JPH04248483A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH04248483A
JPH04248483A JP3011808A JP1180891A JPH04248483A JP H04248483 A JPH04248483 A JP H04248483A JP 3011808 A JP3011808 A JP 3011808A JP 1180891 A JP1180891 A JP 1180891A JP H04248483 A JPH04248483 A JP H04248483A
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JP
Japan
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input
buffer
signal
state
output
Prior art date
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JP3011808A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Nishimori
西森 弘明
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/31712Input or output aspects
    • GPHYSICS
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    • G01R31/2844Fault-finding or characterising using test interfaces, e.g. adapters, test boxes, switches, PIN drivers
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関し
、特に、半導体集積回路の試験を効率よく行なうための
回路構成に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の試験としては各種の試
験があるが、その中の一つとして、出力バッファのDC
特性の試験がある。
【0003】この出力バッファのDC特性の試験回路に
ついて、従来の試験回路の一例を、トライステート出力
バッファを用いた半導体集積回路を例にして説明する。
【0004】図3は、従来の試験回路を示す回路図であ
る。
【0005】この試験回路では、トライステート出力バ
ッファ1のDC特性を試験する場合に、テストモード(
以後TSTと記す)入力端子2に外部からTST信号を
入力すると、内部ロジック回路(図示せず)からの論理
信号Qおよびコントロール信号Cがトライステート出力
バッファ1から切り離され、その替り、外部からテスト
データ(以後TSTDと記す)信号及びテストバッファ
コントロール(以後TSTCと記す)信号が、TSTD
入力端子3およびTSTC入力端子4を介してトライス
テート出力バッファ1に入力される。
【0006】そして、この2つの信号(TSTD信号お
よびTSTC信号)の組み合せによって、信号出力端子
5の状態を「論理1」,「論理0」および「HZ」(ハ
イインピーダンス)のいずれかに自由に設定できる。
【0007】この試験回路は、図3に示すように、2ー
1マルチプレクサ6をトライステート出力バッファ1の
前段に置いている。この場合、2ー1マルチプレクサ6
は、内部ロジック回路からの論理信号QとTSTD信号
のいずれか一方を、TST信号で選択して出力する。
【0008】又、2ー1マルチプレクサ7をトライステ
ート出力バッファ1のコントロール部の前段に設けてい
る。この2ー1マルチプレクサ7は、内部ロジック回路
からのコントロール信号CとTSTC入力信号のいずれ
か一方を、TST信号で選択して出力する。
【0009】尚、2ー1マルチプレクサ6及び7は、例
えば、図4に示すように、2つの2入力AND回路8お
よび9と2入力OR回路10とインバータ11とからな
っている。
【0010】そして、AND回路8の一方の入力部には
データ信号D1 が入力され、他方の入力部には制御信
号Aが入力されている。又、もう一つのAND回路9で
は、一方の入力部にデータ信号D2 が入力され、他方
の入力部には制御信号Aの反転信号が入力されている。
【0011】2つのAND回路8および9の出力は、2
入力OR回路10のそれぞれの入力になっている。
【0012】上記のマルチプレクサでは、制御信号Aが
「論理1」の時、出力端子12には入力のデータ信号D
1 が出力信号Oとして出力され、制御信号Aが「論理
0」の時はデータ信号D2 が出力される。
【0013】ところで、一般に半導体集積回路において
は、信号出力端子5の状態を、内部ロジック回路からの
論理信号Qおよびコントロール信号Cで設定しようとす
ると非常に多数のテストパターンを走らせなければなら
ず、トライステート出力バッファ1のDC特性試験には
多大の工数を要する。
【0014】しかし、上記のような構成の試験回路によ
れば、信号出力端子5の状態をTST信号,TSTD信
号およびTSTC信号によって、下に示す真理値表に従
