JPH05275381A - プラズマプロセス装置 - Google Patents
プラズマプロセス装置Info
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- JPH05275381A JPH05275381A JP4100498A JP10049892A JPH05275381A JP H05275381 A JPH05275381 A JP H05275381A JP 4100498 A JP4100498 A JP 4100498A JP 10049892 A JP10049892 A JP 10049892A JP H05275381 A JPH05275381 A JP H05275381A
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- plasma
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- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ生成室内から試料室内の試料に至る
間の複数個所で夫々磁場分布，磁場強度を独立的に調整
可能な領域を設ける。 【構成】 プラズマ生成室１及びこれに連設した試料室
３にわたる周囲に、これと同心状に少なくとも２つの励
磁コイル４，５を配設し、夫々に互いに逆向きに直流電
流を通流し、プラズマ生成室１内から試料室３の試料Ｓ
に至る間において、少なくとも一個所で前記励磁コイル
４，５の磁場Ｍ1 ，Ｍ2 が反転するようにする。
間の複数個所で夫々磁場分布，磁場強度を独立的に調整
可能な領域を設ける。 【構成】 プラズマ生成室１及びこれに連設した試料室
３にわたる周囲に、これと同心状に少なくとも２つの励
磁コイル４，５を配設し、夫々に互いに逆向きに直流電
流を通流し、プラズマ生成室１内から試料室３の試料Ｓ
に至る間において、少なくとも一個所で前記励磁コイル
４，５の磁場Ｍ1 ，Ｍ2 が反転するようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造過程
で、プラズマを用いてウェーハ等の試料表面に対する成
膜，エッチング，表面改質等の処理を行うプラズマプロ
セス装置に関する。
で、プラズマを用いてウェーハ等の試料表面に対する成
膜，エッチング，表面改質等の処理を行うプラズマプロ
セス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８(a) はエッチング装置として構成し
た従来におけるマイクロ波を用いた電子サイクロトロン
共鳴を利用するプラズマプロセス装置の縦断面図であ
り、31はプラズマ生成室を示している。プラズマ生成室
31はその上部壁中央に石英ガラス板にて封止したマイク
ロ波導入窓31a を、また下部壁中央には前記マイクロ波
導入窓31a と対向する位置に円形のプラズマ引出窓31b
を夫々備えている。
た従来におけるマイクロ波を用いた電子サイクロトロン
共鳴を利用するプラズマプロセス装置の縦断面図であ
り、31はプラズマ生成室を示している。プラズマ生成室
31はその上部壁中央に石英ガラス板にて封止したマイク
ロ波導入窓31a を、また下部壁中央には前記マイクロ波
導入窓31a と対向する位置に円形のプラズマ引出窓31b
を夫々備えている。
【０００３】前記マイクロ波導入窓31a には他端を図示
しない高周波発振器に接続した導波管32の一端が接続さ
れ、またプラズマ引出窓31b に臨ませて試料室33を配設
し、更に周囲にはプラズマ生成室31及びこれに接続した
導波管32の一端部にわたってこれらを囲繞する態様でこ
れらと同心状に励磁コイル34を配設してある。試料室33
内には載置台37が配設され、その上には円板形をなすウ
ェーハ等の試料Ｓがそのまま、又は静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置されている。
しない高周波発振器に接続した導波管32の一端が接続さ
れ、またプラズマ引出窓31b に臨ませて試料室33を配設
し、更に周囲にはプラズマ生成室31及びこれに接続した
導波管32の一端部にわたってこれらを囲繞する態様でこ
れらと同心状に励磁コイル34を配設してある。試料室33
内には載置台37が配設され、その上には円板形をなすウ
