JPH0426243B2 - - Google Patents
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- JPH0426243B2 JPH0426243B2 JP60143757A JP14375785A JPH0426243B2 JP H0426243 B2 JPH0426243 B2 JP H0426243B2 JP 60143757 A JP60143757 A JP 60143757A JP 14375785 A JP14375785 A JP 14375785A JP H0426243 B2 JPH0426243 B2 JP H0426243B2
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- JP
- Japan
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- sawr
- output
- circuit
- mosfet
- local oscillation
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- Expired - Lifetime
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 16
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はチユーナの局部発振回路に関する。
CATVシステムにおけるチユーナのように、
多数チヤンネルを受信するチユーナとしては、一
般にアツプダウンチユーナが用いられる。このア
ツプダウンチユーナは、受信信号を一旦これより
高い周波数の信号に変換した後、所定の周波数の
信号に低域変換するものである。第３図はこのア
ツプダウンチユーナの一般的な構成を示す回路図
である。図において、１１は入力端子、１２はバ
ンドパスフイルタ（Ｂ，Ｐ，Ｆ）、１３は第１の
ミキサ（MIX）、１４は第１の局部発振回路、１
５，１７は第１の中間周波用バンドパスフイル
タ，１６は同じく増幅回路、１８は第２のミキ
サ、１９は第２の局部発振回路、２０は第２のバ
ンドパスフイルタ、２１は出力端子である。この
出力端子２１に導びかれる信号がテレビジヨン受
像機のアンテナ入力となる。この信号の帯域は日
本では１〜３チヤンネルに設定される。そして、
その周波数は第２の局部発振回路１９の発振周波
数に左右される。
多数チヤンネルを受信するチユーナとしては、一
般にアツプダウンチユーナが用いられる。このア
ツプダウンチユーナは、受信信号を一旦これより
高い周波数の信号に変換した後、所定の周波数の
信号に低域変換するものである。第３図はこのア
ツプダウンチユーナの一般的な構成を示す回路図
である。図において、１１は入力端子、１２はバ
ンドパスフイルタ（Ｂ，Ｐ，Ｆ）、１３は第１の
ミキサ（MIX）、１４は第１の局部発振回路、１
５，１７は第１の中間周波用バンドパスフイル
タ，１６は同じく増幅回路、１８は第２のミキ
サ、１９は第２の局部発振回路、２０は第２のバ
ンドパスフイルタ、２１は出力端子である。この
出力端子２１に導びかれる信号がテレビジヨン受
像機のアンテナ入力となる。この信号の帯域は日
本では１〜３チヤンネルに設定される。そして、
その周波数は第２の局部発振回路１９の発振周波
数に左右される。
上記第２の局部発振回路１９は、温度や電圧変
動に対しても安定な性能を要求されるため、共振
部には、従来のＬ／Ｃ共振回路の代りに表面波共
振子（以下、SAWRと記す）が用いられている。
第４図はこの発明の前提となる局部発振回路１９
の構成を示す回路図である。図において、１９１
はSAWRであり、１９２，１９３は増幅回路で
あり、１９４はコンデンサである。第５図は第４
図の等価回路である。
動に対しても安定な性能を要求されるため、共振
部には、従来のＬ／Ｃ共振回路の代りに表面波共
振子（以下、SAWRと記す）が用いられている。
第４図はこの発明の前提となる局部発振回路１９
の構成を示す回路図である。図において、１９１
はSAWRであり、１９２，１９３は増幅回路で
あり、１９４はコンデンサである。第５図は第４
図の等価回路である。
ところで、SAWR１９１は機械的振動である
特性を出しているため、あまり強いパワーで振動
を与えると、SAWR１９１の内部電極が歪んで
マイグレーシヨンが発生し、共振子の機能を果さ
なくなる。
特性を出しているため、あまり強いパワーで振動
を与えると、SAWR１９１の内部電極が歪んで
マイグレーシヨンが発生し、共振子の機能を果さ
なくなる。
この問題を解決するには，SAWR１９１の入
力側にアツテネータ２２を配置し、SAWR１９
１にかかるパワーを制限すればよい。この場合、
SAWR１９１にかかるパワーを測定するには、
SAWR１９１の入力側、つまり、第６図のＢ点
の電力（dBm）を検出すればよいが、一般には、
出力側、つまり第６図のＡ点で求めるようになつ
ている。
力側にアツテネータ２２を配置し、SAWR１９
１にかかるパワーを制限すればよい。この場合、
SAWR１９１にかかるパワーを測定するには、
SAWR１９１の入力側、つまり、第６図のＢ点
の電力（dBm）を検出すればよいが、一般には、
出力側、つまり第６図のＡ点で求めるようになつ
ている。
つまり、Ａ点の電圧（Vp）とインピーダンス
（Zp）を求めて、SAWR１９１の高周波電流（Ir）
（＝Vp／Zp）を求めることにより、SAWR１９１に かかるパワーを把握するわけである。なお、第６
図は第４図の具体的構成の一例を示す回路図であ
る。この第６図から明らかなように、SAWR１
９１の出力は増幅回路１９２のMOSFET１ａで
増幅された後、増幅回路１９３のMOSFET２ａ
で増幅される。そして、この増幅出力がSAWR
１９１に帰還され、このSAWR１９１を励振す
るようになつている。
（Zp）を求めて、SAWR１９１の高周波電流（Ir）
（＝Vp／Zp）を求めることにより、SAWR１９１に かかるパワーを把握するわけである。なお、第６
図は第４図の具体的構成の一例を示す回路図であ
る。この第６図から明らかなように、SAWR１
９１の出力は増幅回路１９２のMOSFET１ａで
増幅された後、増幅回路１９３のMOSFET２ａ
で増幅される。そして、この増幅出力がSAWR
１９１に帰還され、このSAWR１９１を励振す
るようになつている。
しかしながら、増幅回路１９２の増幅素子とし
てMOSFET１ａ（第６図参照）が用いられるた
め、次のような問題があつた。上記増幅素子に
MOSFET１ａを用いると、Ａ点のインピーダン
ス（Zp）は発振周波数（fRF）によつて変化し、
