JPH04257217A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH04257217A JPH04257217A JP1813891A JP1813891A JPH04257217A JP H04257217 A JPH04257217 A JP H04257217A JP 1813891 A JP1813891 A JP 1813891A JP 1813891 A JP1813891 A JP 1813891A JP H04257217 A JPH04257217 A JP H04257217A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波プラズマ
を用いて被処理物の表面に薄膜を形成し、あるいは表面
をエッチングするマイクロ波プラズマ処理装置に関する
。
を用いて被処理物の表面に薄膜を形成し、あるいは表面
をエッチングするマイクロ波プラズマ処理装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波プラズマ処理装置の一
例として特開昭５６−１５５５３５号公報に示されたマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置を図６に示す。図示されな
いマイクロ波源で発振されたマイクロ波が導波管１を通
り、マイクロ波透過窓２を通過して、図示されない真空
排気装置で真空に保たれたプラズマ生成室３に導入され
る。プラズマ生成室３内にはガス導入管４を通してプラ
ズマ生成ガスが供給され、前記マイクロ波と、軸対称の
プラズマ生成室３を同軸に囲んで配置されたソレノイド
５がプラズマ生成室３内に形成する磁界との作用でマイ
クロ波プラズマが生じる。
例として特開昭５６−１５５５３５号公報に示されたマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置を図６に示す。図示されな
いマイクロ波源で発振されたマイクロ波が導波管１を通
り、マイクロ波透過窓２を通過して、図示されない真空
排気装置で真空に保たれたプラズマ生成室３に導入され
る。プラズマ生成室３内にはガス導入管４を通してプラ
ズマ生成ガスが供給され、前記マイクロ波と、軸対称の
プラズマ生成室３を同軸に囲んで配置されたソレノイド
５がプラズマ生成室３内に形成する磁界との作用でマイ
クロ波プラズマが生じる。
【０００３】このプラズマは、前記ソレノイド５の形成
する発散磁界に沿って下向きに移動し、反応室７内にあ
って反応室外部のＲＦ電源からＲＦ電力が印加できるス
テージ８上に設置されたウエーハ９に照射される。反応
室７にはガス導入管１０を通して反応ガスが供給される
。
する発散磁界に沿って下向きに移動し、反応室７内にあ
って反応室外部のＲＦ電源からＲＦ電力が印加できるス
テージ８上に設置されたウエーハ９に照射される。反応
室７にはガス導入管１０を通して反応ガスが供給される
。
【０００４】マイクロ波を効率よくプラズマに吸収させ
るため、プラズマ生成室３は円筒空洞共振器構造 （例
えばマイクロ波の共振モードがＴＥ１１３ モードの場
合、内のり寸法で直径２００ｍｍ，高さ２００ｍｍ の
円筒形状） をとり、反応室７との間には、開口部を持
った金属製のプラズマ引出し窓６が設置されている。
るため、プラズマ生成室３は円筒空洞共振器構造 （例
えばマイクロ波の共振モードがＴＥ１１３ モードの場
合、内のり寸法で直径２００ｍｍ，高さ２００ｍｍ の
円筒形状） をとり、反応室７との間には、開口部を持
った金属製のプラズマ引出し窓６が設置されている。
【０００５】このような装置において、例えばマイクロ
波の周波数として通常工業的に用いられている２．４５
ＧＨｚ を用い、プラズマ生成室内に磁束密度８７５
ガウスの領域を形成して、プラズマ生成ガスに窒素、反
応ガスにシランを用いると、マイクロ電界と磁界とによ
る電子サイクロトロン共鳴効果によりプラズマ生成ガス
が効率よく電離され、ウエーハ上にシリコン窒化膜が効
率よく形成される。なお、前記ＲＦ電力をステージに印
加して膜形成を行うと、膜の緻密化， 段差被膜の改善
， 段差部の膜の平坦化等、目的に応じた成膜が可能で
ある。
波の周波数として通常工業的に用いられている２．４５
ＧＨｚ を用い、プラズマ生成室内に磁束密度８７５
ガウスの領域を形成して、プラズマ生成ガスに窒素、反
応ガスにシランを用いると、マイクロ電界と磁界とによ
る電子サイクロトロン共鳴効果によりプラズマ生成ガス
が効率よく電離され、ウエーハ上にシリコン窒化膜が効
