JPH0424642A - 密着露光方法 - Google Patents
密着露光方法Info
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- JPH0424642A JPH0424642A JP2129752A JP12975290A JPH0424642A JP H0424642 A JPH0424642 A JP H0424642A JP 2129752 A JP2129752 A JP 2129752A JP 12975290 A JP12975290 A JP 12975290A JP H0424642 A JPH0424642 A JP H0424642A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
特に透明導電フィルムのような薄い基板のホトリソグラ
フィにおける密着露光方法に関し、基板には真空吸着の
影響を与えずにガラスマスクを均一に密着させることを
目的とし、表面に吸引孔が開口したステージの上に支持
板を配設し、前記ステージの上に、弾性体からなる枠状
の封止部材を気密可能に、かつ支持板を取り囲むように
載置し、前記支持板の上にホトレジストが被着された基
板を載せ、前記封止部材の上にカラスマスクを気密可能
に架設して気密空間となし、前記吸引孔から気密空間を
真空に排気した際、ガラスマスクが垂下して基板に密着
するように構成する。
フィにおける密着露光方法に関し、基板には真空吸着の
影響を与えずにガラスマスクを均一に密着させることを
目的とし、表面に吸引孔が開口したステージの上に支持
板を配設し、前記ステージの上に、弾性体からなる枠状
の封止部材を気密可能に、かつ支持板を取り囲むように
載置し、前記支持板の上にホトレジストが被着された基
板を載せ、前記封止部材の上にカラスマスクを気密可能
に架設して気密空間となし、前記吸引孔から気密空間を
真空に排気した際、ガラスマスクが垂下して基板に密着
するように構成する。
本発明は、ホトリソグラフィにおける密着露光方法に係
わり、特に透明導電フィルムのような薄い基板に精度よ
くマスクパターンを露光する方法に関する。
わり、特に透明導電フィルムのような薄い基板に精度よ
くマスクパターンを露光する方法に関する。
近年、いろいろな入出力機器、例えばLCDのような表
示装置とか、タッチパネルのような入力装置などの電極
材料には透明導電膜がよく用いられる。
示装置とか、タッチパネルのような入力装置などの電極
材料には透明導電膜がよく用いられる。
この透明導電膜としてよく用いられるのはITO(In
dium Tin 0xide)膜て、ガラスに被着
されると透明導電膜ガラス、フィルムに被着されると透
明導電フィルムなどと呼ばれている。
dium Tin 0xide)膜て、ガラスに被着
されると透明導電膜ガラス、フィルムに被着されると透
明導電フィルムなどと呼ばれている。
透明導電ガラスは、基板が平滑なカラス板なので、例え
ばホトリソグラフィによって比較的容易に高精度のパタ
ーン形成ができる。
ばホトリソグラフィによって比較的容易に高精度のパタ
ーン形成ができる。
しかし、透明導電フィルムの場合には、基板が一般には
薄いフィルムなので、平滑ではあっても腰が弱くて平面
上に保持し難い。従って、ホトリソグラフィによる高精
度のパターン形成に際しては、それなりの工夫が施され
ている。
薄いフィルムなので、平滑ではあっても腰が弱くて平面
上に保持し難い。従って、ホトリソグラフィによる高精
度のパターン形成に際しては、それなりの工夫が施され
ている。
透明導電膜であるITO膜をパターニングするには、よ
(知られたホトリソグラフィが多用されている。すなわ
ち、まず、ITO膜にホトレジストを被着するレジスト
塗布工程と、次いでそのホトレジストにマスクを用いて
パターンを焼き付ける露光工程と、次いでネカティブレ
ジストなら露光されない部分、ポジティプレシストなら
露光された部分を溶かして除去する現像工程と、次いで
露出したITO膜を溶かして除去するエツチング工程と
、最後に残ったホトレジストを除去する剥離工程とによ
って行われる。
(知られたホトリソグラフィが多用されている。すなわ
ち、まず、ITO膜にホトレジストを被着するレジスト
塗布工程と、次いでそのホトレジストにマスクを用いて
パターンを焼き付ける露光工程と、次いでネカティブレ
ジストなら露光されない部分、ポジティプレシストなら
露光された部分を溶かして除去する現像工程と、次いで
露出したITO膜を溶かして除去するエツチング工程と
、最後に残ったホトレジストを除去する剥離工程とによ
って行われる。
ITO膜を精度よくパターニングするには、これらの何
れの工程も重要であるが、透明導電フィルムの場合には
基板が腰の弱いフィルムなので、特に露光工程が重要で
ある。
れの工程も重要であるが、透明導電フィルムの場合には
基板が腰の弱いフィルムなので、特に露光工程が重要で
ある。
第3図は従来の密着露光方法の一例の構成図、第4図は
第3図の一部拡大断面図である。
第3図の一部拡大断面図である。
図中、1はステージ、4は基板、5はカラスマスク、7
は光源である。
は光源である。