ェーハ等の試料Ｓがそのまま、又は静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置されている。
【０００４】而してこのようなエッチング装置にあって
は、所要の真空度に設定したプラズマ生成室31, 試料室
33内に夫々ガス供給系を介して原料ガスを供給し、励磁
コイル34にて磁界を形成しつつ、プラズマ生成室31内に
マイクロ波を導入し、プラズマ生成室31を空洞共振器と
してプラズマ原料ガスを電子サイクロトロン共鳴励起し
てプラズマを生成させ、生成させたプラズマを励磁コイ
ル34にて形成される試料室33側に向かうに従い磁束密度
が低下する発散磁界によって試料室33内の載置台37上の
試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面にエッチングを行うよう
になっている（特開昭57−133636号) 。
は、所要の真空度に設定したプラズマ生成室31, 試料室
33内に夫々ガス供給系を介して原料ガスを供給し、励磁
コイル34にて磁界を形成しつつ、プラズマ生成室31内に
マイクロ波を導入し、プラズマ生成室31を空洞共振器と
してプラズマ原料ガスを電子サイクロトロン共鳴励起し
てプラズマを生成させ、生成させたプラズマを励磁コイ
ル34にて形成される試料室33側に向かうに従い磁束密度
が低下する発散磁界によって試料室33内の載置台37上の
試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面にエッチングを行うよう
になっている（特開昭57−133636号) 。
【０００５】図８(b) は励磁コイル34の中心軸上におけ
る磁場強度分布図である。図８(b) から明らかな如く、
プラズマ生成室31の中央部では略875 Ｇの磁場が形成さ
れ、電子サイクロトロン共鳴励起条件を満足させ、ここ
から試料室33側に向かうに従って漸次磁場強度が低下
し、試料Ｓ表面で略零となる分布となっている。
る磁場強度分布図である。図８(b) から明らかな如く、
プラズマ生成室31の中央部では略875 Ｇの磁場が形成さ
れ、電子サイクロトロン共鳴励起条件を満足させ、ここ
から試料室33側に向かうに従って漸次磁場強度が低下
し、試料Ｓ表面で略零となる分布となっている。
【０００６】ところでプラズマ生成室31から試料室33へ
のプラズマの導出は電子サイクロトロン共鳴条件を成立
させるべく励磁コイル34にて形成される磁場を、プラズ
マ生成室から試料室側に向かう発散磁界として、これを
プラズマの導出にも利用する構造となっている。
のプラズマの導出は電子サイクロトロン共鳴条件を成立
させるべく励磁コイル34にて形成される磁場を、プラズ
マ生成室から試料室側に向かう発散磁界として、これを
プラズマの導出にも利用する構造となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来装置ではプ
ラズマ室内でのプラズマ生成用磁場と、プラズマ室から
プラズマを引き出し試料まで導く磁場を分離し、夫々の
領域での磁場分布と強度を独立に制御できないので、処
理を行なうためのプラズマの精細な制御が出来ない。
ラズマ室内でのプラズマ生成用磁場と、プラズマ室から
プラズマを引き出し試料まで導く磁場を分離し、夫々の
領域での磁場分布と強度を独立に制御できないので、処
理を行なうためのプラズマの精細な制御が出来ない。
【０００８】また従来装置では磁力線がプラズマ生成室
31から試料室33内, 特に試料Ｓ面迄連続するため、試料
Ｓ表面での磁束管径Ｒに比較してプラズマ生成室31内で
の磁束管の径ｒは極めて小さくなり、プラズマが磁力線
に沿って輸送される時プラズマ生成室31内の極く限られ
た領域中のプラズマのみしか利用出来ず、プラズマの利
用効率が悪いという問題があった。
31から試料室33内, 特に試料Ｓ面迄連続するため、試料
Ｓ表面での磁束管径Ｒに比較してプラズマ生成室31内で
の磁束管の径ｒは極めて小さくなり、プラズマが磁力線
に沿って輸送される時プラズマ生成室31内の極く限られ
た領域中のプラズマのみしか利用出来ず、プラズマの利
用効率が悪いという問題があった。
【０００９】更に製造するデバイスの種類によっては、
例えばポリシリコンのパターンのエッチング処理後の断
面形状に歪み, 或いはアンダーカット等の異常を招くこ
となく垂直な側面を持つようCl2 ガスプラズマを用いて
