JPH0425026A - バンプ電極形成方法 - Google Patents
バンプ電極形成方法Info
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- JPH0425026A JPH0425026A JP2127351A JP12735190A JPH0425026A JP H0425026 A JPH0425026 A JP H0425026A JP 2127351 A JP2127351 A JP 2127351A JP 12735190 A JP12735190 A JP 12735190A JP H0425026 A JPH0425026 A JP H0425026A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子等の上にバンプ電極を形成する方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
近年、半導体素子の多ピン化および縮小化にともない、
半導体素子の電極パッド」二に金（Ａｕ）等でバンプ電
極（突起電極）を設け、このバンプ電極にいわゆるフィ
ルムキャリアのインナーリードを接続し、あるいはバン
プ電極を直接実装基板の導体パターンに接続する実装方
法が普及しつつある。
半導体素子の電極パッド」二に金（Ａｕ）等でバンプ電
極（突起電極）を設け、このバンプ電極にいわゆるフィ
ルムキャリアのインナーリードを接続し、あるいはバン
プ電極を直接実装基板の導体パターンに接続する実装方
法が普及しつつある。
半導体素子の電極バット上に／＜ンプ電極を形成する方
法としては、従来、電気メツキによってバンプ電極を成
長させるメツキバンプ法や、半田をコーティングした微
少な金属ボールを電極バットに融着する半田ボールバン
プ法か一般的であった。
法としては、従来、電気メツキによってバンプ電極を成
長させるメツキバンプ法や、半田をコーティングした微
少な金属ボールを電極バットに融着する半田ボールバン
プ法か一般的であった。
発明が解決しようとする課題
メツキバンプ法や半田ボールバンプ法はいずれも専用の
装置を必要とし、多額の設備投資を要するだけてな（、
多くのプロセス上のノウハウが無ければ良好な歩留まり
が得られないという問題があった。
装置を必要とし、多額の設備投資を要するだけてな（、
多くのプロセス上のノウハウが無ければ良好な歩留まり
が得られないという問題があった。
本発明はこのような問題を解決し、既存の製造装置を用
いて容易に実施できるバンプ電極の形成方法を提供する
ものである。
いて容易に実施できるバンプ電極の形成方法を提供する
ものである。
課題を解決するだめの手段
−１−記目的を達成するために本発明においては、ワイ
ヤーボンディングの技術を応用し、ワイヤー先端のボー
ル部を電極に圧着した後、ワイヤーをボール部近傍で熔
断じ、ボール部上に突起を設けることによりバンプ電極
を形成するものである。
ヤーボンディングの技術を応用し、ワイヤー先端のボー
ル部を電極に圧着した後、ワイヤーをボール部近傍で熔
断じ、ボール部上に突起を設けることによりバンプ電極
を形成するものである。
作用
上記のような本発明のバンプ電極の形成方法においては
、既存のワイヤーボンダーを利用することができるので
、新たな設備投資を行うことな（バンプ電極を形成でき
る。
、既存のワイヤーボンダーを利用することができるので
、新たな設備投資を行うことな（バンプ電極を形成でき
る。
実施例
第１図〜第５図を参照しながら本発明の詳細な説明する
。第１図〜第５図は本発明の一実施例における半導体基
板上の電極とワイヤーボンダーのキャピラリー先端部の
動きを示す側面図で、１は半導体基板、２はキャピラリ
ー、３は金（Ａｕ）のワイヤー、４は放電端子、５，７
はボール部、６は電極パッド、８は突起である。
。第１図〜第５図は本発明の一実施例における半導体基
板上の電極とワイヤーボンダーのキャピラリー先端部の
動きを示す側面図で、１は半導体基板、２はキャピラリ
ー、３は金（Ａｕ）のワイヤー、４は放電端子、５，７
はボール部、６は電極パッド、８は突起である。
まず第１図は、キャピラリー２が半導体基板１の表面の
電極パッド６の真上に合わせられ、キャピラリー２の先
端からワイヤー３が数十μｍから数百μｍの長さだけ露
出した状態を示している。
電極パッド６の真上に合わせられ、キャピラリー２の先
端からワイヤー３が数十μｍから数百μｍの長さだけ露
出した状態を示している。
ワイヤー３の直径Ｂは２０〜３０ ｔｔ ｍである。こ
の状態でワイヤー３と放電端子４の間に高電圧をかけ放
電を起こすとワイヤー３の先端が熔けて、ワイヤー３の
直径よりも大きい直径のボール部が形成される。このボ
ール部はキャピラリー２先端のワイヤー放出口に真空吸
引によって吸いつけられる（第２図）。次に第３図に示
すようにキャピラリー２を電極パッド６に向かって降下
させ、ボール部５を電極パッド６の表面に押し当て、熱
き超音波によってボール部５を塑性変形させながら圧着
する。ここまでの工程は従来のボールボンディング方式
と同様であり、従来のワイヤーボンダーをそのまま使用
できる。この後、キャピラリー２を所定の高さまで上昇
させると、第４図に示すようになる。圧着されたボール
部５とキャピラリー２の間にワイヤー３が延びている。
の状態でワイヤー３と放電端子４の間に高電圧をかけ放
電を起こすとワイヤー３の先端が熔けて、ワイヤー３の
直径よりも大きい直径のボール部が形成される。このボ
ール部はキャピラリー２先端のワイヤー放出口に真空吸
引によって吸いつけられる（第２図）。次に第３図に示
すようにキャピラリー２を電極パッド６に向かって降下
させ、ボール部５を電極パッド６の表面に押し当て、熱
き超音波によってボール部５を塑性変形させながら圧着
する。ここまでの工程は従来のボールボンディング方式
と同様であり、従来のワイヤーボンダーをそのまま使用
できる。この後、キャピラリー２を所定の高さまで上昇
させると、第４図に示すようになる。圧着されたボール
部５とキャピラリー２の間にワイヤー３が延びている。
この状態でワイヤー３と放電端子４との間で放電を行う
と、ワイヤー３は破線で示す位置において熔断され、第
５図に示す状態となる。熔断部の両側において、それぞ
れワイヤーの先端にボール部が形成され、圧着されたボ
ール部上では突起８となり、キャピラリー２側では新た
なボール部７が形成される。
と、ワイヤー３は破線で示す位置において熔断され、第