率よく形成される。なお、前記ＲＦ電力をステージに印
加して膜形成を行うと、膜の緻密化， 段差被膜の改善
， 段差部の膜の平坦化等、目的に応じた成膜が可能で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記マイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置においては、生産性向上の理由により、ウ
エーハサイズの増大と成膜速度の向上とが要求される。
マＣＶＤ装置においては、生産性向上の理由により、ウ
エーハサイズの増大と成膜速度の向上とが要求される。
【０００７】成膜速度を増すためには、周知のようにプ
ラズマ密度を高くすればよい。そのために従来の装置で
は、以下の手段が取られている。
ラズマ密度を高くすればよい。そのために従来の装置で
は、以下の手段が取られている。
【０００８】（１） 成膜位置 （ステージ位置） を
プラズマ生成室に近づける。
プラズマ生成室に近づける。
【０００９】しかし、このとき、プラズマ密度の不均一
性のため、膜厚分布が悪くなる傾向になる。すなわち、
図７に示すように、プラズマ生成室内に電子サイクロト
ロン共鳴領域面 （以下ＥＣＲ領域面またはＥＣＲ面と
略記する） を形成し、プラズマ引出し窓からステージ
方向へ発散磁界に沿って移動するプラズマ流の中に探針
を挿入し、この探針に流れる電流からプラズマ流中のプ
ラズマ密度分布を求めると、探針位置がｚ＝４５ｍｍと
プラズマ生成室に近い場合には、最大プラズマ密度は大
きいものの、ウエーハ面内の位置により、プラズマ密度
が大きく異なり、探針位置がｚ＝１８１ｍｍ とプラズ
マ生成室から遠い場合と比べて分布が著しく不均一とな
る。
性のため、膜厚分布が悪くなる傾向になる。すなわち、
図７に示すように、プラズマ生成室内に電子サイクロト
ロン共鳴領域面 （以下ＥＣＲ領域面またはＥＣＲ面と
略記する） を形成し、プラズマ引出し窓からステージ
方向へ発散磁界に沿って移動するプラズマ流の中に探針
を挿入し、この探針に流れる電流からプラズマ流中のプ
ラズマ密度分布を求めると、探針位置がｚ＝４５ｍｍと
プラズマ生成室に近い場合には、最大プラズマ密度は大
きいものの、ウエーハ面内の位置により、プラズマ密度
が大きく異なり、探針位置がｚ＝１８１ｍｍ とプラズ
マ生成室から遠い場合と比べて分布が著しく不均一とな
る。
【００１０】（２） プラズマ生成室内のＥＣＲ面をプ
ラズマ引出し窓に近づけ、ＥＣＲ面とステージとの距離
を小さくする。
ラズマ引出し窓に近づけ、ＥＣＲ面とステージとの距離
を小さくする。
【００１１】しかし、このとき、マイクロ波透過窓近傍
のプラズマ生成室内磁界強度が８７５ガウスよりも増し
、この非共鳴領域でマイクロ波電力が消費され、図３に
示すように、この領域での電子密度 （プラズマ密度）
が不連続に低下する。プラズマ生成ガスとして窒素を
用いた場合、磁界強度Ｂｚ が９３０ ガウス以上で電
子密度Ｎｅが約１桁減少する。このため、プラズマ引出
し窓から流出するプラズマの密度も小さくなり、成膜速
度が減少する。また、このときにも、プラズマ密度の不
均一性のため、膜厚分布が悪くなる傾向にある。
のプラズマ生成室内磁界強度が８７５ガウスよりも増し
、この非共鳴領域でマイクロ波電力が消費され、図３に
示すように、この領域での電子密度 （プラズマ密度）
が不連続に低下する。プラズマ生成ガスとして窒素を
用いた場合、磁界強度Ｂｚ が９３０ ガウス以上で電
子密度Ｎｅが約１桁減少する。このため、プラズマ引出
し窓から流出するプラズマの密度も小さくなり、成膜速
度が減少する。また、このときにも、プラズマ密度の不
均一性のため、膜厚分布が悪くなる傾向にある。
【００１２】この発明の目的は、成膜速度を上げようと
すれば膜厚分布が悪化する従来装置の欠点を除去し、高
密度でかつ均一なプラズマを形成することのできるマイ
クロ波プラズマ処理装置を提供することである。
すれば膜厚分布が悪化する従来装置の欠点を除去し、高
密度でかつ均一なプラズマを形成することのできるマイ
クロ波プラズマ処理装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この本発明においては、軸線上にマイクロ波透過窓
を有し、原料ガスをプラズマ状態にする軸対称のプラズ
マ生成室と； プラズマ生成室を同軸に囲んで配置され
プラズマ生成室内にマイクロ波との電子サイクロトロン
共鳴を生じさせるための磁界を発生するソレノイドと；
プラズマ生成室の前記マイクロ波透過窓と対面する側