エッチングする場合等には、試料Ｓ表面における磁場強
度を30Ｇ以下の低い値に抑制する必要があるが、このた
めにはプラズマ生成室31内で電子サイクロトロン共鳴条
件を満たす875 Ｇの磁場強度を30Ｇの磁場強度に変化さ
せるべくプラズマ生成室31に対する試料Ｓの位置を遠近
調整し、また補助コイルで磁場を打ち消す等の手段を要
し、その上このような勾配の大きい磁場内を移動するイ
オンは加速され、このエネルギーの高いイオンが試料表
面に入射するため試料表面のダメージが大きくなるとい
う問題もあった。
例えばポリシリコンのパターンのエッチング処理後の断
面形状に歪み, 或いはアンダーカット等の異常を招くこ
となく垂直な側面を持つようCl2 ガスプラズマを用いて
エッチングする場合等には、試料Ｓ表面における磁場強
度を30Ｇ以下の低い値に抑制する必要があるが、このた
めにはプラズマ生成室31内で電子サイクロトロン共鳴条
件を満たす875 Ｇの磁場強度を30Ｇの磁場強度に変化さ
せるべくプラズマ生成室31に対する試料Ｓの位置を遠近
調整し、また補助コイルで磁場を打ち消す等の手段を要
し、その上このような勾配の大きい磁場内を移動するイ
オンは加速され、このエネルギーの高いイオンが試料表
面に入射するため試料表面のダメージが大きくなるとい
う問題もあった。
【００１０】本発明はかかる事情に鑑みなされたもので
あって、その目的とするところはプラズマ生成室内から
試料室内の試料に至る間の複数個所で磁場分布と強度と
を独立に制御可能としてプラズマの安定化，利用効率の
向上を図ると共に、プラズマ生成室の損傷も防止し得る
ようにしたプラズマプロセス装置を提供するにある。
あって、その目的とするところはプラズマ生成室内から
試料室内の試料に至る間の複数個所で磁場分布と強度と
を独立に制御可能としてプラズマの安定化，利用効率の
向上を図ると共に、プラズマ生成室の損傷も防止し得る
ようにしたプラズマプロセス装置を提供するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマプ
ロセス装置は、磁場とマイクロ波とを用いてプラズマ生
成室内にプラズマを生成させ、該プラズマを磁力線に沿
ってプラズマ生成室内に連設した試料室に導き、該試料
室内の試料にプラズマ処理を行うプラズマプロセス装置
において、プラズマ生成室内から試料室内の試料に至る
間に、少なくとも一個所以上、磁場の向きが逆転する領
域を有することを特徴とする。
ロセス装置は、磁場とマイクロ波とを用いてプラズマ生
成室内にプラズマを生成させ、該プラズマを磁力線に沿
ってプラズマ生成室内に連設した試料室に導き、該試料
室内の試料にプラズマ処理を行うプラズマプロセス装置
において、プラズマ生成室内から試料室内の試料に至る
間に、少なくとも一個所以上、磁場の向きが逆転する領
域を有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明にあっては、プラズマ生成室から試料室
内の試料に至る間の少なくとも一個所でコイルの軸方向
磁場を逆転させて磁場分布が零の領域を設定すること
で、プラズマはこの領域を横断して試料側に移送するこ
ととなり、発散磁界によるイオンの加速を容易に制限す
ることが可能となる。
内の試料に至る間の少なくとも一個所でコイルの軸方向
磁場を逆転させて磁場分布が零の領域を設定すること
で、プラズマはこの領域を横断して試料側に移送するこ
ととなり、発散磁界によるイオンの加速を容易に制限す
ることが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づき
具体的に説明する。図１(a) は本発明に係るプラズマプ
ロセス装置の模式的縦断面図であり、図中１はプラズマ
生成室、２は導波管、３は試料Ｓに対し成膜等の処理を
施す試料室、４は励磁コイルを示している。
具体的に説明する。図１(a) は本発明に係るプラズマプ
ロセス装置の模式的縦断面図であり、図中１はプラズマ
生成室、２は導波管、３は試料Ｓに対し成膜等の処理を
施す試料室、４は励磁コイルを示している。
【００１４】プラズマ生成室１はマイクロ波に対して空
洞共振器を構成するよう形成されており、上部壁中央に
は石英ガラス板等のマイクロ波透過物質で封止されたマ
イクロ波導入窓1aを備え、また下部壁中央には前記マイ
クロ波導入窓1aと対向する位置にプラズマの引出窓1bを
