KR900001168B1

KR900001168B1 - 발진기

Info

Publication number: KR900001168B1
Application number: KR1019860002620A
Authority: KR
Inventors: 신조오 미노모
Original assignee: 가부시끼가이샤 도오시바; 와타리 수기이찌로
Priority date: 1985-06-29
Filing date: 1986-04-07
Publication date: 1990-02-27
Also published as: JPS625705A; KR870000797A; JPH0426243B2; US4799029A

Abstract

내용 없음.

Description

발 진 기

제1도는 CATV용 업/다운 헤테로 다인형 튜너의 일례를 나타낸 블록도.

제2도는 표면파공진자상의 파동전파를 설명하기 위한 모식도.

제3도는 본 발명에 관계되는 발진기의 1실시예를 나타낸 블록도.

제4도는 제3도에 도시된 블록도중 각부분의 신호 레벨 상태를 나타낸 레벨도.

제5도, 제6도, 제7도 및 제8도는 본 발명에 관계되는 발진기의 소자값을 결정하는데에 제공되는 등가회로도.

제9도는 제3도에 도시된 발진기의 등가회로도.

제10도는 본 발명에 관계되는 발진기의 구체적인 구성을 나타낸 회로도.

제11도는 제10도에 도시된 회로의 동작을 설명하기 위한 스미스 차아트이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 입력단자 2 : 입력회로

3, 8 : 혼합기 4, 9 : 국부발진기

5, 7 : 중간주파수 동조회로 10 : 출력회로

11 : 출력단자 20 : 여진용 증폭기

21 : 표면파공진자(SAW.R) 21a : 전파매체

21b : 반사기 22 : 궤환로

23 : 감쇄기 24 : 버퍼증폭기

25, 26, 27 : 워상조절회로 M₁, M₂: 정합회로

본 발명은 발진기에 관한 것으로, 특히 표면파공진자를 궤환로에 개재시켜서 된 발진기에 있어서 표면파공진자 소자의 알류미늄으로 된 빗살형전극과 표면파의 전파매체간에 에너지가 집중되어 일어나는 원자이동현상의 발생을 방지하고 또한 발진기 자체의 파손을 방지할 수 있도록 된 발진기에 관한 것이다.

CAVA처럼 다수의 첸널을 수신하는 장치의 튜너로는 IF방해 배제능력을 향상시키기 위해서 일반적으로 입력수신주파수에 대해 그보다 높은 주파수로 일단 주파수를 변환시킨 다음 소정의 주파수로 저역변환시키는 소위 업/다운 헤테로 다인형튜너가 사용되고 있다.

제1도에는 일반적으로 CATV에 적용되는 업/다운 헤테로 다인형튜너의 보편화된 회로가 도시되어 있는바, 입력단자(1)에는 50∼550MHz 주파수의 방송신호가 입력된다. 이 입력신호는 입력회로(2)를 통하여 제1의 혼합기(3)에 가해지는데, 이 제1의 혼합기(3)에서 상기 입력신호는 제1국부발진기(4)에서 발생되는 그보다 높은 주파수(예컨대 612.75MHz)의 중간주파수로 주파수 변환된다. 그후 중간주파수신호는 제1의 파주동조회로(5)와 중간주파수증폭회로(6) 및 제2의 612.75MHz 중간주파수 동조회로(7)를 통하면서 소망의 레벨 및 동조특성으로 조정된다.

상기 제2의 중간주파수동조회로(7)로부터 출력된 신호는 제2의 혼합기(8)에 가해지는 바, 이 제2의 혼합기(8)에서 상기 중간주파신호는 제2국부발진기(9)의 출력주파수와 그 차이가 연산되므로써 텔레비젼 수상기에 관한 소정 챈널에 상당한 주파수(예컨대 61.25MHz)로 저역변환된다. 이렇게 저역변환된 신호는 출력회로(10)를 통해서 출력단자(11)로 도출되어 텔레비젼수상기(도시되지 않았음)의 안테나 입력이 된다.