に形成されたプラズマ引出し窓を通してプラズマ照射さ
れる被処理物を設置するステージと； 該ステージが配
置されかつ前記プラズマ引出し窓を介してプラズマ生成
室と連通する反応室と； を有するマイクロ波プラズマ
処理装置を、前記ソレノイドのステージ側端面がプラズ
マ生成室のステージ側端面位置に位置するようにソレノ
イドを配置して、平坦な電子サイクロトロン共鳴領域面
をプラズマ引出し窓近傍に形成する装置とするものとす
る。この場合、プラズマ生成室の内のり高さをマイクロ
波波長の１／２ 未満に形成して電子サイクロトロン共
鳴領域面を含む高プラズマ密度領域のみをプラズマ生成
室内に存在させるようにすれば好適である。
に、この本発明においては、軸線上にマイクロ波透過窓
を有し、原料ガスをプラズマ状態にする軸対称のプラズ
マ生成室と； プラズマ生成室を同軸に囲んで配置され
プラズマ生成室内にマイクロ波との電子サイクロトロン
共鳴を生じさせるための磁界を発生するソレノイドと；
プラズマ生成室の前記マイクロ波透過窓と対面する側
に形成されたプラズマ引出し窓を通してプラズマ照射さ
れる被処理物を設置するステージと； 該ステージが配
置されかつ前記プラズマ引出し窓を介してプラズマ生成
室と連通する反応室と； を有するマイクロ波プラズマ
処理装置を、前記ソレノイドのステージ側端面がプラズ
マ生成室のステージ側端面位置に位置するようにソレノ
イドを配置して、平坦な電子サイクロトロン共鳴領域面
をプラズマ引出し窓近傍に形成する装置とするものとす
る。この場合、プラズマ生成室の内のり高さをマイクロ
波波長の１／２ 未満に形成して電子サイクロトロン共
鳴領域面を含む高プラズマ密度領域のみをプラズマ生成
室内に存在させるようにすれば好適である。
【００１４】
【作用】図２に、ソレノイドにより形成される， 磁界
強度８７５ ガウスのＥＣＲ面の形状が、ソレノイドに
流す電流によりどのように変化するかを示す。同図（ａ
） は、本発明者の手許にあるソレノイドに直流電流１
４０ Ａを流したときのＥＣＲ面を示し、ソレノイドの
端面から内方へ深く凹となる形状を示す。直流電流を１
７０ Ａに増すと、ＥＣＲ面は浅い凹形状となり、さら
に直流電流を２００ Ａに増すと、ＥＣＲ面はソレノイ
ドの端面で平坦な面となる。従って、ソレノイドのステ
ージ側端面がプラズマ生成室のステージ側端面位置に位
置するようにソレノイドを配置して、平坦な電子サイク
ロトロン共鳴領域面をプラズマ引出し窓近傍に形成する
ようにすれば、ウエーハをプラズマ引出し窓に近づけて
もウエーハは密度の均一なプラズマに照射され、成膜を
均一にかつ高速度に行うことができる。従来のマイクロ
波プラズマ処理装置では、ソレノイドの幾何学的中心が
、マイクロ波透過窓近傍でプラズマ生成室の内のり空間
の外部に位置し、プラズマ生成室内に形成される磁界強
度８７５ ガウスのＥＣＲ面は、図５に示されるように
、常にソレノイドの幾何学的中心方向へ凹となる形状を
示していた。従って、成膜速度を高めるためにウエーハ
をプラズマ引出し窓に近づけた場合にＥＣＲ面の形状と
相似となる膜厚分布も、ＥＣＲ面の形状に従って不均一
となり、均一性に限界があった。しかも、深さが比較的
浅い凹形状のＥＣＲ面でも、マイクロ波透過窓の近傍に
形成していたため、ＥＣＲ面とウエーハとの近接距離に
は限界があり、成膜速度の向上のみにも一定の制約があ
った。本発明は、平坦なＥＣＲ面はソレノイドの端面側
に形成されること、従ってソレノイドの端面をプラズマ
引出し窓近傍に位置させれば、ウエーハを装置構成上の
制約を受けることなくこのＥＣＲ面に限りなく近づけう
ることに着目したものである。
強度８７５ ガウスのＥＣＲ面の形状が、ソレノイドに
流す電流によりどのように変化するかを示す。同図（ａ
） は、本発明者の手許にあるソレノイドに直流電流１
４０ Ａを流したときのＥＣＲ面を示し、ソレノイドの
端面から内方へ深く凹となる形状を示す。直流電流を１
７０ Ａに増すと、ＥＣＲ面は浅い凹形状となり、さら
に直流電流を２００ Ａに増すと、ＥＣＲ面はソレノイ
ドの端面で平坦な面となる。従って、ソレノイドのステ
ージ側端面がプラズマ生成室のステージ側端面位置に位
置するようにソレノイドを配置して、平坦な電子サイク
ロトロン共鳴領域面をプラズマ引出し窓近傍に形成する
ようにすれば、ウエーハをプラズマ引出し窓に近づけて
もウエーハは密度の均一なプラズマに照射され、成膜を
均一にかつ高速度に行うことができる。従来のマイクロ
波プラズマ処理装置では、ソレノイドの幾何学的中心が
、マイクロ波透過窓近傍でプラズマ生成室の内のり空間
