2)、B ・−・I:IITb
)または +CI(2)rB ・・・〔■C〕
で表わされるものの三種類に分けることができる。
式中のrは1〜20であり、rが21以上になると、フ
ェロセン誘導体自体の親水性が低下する。
ェロセン誘導体自体の親水性が低下する。
また2≦に+m十r≦30を超える場合も同様である。
また式中のBは、前述の通り、−形式(IIId)乃至
(Illg)で表わされる四種類のもののいずれかであ
る。式中のR5はメチル基、エヂル基、プロピル基、イ
ソプロピル基あるいはフェニル基を示し、Mはリチウム
、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、Xはフッ
素、塩素、臭素などのハロゲン原子を示している。
(Illg)で表わされる四種類のもののいずれかであ
る。式中のR5はメチル基、エヂル基、プロピル基、イ
ソプロピル基あるいはフェニル基を示し、Mはリチウム
、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、Xはフッ
素、塩素、臭素などのハロゲン原子を示している。
本発明のフェロセン誘導体(α)は、これらの各種構造
の1種あるいは2種以上の混在したものである。
の1種あるいは2種以上の混在したものである。
また本発明のフェロセン誘導体(β)は、前記−形式[
IV)で表されるものである。−形式(IV)中の記号
は上記した通りであり、Dは水素原子またはフッ素、塩
素、臭素などのハロゲン原子、シアノ基、水酸基、ある
いは−形式 =(、−C)−R5、即ちオキシカルボニ
ル基にR5で示すメチル基エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基あるいはフェニル基が結合したもののいずれ
かを示している。
IV)で表されるものである。−形式(IV)中の記号
は上記した通りであり、Dは水素原子またはフッ素、塩
素、臭素などのハロゲン原子、シアノ基、水酸基、ある
いは−形式 =(、−C)−R5、即ちオキシカルボニ
ル基にR5で示すメチル基エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基あるいはフェニル基が結合したもののいずれ
かを示している。
コノフェロセンMN体(β)は、前記フェロセン誘導体
(α)を製造する際の重要な中間体であり、フェロセン
誘導体(α)を製造するにあたり、あらかじめこのフェ
ロセン誘導体(β)を製造することにより、簡単な工程
及び操作でフェロセン誘導体(α)を製造することが可
能となる。
(α)を製造する際の重要な中間体であり、フェロセン
誘導体(α)を製造するにあたり、あらかじめこのフェ
ロセン誘導体(β)を製造することにより、簡単な工程
及び操作でフェロセン誘導体(α)を製造することが可
能となる。
前述の一般式(T)で表わされる新規フェロセン誘導体
(α)は、様々な方法により製造することができるが、
まず次に示す操作により前記新規フェロセン誘導体(β
)を製造することが望ましい。即ち、前記−形式(V)
で表されるフェロセン化合物と、前記−形式(Vl)で
表されるオレフィン誘導体とを、触媒の存在下で反応さ
せて、前記−形式(IV)で表されるフェロセン誘導体
(β)を製造する。
(α)は、様々な方法により製造することができるが、
まず次に示す操作により前記新規フェロセン誘導体(β
)を製造することが望ましい。即ち、前記−形式(V)
で表されるフェロセン化合物と、前記−形式(Vl)で
表されるオレフィン誘導体とを、触媒の存在下で反応さ
せて、前記−形式(IV)で表されるフェロセン誘導体
(β)を製造する。
ここで−形式(V)及び−形式[VI)中の各記号は、
前記−形式[1]乃至−形式(IV)で説明した通りで
ある。
前記−形式[1]乃至−形式(IV)で説明した通りで
ある。
反応に際しては、ルイス酸(/ICI!、、、Affi
Br3GaBr、、FeC/2z、ZnCl2等)ある
いはプロトン酸(H2SO,、HF、BF等)を触媒と
して用いる。また溶媒は特に限定されるものではないが
、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲ
ン系溶媒、ニトロベンゼン、ニトロメタン、アセトニI
・リル、二硫化炭素等の極性溶媒を用いることが好まし
い。そして反応温度を一20°C乃至溶媒還流温度とし
て0.1〜10時間反応させることにより、−形式(I
V)で表されるフェロセン誘導体(β)を得ることがで
きる。この反応は、フェロセン化合物と触媒とを反応さ
せた後にオレフィン誘導体の二重結合部分を反応させる
ものである。
Br3GaBr、、FeC/2z、ZnCl2等)ある
いはプロトン酸(H2SO,、HF、BF等)を触媒と
して用いる。また溶媒は特に限定されるものではないが
、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲ
ン系溶媒、ニトロベンゼン、ニトロメタン、アセトニI
・リル、二硫化炭素等の極性溶媒を用いることが好まし
い。そして反応温度を一20°C乃至溶媒還流温度とし
て0.1〜10時間反応させることにより、−形式(I
V)で表されるフェロセン誘導体(β)を得ることがで
きる。この反応は、フェロセン化合物と触媒とを反応さ
せた後にオレフィン誘導体の二重結合部分を反応させる
ものである。
次に、このようζこして得たフェロセン誘導体(β)ヲ
用いて前記−形式(1)のフェロセン誘導体(α)を製
造するが、この反応は、−形式[1)中のAの種類によ
り異なる。
用いて前記−形式(1)のフェロセン誘導体(α)を製
造するが、この反応は、−形式[1)中のAの種類によ
り異なる。
まず、Aが
Y(CHCf(0)、H
R3R’
〔式中、R3,R4およびnは前記と同様である。〕
であり、Yがオキシカルボニル基(−(、−0−)の場
合には、次のように製造できる。つまり、塩化メチレン
、二硫化炭素、四塩化炭素、二塩化エタン等の溶媒中で
一般式(IV)中のDが一形式−0−R5 のもの、 即ち一般式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(β)と、−形式H0(−CHCHO)、
、H・・・ 〔■〕3R4 〔式中、R3,R’およびnは前記と同様である。〕 で表わされるポリエチレングリコールとを、酸触媒、例
えば塩酸、硫酸、p−)ルエンスルホン酸。
