JPS625705A - 局部発振回路 - Google Patents
局部発振回路Info
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- JPS625705A JPS625705A JP60143757A JP14375785A JPS625705A JP S625705 A JPS625705 A JP S625705A JP 60143757 A JP60143757 A JP 60143757A JP 14375785 A JP14375785 A JP 14375785A JP S625705 A JPS625705 A JP S625705A
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- sawr
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- oscillation circuit
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はチューナの局部発振回路に関する。
ＣＡＴＶシステムにおけるチューナのように、多数チャ
ンネルを受信するチューナとしては、一般にアップダウ
ンチューナが用いられる。このアップダウンチ、−すは
、受信信号を一旦これより高い周波数の信号に変換した
後、所定の周波数の信号に低域変換するものである。第
３図はこのアップダクンチ、−すの一般的な構成を示す
回路図である。図において、１１は入力端子、１２はパ
ントノ４スフイルタ（Ｂ、Ｐ、Ｆ）、 １３は第１のミ
キサ（ＭＩＸ）ｊ ４は第１の局部発振回路、１５．１
７は第１の中間周波用バンド／４スフイルタ、１６は同
じく増幅回路、１８は第２のミキサ、１９は第２の局部
発振回路、２Ｑは第２のパントノ４スフイルタ、２１は
出力端子である。
ンネルを受信するチューナとしては、一般にアップダウ
ンチューナが用いられる。このアップダウンチ、−すは
、受信信号を一旦これより高い周波数の信号に変換した
後、所定の周波数の信号に低域変換するものである。第
３図はこのアップダクンチ、−すの一般的な構成を示す
回路図である。図において、１１は入力端子、１２はパ
ントノ４スフイルタ（Ｂ、Ｐ、Ｆ）、 １３は第１のミ
キサ（ＭＩＸ）ｊ ４は第１の局部発振回路、１５．１
７は第１の中間周波用バンド／４スフイルタ、１６は同
じく増幅回路、１８は第２のミキサ、１９は第２の局部
発振回路、２Ｑは第２のパントノ４スフイルタ、２１は
出力端子である。
この出力端子２１に導びかれる信号がテレビジ田ン受像
機のアンテナ入力となる。この信号の帯域は日本では１
〜３チヤンネルに設定される。
機のアンテナ入力となる。この信号の帯域は日本では１
〜３チヤンネルに設定される。
そして、その周波数は第２の局部発振回路１９の発振周
波数に左右される。
波数に左右される。
上記第２の局部発振回路１９は、温度や電圧変動に対し
ても安定な性能を要求されるため、共振部には、従来の
ｆ共振回路の代シに表面波共振子（以下、５ＡＷＲと記
す）が用いられている。第４図は局部発振回路１９の構
成を示す回路図である。図において、１９１は５ＡＷＲ
であり、１９２．１９３は増幅回路であυ、１９４はコ
ンデンサである。第５図は第４図の等価回路である。
ても安定な性能を要求されるため、共振部には、従来の
ｆ共振回路の代シに表面波共振子（以下、５ＡＷＲと記
す）が用いられている。第４図は局部発振回路１９の構
成を示す回路図である。図において、１９１は５ＡＷＲ
であり、１９２．１９３は増幅回路であυ、１９４はコ
ンデンサである。第５図は第４図の等価回路である。
ところで、５ＡＷＲｌ ９１は機械的振動である特性を
出しているため、あまシ強い／ゼワーで振動を与えると
、 ５ＡＷＲ１９１の内部電極が歪んでマイグレーシラ
ンが発生し、共振子の機能を果さなくなる。
出しているため、あまシ強い／ゼワーで振動を与えると
、 ５ＡＷＲ１９１の内部電極が歪んでマイグレーシラ
ンが発生し、共振子の機能を果さなくなる。
この問題を解決するには、５ＡＷＲ１９１の入力側にア
ッテネータ２２を配置し、５ＡＷＲ１９１にかかるノ（
ワーを制限すればよい。この場合、５ＡＷＲ１９１にか
かる）４ワーを測定するには、ＳＡ■１９１の入力側、
つまシ、第６図のＢ点の直方（ｄ Ｂｍ ）を検出すれ
ばよいが、一般には、出力側、つまり第６図のＡ点で求
めるようになっている。
ッテネータ２２を配置し、５ＡＷＲ１９１にかかるノ（
ワーを制限すればよい。この場合、５ＡＷＲ１９１にか
かる）４ワーを測定するには、ＳＡ■１９１の入力側、
つまシ、第６図のＢ点の直方（ｄ Ｂｍ ）を検出すれ
ばよいが、一般には、出力側、つまり第６図のＡ点で求
めるようになっている。
つまシ、Ａ点の電圧（Ｖｐ ）とインピーダンス（Ｚｐ
）を求めて、５ＡＷＲ１９１（７）高周波電流（Ｉｒ）
（＝升）を求めることによ、９ 、５ＡＷＲ１９１にか
かる。ノ４ワーを把握するわけである。なお、第６図は
第４図の具体的構成の一例を示す回路図である。この第