例えば710MHZ付近では、第７図のスミスチヤー
トに示されるように、Ｒ＝60Ω，Ｘ＝95ΩからZP
＝112.4Ωと求まる。その時の電圧（VP）は
265mvであるため、電流（Ir）は2.36mAとなる。
これに対し、SAWR１９１のIr規格は2mAであ
る。したがつて、上記例の場合SAWR１９１に
過大電流が流れ、破壊してしまう。このような問
題はインピーダンス（ZP）を大きくすれば解決さ
れるが、この方法はMOSFET１ａの入力容量が
大きいので限度がある。
てMOSFET１ａ（第６図参照）が用いられるた
め、次のような問題があつた。上記増幅素子に
MOSFET１ａを用いると、Ａ点のインピーダン
ス（Zp）は発振周波数（fRF）によつて変化し、
例えば710MHZ付近では、第７図のスミスチヤー
トに示されるように、Ｒ＝60Ω，Ｘ＝95ΩからZP
＝112.4Ωと求まる。その時の電圧（VP）は
265mvであるため、電流（Ir）は2.36mAとなる。
これに対し、SAWR１９１のIr規格は2mAであ
る。したがつて、上記例の場合SAWR１９１に
過大電流が流れ、破壊してしまう。このような問
題はインピーダンス（ZP）を大きくすれば解決さ
れるが、この方法はMOSFET１ａの入力容量が
大きいので限度がある。
このように、SAWR１９１の出力をMOSFET
１ａで増幅する場合、発振周波数（fRP）が
650MHZ付近では問題ないが、700MHZ以上で
は、インピーダンス（Zp）が小さくなり、高周波
電流（Ir）がSAWR１９１の定格電流を越えて、
SAWR１９１が破壊するという問題があつた。
１ａで増幅する場合、発振周波数（fRP）が
650MHZ付近では問題ないが、700MHZ以上で
は、インピーダンス（Zp）が小さくなり、高周波
電流（Ir）がSAWR１９１の定格電流を越えて、
SAWR１９１が破壊するという問題があつた。
この発明は上記の事情に対処すべくなされたも
ので、帰還エネルギーによつてSAWRが破壊す
る点の発振周波数を高くすることができる局部発
振回路を提供することを目的とする。
ので、帰還エネルギーによつてSAWRが破壊す
る点の発振周波数を高くすることができる局部発
振回路を提供することを目的とする。
この発明は、SAWRの出力をGaAsMESFET
にて増幅した後、MOSFETを用いた帰還終路を
介して上記SAWRに帰還するようにしたもので
ある。
にて増幅した後、MOSFETを用いた帰還終路を
介して上記SAWRに帰還するようにしたもので
ある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す回路
図である。第１図は、増幅回路１９２の増幅素子
に入力容量の小さいGaAsMESFET３ａを用い
た点を先の第６図と異にする。このような構成に
よれば、コイル（Lp1）のインダクタンスを大き
くすることにより、Ａ点のインピーダンス（ZP）
を大きくすることができる。これにより、
SAWR１９１にかかるパワーを小さくすること
ができ、SAWR１９１が破壊してしまうような
発振周波数（fRF）を高くすることができる。
図である。第１図は、増幅回路１９２の増幅素子
に入力容量の小さいGaAsMESFET３ａを用い
た点を先の第６図と異にする。このような構成に
よれば、コイル（Lp1）のインダクタンスを大き
くすることにより、Ａ点のインピーダンス（ZP）
を大きくすることができる。これにより、
SAWR１９１にかかるパワーを小さくすること
ができ、SAWR１９１が破壊してしまうような
発振周波数（fRF）を高くすることができる。
例えば、fRF＝710MHZの場合、第１図における
インピーダンス（ZP）は、第２図のスミスチヤー
トからＲ＝55Ω，Ｘ＝350ΩであるからZP＝
354.3Ωとなる。その時の電圧（VP）は471.3mV
であり、（Ir）は1.33mAとなる。この電流値は
SAWR１９１の定格電流より小さいから、第１
図では、fRF＝710MHZでもSAWR１９１が帰還
エネルギーによつて破壊することはない。
インピーダンス（ZP）は、第２図のスミスチヤー
トからＲ＝55Ω，Ｘ＝350ΩであるからZP＝
354.3Ωとなる。その時の電圧（VP）は471.3mV
であり、（Ir）は1.33mAとなる。この電流値は
SAWR１９１の定格電流より小さいから、第１
図では、fRF＝710MHZでもSAWR１９１が帰還
エネルギーによつて破壊することはない。
以上詳述したようにこの発明の局部発振回路に
よれば、SAWRに対する帰還エネルギーの抑圧
能力が高いので、SAWRの電極が破壊してしま
うような発振周波数を高くすることができる。
よれば、SAWRに対する帰還エネルギーの抑圧
能力が高いので、SAWRの電極が破壊してしま
うような発振周波数を高くすることができる。
第１図はこの発明の一実施例の要部の構成を示
す回路図，第２図は第１図の動作を説明するため
のスミスチヤート、第３図はアツプダウンチユー
ナの構成を示すブロツク図、第４図は局部発振回
路の概略構成を示す回路図、第５図は第４図の等
価回路図、第６図は第４図の具体的構成の一例を
示す回路図、第７図は第６図の動作を説明するた
めのスミスチヤートである。 １９１……SAWR、１９２，１９３……増幅
回路，２ａ……MOSFET，３ａ……
GaAsMESFET。
す回路図，第２図は第１図の動作を説明するため
のスミスチヤート、第３図はアツプダウンチユー
ナの構成を示すブロツク図、第４図は局部発振回
路の概略構成を示す回路図、第５図は第４図の等
価回路図、第６図は第４図の具体的構成の一例を
示す回路図、第７図は第６図の動作を説明するた
めのスミスチヤートである。 １９１……SAWR、１９２，１９３……増幅
回路，２ａ……MOSFET，３ａ……
GaAsMESFET。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 共振部に用いられた表面波共振子と、 前記表面波共振子の出力を増幅するGaAaFET
と、前記表面波共振子の出力端子と接地間に接続
され、前記出力端子のインピーダンスを調整可能
としたインダクタンス素子と、 前記GaAaFETの出力を増幅して出力する
MOSFETと、 前記MOSFETの出力を減衰して前記表面波共
振子に帰還する減衰器とを具備した局部発振回
路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143757A JPS625705A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 局部発振回路 |
| KR1019860002620A KR900001168B1 (ko) | 1985-06-29 | 1986-04-07 | 발진기 |