の外部に位置し、プラズマ生成室内に形成される磁界強
度８７５ ガウスのＥＣＲ面は、図５に示されるように
、常にソレノイドの幾何学的中心方向へ凹となる形状を
示していた。従って、成膜速度を高めるためにウエーハ
をプラズマ引出し窓に近づけた場合にＥＣＲ面の形状と
相似となる膜厚分布も、ＥＣＲ面の形状に従って不均一
となり、均一性に限界があった。しかも、深さが比較的
浅い凹形状のＥＣＲ面でも、マイクロ波透過窓の近傍に
形成していたため、ＥＣＲ面とウエーハとの近接距離に
は限界があり、成膜速度の向上のみにも一定の制約があ
った。本発明は、平坦なＥＣＲ面はソレノイドの端面側
に形成されること、従ってソレノイドの端面をプラズマ
引出し窓近傍に位置させれば、ウエーハを装置構成上の
制約を受けることなくこのＥＣＲ面に限りなく近づけう
ることに着目したものである。
【００１５】そこで、上述のように、ソレノイドのステ
ージ側端面がプラズマ生成室のステージ側端面位置に位
置するようにソレノイドを配置して、平坦な電子サイク
ロトロン共鳴領域面をプラズマ引出し窓近傍に形成する
ようにしたマイクロ波プラズマ処理装置のプラズマ生成
室の内のり高さをマイクロ波波長の１／２ 未満に形成
して電子サイクロトロン共鳴領域面を含む高プラズマ密
度領域のみをプラズマ生成室内に存在させるようにすれ
ば、プラズマ引出し窓から流出するプラズマは、プラズ
マが全空間高密度に形成されるプラズマ生成室から流出
するプラズマとなり、高速成膜と膜厚分布とを同時に達
成することができる。
ージ側端面がプラズマ生成室のステージ側端面位置に位
置するようにソレノイドを配置して、平坦な電子サイク
ロトロン共鳴領域面をプラズマ引出し窓近傍に形成する
ようにしたマイクロ波プラズマ処理装置のプラズマ生成
室の内のり高さをマイクロ波波長の１／２ 未満に形成
して電子サイクロトロン共鳴領域面を含む高プラズマ密
度領域のみをプラズマ生成室内に存在させるようにすれ
ば、プラズマ引出し窓から流出するプラズマは、プラズ
マが全空間高密度に形成されるプラズマ生成室から流出
するプラズマとなり、高速成膜と膜厚分布とを同時に達
成することができる。
【００１６】
【実施例】図１に本発明によるマイクロ波プラズマ処理
装置の一実施例を示す。図６に示した装置に比較し、プ
ラズマ生成室３が低く形成され、また、ステージ８がプ
ラズマ引出し窓６に近接した位置で成膜が行われるため
、反応室７も高さが低く形成されている。反応ガスは反
応ガス導入管１０を通して直接プラズマ生成室３に導入
される。
装置の一実施例を示す。図６に示した装置に比較し、プ
ラズマ生成室３が低く形成され、また、ステージ８がプ
ラズマ引出し窓６に近接した位置で成膜が行われるため
、反応室７も高さが低く形成されている。反応ガスは反
応ガス導入管１０を通して直接プラズマ生成室３に導入
される。
【００１７】プラズマ生成室３の高さは、ソレノイド５
の設計諸元と関連して決められ、この設計諸元を、内径
３５０ｍｍ，外径４３４ｍｍ，高さ２５２ｍｍ，巻数２
１６ とした場合、高プラズマ密度領域となる， 磁界
強度８７５ ガウスと９３０ ガウスとの間 （図３参
照） の距離は、図４（ｂ） に示すように１４ｍｍと
なることから、プラズマ生成室３の内のり高さを１４ｍ
ｍとすることにより、高密度でかつ密度の均一なプラズ
マがプラズマ引出し窓から流出する。
の設計諸元と関連して決められ、この設計諸元を、内径
３５０ｍｍ，外径４３４ｍｍ，高さ２５２ｍｍ，巻数２
１６ とした場合、高プラズマ密度領域となる， 磁界
強度８７５ ガウスと９３０ ガウスとの間 （図３参
照） の距離は、図４（ｂ） に示すように１４ｍｍと
なることから、プラズマ生成室３の内のり高さを１４ｍ
ｍとすることにより、高密度でかつ密度の均一なプラズ
マがプラズマ引出し窓から流出する。
【００１８】ところで、プラズマ生成室の高さ１４ｍｍ
は、周波数２．４５ＧＨｚ のマイクロ波の半波長６７
ｍｍ以下であり、共振器の寸法条件を満たしていない。 従来、プラズマ生成室は、マイクロ波電力を効率よくプ
ラズマに投入するため、マイクロ波の半波長の整数倍の
高さを有する円筒空洞共振器構造が一般的であった。と
ころが、プラズマが生成されると、本発明者の発明：特
願平２−２５３７３０号にて示されたように、プラズマ
雰囲気の誘電率が真空のそれよりも大きくなり、これに
よりマイクロ波の波長が短くなり、マイクロ波が共振す
るための条件であるプラズマ生成室の内のり高さも、マ
イクロ波の真空中の半波長の整数倍として設定された高