６図から明らかなように、５ＡＷＲＩ ９２ ノｆｆｌ
力は増幅回路１９２ ＯＭＯ８ＦＥＴ１＆で増幅された
後、増幅回路１９３のＭＯ８ＦＥＴｚａで増幅される。
）を求めて、５ＡＷＲ１９１（７）高周波電流（Ｉｒ）
（＝升）を求めることによ、９ 、５ＡＷＲ１９１にか
かる。ノ４ワーを把握するわけである。なお、第６図は
第４図の具体的構成の一例を示す回路図である。この第
６図から明らかなように、５ＡＷＲＩ ９２ ノｆｆｌ
力は増幅回路１９２ ＯＭＯ８ＦＥＴ１＆で増幅された
後、増幅回路１９３のＭＯ８ＦＥＴｚａで増幅される。
そして、この増幅出力が５ＡＷＲＪ ９１に帰還され、
こｆ）Ｓ）ＷＲＩ ９１を励振するようになっている。
こｆ）Ｓ）ＷＲＩ ９１を励振するようになっている。
しかしながら、従来は、増幅回路１９２の増幅素子とし
てＭＯＳＦＥＴ １ ｍ （第６図参照）が用いられる
ため、次のような問題があった。上記増幅素子にＭＯＳ
ＦＥＴ １ ｍを用いると、Ａ点のインピーダンス（Ｚ
ｐ）は発振周波数（ｆ□）によって変化し、例えば７
１０ ＭＨＩ付近では、第７図のスミスチャートに示さ
れるように、Ｒ＝６０Ω、Ｘ１９５ΩからＺｐ＝１１２
．４０と求まる。その時の電圧（Ｖｐ ）は２６５ ｍ
Ｖであるため、電流（Ｉｒ）は２．３６ｍＡとなる。こ
れに対し、５ＡＷＲ１９１のＩｒ規格は２ｍＡである。
てＭＯＳＦＥＴ １ ｍ （第６図参照）が用いられる
ため、次のような問題があった。上記増幅素子にＭＯＳ
ＦＥＴ １ ｍを用いると、Ａ点のインピーダンス（Ｚ
ｐ）は発振周波数（ｆ□）によって変化し、例えば７
１０ ＭＨＩ付近では、第７図のスミスチャートに示さ
れるように、Ｒ＝６０Ω、Ｘ１９５ΩからＺｐ＝１１２
．４０と求まる。その時の電圧（Ｖｐ ）は２６５ ｍ
Ｖであるため、電流（Ｉｒ）は２．３６ｍＡとなる。こ
れに対し、５ＡＷＲ１９１のＩｒ規格は２ｍＡである。
したがって、上記例の場合８ＡＷＲ１９１に過大電流が
流れ、破壊してしまう。
流れ、破壊してしまう。
このような問題はインピーダンス（Ｚｐ）を大きくすれ
ば解決されるが、この方法はＭＯＳＦＥＴ １ ｍの入
力容量が大きいので限度がある。
ば解決されるが、この方法はＭＯＳＦＥＴ １ ｍの入
力容量が大きいので限度がある。
このように、５ＡＷＲＪ ９１の出力をＭＯ８ＦＥＴＩ
ｍで増幅する場合１発振周波数（ｆｉｐ）が６５０Ｍ
ＨＥ付近では問題ないが、７００ ＭＨｚ以上では、イ
ンピーダンス（Ｚｐ）が小さくな９、高周波電流（Ｉｒ
）が５ＡＷＲ１９１の定格電流を越えて、５ＡＷＲ１９
ノが破壊するという問題があった。
ｍで増幅する場合１発振周波数（ｆｉｐ）が６５０Ｍ
ＨＥ付近では問題ないが、７００ ＭＨｚ以上では、イ
ンピーダンス（Ｚｐ）が小さくな９、高周波電流（Ｉｒ
）が５ＡＷＲ１９１の定格電流を越えて、５ＡＷＲ１９
ノが破壊するという問題があった。
この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、帰
還エネルギーによりて５ＡＷＲが線する点の発振周波数
を高くすることができる局部発振回路を提供することを
目的とする。
還エネルギーによりて５ＡＷＲが線する点の発振周波数
を高くすることができる局部発振回路を提供することを
目的とする。
この発明は、ＳＡｗＲの出力をＧａＡｓＭＥＳＦＫＴに
て増幅した後、ＭＯＳＦＥＴを用いた帰還絡路を介して
上記５ＡＷＲに帰還するようにしたものである。
て増幅した後、ＭＯＳＦＥＴを用いた帰還絡路を介して
上記５ＡＷＲに帰還するようにしたものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図である
。第１図は、増幅回路１９２の増幅素子に入力容量の小
さいＧａＡａＭＥＳＦＥＴ Ｊ ａを用いた点を先の第
６図と異にする。このような構成によれば、コイル（Ｌ
ｏｌ）のインダクタンスを大きくすることにより、Ａ点
のインピーダンス（Ｚｐ ）を大きくすることができる
。これによシ、８ＡＷＲ１９１にかかるノ臂ワーを小さ
くすることができ、５ＡＷＲ１９１が破壊してしまうよ
うな発振周波数（ｊ’ｍｒ）を高くすることができる。
。第１図は、増幅回路１９２の増幅素子に入力容量の小
さいＧａＡａＭＥＳＦＥＴ Ｊ ａを用いた点を先の第
６図と異にする。このような構成によれば、コイル（Ｌ
ｏｌ）のインダクタンスを大きくすることにより、Ａ点
のインピーダンス（Ｚｐ ）を大きくすることができる
。これによシ、８ＡＷＲ１９１にかかるノ臂ワーを小さ
くすることができ、５ＡＷＲ１９１が破壊してしまうよ
うな発振周波数（ｊ’ｍｒ）を高くすることができる。
例えば、ｆａｙ ＝ ７１０ ＭＨｚの場合、第１図に
おけるインピーダンス（Ｚｐ）は、第２図のスミスチャ
ートからＲ＝５５Ω、Ｘ＝３５０Ωであるからｚｐ ＝
３５４．３０となる。その時の電圧（Ｖｐ）は４７１
．３ｍＶであシ、（Ｉｒ）’は１．３３ ｍＡとなる。
おけるインピーダンス（Ｚｐ）は、第２図のスミスチャ
ートからＲ＝５５Ω、Ｘ＝３５０Ωであるからｚｐ ＝
３５４．３０となる。その時の電圧（Ｖｐ）は４７１
．３ｍＶであシ、（Ｉｒ）’は１．３３ ｍＡとなる。