備えている。
洞共振器を構成するよう形成されており、上部壁中央に
は石英ガラス板等のマイクロ波透過物質で封止されたマ
イクロ波導入窓1aを備え、また下部壁中央には前記マイ
クロ波導入窓1aと対向する位置にプラズマの引出窓1bを
備えている。
【００１５】前記マイクロ波導入窓1aには導波管２の一
端部が接続され、またプラズマの引出窓1bにはこれに臨
ませて試料室３が連設され、更に周囲にはプラズマ生成
室１及びこれに連結された導波管２の一端部にわたって
励磁コイル４が、またプラズマ生成室１及びこれに連設
された試料室３の上端部外周にわたって励磁コイル５が
夫々周接せしめられている。
端部が接続され、またプラズマの引出窓1bにはこれに臨
ませて試料室３が連設され、更に周囲にはプラズマ生成
室１及びこれに連結された導波管２の一端部にわたって
励磁コイル４が、またプラズマ生成室１及びこれに連設
された試料室３の上端部外周にわたって励磁コイル５が
夫々周接せしめられている。
【００１６】導波管２の他端部は図示しない高周波発振
器に接続されている。励磁コイル４，５は夫々図示しな
い直流電源に接続されており、励磁コイル４は直流電流
の通流によってプラズマ生成室１内にマイクロ波の導入
によりプラズマを生成し得るよう上向きの磁界Ｍ1 を形
成し、また励磁コイル５は同じく直流電流の通流によっ
てプラズマ生成室１の下端寄りの位置から試料室３側に
向けて発散する磁界Ｍ2 を形成するようになっている。
器に接続されている。励磁コイル４，５は夫々図示しな
い直流電源に接続されており、励磁コイル４は直流電流
の通流によってプラズマ生成室１内にマイクロ波の導入
によりプラズマを生成し得るよう上向きの磁界Ｍ1 を形
成し、また励磁コイル５は同じく直流電流の通流によっ
てプラズマ生成室１の下端寄りの位置から試料室３側に
向けて発散する磁界Ｍ2 を形成するようになっている。
【００１７】試料室３はプラズマ生成室１に接続された
上端部がプラズマ生成室１と略等大の横断面積を有し、
ここから下側に向かうに従って断面積が漸次増大されて
肩部3aが形成され、この肩部3aよりも下方は中空の円筒
形に形成され、プラズマの引出窓1bと対向する底壁には
図示しない排気装置に連なる排気口が設けられている。
前記励磁コイル５はプラズマ生成室１の下端部外周から
前記肩部3aの外周にわたるよう設けられている。また試
料室３の内部には前記プラズマ引出窓1bの直下にこれと
対向させて載置台７が配設され、この載置台７上に試料
Ｓが配設されている。
上端部がプラズマ生成室１と略等大の横断面積を有し、
ここから下側に向かうに従って断面積が漸次増大されて
肩部3aが形成され、この肩部3aよりも下方は中空の円筒
形に形成され、プラズマの引出窓1bと対向する底壁には
図示しない排気装置に連なる排気口が設けられている。
前記励磁コイル５はプラズマ生成室１の下端部外周から
前記肩部3aの外周にわたるよう設けられている。また試
料室３の内部には前記プラズマ引出窓1bの直下にこれと
対向させて載置台７が配設され、この載置台７上に試料
Ｓが配設されている。
【００１８】而してこのような本発明装置にあっては、
反応室３内の載置台７上に試料Ｓを載置し、プラズマ生
成室１，試料室３内を所要の真空度に設定した後、図示
しないガス供給系を通じてプラズマ生成室１，試料室３
内に、例えばCl2 ガス等の原料ガスを供給し、励磁コイ
ル４，５に直流電流を通流し、励磁コイル４にて875Ｇ
の磁場を発生させ、導波管２，マイクロ波導入窓1aを通
じて周波数2.45GHz のマイクロ波をプラズマ生成室１内
に導入する。
反応室３内の載置台７上に試料Ｓを載置し、プラズマ生
成室１，試料室３内を所要の真空度に設定した後、図示
しないガス供給系を通じてプラズマ生成室１，試料室３
内に、例えばCl2 ガス等の原料ガスを供給し、励磁コイ
ル４，５に直流電流を通流し、励磁コイル４にて875Ｇ
の磁場を発生させ、導波管２，マイクロ波導入窓1aを通
じて周波数2.45GHz のマイクロ波をプラズマ生成室１内
に導入する。
【００１９】プラズマ生成室１内に導入されたマイクロ
波はプラズマ空洞共振器として機能するプラズマ生成室
１内で共振状態となり、原料ガスを分解し、電子サイク
ロトロン共鳴励起してプラズマを生成せしめる。発生し
たプラズマは励磁コイル５にて形成される発散磁場Ｍ2
