JPH04239718A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents

電子ビーム描画装置

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JPH04239718A
JPH04239718A JP659191A JP659191A JPH04239718A JP H04239718 A JPH04239718 A JP H04239718A JP 659191 A JP659191 A JP 659191A JP 659191 A JP659191 A JP 659191A JP H04239718 A JPH04239718 A JP H04239718A
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JP
Japan
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electron beam
basic
deflection circuit
deflector
data
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Application number
JP659191A
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English (en)
Inventor
Shoji Tanaka
田中 勝爾
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ラスタスキャン方式,
ベクタスキャン方式及び可変成形ビーム方式の電子ビー
ム描画技術を応用して、シャドウマスクや液晶ディスプ
レイの原板を作成する技術に係わり、特に大型基板に同
種図形を格子状に配列したマスクを製作するのに適した
電子ビーム描画装置に関する。
【0002】
【従来の技術】CRTのシャドウマスクや液晶ディスプ
レイなどを大量生産するための原板となるフォトマスク
は、従来から光学式プロッタで製作されている。この光
学式プロッタの一例を、図1を参照して簡単に説明する
【0003】光源1,照明レンズ2,シャッタ3及び対
物レンズ4からなる縮小投影光学系を用いて、タレット
5にセットしたアパーチャ6のイメージを、X−Yテー
ブル7上に搭載した基板8に投影する。アパーチャ6と
して、円や矩形で種々のサイズの穴のあいたものを個別
に用意しておき、タレット5に複数個セットしておけば
、タレット5を回転させることにより所望形状のアパー
チャ6を自動選択できる。なお、図示していないがアパ
ーチャ6もタレット5上で小さな範囲で回転されるもの
となっている。
【0004】このプロッタでの描画法は概略次の通りで
ある。広い面を照射する場合は、大口径のアパーチャを
選んでX−Yテーブルをラスタスキャン状に移動させる
。直線や曲線を描く場合は、その線幅を与える円や矩形
のアパーチャを選んで、所望の軌跡を照射するようにX
−Yテーブルを移動する。アパーチャ・イメージをその
まま照射する場合は、X−Yテーブルを所望の座標に位
置決めしてスポット照射する。
【0005】このように全て機械的な動きによる作画法
であり、入力データ形式もこのプロッタの作画法にマッ
チした形式で、基本的にはアパーチャ選択とその回転角
を指示するデータ,X−Yテーブル移動の軌跡とその速
度を指示するデータ及びシャッタ動作による照射時間を
指示するデータの組み合わせで成り立っている。
【0006】図2に、シャドウマスクの特徴を示す。 (a)はシャドウマスク全面において、基本図形を配置
する様子を示している。中心Oを通る座標軸X,Yに線
対称であるが、軸から遠ざかる程、弓状(BOW)にカ
ーブした配列となる。(b)(c)は、それぞれ基本図
形の1つを示している。円は方位性が無いので、回転さ
せる必要はない。矩形は方位性があるため、BOWの接
線方向を向くように回転させる必要がある。(d)はグ
レーディングを誇張して説明した図である。グレーディ
ングとは、同一図形でも段階的にサイズを変えて配列す
ることであり、概略では中心Oから遠ざかる程大きくす
る。
【0007】しかしながら、この種の装置にあっては次
のような問題があった。第1は、描画速度が低いことで
ある。従来技術は、全て機械的な動きに頼った作画法で
あり、その質量に起因する低速性は宿命的である。特に
、近年は高分解能ディスプレイのニーズが多く、そのた
め照射する図形の数が増大している。ステップアンドリ
ピート方式に頼らざるを得ないこの描画法では、1枚の
シャドウマスク原板の描画に数日〜1週間も要する例も
ある。
【0008】第2は、描画精度が低いことである。X−
Yテーブルの位置決め精度は直接図形の位置精度になり
、照射時の振動は輪郭のボケになる。位置分解能 0.