この電流値は５ＡＷＲ１９１の定格電流よシ小さいから
、第１図では、ｆｘｖ ＝ ７１０ ＭＨ！でも５ＡＷ
Ｒ１９１が帰還エネルギーによって破壊することはない
・〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明の局部発振回路によれば、
５ＡＷＲに対する都道エネルギーの抑圧能力が高いので
、 ５ＡＷＨの電極が破壊してしまうような発振周波数
を高くすることができる。
、第１図では、ｆｘｖ ＝ ７１０ ＭＨ！でも５ＡＷ
Ｒ１９１が帰還エネルギーによって破壊することはない
・〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明の局部発振回路によれば、
５ＡＷＲに対する都道エネルギーの抑圧能力が高いので
、 ５ＡＷＨの電極が破壊してしまうような発振周波数
を高くすることができる。
第１図はこの発明の一実施例の要部の構成を示す回路図
、第２図は第１図の動作を説明するためのスミスチャー
ト、第３図はアップダウンチ、−すの構成を示すブロッ
ク図、第４図は局部発振回路の概略構成を示す１！１５
Ｌ邑、第５図は第４図の等価回路図、第６図は第４図の
具体的構成の一例を示す回路図、第７図は第４図の動作
を説明するためのスミスチャートである。 ２９ Ｚ−８ＡＷＲ，Ｊ ９２．１９３−・・増幅回路
、２ ａ −ＭＯＳＦＥＴ 、 ３ ａ −ＧａＡｓＭ
ＥＳ ＦＥＴ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 ３第１図 Ｐ；ｆｐｐ＝７１０Ｍ）Ｉｚ 第２図 第３図 第４図 第５図 置 ↓ 第７図
、第２図は第１図の動作を説明するためのスミスチャー
ト、第３図はアップダウンチ、−すの構成を示すブロッ
ク図、第４図は局部発振回路の概略構成を示す１！１５
Ｌ邑、第５図は第４図の等価回路図、第６図は第４図の
具体的構成の一例を示す回路図、第７図は第４図の動作
を説明するためのスミスチャートである。 ２９ Ｚ−８ＡＷＲ，Ｊ ９２．１９３−・・増幅回路
、２ ａ −ＭＯＳＦＥＴ 、 ３ ａ −ＧａＡｓＭ
ＥＳ ＦＥＴ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 ３第１図 Ｐ；ｆｐｐ＝７１０Ｍ）Ｉｚ 第２図 第３図 第４図 第５図 置 ↓ 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 共振部に表面波共振子を用いた局部発振回路において、 上記表面波共振子の出力を増幅するＧａＡｓＦＥＴと、 このＧａＡｓＦＥＴの出力を増幅して上記表面波共振子
に帰還することにより、該表面波共振子を励振するＭＯ
ＳＦＥＴとを具備した局部発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143757A JPS625705A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 局部発振回路 |
| KR1019860002620A KR900001168B1 (ko) | 1985-06-29 | 1986-04-07 | 발진기 |
| US07/124,335 US4799029A (en) | 1985-06-29 | 1987-11-19 | Saw oscillator with attenuator for protecting saw element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143757A JPS625705A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 局部発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625705A true JPS625705A (ja) | 1987-01-12 |
| JPH0426243B2 JPH0426243B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=15346311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143757A Granted JPS625705A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 局部発振回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4799029A (ja) |
| JP (1) | JPS625705A (ja) |