合には、次のように製造できる。つまり、塩化メチレン
、二硫化炭素、四塩化炭素、二塩化エタン等の溶媒中で
一般式(IV)中のDが一形式−0−R5 のもの、 即ち一般式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(β)と、−形式H0(−CHCHO)、
、H・・・ 〔■〕3R4 〔式中、R3,R’およびnは前記と同様である。〕 で表わされるポリエチレングリコールとを、酸触媒、例
えば塩酸、硫酸、p−)ルエンスルホン酸。
トリフルオロ酢酸などの存在下、反応温度0°C〜20
0°Cで反応を行うことにより、−形式〔式中の各記号
は前記と同様である。〕で表されるフェロセン誘導体(
α)を得ることができる。
0°Cで反応を行うことにより、−形式〔式中の各記号
は前記と同様である。〕で表されるフェロセン誘導体(
α)を得ることができる。
また、Aが
Y (CHCH0)llH
3R4
(式中、R1,R4およびnは前記と同様である。〕
であり、Yが酸素(−0−)の場合には、次のように製
造できる。つまり、塩化メチレン、二硫化炭素、四塩化
炭素、二塩化エタン等の溶媒中で一般式(IV)中のD
がハロゲン原子であるもの、即ち一般式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(β)と、前記−形式〔■〕で表わされる
ポリエチレングリコールとを、アルカリ金属(Li、N
a 、になど)又は水素化ナトリウムの存在下、反応温
度0°C〜200°Cで反応を行うことにより、−形式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
造できる。つまり、塩化メチレン、二硫化炭素、四塩化
炭素、二塩化エタン等の溶媒中で一般式(IV)中のD
がハロゲン原子であるもの、即ち一般式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(β)と、前記−形式〔■〕で表わされる
ポリエチレングリコールとを、アルカリ金属(Li、N
a 、になど)又は水素化ナトリウムの存在下、反応温
度0°C〜200°Cで反応を行うことにより、−形式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
次にAが
→Y→云CH市B
であって、jが1、Yが酸素(−C1−) 、BがSO
,M(Mは前記と同じ)の場合には、−形式(TV)中
のDが水酸基であるもの、即ち一形式〔式中の各記号は
前記と同様である。〕で表されるフェロセン誘導体(β
)と、−形式%式% 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表される化合
物とを、N、N’−ジメチルホルムアミド、N、N”−
ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリ
アミド等の溶媒中または無溶媒中、アルカリ金属(L+
、Na、になど)または水素化ナトリウムの存在下に反
応させることにより、−形式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
,M(Mは前記と同じ)の場合には、−形式(TV)中
のDが水酸基であるもの、即ち一形式〔式中の各記号は
前記と同様である。〕で表されるフェロセン誘導体(β
)と、−形式%式% 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表される化合
物とを、N、N’−ジメチルホルムアミド、N、N”−
ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリ
アミド等の溶媒中または無溶媒中、アルカリ金属(L+
、Na、になど)または水素化ナトリウムの存在下に反
応させることにより、−形式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
また、jが0.BがOP(OM)2の場合、上記−形式
(IVc)のフェロセン誘導体(β)とオキシ塩化リン
(POCj23)とをトリエチルアミン。
(IVc)のフェロセン誘導体(β)とオキシ塩化リン
(POCj23)とをトリエチルアミン。
ピリジン等の2級アミンの触媒の存在下または触媒を用
いることなく、非プロトン溶媒中または無溶媒で反応さ
せることにより、まず−形式〔式中の各記号は前記と同
様である。〕で表される化合物とし、次いでこの化合物
を、水または水と非プロトン性溶媒(ジエチルエーテル
1.2−ジメトキシエタン、クロロホルム等)の混合溶
媒中で処理することにより、−形式〔式中の各記号は前
記と同様である。〕で表される化合物とし、さらにこの
化合物を、アルカリ溶液(NaOH,KOH,LiOH
等の水溶液)または弱塩基性水溶液(Na2C03,に
2C03t、12co1等の水溶液)を用いて処理する
ことにより、−形式 H 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
いることなく、非プロトン溶媒中または無溶媒で反応さ
せることにより、まず−形式〔式中の各記号は前記と同
様である。〕で表される化合物とし、次いでこの化合物
を、水または水と非プロトン性溶媒(ジエチルエーテル
1.2−ジメトキシエタン、クロロホルム等)の混合溶
媒中で処理することにより、−形式〔式中の各記号は前
記と同様である。〕で表される化合物とし、さらにこの
化合物を、アルカリ溶液(NaOH,KOH,LiOH
等の水溶液)または弱塩基性水溶液(Na2C03,に
2C03t、12co1等の水溶液)を用いて処理する
ことにより、−形式 H 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
また、jが0.Bが−G−0−Mの場合には、上記−形
式(IV)中のDが−C−0−R5であるもの、即ち前
記−形式(IVa)で表されるフェロセン誘導体(β)
を、アルカリ(NaOH,KOH。
式(IV)中のDが−C−0−R5であるもの、即ち前
記−形式(IVa)で表されるフェロセン誘導体(β)
を、アルカリ(NaOH,KOH。
LiOH等)で処理することにより、−形式(式中の各
記号は前記と同様である。〕で表されるフェロセン誘導
体(α)を得ることができる。
記号は前記と同様である。〕で表されるフェロセン誘導
体(α)を得ることができる。
