JPH04249360A - 半導体入力保護回路 - Google Patents
半導体入力保護回路Info
- Publication number
- JPH04249360A JPH04249360A JP1412391A JP1412391A JPH04249360A JP H04249360 A JPH04249360 A JP H04249360A JP 1412391 A JP1412391 A JP 1412391A JP 1412391 A JP1412391 A JP 1412391A JP H04249360 A JPH04249360 A JP H04249360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- resistor layer
- silicon resistor
- layer
- surge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体入力保護回路に関
し、特に抵抗層を使用している入力保護回路に関する。
し、特に抵抗層を使用している入力保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体入力保護回路は図２に示す
ように入力パッド１とポリシリコン抵抗層３ａと拡散層
ダイオード７とそれらの間を接続するアルミ配線５，９
及びコンタクト２，４，６，８を半導体チップ１２ａの
表面に設けている。
ように入力パッド１とポリシリコン抵抗層３ａと拡散層
ダイオード７とそれらの間を接続するアルミ配線５，９
及びコンタクト２，４，６，８を半導体チップ１２ａの
表面に設けている。
【０００３】そして外部から入力パッド１に過大なサー
ジ電圧が印加された時に、ポリシリコン抵抗層３ａのも
っている抵抗及び容量による時定数によって内部に入力
するサージの最大電圧を降下させ、次いで拡散ダイオー
ド層７のダイオードの有するなだれ降伏特性によりサー
ジエネルギーを吸収して印加された過大なサージ電圧に
よる内部回路の破壊を防ぐ働きをする。
ジ電圧が印加された時に、ポリシリコン抵抗層３ａのも
っている抵抗及び容量による時定数によって内部に入力
するサージの最大電圧を降下させ、次いで拡散ダイオー
ド層７のダイオードの有するなだれ降伏特性によりサー
ジエネルギーを吸収して印加された過大なサージ電圧に
よる内部回路の破壊を防ぐ働きをする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体入力
保護回路では、過大なサージ電圧により回路を構成する
ポリシリコン抵抗層のサージエネルギーで溶解すること
があるため耐圧特性を向上させることが困難であった。
保護回路では、過大なサージ電圧により回路を構成する
ポリシリコン抵抗層のサージエネルギーで溶解すること
があるため耐圧特性を向上させることが困難であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体入力保護
回路は半導体基板の一主面に入力パッドとポリシリコン
抵抗層と拡散ダイオード層と設けて、それぞれの間をコ
ンタクトまたは導体配線を介して前記前入力パッドに印
加されたサージ電圧が前記拡散ダイオード層から内部回
路に入力するのを抑制する半導体入力保護回路において
、前記ポリシリコン抵抗部の表面に分布的に配置された
複数のアルミ放熱部を備えて構成されている。
回路は半導体基板の一主面に入力パッドとポリシリコン
抵抗層と拡散ダイオード層と設けて、それぞれの間をコ
ンタクトまたは導体配線を介して前記前入力パッドに印
加されたサージ電圧が前記拡散ダイオード層から内部回
路に入力するのを抑制する半導体入力保護回路において
、前記ポリシリコン抵抗部の表面に分布的に配置された
複数のアルミ放熱部を備えて構成されている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例の半導体入力保護回路の平面
図である。半導体入力保護回路は図２の従来のポリシリ
コン抵抗層３ａの表面に独立した複数のアルミ部１１を
分布して設けポリシリコン抵抗層３とコンタクト１０で
熱的に結合している。
。図１は本発明の一実施例の半導体入力保護回路の平面
図である。半導体入力保護回路は図２の従来のポリシリ
コン抵抗層３ａの表面に独立した複数のアルミ部１１を
分布して設けポリシリコン抵抗層３とコンタクト１０で
熱的に結合している。
【０００７】入力パッドに外部より印加された過大なサ
ージ電圧は、従来例の図２について説明したようにパッ
ド１，コンタクト２を通してポリシリコン抵抗層３へと
伝えられる。ポリシリコン抵抗層３の抵抗及び容量によ
る時定数にて過大電圧を降下させ、その電位はコンタク
ト４，アルミ配線５，コンタクト６を通して拡散層７へ
と伝えられる。拡散ダイオード層のなだれ降伏によりさ
らに過大電圧が降下されてコンタクト８，アルミ配線９
を通して内部回路を破壊しない十分低い電圧となり内部
回路へと伝えられる。この時にポリシリコン抵抗層３に
より発生した熱はコンタクト１０，アルミ部１１を介し
て半導体チップの表面に放熱されるので、ポリシリコン
抵抗層３のサージエネルギーによる熱融解は防止でき、
その結果入力保護回路のサージ耐圧は向上する。
ージ電圧は、従来例の図２について説明したようにパッ
ド１，コンタクト２を通してポリシリコン抵抗層３へと
伝えられる。ポリシリコン抵抗層３の抵抗及び容量によ
る時定数にて過大電圧を降下させ、その電位はコンタク
ト４，アルミ配線５，コンタクト６を通して拡散層７へ
と伝えられる。拡散ダイオード層のなだれ降伏によりさ
らに過大電圧が降下されてコンタクト８，アルミ配線９
を通して内部回路を破壊しない十分低い電圧となり内部
回路へと伝えられる。この時にポリシリコン抵抗層３に
より発生した熱はコンタクト１０，アルミ部１１を介し
て半導体チップの表面に放熱されるので、ポリシリコン
抵抗層３のサージエネルギーによる熱融解は防止でき、
その結果入力保護回路のサージ耐圧は向上する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によりポリ
シリコン抵抗層の放熱効果を高めることにより、ポリシ
リコン抵抗層の溶断が発生しづらくなるので半導体入力
保護回路のサージ耐圧を高めるという効果がある。
シリコン抵抗層の放熱効果を高めることにより、ポリシ
リコン抵抗層の溶断が発生しづらくなるので半導体入力
保護回路のサージ耐圧を高めるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】従来の半導体入力保護回路の一例の平面図であ
る。
る。
１ 入力パッド
２，４ アルミとポリシリコンのコンタクト３
ポリシリコン抵抗層 ５，９ アルミ配線 ６，８ アルミと拡散ダイオード層のコンタクト
７ 拡散ダイオード層 １０ コンタクト １１ アルミ部 １２ 半導体チップ
ポリシリコン抵抗層 ５，９ アルミ配線 ６，８ アルミと拡散ダイオード層のコンタクト
７ 拡散ダイオード層 １０ コンタクト １１ アルミ部 １２ 半導体チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面に入力パッドとポ
リシリコン抵抗層と拡散ダイオード層と設けて、それぞ
れの間をコンタクトまたは導体配線を介して前記前入力
パッドに印加されたサージ電圧が前記拡散ダイオード層
から内部回路に入力するのを抑制する半導体入力保護回
路において、前記ポリシリコン抵抗層の表面に分布的に
配置された複数のアルミ放熱部を備えることを特徴とす
る半導体入力保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1412391A JPH04249360A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 半導体入力保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1412391A JPH04249360A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 半導体入力保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249360A true JPH04249360A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=11852352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1412391A Pending JPH04249360A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 半導体入力保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04249360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017506433A (ja) * | 2014-02-14 | 2017-03-02 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 集積回路抵抗器のための熱金属グラウンド |
-
1991
- 1991-02-05 JP JP1412391A patent/JPH04249360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017506433A (ja) * | 2014-02-14 | 2017-03-02 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 集積回路抵抗器のための熱金属グラウンド |
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