JPH04240755A - 半導体装置の樹脂ばり除去方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂ばり除去方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の樹脂ばり除
去方法に関し、特にヒートシンクをダイパッド裏面に取
付けた樹脂封止型半導体装置の樹脂ばりの除去方法に関
する。
去方法に関し、特にヒートシンクをダイパッド裏面に取
付けた樹脂封止型半導体装置の樹脂ばりの除去方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ここ数年来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装
置は高速、高集積化が要求され、それに伴ない半導体装
置用パッケージは低熱抵抗、多ピン、小型化が求められ
る様になってきた。これまで、これらの要求に応えられ
るパッケージとして、セラミックＰＧＡがこの分野をリ
ードしてきた。しかしながら、このセラミックＰＧＡは
高価格という問題を抱えており、最近になり、セラミッ
クＰＧＡの低熱抵抗および樹脂封止型パッケージの低価
格という両者の長所を合わせもつパッケージ、すなわち
ヒートシンクをダイパッド裏面に取付けた構造の樹脂封
止型半導体装置（以下、ヒートシンク付モールドＩＣと
略す）が開発されてきた。
置は高速、高集積化が要求され、それに伴ない半導体装
置用パッケージは低熱抵抗、多ピン、小型化が求められ
る様になってきた。これまで、これらの要求に応えられ
るパッケージとして、セラミックＰＧＡがこの分野をリ
ードしてきた。しかしながら、このセラミックＰＧＡは
高価格という問題を抱えており、最近になり、セラミッ
クＰＧＡの低熱抵抗および樹脂封止型パッケージの低価
格という両者の長所を合わせもつパッケージ、すなわち
ヒートシンクをダイパッド裏面に取付けた構造の樹脂封
止型半導体装置（以下、ヒートシンク付モールドＩＣと
略す）が開発されてきた。
【０００３】従来、このヒートシンク付モールドＩＣは
、図５に示す構造図の様に、ダイパッド１の表面２にダ
イボンディングされかつリードフレーム１６にワイヤ１
５で接続された半導体素子３を、トランスファー成形法
によりエポキシ樹脂４で樹脂封止したパッケージ５に、
ヒートシンク１０をダイパッド裏面６にシリコン樹脂１
１で接着した構造を有している。また、ヒートシンク付
モールドＩＣ１３ａの作動時に半導体素子３で発生する
熱は、主にダイパッド２を通りヒートシンク１０に伝導
することで放熱されている。
、図５に示す構造図の様に、ダイパッド１の表面２にダ
イボンディングされかつリードフレーム１６にワイヤ１
５で接続された半導体素子３を、トランスファー成形法
によりエポキシ樹脂４で樹脂封止したパッケージ５に、
ヒートシンク１０をダイパッド裏面６にシリコン樹脂１
１で接着した構造を有している。また、ヒートシンク付
モールドＩＣ１３ａの作動時に半導体素子３で発生する
熱は、主にダイパッド２を通りヒートシンク１０に伝導
することで放熱されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のヒートシン
ク付モールドＩＣ１３ａでは、ダイパッド裏面６にトラ
ンスファー成形法による樹脂封止工程において、通常、
最大厚さ部分で０．１〜０．３ｍｍ程度の樹脂ばり７が
凹面状に発生する。この樹脂ばり７上にヒートシンク１
０を接着した場合、ダイパッド裏面６とヒートシンク１
０との間隙は最低でも樹脂ばり７の厚さとなるが、熱抵
抗はこの厚さに比例して大きくなるので、熱伝導度の小
さいエポキシ樹脂（約１６×１０−４ｃａｌ／ｃｍ・ｓ
ｅｃ・℃）とシリコン樹脂（約２２×１０−４ｃａｌ／
ｃｍ・ｓｅｃ・℃）がダイパッド裏面６とヒートシンク
１０との間に存在することは、ヒートシンク付モールド
ＩＣ１３ａの熱抵抗をかなり大きくすることになり、消
費電力の大きいＩＣに対しては問題となっていた。
ク付モールドＩＣ１３ａでは、ダイパッド裏面６にトラ
ンスファー成形法による樹脂封止工程において、通常、
最大厚さ部分で０．１〜０．３ｍｍ程度の樹脂ばり７が
凹面状に発生する。この樹脂ばり７上にヒートシンク１
０を接着した場合、ダイパッド裏面６とヒートシンク１
０との間隙は最低でも樹脂ばり７の厚さとなるが、熱抵
抗はこの厚さに比例して大きくなるので、熱伝導度の小
さいエポキシ樹脂（約１６×１０−４ｃａｌ／ｃｍ・ｓ
ｅｃ・℃）とシリコン樹脂（約２２×１０−４ｃａｌ／
ｃｍ・ｓｅｃ・℃）がダイパッド裏面６とヒートシンク
１０との間に存在することは、ヒートシンク付モールド
ＩＣ１３ａの熱抵抗をかなり大きくすることになり、消
費電力の大きいＩＣに対しては問題となっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のヒートシンク付
モールドＩＣの樹脂ばり除去方法は、窪み部となってい
るダイパッド裏面６に樹脂封止工程で発生した樹脂ばり
７を、超高圧ウォータージェットによるウェットホーニ
ング法により除去する方法である。
モールドＩＣの樹脂ばり除去方法は、窪み部となってい
るダイパッド裏面６に樹脂封止工程で発生した樹脂ばり
７を、超高圧ウォータージェットによるウェットホーニ
ング法により除去する方法である。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００７】図１は本発明の実施例１のヒートシンク付
モールドＩＣの樹脂ばり除去方法を示す構成図である。 本実施例は、ダイパッド１の表面２にダイボンディング