상기한 제1도의 CATV용 업/다운 헤테로 다인형 튜너에서 소망하는 챈널의 선국은 제1국부발진기(4)의 발진주파수를 가변시켜서 행하고 있다. 한편, 챈널의 출력주파수는 일본에서 1,2,3 챈널중에, 미국에서 2,3,4,5,6중에서 어느 한 챈널주파수로 설정하는데, 이렇게 어느 한 챈널주파수로 설정할가는 상기 업/다운 헤테로 다인형 튜너의 제2국부발진기(9)의 발진주파수에 의존하게 된다. 이 제2국부발진기(9)의 발진주파수는 일본에서 704∼790MHz, 미국에서 688∼696MHz의 UHF대를 이용하는 것이 일반적이다.

일반적으로 업/다운 헤테로 다인형 튜너의 제2국부발진기(9)로는 콜피츠형 발진기가 사용되는데, 종래의 콜피츠형 발진기에는 여진 트랜지스터의 출력을 적당한 위상으로 입력측에 궤환시키는 궤환로중에 인덕턴스 소자와 캐패시터의 캐패시턴스소자로 이루어진 LG공진회로가 많이 사용되고 있다. 그렇지만 이런 콜피츠형 발진기에서는인덕터와 캐피시터의 소자값 변동에 따라 발진주파수가 변동하기 쉽고, 특히 온도와 습도 및 전압변동에 대해서는 주파수 변동이 심하다. 따라서 상기 제2국부발진기(9)를 LC공진회로가 사용되는 콜피츠형 발진기로 구성한 경우에는 저역변환되는 출력신호의 주파수가 불안정하게되어 텔레비젼 수상기에서의 수신기능에 지장을 주게된다.

그런데 근자에는 상기한 궤환로중에 표면파공진자(SAW.R)를 이용한 발진기가 개발되므로써 비교적 안정된 발진주파수를 얻게 되었으나, 표면파공진자를 이용한 발진기에 있어서는 표면파공진자의 특정장소에 대한 표면파 에너지의 집중에 의해 빗살형 전극이 표면파 전파매체(예컨데 리튬 탄탈렛트 매체 ; LiTaO₂)로 부터 박리되는 현상이 발생한다. 이것은 표면파공진자에서 그 표면파 전파 에너지가 기체(基體)의 표면에 정재파(定在波)의 모양으로 분포하는 것에 기인한다. 이 때문에 종래의 표면파공진자를 이용한 발진기는 높은 에너지밀도 상태에서 여진하지 않도록 고려되어 사용되고 있다.

하지만 충분하게 상기한 점이 고려되지 않는경우, 일반적으로 공진자에서는 여진전력의 몇배되는 에너지가 표면파공진자내에 축적되고, 특히 파동에너지가 표면 근방에 집중되어 에너지밀도가 높은 상태로 전파되는 표면파공진자에서는 원자이동현상(migration 현상) 등의 현상에 의해서 빗살형 전극을 구성하는 알루미늄 박막에 기계적인 찌그러짐이 발생한다.

이러한 원자이동현상이 발생하면 알루미늄박막에 탄성적 성질의 열화가 야기되고, 실질적으로 강성율(剛性率)이 감소되어 LiTaO₁기체와의 사이랑 알류미늄 박막 자체에 균열이나 돌기가 생긴다. 이처럼 전극 강성율이 열화된 상태하에 다시 공진에너지가 가해진다면 전극이 파손되게 된다.

표면파공진자에서는 전술한 것처럼 에너지의 대부분이 정재파의 형태로 분포되는데, 이런 정재파에 의한 전파매체(21a : 제2도)의 변위 및 찌그러짐(응력)은 제2도중 실선 및 점선으로 나타낸 특성으로 된다. 제2도에서 알수 있듯이 찌그러짐(응력)은 특히 반사기(21b)의 각 전극중 종단부분 근처에서 크게 되므로 이 부분이 파손되기 쉽다. 그래서 상기한 균열이나 전극박리등의 발생에 의해 표면 파공진자(21)의 전기저항이 증대되거나, 기체의 압전효과에 의해 고주파전류의 일부가 주울열로 소비되어, 그 결과 더욱이 표면파공진자(21)의 파괴가 조장되는 문제가 발생하게 된다.