った状態に自由にしかも容易に設定することができるの
で、トライステート出力バッファ1のDC特性を極めて
容易に試験することができる。
【0015】
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の試験回
路を持つ半導体集積回路では、出力バッファ(上述の例
ではトライステート出力バッファ1)と内部ロジック回
路との切り離しをマルチプレクサ6および7を用いて行
なっている。
【0017】このため、通常のモード(TST信号が「
論理0」の場合)では、内部ロジック回路からの論理信
号Qが信号出力端子5に出力されるまでに、マルチプレ
クサ1段分のディレイが加わって信号の伝搬時間が遅く
なってしまうという問題がある。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、外部の負荷を駆動する出力バッファと、この出力バ
ッファの前段に設けられて内部の論理回路からの論理信
号を前記出力バッファに出力するトライステートバッフ
ァと、前記出力バッファの前段に設けられて外部からの
テスト信号を前記出力バッファに出力するトライステー
ト入力バッファとを含み、前記出力バッファの入力部と
前記トライステートバッファの出力部と前記トライステ
ート入力バッファの出力部とが接続され、前記トライス
テートバッファは、データ信号入力部に前記論理信号が
入力され、コントロール信号入力部に外部からの制御信
号が入力され、前記トライステート入力バッファは、デ
ータ信号入力部に前記外部からのテスト信号が入力され
、コントロール信号入力部に前記外部からの制御信号が
入力され、前記トライステートバッファの出力状態と前
記トライステート入力バッファの出力状態とが前記外部
からの制御信号によって相反するように制御されること
によって、前記出力バッファの入力部に、前記内部の論
理回路からの論理信号および前記外部からのテスト信号
のいずれか一方が、前記トライステートバッファの出力
状態および前記トライステート入力バッファの出力状態
に応じて選択されて入力されることを特徴とする。
【0019】
【実施例】次に本発明の最適な実施例について、図面を
参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例の回
路構成を示す回路図である。
【0020】本実施例においては、内部ロジック回路か
らの論理信号Qがトライステートバッファ13に入力さ
れ、このトライステートバッファ13の出力がトライス
テート出力バッファ1に入力されている。
【0021】トライステート出力バッファ1の入力部に
は又、TSTD信号がトライステート入力バッファ14
を介して入力されている。
【0022】又、内部ロジック回路からのコントロール
信号Cは、トライステートバッファ15に入力され、こ
のトライステートバッファ15の出力がトライステート
出力バッファ1のコントロール部に入力されている。
【0023】トライステート出力バッファ1のコントロ
ール部には又、TSTC信号がトライステート入力バッ
ファ16を介して入力されている。
【0024】そして、上記の2つのトライステート入力
バッファ14および16のそれぞれのコントロール部に
はTST信号が入力バッファ17を介して入力されてお
り、又その反転信号がトライステートバッファ13およ
び15のコントロール部に入力されている。
【0025】以下に、本実施例の動作について述べる。
【0026】内部ロジック回路からの論理信号Qおよび
コントロール信号Cは、トライステートバッファ13及
び15がTST信号によりハイインピーダンスになると
、トライステート出力バッファ1から切り離される。
【0027】そして、トライステート出力バッファ1が
TSTD信号とTSTC信号によって制御可能となり、
DC試験を行なうことができる。
【0028】一方、2つのトライステート入力バッファ
14及び16がTST信号によってハイインピーダンス
になることによって、内部ロジック回路からの論理信号
Qおよびコントロール信号Cがトライステート出力バッ
ファ1と接続されて、信号出力端子5に信号が出力され
、通常の動作モードとなる。
【0029】以上述べたように、本実施例では、内部ロ
ジック回路とトライステート出力バッファとの切り離し
にマルチプレクサを用いていないので、通常動作時には
内部ロジック回路からの論理信号Qがこのマルチプレク
サで遅延することがなく、信号伝搬時間が短縮される。
【0030】一例として、マルチプレクサを用いた従来
の半導体集積回路の信号伝搬時間が2.3nsecであ
ったものが、本実施例では1.5nsecであった。
【0031】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
【0032】図2は、本発明を、双方向の入出力バッフ
ァに適用した第2の実施例の回路図である。
【0033】この第2の実施例は、図1に示す第1の実
施例に、入力バッファ18および3入力OR回路19が
付加されている。
【0034】本実施例では、トライステート出力バッフ
ァ1の動作に加えて、TST入力端子2へのテストモー
ド信号が「論理1」の時、下に示す真理値表のように、
3入力OR回路19が「論理1」となって内部ロジック