されかつリードフレーム１６にワイヤ１５で接続された
半導体素子３を、トランスファー成形法によりエポキシ
樹脂４で樹脂封止し、この樹脂封止したパッケージ５の
ダイパッド裏面６に発生したエポキシ樹脂による樹脂ば
り７へ、図示しない高圧ポンプにより圧力を高められた
超高圧水８（約７００ｋｇ／ｃｍ２ ）を高圧ノズル９
から噴出させて取除くものである。尚、高圧ノズル９は
動作範囲１７内で移動させて樹脂ばり７部分のみ取除く
。
モールドＩＣの樹脂ばり除去方法を示す構成図である。 本実施例は、ダイパッド１の表面２にダイボンディング
されかつリードフレーム１６にワイヤ１５で接続された
半導体素子３を、トランスファー成形法によりエポキシ
樹脂４で樹脂封止し、この樹脂封止したパッケージ５の
ダイパッド裏面６に発生したエポキシ樹脂による樹脂ば
り７へ、図示しない高圧ポンプにより圧力を高められた
超高圧水８（約７００ｋｇ／ｃｍ２ ）を高圧ノズル９
から噴出させて取除くものである。尚、高圧ノズル９は
動作範囲１７内で移動させて樹脂ばり７部分のみ取除く
。
【０００８】図２に本実施例により樹脂ばり７が取除か
れた直後のパッケージ５の構造図を示す。
れた直後のパッケージ５の構造図を示す。
【０００９】この様な超高圧ウォータージェットに代表
されるウェットホーニング法は、樹脂封止型半導体装置
の外部リード上に同じく樹脂封止工程において発生する
樹脂の薄ばりの除去にも使用されており、各種のパッケ
ージに対する汎用性および窪み部のばり除去性という点
で、機械的な除去方法に比べて優れている。また、ウェ
ットホーニングの前処理として、電解ばり取り（例えば
アルカリ電解処理）を行なえば、ウェットホーニングの
除去効率がさらに高まる。
されるウェットホーニング法は、樹脂封止型半導体装置
の外部リード上に同じく樹脂封止工程において発生する
樹脂の薄ばりの除去にも使用されており、各種のパッケ
ージに対する汎用性および窪み部のばり除去性という点
で、機械的な除去方法に比べて優れている。また、ウェ
ットホーニングの前処理として、電解ばり取り（例えば
アルカリ電解処理）を行なえば、ウェットホーニングの
除去効率がさらに高まる。
【００１０】以上述べた様に、本実施例により、ダイパ
ッド裏面６に発生した樹脂ばり７を取除いた後、ヒート
シンク１０をシリコン樹脂１１で接着し、外部リード１
２の切断曲げを行い、完成したヒートシンク付モールド
ＩＣ１３の構造図を図３に示す。この様にダイパッド裏
面６とヒートシンク１０との間の熱抵抗が比較的高いエ
ポキシ樹脂が完全に取除かれ、薄いシリコン樹脂１１（
厚さ約０．０３ｍｍ）のみで、ダイパッド１とヒートシ
ンク１０とを接着することになり、ダイパッド裏面６と
ヒートシンク１０との間の熱抵抗が大幅に低下し（熱抵
抗が従来の約３／１０〜１／１０になる）、半導体素子
３で発生する熱は熱伝導の主経路であるダイパッド１か
らヒートシンク１０に効率よく放散することになる。
ッド裏面６に発生した樹脂ばり７を取除いた後、ヒート
シンク１０をシリコン樹脂１１で接着し、外部リード１
２の切断曲げを行い、完成したヒートシンク付モールド
ＩＣ１３の構造図を図３に示す。この様にダイパッド裏
面６とヒートシンク１０との間の熱抵抗が比較的高いエ
ポキシ樹脂が完全に取除かれ、薄いシリコン樹脂１１（
厚さ約０．０３ｍｍ）のみで、ダイパッド１とヒートシ
ンク１０とを接着することになり、ダイパッド裏面６と
ヒートシンク１０との間の熱抵抗が大幅に低下し（熱抵
抗が従来の約３／１０〜１／１０になる）、半導体素子
３で発生する熱は熱伝導の主経路であるダイパッド１か
らヒートシンク１０に効率よく放散することになる。
【００１１】次に、図４に本発明の実施例２の構成図を
示す。実施例２では、エポキシ樹脂４の裏面１４全体に
、超高圧水８を高圧ノズル９の移動（動作範囲１７）に
より噴出させる。この様に、ダイパッド裏面６のみなら
ずエポキシ樹脂４の裏面１４全体にも超高圧水８を当て
ることにより、エポキシ樹脂表面上から樹脂封止工程に
て滲出してシリコン樹脂との接着力を弱める役割をもつ
ワックス等の離型剤が取除かれる為、ヒートシンク１０
とエポキシ樹脂４との接着強度が大幅に高まり、またヒ
ートシンク１０とエポキシ樹脂４間より浸入してくる水
分を抑止し、ヒートシンク付モールドＩＣの信頼性がさ
らに向上する。
示す。実施例２では、エポキシ樹脂４の裏面１４全体に
、超高圧水８を高圧ノズル９の移動（動作範囲１７）に
より噴出させる。この様に、ダイパッド裏面６のみなら
ずエポキシ樹脂４の裏面１４全体にも超高圧水８を当て
ることにより、エポキシ樹脂表面上から樹脂封止工程に
て滲出してシリコン樹脂との接着力を弱める役割をもつ
ワックス等の離型剤が取除かれる為、ヒートシンク１０
とエポキシ樹脂４との接着強度が大幅に高まり、またヒ
ートシンク１０とエポキシ樹脂４間より浸入してくる水
分を抑止し、ヒートシンク付モールドＩＣの信頼性がさ
らに向上する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヒートシ
ンク付モールドＩＣのダイパッド裏面に樹脂封止工程で
発生した樹脂ばりを、ウェットホーニング法を適用する
ことにより除去できるので、ダイパッドとヒートシンク
間の熱抵抗が大幅に低下し、半導体素子で発生する熱は
熱伝導の主経路であるダイパッドからヒートシンクに効
率よく放散することになり、低価格で低熱抵抗である樹
脂封止型パッケージを実現できるという効果を有する。
ンク付モールドＩＣのダイパッド裏面に樹脂封止工程で
発生した樹脂ばりを、ウェットホーニング法を適用する