본 발명은 상기한 점들을 감안하여 발명된 것으로서, 궤환로에 표면파공진자(SAW.R)를 구비하고 발진기에 있어서 궤환에너지에 의해 표면파공진자가 파손되는 것을 방지하도록 된 발진기를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 표면파공진자를 이용한 발진기에 있어서 예컨대 버퍼증폭기 및 여진증폭기를 통해 얻은 궤환에너지를 감쇠기로 소정레벨까지 감쇠시키므로써, 궤환에너지에 의해 상기 표면파공진자내에 발생하는 원자이동현상등에 의해 표면파공진자가 파손되는 것을 방지해서 안정된 발진출력을 얻도록 되어 있다.

이하 본 발명에 따른 발진기에 일례를 예시도면에 의거 상세히 설명한다.

제3도에 나타낸 것처럼, 여진용 증폭기(20)의 출력은 분지되어 표면파공진자(21)를 이용한 궤환로(22)를 통해서 여진용 증폭기(20)의 입력측에 돌아온다. 상기 궤환로(22)에서 여진용 증폭기(20)의 출력측과 표면파공진자(21)간에는 감쇠기(23)가 삽입되어있고, 표면파공진자(21)와 여진용 증폭기(20)의 입력측 사이에는 버퍼증폭기(24)가 삽입되어 있다.

상기 감쇠기(23)는 여진증폭기(20)로부터 출력되어 궤환로(22)에 분지된 신호 레벨을 소정의 레벨로 감쇠시키고, 버퍼 증폭기(24)는 표면파공진자(21)의 삽입손실(즉, SAW.R(21)에 의한 신호 레벨의 감쇠)을 보상한다.

제4도는 상술한 실시예에서 각 점의 레벨을 나타낸 레벨 다이어그램인데, A,B,C,D의 각점은 제3도의 동일부호에 대응되는 것으로서, 각각 표면파공진자(21)의 입력단과 버퍼 증폭기(24)의 입력단, 여진용 증폭기(20)의 입력단 및 출력단을 나타낸다.

A점으로 입력된 신호는 표면파공진자(21)의 삽입손실에 의해 B점에서 4dB정도까지 레벨이 내려가 표면파공진자(21)의 출력레벨은 그 입력레벨에 비해 저하된다. 버퍼 증폭기(24)는 4dB정도까지 내려간 B점의 신호 레벨을 15dB정도까지 높여서 표면파공진자(21)의 삽입손실을 보상한다.(C점). 그후 상기 버퍼증폭기(24)의 출력은 주로 발진을 지속시키는데에 기여하는 여진용 증폭기(20)에 인가된다. 이 여진용 증폭기(20)자체는 레벨적으로 15dB 정도의 신호를 17dB정도로 높이는 바, 이는 여진용 증폭기(20)가 비직선영역에서가 아닌 포화영역에서 이용되고 있음에 따라 외관상 레벨차는 그 입력단간에서 작지만, 전력증폭에 의해 큰 전력출력을 내고 있다.

상기 여진용 증폭기(20)는 발진을 지속시키는데에 필요한 에너지를 충족시키는 기능을 갖고 있는데, 이 에너지는 표면파공진자(21)의 입력단측에 직접적으로 궤환에너지를 인가하지 않고 감쇠기(23)를 통해서 인가하고 있다. 감쇠기(23)는 여진용 증폭기(20)의 출력단측 신호 레벨 17dB를 7dB 정도까지 감쇠시킨다. 이 감쇠량은 상기 표면파공진자(21)에 의한 삽입손실 및 발진지속에 필요한 신호 레벨의 양면으로 정해지고 있다. 즉, 발진지속조건 및 표면파공진자(21)에 대한 파손에너지의 억압이란 두 가지면에서 상기 감쇠기(23)의 감쇠량이 결정된다.