1μm のオーダでも位置決め精度は高々± 0.3〜
0.5 μm である。人間の視覚に作用するディスプ
レイにおいて、この精度は量的には微々たるものである
が、これがある集団となると画質を低下させる重大な問
題となる。図2(a)において基本図形を格子配列の行
又は列に沿って順に照射した場合、テーブル位置決めの
性向から行又は列の単位でほぼ均質の位置誤差を持つ。 これがディスプレイ上でスジ状のムラとなって人間の目
に映る。
【0009】これを避けるために個々の図形位置を、例
えば± 0.5〜0.7 μm の単位でランダムにX
−Y方向にシフトさせ、且つ図形の照射順序を行や列の
順とせずにランダムに行っている。その結果として、ム
ラは解消しても図形の位置精度は一層悪くなることから
、画面全域の鮮度の低下をもたらす。
【0010】第3は、グレーディングが不可であること
である。グレーディングをするためには、微小に図形サ
イズの異なる非常に多くのアパーチャを作り、タレット
にセットできなければならない。従って、このプロッタ
による描画では実施せず、後工程で行っている。例えば
、原板から光学的転写法でワーキングマスクを作る際に
光学的に中心Oから遠ざかる程ぼかし、結果として周辺
に向って図形サイズが段階的に大きくなるという非計測
的なプロセスを通している。
【0011】一方、半導体集積回路製造用のフォトマス
ク製作には、従来から電子ビーム描画装置が広く使用さ
れている。この装置が本来的に持つ高速性と高精度は、
シャドウマスクや液晶ディスプレイ製造用のマスク製作
にも当然より適している。しかし、特にシャドウマスク
の特徴である基本図形を格子状配列し、その配列位置に
より回転角やサイズを変更する必要のあるパターンを従
来通りに作成していたのでは膨大なデータ量となり、そ
のデータ作成に要する時間も多くなり非能率的である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、シャ
ドウマスクの原板としてのフォトマスクを製造するのに
、光学式プロッタを用いた場合、機械的動きに頼った作
画法であることから描画速度及び描画精度が低いと言う
問題があった。また、電子ビーム描画装置をこの種のマ
スクの製造に用いるには解決すべき多くの問題が残って
おり、未だ実用化されていないのが現状である。
【0013】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、電子ビーム描画技術を
用いてシャドウマスクの原板などを作成することができ
、描画速度及び描画精度の向上をはかり得ると共に、デ
ータ量の低減及びデータ作成時間の短縮をはかり得る電
子ビーム描画装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、シャド
ウマスクの原板などの作成に電子ビーム描画装置を用い
ることにあり、特に各々の配列図形を(基本図形+変化
分)に分離することにより、データ量やデータ作成時間
を削減することにある。
【0015】即ち本発明は、被描画基板を搭載するX−
Yテーブルと、被描画基板に描画すべき図形情報を記憶
する記憶手段と、電子ビームをオン・オフ制御するブラ
ンカーと、電子ビームをX−Y方向に偏向する偏向器と
、この偏向器を駆動して電子ビームをラスタスキャンす
るための第1の偏向回路とを有し、記憶手段から読出し
た図形情報をラスタイメージに変換したデータでブラン
カーを制御することにより、基板上に所望の図形を描画
するラスタスキャン方式の電子ビーム描画装置において
、前記記憶手段に記憶された基本図形を回転させて描画
するための第2の偏向回路を設け、該第2の偏向回路に
図形回転情報を与えることにより、前記記憶手段に記憶
された基本図形を繰返し用い、該基本図形を回転させた
図形を描画することを特徴としている。
【0016】また本発明は、被描画基板を搭載するX−
Yテーブルと、被描画基板に描画すべき図形情報を記憶