| US07/124,335 US4799029A (en) | 1985-06-29 | 1987-11-19 | Saw oscillator with attenuator for protecting saw element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143757A JPS625705A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 局部発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625705A JPS625705A (ja) | 1987-01-12 |
| JPH0426243B2 true JPH0426243B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=15346311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143757A Granted JPS625705A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 局部発振回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4799029A (ja) |
| JP (1) | JPS625705A (ja) |
| KR (1) | KR900001168B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101718A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH01146617U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-09 | ||
| TW353245B (en) * | 1995-06-06 | 1999-02-21 | Thomson Consumer Electronics | Saw filter for a tuner of a digital satellite receiver |
| US7304533B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-12-04 | Microtune (Texas), L.P. | Integrated channel filter using multiple resonant filters and method of operation |
| US8335279B2 (en) * | 2009-07-24 | 2012-12-18 | Intel Corporation | Alignment of channel filters for multiple-tuner apparatuses |
| JP6668213B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2020-03-18 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 分波器と通信機器 |
| US10404234B2 (en) | 2016-09-02 | 2019-09-03 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Filter device with phase compensation, and electronic devices including same |
| JP2018088678A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-07 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 位相をキャンセルするループ回路を含むフィルタ |
| SG10201906665WA (en) | 2018-07-18 | 2020-02-27 | Skyworks Solutions Inc | Fbar filter with integrated cancelation circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050515B2 (ja) * | 1981-09-17 | 1985-11-08 | 川崎製鉄株式会社 | 粉粒体の粒度測定装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4581592A (en) * | 1983-05-03 | 1986-04-08 | R F Monolithics, Inc. | Saw stabilized oscillator with controlled pull-range |
| JPS6050515U (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-09 | 株式会社東芝 | 高周波発振回路 |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP60143757A patent/JPS625705A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-07 KR KR1019860002620A patent/KR900001168B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-11-19 US US07/124,335 patent/US4799029A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050515B2 (ja) * | 1981-09-17 | 1985-11-08 | 川崎製鉄株式会社 | 粉粒体の粒度測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900001168B1 (ko) | 1990-02-27 |
| JPS625705A (ja) | 1987-01-12 |
| KR870000797A (ko) | 1987-02-20 |
| US4799029A (en) | 1989-01-17 |
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