여기에서 표면파공진자 소자를 이용한 발진기의 발진을 안정하게 지속시키기 위한 제반조건에 관하여 상기 감쇠기(23)와 발진통로의 관계를 설명하면 다음과 같다.

제3도에 도시된 실시예의 발진기는 버퍼증폭기(24)를 구비하고 있지만, 설명의 편의상 이 버퍼증폭기(24)를 생략한 상태부터 설명한다.

제5도는 제3도에 도시된 발진회로를 등가적으로 나타낸 등가 회로도로, 도면에서 표면파공진자(21)는 입력단측으로부터 본 등가 임피던스(즉, 증폭기 20에 대해서는 부하 임피던스 : 용량 C_o와 저항R_L)와 출력단측으로부터 본 등가 임피던스(즉, 증폭기 20에 대해서의 신호원 임피던스 : 용량 C_O와 저항R_G)로 둘로 나뉘어 도시되어 있다. 또한, 요진용 증폭기(20)의 입출력단측 각각에는 정합회로(M₁)(M₂)가 등가적으로 개재된 것으로 되어 있다.

이들 정합회로(M₁)(M₂)의 각각은 상기 임피던스 R_G/C_O와 R_L/C_O에 각기 정합되고, 또한 상기 표면파공진자(21)의 입출력단간의 신호위상에 적당한 위상관계가 만족되고 상기 여진용증폭기(20)의 이득이 표면파공진자(21)의 삽입손실보다 6∼8dB이상 높힐 수 있다면 발진은 지속된다.

이 경우, R_L+R_G＞2R_m(R_m; 표면파공진자의 등가저항)으로되는 조건하에 표면파공진자(21)의 등가저항(R_m)에 의한 부정합의 영향을 경감시킬 수 있다.

또한, 발진기를 CATV용 업/다운 헤테로 다인형 튜너(제1도)의 제2국부발진기(9)로 이용하는 경우, 제2국부발진기(9)에 접속되는 제2혼합기(8)의 입력임피던스 Z_M과의 정합도 고려할 필요가 있다. 여기에서 예컨대 결합용량 C_M=1.5PF로 하고, 이를통해 제2혼합기(8)측을 본 임피던스 Z_M을, Z_M=110-j300(Ω)으로 한다면, 이 110Ω의 부하로 취출해내야 할 실용상 필요한 레벨은 +12dBm(15.85mW)정도이다. 이로부터 발진 전압의 최대치가 여진용 증폭기(20)를 구성하는 증폭소자(FET)의 소오스·드레인간 전압(V_DS; 7.59V)의 70%라 가정해서 상술한 부하저항 R_L을 구하면,

으로 된다. 이때 발진출력전류 I_L=5.97mA이다.

이런 발진기의 부하(Z_M)에 대응해서 상기 여진용 증폭기(20)의 바이어스조건을 결정할 필요가 있다. 이처럼 해서 발진기에 대해 부하를 이루는 제2혼합기(8)의 입력 임피던스, 즉 부하 임피던스 및 발진기를 구성하는 증폭소자의 바이어스조건이 정해진다.

상기 발진기를 구성하는 증폭소자로서 예컨대 FET 3SK115를 이용하고, 이 경우에 부하의 결합이 안정된 것인가 아닌가를 린빌(Linvill)의 안정판정식으로 확인한다.

상기 FET 3SK115의 발진주파수인 674MHz 부근의 파라메터는 다음과 같다.

y_l=0.557+j3.65ms

y_f=19.4-j446ms

y_r=0.001-j0.07ms

y_o=0.382+j1.44ms

또한, 상술한 제2혼합기(8)의 입력 임피던스 Z_M을 어드미턴스로 변환시키면,

Y_L=1.12+ j3.41ms가 산출된다.

여기에서 이 출력 어드미턴스 Y_L에 상기 증폭소자의 출력 어드미턴스 y_o를 더하면, Y_O=Y_O+Y_L=1.502+j485ms로 된다.