によって試料室３に導出され、試料Ｓ表面へのエッチン
グを行うようになっている。
波はプラズマ空洞共振器として機能するプラズマ生成室
１内で共振状態となり、原料ガスを分解し、電子サイク
ロトロン共鳴励起してプラズマを生成せしめる。発生し
たプラズマは励磁コイル５にて形成される発散磁場Ｍ2
によって試料室３に導出され、試料Ｓ表面へのエッチン
グを行うようになっている。
【００２０】図１(b) は励磁コイル４，５の中心軸線上
の各部における磁場強度分布を示すグラフであり、図８
(b) に示す従来装置のそれと比較すれば明らかな如く、
プラズマ生成室１の他端部寄りの位置で磁場の向きが逆
転しており、プラズマはこの逆転領域から励磁コイル５
の磁場Ｍ2 に沿って加速されつつ試料室３側に向かうこ
ととなり、加速距離が短く試料Ｓ表面へのダメージを低
減し得る。
の各部における磁場強度分布を示すグラフであり、図８
(b) に示す従来装置のそれと比較すれば明らかな如く、
プラズマ生成室１の他端部寄りの位置で磁場の向きが逆
転しており、プラズマはこの逆転領域から励磁コイル５
の磁場Ｍ2 に沿って加速されつつ試料室３側に向かうこ
ととなり、加速距離が短く試料Ｓ表面へのダメージを低
減し得る。
【００２１】図２(a) は本発明の他の実施例を示す模式
図であり、プラズマ生成室１の外周壁に、その軸長方向
寸法と略等しい棒磁石11が縦向きにした状態で周方向に
略等間隔で配設されている。各棒磁石11はプラズマ生成
室１の周壁側に向けてＮ極又はＳ極を対向させ、且つ周
方向において相隣する磁極が互いに反対極となるよう交
互に配設されている。他の構成は図１に示す実施例と実
質的に同じであり、対応する部分に同じ番号を付して説
明を省略する。
図であり、プラズマ生成室１の外周壁に、その軸長方向
寸法と略等しい棒磁石11が縦向きにした状態で周方向に
略等間隔で配設されている。各棒磁石11はプラズマ生成
室１の周壁側に向けてＮ極又はＳ極を対向させ、且つ周
方向において相隣する磁極が互いに反対極となるよう交
互に配設されている。他の構成は図１に示す実施例と実
質的に同じであり、対応する部分に同じ番号を付して説
明を省略する。
【００２２】図２(b) は棒磁石11にて形成されたプラズ
マ生成室１内のマルチカスプ磁場を示す説明図であり、
これによって生成されたプラズマがプラズマ生成室１の
周壁側に移動するのが防止され、プラズマ密度が安定す
ると共に、プラズマ生成室１の内周壁がエッチングされ
るのを防止する。
マ生成室１内のマルチカスプ磁場を示す説明図であり、
これによって生成されたプラズマがプラズマ生成室１の
周壁側に移動するのが防止され、プラズマ密度が安定す
ると共に、プラズマ生成室１の内周壁がエッチングされ
るのを防止する。
【００２３】図３は本発明の更に他の実施例を示す模式
図であり、この実施例にあっては励磁コイル４，５夫々
がプラズマ生成室１，試料室３の外周壁と対向する側、
及び励磁コイル５の下面を除く全外周面にわたって強磁
性体12を設けてある。このような実施例にあっては、励
磁コイル４，５を小さくしても十分な磁場強度が得ら
れ、それだけ小型化が容易となる。
図であり、この実施例にあっては励磁コイル４，５夫々
がプラズマ生成室１，試料室３の外周壁と対向する側、
及び励磁コイル５の下面を除く全外周面にわたって強磁
性体12を設けてある。このような実施例にあっては、励
磁コイル４，５を小さくしても十分な磁場強度が得ら
れ、それだけ小型化が容易となる。
【００２４】図４は本発明の更に他の実施例を示す模式
図であり、この実施例にあっては図１(a) に示す実施例
に加えて載置台７が位置する部分の試料室３の横断面積
を縮小し、この縮小部分に載置台７の外周と対向させて
励磁コイル13を設けた構成としてある。このような構成
とすることで試料Ｓ表面に対する磁力線の入射角度が大
きく、即ち垂直に近づき、例えばポリシリコンをエッチ
ングする場合にもエッチング断面が垂直になり形状異常
が防止される外、試料Ｓ周縁部におけるプラズマ密度が
相対的に高くなり、試料Ｓ表面に対するプラズマ分布が
均一化されることとなる。
図であり、この実施例にあっては図１(a) に示す実施例
に加えて載置台７が位置する部分の試料室３の横断面積
を縮小し、この縮小部分に載置台７の外周と対向させて
励磁コイル13を設けた構成としてある。このような構成
とすることで試料Ｓ表面に対する磁力線の入射角度が大