５図に示す状態となる。熔断部の両側において、それぞ
れワイヤーの先端にボール部が形成され、圧着されたボ
ール部上では突起８となり、キャピラリー２側では新た
なボール部７が形成される。
バンプ電極を形成すべき電極パッドが一カ所の場合は、
以上の工程でバンプ電極の形成が終了する。複数の電極
パッドにバンプ電極を形成する場合には、第１図〜第５
図の工程に続いて、キャピラリー２を別の電極パット上
に移動させ、第２図〜第５図の工程を繰り返せばよい。
以上の工程でバンプ電極の形成が終了する。複数の電極
パッドにバンプ電極を形成する場合には、第１図〜第５
図の工程に続いて、キャピラリー２を別の電極パット上
に移動させ、第２図〜第５図の工程を繰り返せばよい。
バンプ電極相互の間隔を狭くするときは、キャピラリー
の先端角（第１図においてθ）または先端径（同Ａ）も
しくはワイヤーの直径（同Ｂ）を小さくすればよい。
の先端角（第１図においてθ）または先端径（同Ａ）も
しくはワイヤーの直径（同Ｂ）を小さくすればよい。
以上説明したように、本発明によれば、既存のワイヤー
ボンダーに何ら機構上の変更を加えることなく、シーケ
ンスプログラムの変更のみて一個あるいは複数のバンプ
電極を形成することができる。
ボンダーに何ら機構上の変更を加えることなく、シーケ
ンスプログラムの変更のみて一個あるいは複数のバンプ
電極を形成することができる。
なお、本実施例ではワイヤーの材料きして金を用いたが
、ほかに、アルミニウム、銅等も使用できる。また、バ
ンプ電極を形成する対象も半導体素子の電極に限られず
、プリント基板等の実装基板の導体パターン上にも形成
できる。
、ほかに、アルミニウム、銅等も使用できる。また、バ
ンプ電極を形成する対象も半導体素子の電極に限られず
、プリント基板等の実装基板の導体パターン上にも形成
できる。
発明の効果
上記のように本発明は、ワイヤーボンダーを利用したバ
ンプ電極形成方法であり、新たな設備投資を行うことな
くバンプ電極を形成することができる。
ンプ電極形成方法であり、新たな設備投資を行うことな
くバンプ電極を形成することができる。
第１図〜第５図は本発明一実施例の工程を説明する側面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・キャピラリ
ー、３・・・・・・ワイヤー、４・・・・・・放電端子
、５，７ボ一ル部、６・・・・・・電極パッド、８・・
・・・・突起。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名城
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・キャピラリ
ー、３・・・・・・ワイヤー、４・・・・・・放電端子
、５，７ボ一ル部、６・・・・・・電極パッド、８・・
・・・・突起。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名城
Claims (2)
- （１）キャピラリーの先端に露出したワイヤーの先端に
そのワイヤーの直径より大なる直径を持っボール部を形
成する工程と、前記ボール部を基板上の電極に圧着する
工程と、前記ボール部から延びるワイヤーを前記ボール
部の近傍で熔断し、前記ボール部上に突起を形成する工
程を有するバンプ電極形成方法。 - （２）キャピラリーの先端に露出したワイヤーの先端に
形成された第一のボール部を基板上の第一の電極に圧着
する工程と、前記第一のボール部から延びるワイヤーを
前記第一のボール部の近傍で熔断することにより前記第
一のボール部上に突起を形成すると同時に前記第一のボ
ール部から熔断されたワイヤーの先端に第二のボール部
を形成する工程と、前記第二のボール部を前記基板上の
第二の電極に圧着する工程を有するバンプ電極形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127351A JPH0425026A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | バンプ電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127351A JPH0425026A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | バンプ電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425026A true JPH0425026A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14957782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2127351A Pending JPH0425026A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | バンプ電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425026A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5087278A (ja) * | 1973-12-05 | 1975-07-14 | ||
| JPS50110277A (ja) * | 1974-02-06 | 1975-08-30 | ||
| JPH01227458A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ電極形成方法 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2127351A patent/JPH0425026A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5087278A (ja) * | 1973-12-05 | 1975-07-14 | ||
| JPS50110277A (ja) * | 1974-02-06 | 1975-08-30 | ||
| JPH01227458A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ電極形成方法 |
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