| KR (1) | KR900001168B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01146617U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-09 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101718A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| TW353245B (en) * | 1995-06-06 | 1999-02-21 | Thomson Consumer Electronics | Saw filter for a tuner of a digital satellite receiver |
| US7304533B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-12-04 | Microtune (Texas), L.P. | Integrated channel filter using multiple resonant filters and method of operation |
| US8335279B2 (en) * | 2009-07-24 | 2012-12-18 | Intel Corporation | Alignment of channel filters for multiple-tuner apparatuses |
| JP6668213B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2020-03-18 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 分波器と通信機器 |
| US10404234B2 (en) | 2016-09-02 | 2019-09-03 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Filter device with phase compensation, and electronic devices including same |
| US10476482B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-11-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Filters including loop circuits for phase cancellation |
| GB2577361B (en) | 2018-07-18 | 2023-03-01 | Skyworks Solutions Inc | FBAR filter with integrated cancelation circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050515U (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-09 | 株式会社東芝 | 高周波発振回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050515B2 (ja) * | 1981-09-17 | 1985-11-08 | 川崎製鉄株式会社 | 粉粒体の粒度測定装置 |
| US4581592A (en) * | 1983-05-03 | 1986-04-08 | R F Monolithics, Inc. | Saw stabilized oscillator with controlled pull-range |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP60143757A patent/JPS625705A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-07 KR KR1019860002620A patent/KR900001168B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-11-19 US US07/124,335 patent/US4799029A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050515U (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-09 | 株式会社東芝 | 高周波発振回路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01146617U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900001168B1 (ko) | 1990-02-27 |
| JPH0426243B2 (ja) | 1992-05-06 |
| US4799029A (en) | 1989-01-17 |
| KR870000797A (ko) | 1987-02-20 |
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