また、jがO,Bが−N” (R5)3・X−(7)場
合には、上記−形式[IV)中のDがハロゲン原子であ
るもの、即ち前記−形式(IVb)のフェロセン誘導体
(β)を、トリアルキルアミン(−N(R5)3)と反
応させることにより、−形式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
合には、上記−形式[IV)中のDがハロゲン原子であ
るもの、即ち前記−形式(IVb)のフェロセン誘導体
(β)を、トリアルキルアミン(−N(R5)3)と反
応させることにより、−形式 〔式中の各記号は前記と同様である。〕で表されるフェ
ロセン誘導体(α)を得ることができる。
以上の如き方法によって得られる本発明の新規フェロセ
ン誘導体は、界面活性剤として有効であり、特に無機物
質や疎水性有機物質を水性媒体に可溶化する界面活性剤
(ミセル化剤)として用いることができる。ミセル化剤
として、本発明のフェロセン誘導体を使用する場合は、
上述のフェロセン誘導体(α)の各種化合物の混合物を
使用してもよいし、また、一種のみを使用してもよい。
ン誘導体は、界面活性剤として有効であり、特に無機物
質や疎水性有機物質を水性媒体に可溶化する界面活性剤
(ミセル化剤)として用いることができる。ミセル化剤
として、本発明のフェロセン誘導体を使用する場合は、
上述のフェロセン誘導体(α)の各種化合物の混合物を
使用してもよいし、また、一種のみを使用してもよい。
本発明の界面活性剤は、上記−形式CI)で表わされる
フェロセン誘導体を主成分として含むものであり、その
他必要に応じて各種の添加剤を適宜加えることもできる
。
フェロセン誘導体を主成分として含むものであり、その
他必要に応じて各種の添加剤を適宜加えることもできる
。
この本発明の界面活性剤を用いれば、様々な無機物質や
疎水性有機物質を水性媒体に可溶化することが可能であ
る。このような疎水性有機物質は、様々なものがあるが
、例えばフタロシアニン、フタロシアニンの金属錯体お
よびこれらの誘導体、ナフクロシアニン、ナフタロシア
ニンの金属錯体およびこれらの誘導体、ポルフィリン、
ポルフィリンの金属錯体およびこれらの誘導体などの光
メモリー用色素や有機色素をはじめ、1,1゛−ジヘフ
チル−4,4”−ビピリジニウムジブロマイド。
疎水性有機物質を水性媒体に可溶化することが可能であ
る。このような疎水性有機物質は、様々なものがあるが
、例えばフタロシアニン、フタロシアニンの金属錯体お
よびこれらの誘導体、ナフクロシアニン、ナフタロシア
ニンの金属錯体およびこれらの誘導体、ポルフィリン、
ポルフィリンの金属錯体およびこれらの誘導体などの光
メモリー用色素や有機色素をはじめ、1,1゛−ジヘフ
チル−4,4”−ビピリジニウムジブロマイド。
1.1′−ジドデシル−4,4”−ビピリジニウムジブ
ロマイドなどのエレクトロクロミック材料、6二l・ロ
ー1.3.3−)リメチルスビロ−(2゛H−1−ベン
ゾピラン−2,2°−インドリン)(通称スピロピラン
)などの感光材料(フォトクロミック材料)や光センサ
ー材料、p−アゾキシアニソールなどの液晶表示用色素
、更に[カラーケミカル事典」株式会社シーエムシー、
1988年3月28日発行の第542〜717頁に列挙
されているエレクトロニクス用色素、記録用色素。
ロマイドなどのエレクトロクロミック材料、6二l・ロ
ー1.3.3−)リメチルスビロ−(2゛H−1−ベン
ゾピラン−2,2°−インドリン)(通称スピロピラン
)などの感光材料(フォトクロミック材料)や光センサ
ー材料、p−アゾキシアニソールなどの液晶表示用色素
、更に[カラーケミカル事典」株式会社シーエムシー、
1988年3月28日発行の第542〜717頁に列挙
されているエレクトロニクス用色素、記録用色素。
環境クロミズム用色素、写真用色素、エネルギー用色素
、バイオメディカル用色素9食品・化粧用色素、染料、
顔料、特殊着色用色素のうちの疎水性の化合物などがあ
げられる。また、7,7.8゜8−テトラシアノキノジ
メタン(TCN、Q)とテトラチアフルバレン(TTF
)との1:1錯体などの有機導電材料やガスセンサー材
料、ペンタエリスリトールジアクリレートなどの光硬化
性塗料。
、バイオメディカル用色素9食品・化粧用色素、染料、
顔料、特殊着色用色素のうちの疎水性の化合物などがあ
げられる。また、7,7.8゜8−テトラシアノキノジ
メタン(TCN、Q)とテトラチアフルバレン(TTF
)との1:1錯体などの有機導電材料やガスセンサー材
料、ペンタエリスリトールジアクリレートなどの光硬化
性塗料。
ステアリン酸などの絶縁材料、1−フェニルアゾ2−ナ
フトールなどのジアゾタイプの感光材料や塗料等をあげ
ることができる。さらには、水に不溶性のポリマー、例
えばポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリアミド、ポリフェニレンザルファ
イド(PPS)。
フトールなどのジアゾタイプの感光材料や塗料等をあげ
ることができる。さらには、水に不溶性のポリマー、例
えばポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリアミド、ポリフェニレンザルファ
イド(PPS)。
ポリフェニレンオキサイド(PPO)、ポリアクリロニ
トリル(PAN)などの汎用ポリマー、またポリフェニ
レン、ポリピロール、ボリアニリ乙ポリチオフェン、ア
セチルセルロース、ポリビニルアセテート、ポリビニル
ブチラールをはじめ、各種各様のポリマー(ポリビニル
ピリジンなど)あるいはコポリマー(メタクリル酸メチ
ルとメタクリル酸とのコポリマーなど)をあげることが
できる。
トリル(PAN)などの汎用ポリマー、またポリフェニ
レン、ポリピロール、ボリアニリ乙ポリチオフェン、ア
セチルセルロース、ポリビニルアセテート、ポリビニル
ブチラールをはじめ、各種各様のポリマー(ポリビニル
ピリジンなど)あるいはコポリマー(メタクリル酸メチ
ルとメタクリル酸とのコポリマーなど)をあげることが
できる。
また無機物資としては、Ti0z、C,CdS。
WO3,Fe2O,、Y2O,、Zr0z+AIzC)
++CuS。
++CuS。
ZnS、Te0z、LiNb0a、Si3N4など、さ
らには各種の超電S酸化物など各種各様のものがある。
らには各種の超電S酸化物など各種各様のものがある。
本発明の新規フェロセン誘導体を界面活性剤として用い