ステージ1は平滑な盤で、表面に複数個の真空吸着用の
吸引孔1aが開口しており、図示してない真空排気系に
接続されている。
吸引孔1aが開口しており、図示してない真空排気系に
接続されている。
基板4は、こ\では透明導電フィルムで、例えば膜厚8
0μmのポリエステルフィルムのヘース4cにITO膜
からなる透明導電膜4bが被着されている。そして、露
光に際しては、レジスト膜4aがローラ塗布法などによ
って、予め透明導電膜4bに被着されている。
0μmのポリエステルフィルムのヘース4cにITO膜
からなる透明導電膜4bが被着されている。そして、露
光に際しては、レジスト膜4aがローラ塗布法などによ
って、予め透明導電膜4bに被着されている。
ガラスマスク5は、ガラス基板の上に銀塩のゼラチン膜
とか金属クロム膜にマスクパターン5aが形成されたも
のが一般的である。
とか金属クロム膜にマスクパターン5aが形成されたも
のが一般的である。
光源7は、レジスト膜4aの種類にもよるか、紫外線を
発する水銀灯などが用いられる。
発する水銀灯などが用いられる。
ステージ1の上にレジスト膜4aを上向きにした基板4
を載せ、吸引孔1aから真空吸着して基板4を固定する
。そして、その基板4の上にマスクパターン5aがレジ
スト膜4aと密着するようにカラスマスク5を載せるの
で、この露光方法が密着露光法といわれる所以である。
を載せ、吸引孔1aから真空吸着して基板4を固定する
。そして、その基板4の上にマスクパターン5aがレジ
スト膜4aと密着するようにカラスマスク5を載せるの
で、この露光方法が密着露光法といわれる所以である。
この密着露光法においては、基板4に被着されたレジス
ト膜4aとマスクパターン5aとが均一に密着すること
が、精度のよいパターニングの前提となっている。
ト膜4aとマスクパターン5aとが均一に密着すること
が、精度のよいパターニングの前提となっている。
こうして、光源7から所定の光量を所定の時間露光すれ
ばよい。
ばよい。
ところで、基板が通常のプリント板とかウェーハといっ
た平滑で剛性のある材料であれば、ステージに載せて真
空吸着すると、ステージの表面の平面性に馴染んで平面
に支持される。
た平滑で剛性のある材料であれば、ステージに載せて真
空吸着すると、ステージの表面の平面性に馴染んで平面
に支持される。
しかし、透明導電フィルムからなる基板の場合には、ス
テージに載せて真空吸着すると、基板の腰が弱いために
プリント板などのような訳にはいかない。
テージに載せて真空吸着すると、基板の腰が弱いために
プリント板などのような訳にはいかない。
第4図において、透明導電フィルムからなる基板4をス
テージlに載せて吸引孔1aから真空吸着すると、当然
のことながら基板4が吸引孔1aの方向に引っ張られる
。そして、基板4の腰が弱いために吸引孔1aの形状に
膨らんで、カラスマスク5との間に隙間ができてパター
ニングの精度が悪くなる問題があった。
テージlに載せて吸引孔1aから真空吸着すると、当然
のことながら基板4が吸引孔1aの方向に引っ張られる
。そして、基板4の腰が弱いために吸引孔1aの形状に
膨らんで、カラスマスク5との間に隙間ができてパター
ニングの精度が悪くなる問題があった。
また、吸着を止めても基板4にその跡が残ってしまうこ
とが間々起こり、基板4が損傷してしまう問題があった
。
とが間々起こり、基板4が損傷してしまう問題があった
。
そこで本発明は、基板には真空吸着の影響を与えず、ガ
ラスマスクを真空によって垂下させ、基板に均一に密着
させてなる密着露光方法を提供することを目的としてい
る。
ラスマスクを真空によって垂下させ、基板に均一に密着
させてなる密着露光方法を提供することを目的としてい
る。
上で述べた課題は、
表面に吸引孔が開口したステージの上に支持板を配設し
、 前記ステージの上に、弾性体からなる枠状の封止部材を
気密可能に、かつ支持板を取り囲むように載置し、 前記支持板の上にホトレジストが被着された基板を載せ
、 前記封止部材の上にガラスマスクを気密可能に架設して
気密空間となし、 前記吸引孔から気密空間を真空に排気した際、ガラスマ
スクが垂下して基板に密着するように構成された露光装
置の基板支持方法によって解決される。
、 前記ステージの上に、弾性体からなる枠状の封止部材を
気密可能に、かつ支持板を取り囲むように載置し、 前記支持板の上にホトレジストが被着された基板を載せ
、 前記封止部材の上にガラスマスクを気密可能に架設して
気密空間となし、 前記吸引孔から気密空間を真空に排気した際、ガラスマ
スクが垂下して基板に密着するように構成された露光装
置の基板支持方法によって解決される。
以上述べたように、透明導電フィルムのような薄い基板
を真空吸着すると損傷することが間々起こるのに対して
、本発明において、基板に真空吸引による影響が及ばな
いようにしている。
を真空吸着すると損傷することが間々起こるのに対して
、本発明において、基板に真空吸引による影響が及ばな
いようにしている。
すなわち、基板は支持板に載せて置き、その支持板と基
板を覆うように封止部材とガラスマスクとで気密空間を
形成させるようにしている。そして、気密空間を真空に
すると、ガラスマスクが垂下して支持板に載っている基
板に密着するようにしている。