きく、即ち垂直に近づき、例えばポリシリコンをエッチ
ングする場合にもエッチング断面が垂直になり形状異常
が防止される外、試料Ｓ周縁部におけるプラズマ密度が
相対的に高くなり、試料Ｓ表面に対するプラズマ分布が
均一化されることとなる。
【００２５】図５は本発明の更に他の実施例を示す模式
図であり、プラズマ生成室と試料室との間にわたして設
けた励磁コイル14,15 の軸長方向寸法を変更し、励磁コ
イル14はプラズマ生成室１の軸長方向の全長にわたり上
端側は導波管２の一端部に、また下端側は試料室３の上
端部に対向するよう設けられ、一方励磁コイル15は試料
室３の肩部3aから載置台７上の試料Ｓの配置位置近傍の
外周と対向するように配設されている。このような構成
とすることで、試料室３内で磁場が逆転することとな
り、この逆転位置から試料Ｓ表面迄の距離は更に短縮さ
れ、且つ試料Ｓ表面に対する磁力線の入射角度も略垂直
となって、エッチング断面形状の異常が防止され、プラ
ズマ密度も均一化される。
図であり、プラズマ生成室と試料室との間にわたして設
けた励磁コイル14,15 の軸長方向寸法を変更し、励磁コ
イル14はプラズマ生成室１の軸長方向の全長にわたり上
端側は導波管２の一端部に、また下端側は試料室３の上
端部に対向するよう設けられ、一方励磁コイル15は試料
室３の肩部3aから載置台７上の試料Ｓの配置位置近傍の
外周と対向するように配設されている。このような構成
とすることで、試料室３内で磁場が逆転することとな
り、この逆転位置から試料Ｓ表面迄の距離は更に短縮さ
れ、且つ試料Ｓ表面に対する磁力線の入射角度も略垂直
となって、エッチング断面形状の異常が防止され、プラ
ズマ密度も均一化される。
【００２６】図６，図７は夫々本発明の更に他の実施例
を示す模式図であり、図６に示す実施例にあっては図１
に示す実施例において励磁コイル４をその軸長方向の中
間部で２分し、全体として３個の励磁コイル４，５及び
16を設けた構成としてある。また図７に示す実施例にあ
っては、図６に示す実施例の励磁コイル16に代えて２個
の円形リング状をなし、内周，外周の磁極が互いに反対
の永久磁石17,18 を設けた構成となっている。このよう
な実施例にあっては、プラズマ生成室１内に２個所の磁
場逆転領域が形成され、プラズマに対する制御を一層精
細に行い得ることとなる。他の構成及び作用は図６に示
す実施例と実質的に同じであり、対応する部分には同じ
符号を付して説明を省略する。
を示す模式図であり、図６に示す実施例にあっては図１
に示す実施例において励磁コイル４をその軸長方向の中
間部で２分し、全体として３個の励磁コイル４，５及び
16を設けた構成としてある。また図７に示す実施例にあ
っては、図６に示す実施例の励磁コイル16に代えて２個
の円形リング状をなし、内周，外周の磁極が互いに反対
の永久磁石17,18 を設けた構成となっている。このよう
な実施例にあっては、プラズマ生成室１内に２個所の磁
場逆転領域が形成され、プラズマに対する制御を一層精
細に行い得ることとなる。他の構成及び作用は図６に示
す実施例と実質的に同じであり、対応する部分には同じ
符号を付して説明を省略する。
【００２７】なお上述の実施例にあっては、電子サイク
ロトロン共鳴によりプラズマを生成する場合について説
明したが、強い磁場のみでプラズマを生成させ、弱い磁
場でプラズマを制御するようにした装置にも適用し得
る。また実施例はいずれもエッチング装置として構成し
た場合を示したが、CVD 装置, スパッタ装置, 表面改質
装置、その他各種の用途のプラズマ生成装置として適用
し得ることは勿論である。
ロトロン共鳴によりプラズマを生成する場合について説
明したが、強い磁場のみでプラズマを生成させ、弱い磁
場でプラズマを制御するようにした装置にも適用し得
る。また実施例はいずれもエッチング装置として構成し
た場合を示したが、CVD 装置, スパッタ装置, 表面改質
装置、その他各種の用途のプラズマ生成装置として適用
し得ることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上の如く本発明に係るプラズマプロセ
ス装置にあっては、プラズマ生成室内から試料室内の試
料に至る間に少なくとも１つの磁場の逆転領域を形成し
たから、プラズマは磁場の逆転領域で磁場による制御か
ら解放され、その後試料表面に向かう磁力線に沿って試