する記憶手段と、電子ビームをオン・オフ制御するブラ
ンカーと、電子ビームを成形する成形手段と、この手段
により成形されたビームをX−Y方向に偏向する偏向器
と、この偏向器を駆動して成形ビームを位置決めするた
めの第1の偏向回路とを有し、記憶手段から読出した図
形情報で基板上に所望の図形を描画する可変成形ビーム
方式の電子ビーム描画装置において、前記記憶手段に記
憶された基本図形に回転とスケーリングの少なくとも一
方を与えて描画するための第2の偏向回路を有し、該第
2の偏向回路に図形の回転情報とスケーリング情報の少
なくとも一方を与えることにより、前記記憶手段に記憶
された基本図形を繰返し用い、該基本図形を回転や縮小
拡大した図形を描画することを特徴としている。
【0017】
【作用】本発明によれば、シャドウマスクや液晶ディス
プレイのフォトマスク原板を作る際に、電子ビーム描画
装置本来の高速,高精度である特性が生かされる。この
ため、シャドウマスクや液晶ディスプレイのフォトマス
ク原板を速い描画速度及び高い描画精度で描画すること
ができ、経済的にも品質向上の上からも有効である。こ
れに加えて、第2の偏向回路を設け、結果として各々の
配列図形を(基本図形+変化分)に分離しているので、
データ量やデータ作成時間を1/10のオーダに削減す
ることができる。従って、シャドウマスクや液晶ディス
プレイのフォトマスク原板を作る際に、データ量の低減
及びデータ作成時間の短縮をはかることが可能となる。
【0018】
【実施例】まず、実施例を説明する前に、本発明の基本
原理について説明する。
【0019】電子ビーム描画装置をシャドウマスク原板
などの作成に応用する場合、X−Yテーブル及びその収
納用真空室を大型化しなければいけないことは勿論であ
るが、本発明で解決しようとしている項目は下記の通り
、(1) 全図形を(基本図形+その変更)として取扱
えるようにする。
【0020】図3に、電子ビーム描画装置における図形
表現形式の例を示している。この形式は(a)に示す台
形を基本とし、別に使用頻度の高い矩形(b)もデータ
量を減らすために用いている。各々の寸法表示に2バイ
ト必要であるため1図形当りのデータ量は、台形で12
バイト、矩形で8バイトとなる。図4に、シャドウマス
クの基本図形に用いられる図形を示す。この図形表現に
は(a)の回転のある矩形で36バイト、(b)の円で
は 100バイト以上必要である。
【0021】一方、最近の高分解能カラーディスプレイ
においては1000万図形を越えるものがあり、この場
合矩形であっても 360Mバイトを越えるデータ量に
なる。ディスプレイが一般的にX,Yの中心線に対して
線対称のパターンであることから1/2又は1/4のエ
リアのデータを用意し、これを対称軸に関してミラー反
転させて全域を描画するというデータの削減方法は実施
されている。
【0022】しかし、この場合でも90Mバイト以上の
データ量となる。これを例えば基本図形+その変更(座
標,回転など)とする表現形式とし、この形式によるデ
ータを入力してEB描画するハードウェアを実現すれば
更に1/5程度にデータ量を削減できる。
【0023】(2) 図形単位にスケーリングできるよ
うにする。
【0024】グレーディングを施したシャドウマスク原
板を、EB描画時に作成できれば工程は短縮でき、設計
的に意図された数値で制御できるため、より品位の向上
がはかれる。具体的には、図5に示すように単位図形F
にスケールファクタSf を与えることによって、図形
中心Oを不動点とした縮小又は拡大図形F′が描画でき
る機能があればよい。
【0025】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。
【0026】図6は、本発明の一実施例に係わるラスタ
スキャン方式の電子ビーム描画装置を示す概略構成図で
ある。CPU11は制御プログラムをディスク14から
主メモリ12にロードし、以後制御プログラムが描画シ