板を覆うように封止部材とガラスマスクとで気密空間を
形成させるようにしている。そして、気密空間を真空に
すると、ガラスマスクが垂下して支持板に載っている基
板に密着するようにしている。
こうすると、基板にはガラスマスクが上から水平に当接
して密着し、基板に何ら損傷を与えるような外力が加わ
らない。
して密着し、基板に何ら損傷を与えるような外力が加わ
らない。
こうして、透明導電フィルムのような薄い基板を均一に
ガラスマスクを密着させることができるので、精度のよ
い密着露光が可能となる。
ガラスマスクを密着させることができるので、精度のよ
い密着露光が可能となる。
第1図は本発明の実施例の分解斜視図、第2図は第1図
の断面図で、同図(A)は露光前、同図(B)は露光中
である。
の断面図で、同図(A)は露光前、同図(B)は露光中
である。
図中、■はステージ、1aは吸引孔、2は支持板、3は
封止部材、4は基板、5はガラスマスク、6は気密空間
である。
封止部材、4は基板、5はガラスマスク、6は気密空間
である。
第1図〜第2図において、ステージ1は、通常の露光装
置の載置台である。
置の載置台である。
支持板2は、表面が平面仕上げされた金属板とかガラス
板で、表面で光が反射しないように黒染めや塗装などに
よって黒化処理されている。厚さは特に問わないが、例
えば10mmである。
板で、表面で光が反射しないように黒染めや塗装などに
よって黒化処理されている。厚さは特に問わないが、例
えば10mmである。
ステージ1の表面の、支持板2を載置した際に支持板2
が掛からない位置には、吸引孔1aが開口しており、図
示してない真空排気系によって真空排気できるようにな
っている。
が掛からない位置には、吸引孔1aが開口しており、図
示してない真空排気系によって真空排気できるようにな
っている。
封止部材3は、例えば硬度の低いゴムとか透気性の小さ
いスポンジなどの弾性体からなる枠形状をなし、支持板
2を十分囲う大きさで、支持板2よりも厚めになってい
る。支持板2がlom mならば、封止部材3の厚さは
例えば10.5m mとする。
いスポンジなどの弾性体からなる枠形状をなし、支持板
2を十分囲う大きさで、支持板2よりも厚めになってい
る。支持板2がlom mならば、封止部材3の厚さは
例えば10.5m mとする。
基板4はITO膜からなる透明導電膜が被着された透明
導電フィルムで、例えば厚さ80μmのポリエステルフ
ィルムがベースになっている。そして、予め透明導電膜
の上にレジスト膜4aが、例えばロール塗工なとによっ
て設けられている。
導電フィルムで、例えば厚さ80μmのポリエステルフ
ィルムがベースになっている。そして、予め透明導電膜
の上にレジスト膜4aが、例えばロール塗工なとによっ
て設けられている。
ガラスマスク5は、基板4が例えばA4判といった大き
な寸法の場合には、例えば厚さが5mmのガラス板が用
いられ、面積は封止部材3の上に載っかる大きさである
。マスクパターン5aはエマルジョンマスクでもクロム
マスクでもよい。
な寸法の場合には、例えば厚さが5mmのガラス板が用
いられ、面積は封止部材3の上に載っかる大きさである
。マスクパターン5aはエマルジョンマスクでもクロム
マスクでもよい。
露光に際しては、ステージlに支持板2を載置し、その
支持板2を囲むようにして気密可能に封止部材3を配設
する。
支持板2を囲むようにして気密可能に封止部材3を配設
する。
支持板2の上には、基板4をレジスト膜4a面を上にし
て載せ、封止部材3にはガラスマスク5をマスクパター
ン5a面を下にして架は渡すように気密可能に載せる。
て載せ、封止部材3にはガラスマスク5をマスクパター
ン5a面を下にして架は渡すように気密可能に載せる。
そうすると第2図(A)に示したように、ステージ1と
封止部材3とカラスマスク5とで気密空間6が形成され
る。
封止部材3とカラスマスク5とで気密空間6が形成され
る。
ステージ1に封止部材3を気密可能に配設し、封止部材
3にガラスマスク5を気密可能に載せると述べたが、こ
の気密可能は極端に隙間か開くような置き方でなければ
、吸引孔1aから真空排気されれば、大気圧によってガ
ラスマスク5が圧下し自発的に気密封止される。
3にガラスマスク5を気密可能に載せると述べたが、こ
の気密可能は極端に隙間か開くような置き方でなければ
、吸引孔1aから真空排気されれば、大気圧によってガ
ラスマスク5が圧下し自発的に気密封止される。
こうして、吸引孔1aから気密空間6を真空排気すれば
、ガラスマスク5が封止部材3を圧下しながら垂下し、
第2図(B)に示したように、基板4のレジスト膜4a
カラスマスク5のマスクパターン5aとが均一に密着す
る。この状態で露光を行えば、精度のよい密着露光がで
きる。
、ガラスマスク5が封止部材3を圧下しながら垂下し、
第2図(B)に示したように、基板4のレジスト膜4a
カラスマスク5のマスクパターン5aとが均一に密着す
る。この状態で露光を行えば、精度のよい密着露光がで
きる。
露光が終わったら出力排気を解けば、カラスマスク5は
封止部材3によって弾発的に浮き上かって、一連の露光
工程が終了する。
封止部材3によって弾発的に浮き上かって、一連の露光
工程が終了する。