料表面側に導出されるから、プラズマの制御を精細に行
うことが出来、プラズマ分布の均一化，プラズマの利用
効率の向上，試料に対するダメージのない処理が可能と
なる等、本発明は優れた効果を奏するものである。
ス装置にあっては、プラズマ生成室内から試料室内の試
料に至る間に少なくとも１つの磁場の逆転領域を形成し
たから、プラズマは磁場の逆転領域で磁場による制御か
ら解放され、その後試料表面に向かう磁力線に沿って試
料表面側に導出されるから、プラズマの制御を精細に行
うことが出来、プラズマ分布の均一化，プラズマの利用
効率の向上，試料に対するダメージのない処理が可能と
なる等、本発明は優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係るプラズマプロセス装置の模式図で
ある。
ある。
【図２】本発明の他の実施例を示す模式図である。
【図３】本発明の更に他の実施例を示す模式図である。
【図４】本発明の更に他の実施例を示す模式図である。
【図５】本発明の更に他の実施例を示す模式図である。
【図６】本発明の更に他の実施例を示す模式図である。
【図７】本発明の更に他の実施例を示す模式図である。
【図８】従来装置の模式図である。
１ プラズマ生成室 ２ 導波管 ３ 試料室 ４，５ 励磁コイル ７ 載置台 11 棒磁石 12 強磁性体 13,14,15,16 励磁コイル 17,18 永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 33/64 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ Ｈ０１Ｐ 7/06
Claims (1)
- 【請求項１】 磁場とマイクロ波とを用いてプラズマ生
成室内にプラズマを生成させ、該プラズマを磁力線に沿
ってプラズマ生成室内に連設した試料室に導き、該試料
室内の試料にプラズマ処理を行うプラズマプロセス装置
において、 プラズマ生成室内から試料室内の試料に至る間に、少な
くとも一個所以上、磁場の向きが逆転する領域を有する
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100498A JPH05275381A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | プラズマプロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100498A JPH05275381A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | プラズマプロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275381A true JPH05275381A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14275601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4100498A Pending JPH05275381A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | プラズマプロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275381A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013037907A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マイクロ波イオン源、及びイオン生成方法 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP4100498A patent/JPH05275381A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013037907A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マイクロ波イオン源、及びイオン生成方法 |
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