るにあたっては、様々な態様があるが、特に本発明の無
機あるいは有機薄膜の製造方法において、ミセル化剤と
して使用すると効果的である。本発明の方法では、前記
−形式〔I]の新規フェロセン誘導体よりなる界面活性
剤(ミセル化剤)(濃度は限界ミセル濃度以上)、支持
塩ならびに無機物質または疎水性有機物質を入れて、超
音波、ホモジナイザーあるいは撹拌機等により充分に分
散させてミセルを形成せしめる。通常1時間〜10日間
、好ましくは2時間〜4日間行なう。
るにあたっては、様々な態様があるが、特に本発明の無
機あるいは有機薄膜の製造方法において、ミセル化剤と
して使用すると効果的である。本発明の方法では、前記
−形式〔I]の新規フェロセン誘導体よりなる界面活性
剤(ミセル化剤)(濃度は限界ミセル濃度以上)、支持
塩ならびに無機物質または疎水性有機物質を入れて、超
音波、ホモジナイザーあるいは撹拌機等により充分に分
散させてミセルを形成せしめる。通常1時間〜10日間
、好ましくは2時間〜4日間行なう。
その後必要に応して過剰の無機物質または疎水性有機物
質を除去し、得られたミセル溶液を静置したままあるい
は若干の撹拌を加えながら後述の電極を用いて電解処理
する。また、電解処理中に無機物質または疎水性有機物
質をミセル溶液に補充添加してもよく、あるいは陽極近
傍のミセル溶液を系外へ抜き出し、抜き出したミセル溶
液に無機物質または疎水性有機物質を加えて充分に混合
撹拌し、しかる後ムここの液を陰極近傍へ戻す循環回路
を併設してもよい。この際の電解条件は、各種状況に応
じて適宜選定すればよいが、通常は液温0〜70°C1
好ましくは20〜30°C1電圧−10,0〜10.O
V、好ましくは−2,0〜2,0■とし、電流密度10
mA/cm”以下、好ましくは50〜300 μA/c
m2とする。
質を除去し、得られたミセル溶液を静置したままあるい
は若干の撹拌を加えながら後述の電極を用いて電解処理
する。また、電解処理中に無機物質または疎水性有機物
質をミセル溶液に補充添加してもよく、あるいは陽極近
傍のミセル溶液を系外へ抜き出し、抜き出したミセル溶
液に無機物質または疎水性有機物質を加えて充分に混合
撹拌し、しかる後ムここの液を陰極近傍へ戻す循環回路
を併設してもよい。この際の電解条件は、各種状況に応
じて適宜選定すればよいが、通常は液温0〜70°C1
好ましくは20〜30°C1電圧−10,0〜10.O
V、好ましくは−2,0〜2,0■とし、電流密度10
mA/cm”以下、好ましくは50〜300 μA/c
m2とする。
この電解処理を行うと、フェロセン誘導体の酸化還元反
応が進行する。これをフェロセン誘導体中のFeイオン
の挙動に着目すると、陽極ではフェロセンのFe”がF
e3“となって、ミセルが崩壊し、無機物質または疎水
性有機物質の粒子(600〜900人程度)が陽極上に
析出する。一方、陰極では陽極で酸化されたF e”が
Fe”+に還元されてもとのミセルに戻るので、繰返し
同じ溶液で製膜操作を行うことができる。
応が進行する。これをフェロセン誘導体中のFeイオン
の挙動に着目すると、陽極ではフェロセンのFe”がF
e3“となって、ミセルが崩壊し、無機物質または疎水
性有機物質の粒子(600〜900人程度)が陽極上に
析出する。一方、陰極では陽極で酸化されたF e”が
Fe”+に還元されてもとのミセルに戻るので、繰返し
同じ溶液で製膜操作を行うことができる。
本発明の方法で使用する新規フェロセン誘導体は、適度
な長さの分岐側鎖を有する構造であるため、疎水性物質
の可溶化能が高く、さらに上記の酸化還元反応の効率が
非常によく、薄膜が短時間で形成される。このような電
解処理により、陽極上には所望する無機物質あるいは疎
水性有機物質の600〜900人程度の粒子による薄膜
が形成される。
な長さの分岐側鎖を有する構造であるため、疎水性物質
の可溶化能が高く、さらに上記の酸化還元反応の効率が
非常によく、薄膜が短時間で形成される。このような電
解処理により、陽極上には所望する無機物質あるいは疎
水性有機物質の600〜900人程度の粒子による薄膜
が形成される。
上記本発明の方法で用いる支持塩(支持電解質)は、水
性媒体の電気伝導度を調節するために必要に応じて加え
るものである。この支持塩の添加量は通常は上記界面活
性剤(ミセル化剤)のO〜300倍程度の濃度、好まし
くは10〜200倍程度の濃度を目安とする。この支持
塩は添加することなく電解を行うこともできるが、この
場合に q は支持塩を含まない純度の高い薄膜が得られる。
性媒体の電気伝導度を調節するために必要に応じて加え
るものである。この支持塩の添加量は通常は上記界面活
性剤(ミセル化剤)のO〜300倍程度の濃度、好まし
くは10〜200倍程度の濃度を目安とする。この支持
塩は添加することなく電解を行うこともできるが、この
場合に q は支持塩を含まない純度の高い薄膜が得られる。
また、支持塩を用いる場合、この支持塩の種類は、ミセ
ルの形成や電極への前記無機物質や疎水性有機物質の析
出を妨げることなく、水性媒体の電気伝導度を調節しう
るものであれば特に制限はない。
ルの形成や電極への前記無機物質や疎水性有機物質の析
出を妨げることなく、水性媒体の電気伝導度を調節しう
るものであれば特に制限はない。
具体的には、一般に広く支持塩として用いられている硫
酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウムルビジウム、ア
ルミニウムなどの塩)、酢酸塩(リチウム、カリウム、
ナトリウム、ルビジウム。
酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウムルビジウム、ア
ルミニウムなどの塩)、酢酸塩(リチウム、カリウム、
ナトリウム、ルビジウム。
ヘリリウム、マグネシウム、カルシウム ストロンチウ
ム、バリウム、アルミニウムなどの塩)。
ム、バリウム、アルミニウムなどの塩)。
ハロゲン化物塩(リチウム、カリウム、ナトリウム、ル
ビジウム5カルシウム、マグネシウム、アルミニウムな
どの塩)、水溶性酸化物塩(リチウム1 カリウム、ナ
トリウム、ルビジウム、カルシウム、マグネシウム、ア
ルミニウムなどの塩)が好適である。
ビジウム5カルシウム、マグネシウム、アルミニウムな
どの塩)、水溶性酸化物塩(リチウム1 カリウム、ナ
トリウム、ルビジウム、カルシウム、マグネシウム、ア
ルミニウムなどの塩)が好適である。