ーケンスを統括制御する。コンソール13は、オペレー
タ用操作端末である。電子光学系制御ユニット15は、
電子光学鏡筒30の電子銃31のカソードヒーティング
,電子加速を制御すると共に、第1コンデンサレンズ3
2,第2コンデンサレンズ33,対物レンズ34等に安
定化電源を供給し、電子ビームの経路,電流値,直径等
を自動調節する。パターンプロセッサ16は、ディスク
14に準備されている図形データを入力してビットパタ
ーンに変換し、ラスタデータをドライバ20に送り、ブ
ランキング用偏向器35を駆動する。偏向制御ユニット
17は、電子ビームを走査するための偏向幅等の制御パ
ラメータを発生し、アンプユニット21に送る。アンプ
ユニット21は、制御パラメータをD/A変換,増幅し
てビーム走査用偏向器36を駆動する。スキャンコント
ローラ18は、レーザ干渉計22が検知するX−Yテー
ブル38の変位量に比例するパルスをカウントしてテー
ブルの現在位置を把握し、これをCPU11が何時でも
読取れるようにする。さらに、主走査(X方向)と副走
査(Y方向)をするためのタイミング信号を発生し、こ
れを偏向制御ユニット17及びパターンプロセッサ16
に送る。
【0027】なお、図6には示していないが、本装置に
は基板37のロード/アンロードを行うオートローダシ
ステム、電子光学鏡筒30や描画室39内を真空にした
り吸気したりするための真空制御システム、反射電子や
2次電子を検出して電子ビームの電流や直径を調節する
ための電子検出器及びこれらのアンプとA/D変換器か
らなるセンサユニット等が設けられている。さらに、上
記センサユニット、偏向制御ユニット17及びスキャン
コントローラ18を用い、偏向感度や偏向回転を測定す
るためのマークがX−Yテーブル38上に形成されてい
る。
【0028】図7は、不特定パターンを描画するための
通常の方法を示している。図3の形式で表わす図形デー
タは、描画エリアをセルと呼ぶ矩形に分割されてディス
ク14にストアされている。セルはテーブルの停止時に
偏向器で走査できるエリアである。(a)の点線はテー
ブルのステップ送りで描画が進行する経路を示している
。(b)は偏向の主走査(X)と副走査(Y)による電
子ビームの経路を示している。
【0029】CPU11は各々のセルの描画前にディス
ク14からパターンプロセッサ16へそのセルの図形デ
ータを送り、パターンプロセッサ16は図形データをビ
ットパターンに変換する。これと同時に、CPU11は
テーブル制御ユニット19にそのセルの中心座標を与え
、テーブル制御ユニット19はそこへテーブルを位置決
めする。テーブルがほぼ停止した時点でスキャンコント
ローラ18は、タイミング信号をパターンプロセッサ1
6と偏向制御ユニット17に送り出す。このタイミング
信号は1024回等時間間隔で発生するが、これに同期
して偏向制御ユニット17は主偏向(X)の走査をし、
パターンプロセッサ16は1ラスタデータである102
4ビットのブランキングデータをドライバ20へ直列転
送する。1024スキャンすることにより、1回のテー
ブル停止時に1024×1024アドレスのエリアを描
画する。テーブル停止時の位置誤差及び描画中のテーブ
ル振動はスキャンコントローラ18でチェックされ、こ
れを補正するための位置誤差補正データが偏向制御ユニ
ット17に送られ、基板と電子ビーム間の相対位置ずれ
を絶えず修正している。
【0030】図8で、本発明が実現しようとしている描
画方法を説明する。(a)が目指す描画方法であるが、
図形データは基本図形1つ分のみで、これがパターンプ
ロセッサ16でビットパターンに変換されてメモリ内に
あり、繰り返して使用される。(b)はテーブルのステ
ップ送りを説明している。(c)は基本図形に変換g(
θ,Sf )を与えた写像を作って描画することを説明
しており、
【0031】
【数1】
【0032】なる変換をすればよい。なお、θは、高々
±0.15ラジアンの範囲でよい。
【0033】ビーム走査をアナログ積分器を用いた鋸歯