支持板や封止部材の寸法関係や材料には、種々の変形が
可能である。
可能である。
以上述べたように、透明導電フィルムからなる基板をス
テージに載せて真空吸着する従来の方法においては、基
板の腰が弱いために吸引孔に引っ張られて膨らんでしま
い、ガラスマスクとの間に隙間ができてパターニングの
精度が悪くなったり、その跡が残ってしまうことが間々
起こったのに対して、本発明においては、基板には真空
吸着の影響を与えずにガラスマスクを基板に均一に密着
させることができる。
テージに載せて真空吸着する従来の方法においては、基
板の腰が弱いために吸引孔に引っ張られて膨らんでしま
い、ガラスマスクとの間に隙間ができてパターニングの
精度が悪くなったり、その跡が残ってしまうことが間々
起こったのに対して、本発明においては、基板には真空
吸着の影響を与えずにガラスマスクを基板に均一に密着
させることができる。
従って、本発明は、各種入出力機器に今後ますます利用
が期待されている透明導電フィルムの高精度パターニン
グに寄与するところが大である。
が期待されている透明導電フィルムの高精度パターニン
グに寄与するところが大である。
第1図は本発明の実施例の分解斜視図、第2図は第1図
の断面図、 第3図は従来の密着露光方法の一例の構成図、第4図は
第3図の一部拡大断面図、 である。 図において、 1はステージ、 2は支持板、 4は基板、 6は気密空間、 である。 1aは吸引孔、 3は封止部材、 5はガラスマスク、 オ(発ザ月の突7iff14列の釣−1保」視囲第
1 図 (A)!光荊 (B)露光中 第1図の断面図 第 2 図 4L+鮫のγ1露光方法の一イ列の構成図星 3 図 第3図の一部才広太y!T預且刀 第 4 図
の断面図、 第3図は従来の密着露光方法の一例の構成図、第4図は
第3図の一部拡大断面図、 である。 図において、 1はステージ、 2は支持板、 4は基板、 6は気密空間、 である。 1aは吸引孔、 3は封止部材、 5はガラスマスク、 オ(発ザ月の突7iff14列の釣−1保」視囲第
1 図 (A)!光荊 (B)露光中 第1図の断面図 第 2 図 4L+鮫のγ1露光方法の一イ列の構成図星 3 図 第3図の一部才広太y!T預且刀 第 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面に吸引孔(1a)が開口したステージ(1)の上に
支持板(2)を配設し、 前記ステージ(1)の上に、弾性体からなる枠状の封止
部材(3)を気密可能に、かつ前記支持板(2)を取り
囲むように載置し、 前記支持板(2)の上にホトレジストが被着された基板
(4)を載せ、 前記封止部材(3)の上にガラスマスク(5)を気密可
能に架設して気密空間(6)となし、 前記吸引孔(1a)から前記気密空間(6)を真空に排
気した際、前記ガラスマスク(5)が垂下して前記基板
(4)に密着する ことを特徴とする密着露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2129752A JPH0424642A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 密着露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2129752A JPH0424642A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 密着露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0424642A true JPH0424642A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=15017323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2129752A Pending JPH0424642A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 密着露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0424642A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100840236B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 헐레이션을 방지할 수 있는 노광 장치 |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP2129752A patent/JPH0424642A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100840236B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 헐레이션을 방지할 수 있는 노광 장치 |
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