さよりも短くなる。それにもかかわらず、従来のプラズ
マ生成室が十分その機能を果たしてきたのは、共振条件
を成立させるためのマイクロ波引出し窓を取り外しても
、同一プラズマ生成室から押し出されるプラズマ密度が
変化しないという実験結果により裏付けられることを、
本発明者は前記発明において指摘した。従って、プラズ
マ生成室の高さをマイクロ波波長の１／２ 以下として
高プラズマ密度領域のみをプラズマ生成室内に存在させ
、成膜に与かるすべてのガスをプラズマ生成室内に導入
して成膜を行うことにより、本発明が目的とした高速成
膜と膜厚分布とを同時に達成することができる。
は、周波数２．４５ＧＨｚ のマイクロ波の半波長６７
ｍｍ以下であり、共振器の寸法条件を満たしていない。 従来、プラズマ生成室は、マイクロ波電力を効率よくプ
ラズマに投入するため、マイクロ波の半波長の整数倍の
高さを有する円筒空洞共振器構造が一般的であった。と
ころが、プラズマが生成されると、本発明者の発明：特
願平２−２５３７３０号にて示されたように、プラズマ
雰囲気の誘電率が真空のそれよりも大きくなり、これに
よりマイクロ波の波長が短くなり、マイクロ波が共振す
るための条件であるプラズマ生成室の内のり高さも、マ
イクロ波の真空中の半波長の整数倍として設定された高
さよりも短くなる。それにもかかわらず、従来のプラズ
マ生成室が十分その機能を果たしてきたのは、共振条件
を成立させるためのマイクロ波引出し窓を取り外しても
、同一プラズマ生成室から押し出されるプラズマ密度が
変化しないという実験結果により裏付けられることを、
本発明者は前記発明において指摘した。従って、プラズ
マ生成室の高さをマイクロ波波長の１／２ 以下として
高プラズマ密度領域のみをプラズマ生成室内に存在させ
、成膜に与かるすべてのガスをプラズマ生成室内に導入
して成膜を行うことにより、本発明が目的とした高速成
膜と膜厚分布とを同時に達成することができる。
【００１９】なお、図１の装置は、処理に与かるガスを
エッチングガスとするだけでエッチング装置となり、表
面改質用ガスとするだけで表面改質装置として使用する
ことができ、本発明はプラズマ処理装置の一般の目的に
適用可能である。
エッチングガスとするだけでエッチング装置となり、表
面改質用ガスとするだけで表面改質装置として使用する
ことができ、本発明はプラズマ処理装置の一般の目的に
適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明では、マイクロ波プラズマ処理装
置を上述のように構成したので、以下に記載するような
効果が奏せられる。
置を上述のように構成したので、以下に記載するような
効果が奏せられる。
【００２１】請求項１の装置では、ウエーハを、装置構
成上の制約を受けることなく平坦なＥＣＲ面に限りなく
近づけることができ、高速成膜と膜厚分布とを同時に達
成することができる。
成上の制約を受けることなく平坦なＥＣＲ面に限りなく
近づけることができ、高速成膜と膜厚分布とを同時に達
成することができる。
【００２２】請求項２の装置では、プラズマ生成室内に
プラズマの低密度領域がなく、プラズマ生成室から流出
するプラズマ密度を可能最大限まで高めることができ、
膜厚分布を均一に保ちながら成膜速度を可能最高とする
ことができる。
プラズマの低密度領域がなく、プラズマ生成室から流出
するプラズマ密度を可能最大限まで高めることができ、
膜厚分布を均一に保ちながら成膜速度を可能最高とする
ことができる。
【図１】本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置構造
の一実施例を示す断面図
の一実施例を示す断面図
【図２】ソレノイドの形成するＥＣＲ面形状の通電電流
による差異を示す説明図
による差異を示す説明図
【図３】本発明が対象とするマイクロ波プラズマ処理装
置におけるプラズマ生成室内の磁界強度とプラズマ密度
との関係を示す線図
置におけるプラズマ生成室内の磁界強度とプラズマ密度
との関係を示す線図
【図４】同図（ａ） は本発明が対象とするマイクロ波
プラズマ処理装置におけるプラズマ生成室のステージ側
端面近傍に平坦なＥＣＲ面を形成したときのプラズマ生
成室内高プラズマ密度の存在領域を示す説明図、同図（
ｂ） は同じくソレノイド中心軸上の磁界強度分布を示
す線図
プラズマ処理装置におけるプラズマ生成室のステージ側
端面近傍に平坦なＥＣＲ面を形成したときのプラズマ生
成室内高プラズマ密度の存在領域を示す説明図、同図（
ｂ） は同じくソレノイド中心軸上の磁界強度分布を示
す線図