状波信号で行う場合、図9に示すように偏向開始位置(
x,y)と偏向幅wがアナログ入力になる。従って写像
の偏向開始位置(x′,y′)は (1)式で与えられ
るが偏向幅(wx ′,wy ′)は次の式で与えられ
る。
【0034】wx ′=  Sf cosθ・wwy 
′=  Sf sinθ・w          … 
(2)ここで、本発明は写像を得るのに(基本図形+変
化分)とする方法に関するものであり、 x′  =x+Δx                
    … (3)y′  =y+Δy       
             … (4)wx ′=w+
Δwx                   … (
5)wy ′=0+Δwy             
      … (6)として、Δx,Δy,Δwx 
,Δwy を発生する機能を追加し、この出力を本来電
子ビーム装置が持っている偏向信号に加算することを特
徴としている。 (1)〜(6) 式から変化分は次の
式で与えられる。
【0035】       Δx=(Sf cos θ−1)x−Sf
 sin θ・y    … (7)        
Δy=Sf sin θ・x+(Sf cos θ−1
)y    … (8)        Δwx =(
Sf cos θ−1)w             
     … (9)        Δwy =−S
f sin θ・w                
      … (10) 実際には、テーブル座標軸
と偏向座標軸の不平行を補正すべく (7)〜(10)
式にこの補正項が加わるが、それを省略して説明してお
り、図10においても省略している。
【0036】図10は、ラスタスキャン電子ビーム描画
装置における実施例で、実線で囲まれた枠内が従来のア
ンプユニット(第1の偏向回路)である。Wは偏向幅デ
ータ、X,Yは偏向開始位置データで、本実施例で各々
2進16ビットの並列データである。これらは、CPU
11及び偏向制御ユニット17でゲイン,オフセット,
テーブル座標軸と偏向座標軸間の不平行補正、及びテー
ブル振動補正をしたデータであり、Wは通常一定値とな
る。第nスキャンのためのデータは、第nリセット信号
と同時に信号LD4でラッチL(x),L(y)にロー
ドされ、リセット中にDAC(x),DAC(y)でD
/A変換される。積分器I(w)はリセットが解除され
ると積分を開始し、ランプ(傾斜)出力を発生する。I
(w)の出力とI/V変換器であるOP(x)の出力が
ADD(x)で加算され、AMP(x)で増幅してX偏
向器にコンプリメンタリー出力を印加している。
【0037】図10の実線で囲まれた枠外が本発明にか
かわる部分(第2の偏向回路)である。なお、図中破線
で囲んだ領域Aは、図14に示すように構成されている
。(Sf cos θ−1),Sf sin θ及び(
9)(10)式で得られるΔwx ,Δwy は照射す
る図形単位で変わるデータであり、CPU11で事前に
計算できる。(7)(8)式から得られるΔx,Δyは
スキャン単位で変わるデータなので、ハードウェアで演
算している。演算はディジタル乗算器及び加算器を用い
LD1〜LD3の3つのクロックで途中の演算結果をラ
ッチに保持しながら、LD4で演算結果をラッチL(Δ
x),L(Δy)にロードしている。同様に、Δwx 
,Δwy はラッチL(Δwx ),L(Δwy )に
ロードしている。
【0038】以下では、枠内回路と同様の説明になるの
で省略するが、枠外の加算器ADD(x),ADD(y
)の出力がそれぞれ枠内のADD(x)、OP(y)の
出力と加算されることにより、式 (3)〜(6) が
回路内で実現される。
【0039】このように本実施例によれば、電子ビーム
をラスタスキャンするための第1の偏向回路と共に、基
本図形を回転させて描画するための第2の偏向回路を設
けて、第2の偏向回路に図形の回転情報を与えることに
より、基本図形を繰返し用いて基本図形を回転させた図