ことにより除去できるので、ダイパッドとヒートシンク
間の熱抵抗が大幅に低下し、半導体素子で発生する熱は
熱伝導の主経路であるダイパッドからヒートシンクに効
率よく放散することになり、低価格で低熱抵抗である樹
脂封止型パッケージを実現できるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例１のヒートシンク付モールドＩ
Ｃの樹脂ばり除去方法を示す構成図である。
Ｃの樹脂ばり除去方法を示す構成図である。
【図２】実施例１によるパッケージの構造図である。
【図３】実施例１により完成したヒートシンク付モール
ドＩＣの構造図である。
ドＩＣの構造図である。
【図４】本発明の実施例２のヒートシンク付モールドＩ
Ｃの樹脂ばり除去方法を示す構成図である。
Ｃの樹脂ばり除去方法を示す構成図である。
【図５】従来のヒートシンク付モールドＩＣの構造図で
ある。
ある。
１ ダイパッド
２ ダイパッドの表面
３ 半導体素子
４ エポキシ樹脂
５ パッケージ
６ ダイパッド裏面
７ 樹脂ばり
８ 超高圧水
９ 高圧ノズル
１０ ヒートシンク
１１ シリコン樹脂
１２ 外部リード
１３，１３ａ ヒートシンク付モールドＩＣ１４
エポキシ樹脂の裏面 １５ 接続ワイヤ １６ リードフレーム
エポキシ樹脂の裏面 １５ 接続ワイヤ １６ リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒートシンクを樹脂封止型半導体装置
のダイパッド裏面に取付ける際の半導体装置の樹脂ばり
除去方法において、前記半導体装置のダイパッド裏面に
樹脂封止工程で発生した樹脂ばりを、超高圧ウォーター
ジェットによるウェットホーニング法により除去するこ
とを特徴とする半導体装置の樹脂ばり除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007368A JP2616587B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体装置の樹脂ばり除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007368A JP2616587B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体装置の樹脂ばり除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240755A true JPH04240755A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2616587B2 JP2616587B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=11664031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007368A Expired - Lifetime JP2616587B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体装置の樹脂ばり除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616587B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512422A (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
| JPWO2012137760A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-07-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007368A patent/JP2616587B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512422A (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
| JPWO2012137760A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-07-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6114184B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2017-04-12 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US10290565B2 (en) | 2011-04-04 | 2019-05-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10573584B2 (en) | 2011-04-04 | 2020-02-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10770380B2 (en) | 2011-04-04 | 2020-09-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616587B2 (ja) | 1997-06-04 |
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