また、本発明の方法で用いる電極は、フェロセンの酸化
電位(+0.15 V対飽和甘コウ電極)より責な金属
もしくは導電体であればよい。具体的にはITO(酸化
インジウムと酸化スズとの混合酸化物)、白金、金、銀
、銅1グラジーカーボン。
電位(+0.15 V対飽和甘コウ電極)より責な金属
もしくは導電体であればよい。具体的にはITO(酸化
インジウムと酸化スズとの混合酸化物)、白金、金、銀
、銅1グラジーカーボン。
導電性金属酸化物、有機ポリマー導電体などが挙げられ
る。
る。
疎水性有機物質は、非水溶媒、たとえばヘキサン、DM
F、THF、 エタノール、アセトン、酢酸エチル、メ
チレンクロライドなどに飽和量以上の濃度の疎水性有機
物質を溶解1分散させた状態でミセル溶液中に加えるこ
とができる。さらに溶液中には、補強剤として接着剤(
エポキシ、酢酸ビニル、MMA等)、電解重合膜基剤(
ビロール。
F、THF、 エタノール、アセトン、酢酸エチル、メ
チレンクロライドなどに飽和量以上の濃度の疎水性有機
物質を溶解1分散させた状態でミセル溶液中に加えるこ
とができる。さらに溶液中には、補強剤として接着剤(
エポキシ、酢酸ビニル、MMA等)、電解重合膜基剤(
ビロール。
アニリン、チオフェン、ビオロゲン等)、保護膜(ポリ
ビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸
メチル等)を添加してもよい。
ビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸
メチル等)を添加してもよい。
このようにして薄膜を形成した後、必要により交流、パ
ルス、三角波を用いた逆電位、正電位の電解洗浄法、さ
らに超音波洗浄を組合せて、水。
ルス、三角波を用いた逆電位、正電位の電解洗浄法、さ
らに超音波洗浄を組合せて、水。
炭酸プロピレン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン
(THF)、 ジメチルホルムアミド(DMF)、アル
コール等の単溶媒あるいは水溶液の熔媒中で洗浄し、さ
らに150〜350°Cで熱処理することにより、所望
の機能性薄膜を得ることができる。
(THF)、 ジメチルホルムアミド(DMF)、アル
コール等の単溶媒あるいは水溶液の熔媒中で洗浄し、さ
らに150〜350°Cで熱処理することにより、所望
の機能性薄膜を得ることができる。
(実施例〕
次に、本発明を実施例により更に詳しく説明する。
実施例1
■50mρの二ロ丸底フラスコに塩化アルミニウム0.
53gを測り取り、塩化メチレン5 mlを加えた。
53gを測り取り、塩化メチレン5 mlを加えた。
数分間攪拌した後、フェロセン0.37gを加え、15
分間攪拌した後、10−ウンデシレン酸メチル0.45
滅を加え、4時間攪拌後水を加え反応を停止した。塩化
メチレン50滅で抽出し、乾燥濃縮後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル−10:
1)で分離、生成し、フェロセンにアルキル化された下
記化合物(±)を0.54g(収率70%)得た。
分間攪拌した後、10−ウンデシレン酸メチル0.45
滅を加え、4時間攪拌後水を加え反応を停止した。塩化
メチレン50滅で抽出し、乾燥濃縮後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル−10:
1)で分離、生成し、フェロセンにアルキル化された下
記化合物(±)を0.54g(収率70%)得た。
この中間体のプロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペ
クトルを第1図に、元素分析値を以下に示ず。なおりノ
コ内ば計算値である(以下間し)。
クトルを第1図に、元素分析値を以下に示ず。なおりノ
コ内ば計算値である(以下間し)。
元素分析値:炭素68.3% (68,7%)水素 8
.2% (8,4%) 窒素 0.0% (0%) ■化合物(IN、Og、ポリエチレングリコール(平均
分子量600)15.6gおよびp−トルエンスルホン
酸0.49gを50dの丸底フラスコに測り取り120
°Cで4時間攪拌した後、水にあけて酢酸エチルで抽出
し、乾燥、濃縮して下記化合物(2)を2.3g(定量
的)得た。この生成物の’H−NMRスペクトルを第2
図に、元素分析値を以下に示す。
.2% (8,4%) 窒素 0.0% (0%) ■化合物(IN、Og、ポリエチレングリコール(平均
分子量600)15.6gおよびp−トルエンスルホン
酸0.49gを50dの丸底フラスコに測り取り120
°Cで4時間攪拌した後、水にあけて酢酸エチルで抽出
し、乾燥、濃縮して下記化合物(2)を2.3g(定量
的)得た。この生成物の’H−NMRスペクトルを第2
図に、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素60.8% (68,7%)水系 8
.9% (8,7%) 窒素 0.0% (0%) 実施例2 ■実施例1■において、フェロセンを1,1゛−ジメチ
ルフェロセン0.43gに代えた以外は、実施例1■と
同様にして下記化合物(主)を0.40g(収率49%
)得た。このもののIH−NMRスペクトルを第3図に
、元素分析値を以下に示す。
.9% (8,7%) 窒素 0.0% (0%) 実施例2 ■実施例1■において、フェロセンを1,1゛−ジメチ
ルフェロセン0.43gに代えた以外は、実施例1■と
同様にして下記化合物(主)を0.40g(収率49%
)得た。このもののIH−NMRスペクトルを第3図に
、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素69.5%(69,9%)水素 8.
6%(8,8%) 窒素0.0%(0%) ■実施例1■において、化合物(土)を化合物(3N、
1gに代えた以外は、実施例1■と同様にして下記化合
物(4)を2.6g(定量的)得た。
6%(8,8%) 窒素0.0%(0%) ■実施例1■において、化合物(土)を化合物(3N、
1gに代えた以外は、実施例1■と同様にして下記化合
物(4)を2.6g(定量的)得た。
この生成物のIH−NMRスペクトルを第4図に、元素
分析値を以下に示す。
分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素61.2%(60,5%)水素 8.