回路への入力信号Yが「論理1」となる。
【0035】そして、TSTC入力端子4への信号によ
ってトライステート出力バッファ1を「HZ」(ハイイ
ンピーダンス)にすることにより、トライステート出力
バッファ1と入力バッファ18とから構成される入出力
バッファが入力モードとなるので、入力モードでのDC
試験が実施可能となる。
【0036】
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、半導
体集積回路の出力バッファのDC試験を行なう時に必要
となる内部ロジック回路と出力バッファとの切り離しを
、従来マルチプレクサによって行なっていたものをトラ
イステートバッファで行なっている。
【0038】従って、本発明によれば、従来、通常動作
時に内部ロジック回路からの信号がマルチプレクサを通
過することによって発生していた信号伝搬の遅延を無く
することができ、外部への信号伝搬遅延時間を短縮する
ことができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。
【図2】本発明の第2の実例例の回路図である。
【図3】従来の試験回路の回路図である。
【図4】従来の試験回路のマルチプレクサの回路図であ
る。
【符号の説明】
1    トライステート出力バッファ2    テス
トモード入力端子 3    テストデータ入力端子 4    テストバッファコントロール入力端子5  
  信号出力端子 6,7    マルチプレクサ 8,9    AND回路 10,19    OR回路 11    インバータ 12    出力端子 13,15    トライステートバッファ14,16
    トライステート入力バッファ17,18   
 入力バッファ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  外部の負荷を駆動する出力バッファと
    、この出力バッファの前段に設けられて内部の論理回路
    からの論理信号を前記出力バッファに出力するトライス
    テートバッファと、前記出力バッファの前段に設けられ
    て外部からのテスト信号を前記出力バッファに出力する
    トライステート入力バッファとを含み、前記出力バッフ
    ァの入力部と前記トライステートバッファの出力部と前
    記トライステート入力バッファの出力部とが接続され、
    前記トライステートバッファは、データ信号入力部に前
    記論理信号が入力され、コントロール信号入力部に外部
    からの制御信号が入力され、前記トライステート入力バ
    ッファは、データ信号入力部に前記外部からのテスト信
    号が入力され、コントロール信号入力部に前記外部から
    の制御信号が入力され、前記トライステートバッファの
    出力状態と前記トライステート入力バッファの出力状態
    とが前記外部からの制御信号によって相反するように制
    御されることによって、前記出力バッファの入力部に、
    前記内部の論理回路からの論理信号および前記外部から
    のテスト信号のいずれか一方が、前記トライステートバ
    ッファの出力状態および前記トライステート入力バッフ
    ァの出力状態に応じて選択されて入力されることを特徴
    とする半導体集積回路。
JP3011808A 1991-02-01 1991-02-01 半導体集積回路 Pending JPH04248483A (ja)

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JP3011808A JPH04248483A (ja) 1991-02-01 1991-02-01 半導体集積回路
US07/824,217 US5206584A (en) 1991-02-01 1992-01-22 Test circuit for testing a three-state output buffer gate in a semiconductor integrated circuit

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JP3011808A JPH04248483A (ja) 1991-02-01 1991-02-01 半導体集積回路

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JPH04248483A true JPH04248483A (ja) 1992-09-03

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ID=11788133

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JP3011808A Pending JPH04248483A (ja) 1991-02-01 1991-02-01 半導体集積回路

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US5206584A (en) 1993-04-27

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