상기 값에 린빌의 안정계수 C를 계산하면,

C=｜Y_fY_r｜/｛2yiY_O-Reol(y_fy_r)｝=1.99×0.07/｛2×0.552×1.502-1.99×0.07(-13.1-89.2)}≒0.826 이 된다.

상기 식에서 산출된 안정계수 C는 0＜C＜1이어서 FET트랜지스터의 부하결합은 안정인 것으로 판정된다.

다음으로, 제5도에 관한 표면파공진자(21)의 등가신호원저항(R_G)과 등가부하저항(R_L)을 구한다.

지금 편의상 표면파공진자(21)의 전기적 등가회로를 고려한다면, 제6도처럼 된다. 도면중 R_m, L_m, C_m은 기계진동계정수를 등가적으로 전기적 정수로 치환한 것이고, C_o는 입출력 용량을 나타낸다.

상기 제6도중의 등가신호원 저항(R_G)과 등가부하저항(R_L)을 구하기 위해 대역폭 BW를 구함에 있어, 표면파 진동자(21)의 중심주파수 정밀도를 ±0.01%, 실제적인 동조범위가 3dB내려간 대역폭을 ±25%로 한다면, ±0.25BW=±0.0001×674 KHz=±67.4KHz로 되어 대역폭 BW=270KHz가 구해진다.

또한, 제6도중 등가부하저항(R_L)을 고려한 표면파 진도자(21)의 Q를 Q_L로 해서 Q_L=Q_uR_m/(R_m+R_L+R_G)를 가정하고, 이것에

Q_L=2500(∴ Q_L=fo/BW=674MHz/ 270KHz=2500)

R_m=150Ω

Q_u=11285

의 각각을 대입하면 등가저항 (R_G,R_L)의 값이 각각 R_G=R_L=2600Ω으로 구해진다.

다음으로, 발진기를 구성하는 증폭소자 자체의 위상지연을 갖는 동시에 표면파 진동차(21) 자체도 위상지연을 가지므로 이들에 대한 위상보상이 필요하게 된다. 이런 위상보상을 제7도에 도시한 표면파공진자(21)와 FET간에 접속시킨 인덕터(L_O)에 의해 보상하는 것으로 하면, 상술한 것처럼 FET 3SK115의 서셉턴스는(susceptance) -4.46ms이고, 표면파 공진자(21)의 각 입출력용량 1.6pF에 의한 서셉턴스는 각기 -6.8ms이므로, 총 서셉턴스는 -4.46+(-6.8×2)=-18.06ms로 되어 이것에 상당하는 위상량을 제7도중 2개의 인덕터(L_O)로써 보정하면 좋다. 따라서 1개의 인덕터에는 +18.06/2=+9.03ms가 필요하게 된다. 이에 따라 리액턴스

으로 되어 인덕턴스 L≒26nH의 값을 갖는 인덕터(L_O)를 제7도처럼 삽입하므로써 위상보상이 이루어진다.

상기 예에서는 제7도에 나타낸 것처럼 인덕터(Lo)로써 위상보상을 행했지만, 그 보상방법은 그에만 한정되지 않고, 제8도에 나타낸 것처럼 π형 정합회로(π₁,π₂)로써 보상해도 좋다. 이 경우, π형 정합회로 (π₁,π₂)를 구성하는 소자값을 그 입출력 임피던스와 독립시켜 위상량을 결정할 수 있는 잇점이 있다.

이상에서의 설명과 같이 하여서 부하인 혼합기에 대한 부하조건 및 표면파공전자(21)와 발진기를 구성하는 증폭소자에 대한 위상보상조건이 제5도∼제8도에 나타낸 버퍼증폭기 제외 등가회로에 의해서 구해진다. 이에따라 발진조건과 위상보상자체는 명확해지지만, 상술한 것처럼 상기 표면파공진자(21)에 궤환되는 에너지가 소정의 레벨을 넣지 않도록 할 필요가 있다.