9%(8,8%) 窒素 0.0%(0%) 実施例3 ■実施例1■において、10−ウンデシレン酸メチルを
エルカ酸メヂル0.71gに代えた以外は、実施例1■
と同様にして下記化合物(5)を0.56g(収率52
%)得た。この中間体の’H−NMRスペクトルを第5
図に、元素分析値を以下に示す。
9%(8,8%) 窒素 0.0%(0%) 実施例3 ■実施例1■において、10−ウンデシレン酸メチルを
エルカ酸メヂル0.71gに代えた以外は、実施例1■
と同様にして下記化合物(5)を0.56g(収率52
%)得た。この中間体の’H−NMRスペクトルを第5
図に、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素73.8%(73,6%)水素10,
4%(10,1%) 窒素 0.0%(0%) H3 ■実施例1■において、化合物(土)を化合物(5N、
1.gに代えた以外は、実施例1■と同様にして下記化
合物(6)を2.3g(定量的)得た。この生成物の’
H−NMRスペクトルを第6図に、元素分析値を以下に
示す。
4%(10,1%) 窒素 0.0%(0%) H3 ■実施例1■において、化合物(土)を化合物(5N、
1.gに代えた以外は、実施例1■と同様にして下記化
合物(6)を2.3g(定量的)得た。この生成物の’
H−NMRスペクトルを第6図に、元素分析値を以下に
示す。
元素分析値:炭素64.0%(63,4%)水素 8.
8%(9,5%) 窒素 0.0%(0%) Hs 実施例4 ■実施例1■において、10−ウンデシレン酸メチルを
8−臭化−1−オクテン0.39gに代えた以外は、実
施例1■と同様にして下記化合物(7)を0.36g(
収率48%)得た。このものの’H−NMRスペクトル
を第7図に、元素分析値を以下に示す。
8%(9,5%) 窒素 0.0%(0%) Hs 実施例4 ■実施例1■において、10−ウンデシレン酸メチルを
8−臭化−1−オクテン0.39gに代えた以外は、実
施例1■と同様にして下記化合物(7)を0.36g(
収率48%)得た。このものの’H−NMRスペクトル
を第7図に、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素57.5%(57,3%)水素 6.
7%(6,7%) 窒素 0.0%(0%) ■ポリエチレングリコール(平均分子量600)6.5
gに0.064gの金属ナトリウムを加え、70°Cで
10時間攪拌した。次に上記化合物(2)1.0gを加
え110°Cで10時間反応させた。
7%(6,7%) 窒素 0.0%(0%) ■ポリエチレングリコール(平均分子量600)6.5
gに0.064gの金属ナトリウムを加え、70°Cで
10時間攪拌した。次に上記化合物(2)1.0gを加
え110°Cで10時間反応させた。
この反応溶液を水にあけ、酢酸エチルで抽出し、乾燥、
fj4縮後、下記化合物(8)を1.7g(収率72%
)得た。このものの’H−NMRスペクトルを第8図に
、元素分析値を以下に示す。
fj4縮後、下記化合物(8)を1.7g(収率72%
)得た。このものの’H−NMRスペクトルを第8図に
、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素59.8%(59,5%)水素 8.
8%(8,9%) 窒素 0.0%(0%) Hz 実施例5 ■実施例I■において、10−ウンデシレン酸メチルを
9〜デセン−1−オール0.33gに代えた以外は、実
施例1■と同様にして下記化合物(9)を0.42g(
収率62%)得た。このものの’H−NMRスペクトル
を第9図に、元素分析値を以下に示す。
8%(8,9%) 窒素 0.0%(0%) Hz 実施例5 ■実施例I■において、10−ウンデシレン酸メチルを
9〜デセン−1−オール0.33gに代えた以外は、実
施例1■と同様にして下記化合物(9)を0.42g(
収率62%)得た。このものの’H−NMRスペクトル
を第9図に、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素70.0%(70,2%)水素 8.
7%(8,9%) 窒素 020%(0%) ■上記化合物(9)8.9gに金属ナトリウム0.5g
を加え、90°Cにて一昼夜攪拌した。次にこれに2−
臭化エタンスルホン酸ナトリウム3.2gを加え、10
0°Cで10時間反応させた。
7%(8,9%) 窒素 020%(0%) ■上記化合物(9)8.9gに金属ナトリウム0.5g
を加え、90°Cにて一昼夜攪拌した。次にこれに2−
臭化エタンスルホン酸ナトリウム3.2gを加え、10
0°Cで10時間反応させた。
この反応液を水及び酢酸エチルの等量混合物にて抽出し
、水層を濃縮して得た残渣をエタノール/水の混合溶媒
で再結晶し、化合物(刊)を5.3g(収率52%)得
た。このもののIH−NMRスペクトルを第10図に、
元素分析値を以下に示す。
、水層を濃縮して得た残渣をエタノール/水の混合溶媒
で再結晶し、化合物(刊)を5.3g(収率52%)得
た。このもののIH−NMRスペクトルを第10図に、
元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素58.1%(57,9%)水素 7.
0%(7,3%) 硫黄 6.9%(7,0%) 窒素 0.0%(0%) 実施例6 実施例5■で得られた化合物(9)6.6gとオキシ塩
化リン18威を室温にて4時間反応させた後、過剰のオ
キシ塩化リンを留去した。
0%(7,3%) 硫黄 6.9%(7,0%) 窒素 0.0%(0%) 実施例6 実施例5■で得られた化合物(9)6.6gとオキシ塩
化リン18威を室温にて4時間反応させた後、過剰のオ
キシ塩化リンを留去した。
得られた残渣を50%の1.2−ジメトキシエタン水溶
液中、5°Cで4時間反応させた後、酢酸エチルで抽出
して濃縮した。その残渣を1規定の水酸化ナトリウム水
溶液で中和して濃縮、乾燥し、化合物(11)を8.5
g(収率95%)得た。このものの’H−NMRスペク
トルを第11図に、元素分析値を以下に示す。
液中、5°Cで4時間反応させた後、酢酸エチルで抽出
して濃縮した。その残渣を1規定の水酸化ナトリウム水
溶液で中和して濃縮、乾燥し、化合物(11)を8.5
g(収率95%)得た。このものの’H−NMRスペク
トルを第11図に、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素50.2%(51,5%)水素 6.