【図５】ＥＣＲ面形状とプラズマ密度分布との関
係を示す線図
係を示す線図
【図６】従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置例の断面
図
図
【図７】従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置における
反応室内プラズマ密度分布の，プラズマ生成室プラズマ
引出し窓からの距離による差異を示す線図
反応室内プラズマ密度分布の，プラズマ生成室プラズマ
引出し窓からの距離による差異を示す線図
２ マイクロ波透過窓
３ プラズマ生成室
５ ソレノイド
６ プラズマ引出し窓
７ 反応室
８ ステージ
９ ウエーハ（被処理物）
１１ ＥＣＲ領域面（電子サイクロトロン共鳴領
域面）
域面）
Claims (2)
- 【請求項１】軸線上にマイクロ波透過窓を有し、原料ガ
スをプラズマ状態にする軸対称のプラズマ生成室と；
プラズマ生成室を同軸に囲んで配置されプラズマ生成室
内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴を生じさせ
るための磁界を発生するソレノイドと； プラズマ生成
室の前記マイクロ波透過窓と対面する側に形成されたプ
ラズマ引出し窓を通してプラズマ照射される被処理物を
設置するステージと； 該ステージが配置されかつ前記
プラズマ引出し窓を介してプラズマ生成室と連通する反
応室と； を有するマイクロ波プラズマ処理装置におい
て、前記ソレノイドのステージ側端面がプラズマ生成室
のステージ側端面位置に位置するようにソレノイドを配
置して、平坦な電子サイクロトロン共鳴領域面をプラズ
マ引出し窓近傍に形成することを特徴とするマイクロ波
プラズマ処理装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理
装置において、プラズマ生成室の内のり高さをマイクロ
波波長の１／２ 未満に形成して電子サイクロトロン共
鳴領域面を含む高プラズマ密度領域のみをプラズマ生成
室内に存在させるようにしたことを特徴とするマイクロ
波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1813891A JPH04257217A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1813891A JPH04257217A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257217A true JPH04257217A (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=11963246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1813891A Pending JPH04257217A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04257217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI387402B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-02-21 | Shibaura Mechatronics Corp | A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a manufacturing method of an electronic component |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP1813891A patent/JPH04257217A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI387402B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-02-21 | Shibaura Mechatronics Corp | A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a manufacturing method of an electronic component |
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