상기 등가회로도에서는 설명의 편의상 버퍼 증폭기(24) 및 감쇠기(23)를 생략했는데, 양자를 고려한 등가회로도는 제9도와 같다.

제9도중 참조부호 21은 표면파 공전자를 등가적으로 나타낸 것이고, C_o는 그 입력단측의 용량을 나타내며, 20은 발진지속에 기여하는 증폭기를, 24는 버퍼 증폭기를 각각 나타낸 것이다.

상기 증폭기(20) 및 표면파공진자(21)에 의한 위상 어긋남의 보정은 인덕터(L₁,L₂)에 의해 실시된다. 이 인덕터(L₁, L₂)의 값은 증폭기(20)를 구성하는 FET의 서셉턴스와 표면파공진자(21)의 입출력용량에 기인하는 서셉턴스로 부터 도출되는 인덕턴스값과 같다. 또한, 인덕터(L₁₀)는 버퍼 증폭기(24)와 여진용 증폭기(20)에 의한 양자의 위상 어긋남에 대해 보상을 행한다. 한편, 표면과 공진자(21)에 대한 궤환로 중에는 감쇠기(23)로 작동하는 저항(RA)을 인덕터(L_A)를 통해 접속시키고 있다. 이 인덕터(L_A)는 상기 표면과 공진자(21)가 역위상형인 경우에 표면파공진자(21)의 입력위상에 같은 위상으로 궤환시키기 위한 180 °의 이상회로(移相回路)로 기능하므로, 표면파공진자(21)가 역위상형인 경우에는 인덕터(L_A)를 삽입시키므로써 발진이 지속된다.

다음으로, 제3도에 도시된 발전기의 구체적인 구성례를 도시한 제10도에 대해 설명한다.

제10도에서 여진용 증폭기(20)는 증폭소자인 MOSFET(20a)를 구비하고 있는데, 이 MOSFET(20a)의 드레인전극은 발진기 전체의 출력도출전극에서 기능하는 바, 예컨대 제1도에 도시된 CATV용 튜너의 제2혼합기(8)에 접속된다.

이 드레인전극은 다시 인덕터와 캐패시터로 구성된 제1위상 조절회로(25)를 통해서 감쇠기(23)에 접속된다.

상기 감쇠기(23)는 직렬저항소자(23a)와 바이패스 캐패시터(32b) 및 저항(23c)으로 구성되는데, 여기에서 저항(23a)은 표면파공진자(21)의 입력측에 접속된 캐패시터(23b)와 더불어 표면과 공진자(21)의 입력측으로 궤환되는 신호 레벨을 감쇠시키지만, 이때 저항(23c)는 누설저항(leak resistor)으로서 작동하여 상기 캐패시터(23b)의 방전로를 형성한다.

이 경우, 표면파공진자(21)의 입력에 인가되는 신호 레벨은 제4도에 나타낸 레벨도에 따른 레벨로 억압된다.

버퍼 증폭기(24)는 증폭소자로서 갈륨비소 트랜지스터(24a)를 구비하고 있다. 그리고 표면파공진자(21)의 출력측은 인덕터(L26)와 캐패시터로 이루어진 제2의 위상조절회로(26)를 통해서 상기 트랜지스터(24a)의 한 게이트에 접속된다.

이 트랜지스터(24a)의 드레인전극은 마찬가지로 인덕터와 캐패시터로 이루어진 제3의 위상조절회로(27)를 통해서 MOSFET(20a)의 한 게이트에 접속된다. 이 MOSFET(20a) 및 트랜지스터(24a)의 소오스전극과 다른 폭의 게이트전극은 바이어스회로에 접속되어 있다.