0%(6,3%) リン 6.0%(6,6%) 実施例7 実施例4■で得た化合物(1) 3.1 gに23m里
の0.4 M )リエチルアミンエタノール溶液を加え
、60°Cに加熱して12時間反応させた。その後、ア
セトンに溶解し、エーテルを加えて結晶化させ、濾過に
より単離し、乾燥後、下記化合物(邦Jを1.9g(収
率54%)得た。このものの’H−NMRスペクトルを
第12図に、元素分析値を以下に示す。
0%(6,3%) リン 6.0%(6,6%) 実施例7 実施例4■で得た化合物(1) 3.1 gに23m里
の0.4 M )リエチルアミンエタノール溶液を加え
、60°Cに加熱して12時間反応させた。その後、ア
セトンに溶解し、エーテルを加えて結晶化させ、濾過に
より単離し、乾燥後、下記化合物(邦Jを1.9g(収
率54%)得た。このものの’H−NMRスペクトルを
第12図に、元素分析値を以下に示す。
元素分析値:炭素57.0%(57,8%)水素 7.
6%(7,9%) 窒素 4.0%(3,2%) 実施例8 実施例1■で製造したミセル化剤(化合物(2)0、1
87 gを、100ccの水に溶解し、2mM溶液とし
、このミセル溶液に0.4gのフタロシアニンを加えて
超音波で10分間分散し、可溶化させた。さらにスター
シーにより二昼夜攪拌した後、得られたフタロシアニン
分散液を200Orpmで30分間遠心分離を行った。
6%(7,9%) 窒素 4.0%(3,2%) 実施例8 実施例1■で製造したミセル化剤(化合物(2)0、1
87 gを、100ccの水に溶解し、2mM溶液とし
、このミセル溶液に0.4gのフタロシアニンを加えて
超音波で10分間分散し、可溶化させた。さらにスター
シーにより二昼夜攪拌した後、得られたフタロシアニン
分散液を200Orpmで30分間遠心分離を行った。
この上澄み液の可視吸収スペクトルから可溶化能は、フ
タロシアニン8.2mM/2mMミセル化剤溶液であっ
た。
タロシアニン8.2mM/2mMミセル化剤溶液であっ
た。
この上澄み液に臭化リチウムを加え、0.1Mの濃度と
し、攪拌した後、ITO透明ガラス基板を陽極、アルミ
ニウムを陰極、飽和せコウ水銀電極を参照極とし、25
°Cで0.5■の定電位電解を行った。この時、電流密
度は74μA / cII!であり、0.13クーロン
(C)の電気量であった。
し、攪拌した後、ITO透明ガラス基板を陽極、アルミ
ニウムを陰極、飽和せコウ水銀電極を参照極とし、25
°Cで0.5■の定電位電解を行った。この時、電流密
度は74μA / cII!であり、0.13クーロン
(C)の電気量であった。
この結果、フタロシアニンの薄膜が2.0μm製膜され
た。
た。
実施例9
実施例8においてミセル化剤を実施例2■で製造したミ
セル化剤(化合物(土))に代え、顔料をジアントラキ
ノンに変えたこと以外は、実施例日と同様の操作を行っ
た。可溶化能は、ジアントラキノン0.9mM/2mM
ミセル化剤溶液であった。またこの時の電流密度は80
μA / cII! 、電気量は0.14 Cであった
。
セル化剤(化合物(土))に代え、顔料をジアントラキ
ノンに変えたこと以外は、実施例日と同様の操作を行っ
た。可溶化能は、ジアントラキノン0.9mM/2mM
ミセル化剤溶液であった。またこの時の電流密度は80
μA / cII! 、電気量は0.14 Cであった
。
この結果、ジアントラキノンの薄膜が2.5μm製膜さ
れた。
れた。
実施例10
実施例8においてミセル化剤を実施例3■で製造したミ
セル化剤(化合物(i))に代え、顔料をフタロシアニ
ングリーンに変えたこと以外は、実施例8と同様の操作
を行った。可溶化能は、フタロシアニングリーン3.8
mM/2mMミセル化剤溶液であった。またこの時の電
流密度は44μA / crR、電気量は0.08Cで
あった。
セル化剤(化合物(i))に代え、顔料をフタロシアニ
ングリーンに変えたこと以外は、実施例8と同様の操作
を行った。可溶化能は、フタロシアニングリーン3.8
mM/2mMミセル化剤溶液であった。またこの時の電
流密度は44μA / crR、電気量は0.08Cで
あった。
この結果、フクロシアニングリーンの薄膜が1.5μm
製膜された。
製膜された。
実施例11
実施例8においてミセル化剤を実施例4■で製造したミ
セル化剤(化合物(fi))に代え、顔料をペリレンに
変えたこと以外は、実施例8と同様の操作を行った。可
溶化能は、ペリレン4.2mM/2mMミセル化剤溶液
であった。またこの時の電流密度は50μA / c+
A 、電気量は0.09Cであった。
セル化剤(化合物(fi))に代え、顔料をペリレンに
変えたこと以外は、実施例8と同様の操作を行った。可
溶化能は、ペリレン4.2mM/2mMミセル化剤溶液
であった。またこの時の電流密度は50μA / c+
A 、電気量は0.09Cであった。
この結果、ペリレンの薄膜が1.7μm製膜された。
実施例12
実施例8においてミセル化剤を実施例5■で製造したミ
セル化剤(化合物(刊))に代え、顔料をジオキサジン
バイオレットに変えたこと以外は、実施例8と同様の操
作を行った。可溶化能は、ジオキサジンハイオレソト9
.7mM/2mMミセル化剤溶液であった。またこの時
の電流密度は0.19μA/cut、電気量は86Cで
あった。
セル化剤(化合物(刊))に代え、顔料をジオキサジン
バイオレットに変えたこと以外は、実施例8と同様の操
作を行った。可溶化能は、ジオキサジンハイオレソト9
.7mM/2mMミセル化剤溶液であった。またこの時
の電流密度は0.19μA/cut、電気量は86Cで
あった。
この結果、ジオキサジンバイオレットの薄膜が2.5μ
m製膜された。
m製膜された。
実施例13
実施例8においてミセル化剤を実施例6で製造したミセ
ル化剤(化合物(11) )に代え、顔料をジスアゾイ
エローに変えたこと以外は、実施例8と同様の操作を行
った。可溶化能は、ジスアゾイエロー6.5mM/2m
Mミセル化剤溶液であった。またこの時の電流密度は0
.14μA / cII!。
ル化剤(化合物(11) )に代え、顔料をジスアゾイ
エローに変えたこと以外は、実施例8と同様の操作を行
った。可溶化能は、ジスアゾイエロー6.5mM/2m
Mミセル化剤溶液であった。またこの時の電流密度は0
.14μA / cII!。
電気量は43Cであった。
この結果、ジスアゾイエローの薄膜が1.4μm製膜さ
れた。
れた。
実施例14
実施例8においてミセル化剤を実施例7で製造したミセ
ル化剤(化合物(12) )に代え、顔料をクロモフク
ールイエローに変えたこと以外は、実施例8と同様の操
作を行った。可溶化能は、クロモフクールイエロー7.