상기한 구성에 의하면, 여진용 증폭기(20)에서는 그 MOSFET(20a)에서의 포화영역 증폭작용에 의해 충분한 전력의 발진출력이 얻어지는 바, 이 발진출력을 예컨데 제1도에서의 제2혼합기(8)로 공급할 수 있다. 하지만 이 MOSFET(20a)로부터 표면파공진자(21)로 분지된 궤환신호의 레벨은 감쇠기(23)에 의해서 소정의 레벨로 감쇠되므로 표면과 공진자(21)의 손상이 방지된다. 더우기 버퍼 증폭기(24)를 구성하는 갈륨비소 트랜지스터(24a)는 그 입력용량이 극히 작으므로 제2위상 조절회로(26)의 인덕터(L26)의 인덕턴스를 크게함에 따라 표면과 공진자(21)에 걸리는 파워를 작게할 수 있어서 표면과 공진자(21)가 비파괴혀용 발진주파수를 높게 할 수가 있다.

다음으로, 예컨대 발진주파수 f=710MHZ인 경우의 표면파공진자(21)의 출력측에 관한 임피던스 Z를 제11도의 50Ω 정규화 스미스 차이트로부터 구하면, 도면에서 P1에 표시된 갈륨비소 트랜지스터(24a)의 일례인 3SK 121-Y는 입력저항 R₁=55Ω, f=710MHZ에서 입력 리액턴스 X₁=350Ω이고 입력임피던스 Z₁=354.3Ω으로 된다. 이때의 전압(V₁)은 471.3mV이고, 전류(I₁)는 1.33mA로 된다. 이 전류치는 표면파공진자(21)의 정격전류보다 작기 때문에 제5도에서는 f_RF=710MHZ에서도 표면과 공진자(21)가 궤환에너지에 의해 파괴되지는 않는다. 그렇지만 버퍼 증폭기(24)의 증폭소자로서 종래에 사용되던 MOSFET를 사용한 경우를 대비검토해 보면, 예컨데 3SK115FA-에는 11도의 P2로 되어 입력저항 R₂=60Ω, 입력리액턴스 X₂=95Ω으로부터 입력 임피던스 Z₂=112.4Ω으로 구해진다. 이때의 전압(V₂)은 265mV이기 때문에 전류(I₂)는 2.36mA로 된다. 이때 표면과 공진자(21)의 전류규격은 2mA이다. 따라서 MOSFET를 사용한 경우, 표면파공진자(21)에 과대전류가 흘려서 파괴되어 버린다.

이상에서 설명한 것처럼, 본 발명은 표면과 공진자(21)를 이용한 발진기에 있어서 궤환에너지를 소정의 레벨이하로 억압할 수 있으므로 표면과 공진자(21)의 전극파손 원인이 되는 원자이동현상등을 억압해서 에너지가 집중되는 고주파 영역에서도 안정되게 발진동작을 하는 발진기를 제공할 수 있다.

한편, 상기 감쇠기(23)를 개재시키는 위치는 표면과 공진자(21)의 전단에만 한정되지 않는다.

또한, 발진기를 구성하는 능동소자는 하나이거나 복수개라도 좋다. 더우기 본 발명에 관한 발진기는 CATV의 업/다운 헤테로 다인형 튜너에만 한정되는 것이 아니고, 표면파공진자(21)를 이용한 여러 전자회로에 널리 이용될 수 있다.

Claims

여진용 증폭기(20)와, 이 증폭기(20)의 출력을 그 입력측으로 궤환시키는 궤환로(22), 이 궤환로(22)에 개재되는 표면과 공진자(21)로 이루어진 발진기에 있어서, 상기 표면과 공진자(21)에 인가되는 신호레벨을 소정레벨이하로 억압하는 감쇠수단(23)을 상기 궤환로(22)의 중간에 설치한 것을 특징으로 하는 발진기.
제1항에 있어서, 표면과 공진자(21)의 삽입손실(신호레벨의 감쇠)을 보상하는 버퍼증폭기(24)를 상기 표면과 공진자(21)와 여진용 증폭기(20)사이의 궤환로(22)중간에 설치한 것을 특징으로 하는 발진기.
제2항에 있어서, 버퍼증폭기(24)가 갈륨비소 증폭소자(24a)를 증폭용 소자로서 구비하고 있음을 특징으로 하는 발진기.