6mM/2mMミセル化剤溶液であった。またこの時の
電流密度は0.17μA/cイ、電気量は56Cであっ
た。
ル化剤(化合物(12) )に代え、顔料をクロモフク
ールイエローに変えたこと以外は、実施例8と同様の操
作を行った。可溶化能は、クロモフクールイエロー7.
6mM/2mMミセル化剤溶液であった。またこの時の
電流密度は0.17μA/cイ、電気量は56Cであっ
た。
この結果、クロモフクールイエローの薄膜が2.0μm
製膜された。
製膜された。
本発明のフェロセン誘導体は、フェロセン骨格を形成す
る2つの五員環の一方に結合した長鎖置換基に分岐を有
するフェロセン誘導体の化合物であり、界面活性剤 (
ミセル化剤)をはじめ、触媒、助燃剤、浮選剤、潤滑助
剤1分散剤、液晶など様々な用途に供することができる
。また簡単な工程、操作で効率よく製造することが可能
である。
る2つの五員環の一方に結合した長鎖置換基に分岐を有
するフェロセン誘導体の化合物であり、界面活性剤 (
ミセル化剤)をはじめ、触媒、助燃剤、浮選剤、潤滑助
剤1分散剤、液晶など様々な用途に供することができる
。また簡単な工程、操作で効率よく製造することが可能
である。
特にこのフェロセン誘導体を界面活性剤(ミセル化剤)
として用いると、水系媒体中でミセルを形成し、利用分
野の広いフタロシアニン等の色素や各種疎水性ポリマー
等様々な疎水性の有機物質や無機物質を極めて容易に可
溶化することができる。また、この界面活性剤(ミセル
化剤)を加えるとともに、水溶液電解によりミセルの集
合離散を利用する本発明の方法に従えば、膜厚の極めて
薄い無機あるいは有機薄膜をすみやかに形成することが
できる。しかも、上記界面活性剤の酸化還元効率がずく
れているため、製膜能が著しく高く、短時間で製膜でき
る。
として用いると、水系媒体中でミセルを形成し、利用分
野の広いフタロシアニン等の色素や各種疎水性ポリマー
等様々な疎水性の有機物質や無機物質を極めて容易に可
溶化することができる。また、この界面活性剤(ミセル
化剤)を加えるとともに、水溶液電解によりミセルの集
合離散を利用する本発明の方法に従えば、膜厚の極めて
薄い無機あるいは有機薄膜をすみやかに形成することが
できる。しかも、上記界面活性剤の酸化還元効率がずく
れているため、製膜能が著しく高く、短時間で製膜でき
る。
このような本発明の方法によって形成される薄膜は、光
電変換材料、感光材料、太陽電池をはじめ、様々な分野
に有効な利用が期待される。
電変換材料、感光材料、太陽電池をはじめ、様々な分野
に有効な利用が期待される。
第1図乃至第12図は、それぞれ実施例1〜7で得られ
た化合物(±)〜(12)の’H−NMRスペクトルで
ある。
た化合物(±)〜(12)の’H−NMRスペクトルで
ある。
Claims (6)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1及びR^2はそれぞれ水素、メチル基、
メトキシ基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基ある
いはハロゲンを示し、Aは 一般式▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^3及びR^4はそれぞれ水素、メチル基あ
るいはエチル基を示し、Yは−O− または▲数式、化学式、表等があります▼を示し、Bは
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ あるいは−N^+(R^5)_3・X^− (式中、R^5はメチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基あるいはフェニル基 を示し、Mはアルカリ金属、Xはハロゲン を示す。)、nは2〜70の実数、jは0 または1を示す。)、 aは1〜4の整数、bは1〜5の整数であ る。またk、mおよびrはそれぞれ1〜20の整数であ
り、かつ2≦k+m+r≦30 を満たす。〕 で表わされる新規フェロセン誘導体。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1、R^2、a、b、k、mは前記と同じ
であり、Dは水素、ハロゲン、シアノ基、水酸基、ある
いは一般式▲数式、化学式、表等があります▼〔式中 R^5は前記と同じ)を示す。〕 で表わされる新規フェロセン誘導体。 - (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1、R^2、a、bは前記と同じ〕で表わ
されるフェロセン化合物と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、D、k、mは前記と同じ〕 で表されるオレフィン誘導体とを、触媒の存在下で反応
させることを特徴とする請求項2記載のフェロセン誘導
体の製造方法。 - (4)請求項1記載の新規フェロセン誘導体を含有する
界面活性剤。 - (5)無機物質もしくは疎水性有機物質を、水性媒体中
で請求項1記載の新規フェロセン誘導体を含有する界面
活性剤にて可溶化もしくは分散することを特徴とする無
機物質もしくは疎水性有機物質の可溶化もしくは分散方
法。 - (6)無機物質もしくは疎水性有機物質を、水性媒体中
で請求項1記載の新規フェロセン誘導体を含有する界面
活性剤にて可溶化もしくは分散し、得られるミセル溶液
を電解して電極上に前記無機物質もしくは疎水性有機物
質の薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2126616A JPH0751594B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 新規フェロセン誘導体,その製造方法及び薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2126616A JPH0751594B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 新規フェロセン誘導体,その製造方法及び薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0426695A true JPH0426695A (ja) | 1992-01-29 |
JPH0751594B2 JPH0751594B2 (ja) | 1995-06-05 |
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ID=14939613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2126616A Expired - Fee Related JPH0751594B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 新規フェロセン誘導体,その製造方法及び薄膜の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0751594B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283386A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規フェロセン誘導体,それを含有する界面活性剤及び有機薄膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP2126616A patent/JPH0751594B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JPH0283386A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規フェロセン誘導体,それを含有する界面活性剤及び有機薄膜の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JPH0751594B2 (ja) | 1995-06-05 |
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