形を描画することができる。即ち、各々の配列図形を(
基本図形+変化分)に分離することにより、データ量や
データ作成時間を1/10のオーダで削減することがで
きる。従って、特定の基本図形とその変形として取扱い
得るシャドウマスクや液晶ディスプレイのフォトマスク
原板も、従来の機械式プロッタに比較して格段に高速か
つ高精度に製作でき、さらに基本図形を用いた電子ビー
ム描画におけるデータ量の低減及びデータ作成時間の短
縮をはかり得る。このため、今後ますます市場が拡大す
るディスプレイ機器への貢献は多大である。
【0040】図11及び図12は、本発明を可変成形ビ
ーム方式の電子ビーム装置に適用した例を示している。 図11(a)は正方形の成形ビームをタイル状に配列し
て作られる基本図形でこれを(3)(4),(7)(8
) 式で変換した写像が(b)であることを示している
。成形ビームはSf 倍したサイズに変換される(図示
せず)。
【0041】図12の枠内は従来のアンプユニット(第
1の偏向回路)である。X,YはCPU11及び偏向制
御ユニット17で各種の補正をされた2進並列データで
ある。X,Yの値をステップ状に変化させて、成形ビー
ムを照射する。偏向器は8極配置で低歪の電界を作って
いる。図12の枠外が本発明にかかわる部分(第2の偏
向回路)である。(Sf cos θ−1),Sf s
in θは、照射する図形単位で変わるデータでありC
PU11で事前に計算できる。(7)(8)式で得られ
るΔx,Δyはビームのステップ送り単位で変わるデー
タなので、ハードウェアで演算している。この演算回路
は、図10の場合と基本的には同じである。
【0042】このような構成であっても、各々の配列図
形を(基本図形+変化分)に分離することにより、デー
タ量やデータ作成時間を削減することができ、先の実施
例と同様の効果が得られる。
【0043】図13は、図10の方式の変形で第2の偏
向器を追加して同じ目的を達成している。即ち、第2の
偏向回路の出力を第1の偏向回路の出力に加算するので
はなく、第1の偏向器とは別に第2の偏向器を設け、第
2の偏向回路の出力を第2の偏向器に印加することによ
り、基本図形を回転させている。このような構成でも、
先の実施例と同様の効果が得られる。また、図示はしな
いが、図12に関しても同様に、第2の偏向器を追加し
て同様に目的を達成することができる。
【0044】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、電
子ビームをラスタスキャン又は偏向する偏向器を駆動す
るための第1の偏向回路とは別に、基本図形を回転させ
て描画するための第2の偏向回路を設け、各々の配列図
形を(基本図形+変化分)に分離しているので、データ
量やデータ作成時間等を削減することができる。従って
、電子ビーム描画技術を用いてシャドウマスクの原板な
どを作成することができ、描画速度及び描画精度の向上
をはかり得ると共に、データ量の低減及びデータ作成時
間の短縮をはかることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来から使われている大型マスク製作用のプロ
ッタの概略構成を示す。
【図2】シャドウマスクのパターンの特徴を示す。
【図3】電子ビーム描画装置が入力する図形の表現形式
例を示す。
【図4】シャドウマスクの基本図形に用いられる図形を
示す。
【図5】図形のスケーリングの様子を示す。
【図6】本発明の実施例であるラスタスキャン方式電子
ビーム描画装置の概略構成を示す。
【図7】図6の電子ビーム描画装置で通常の不特定パタ
ーンを描画する場合の描画法を示す。
【図8】図6の電子ビーム描画装置で本発明になるシャ
ドウマスク原板を描画する場合の描画法を示す。
【図9】図6の電子ビーム描画装置で本発明になるシャ
ドウマスク原板を描画する場合の描画法を示す。
【図10】図6の電子ビーム描画装置に適用した本発明
の具体的な回路構成を示す。
【図11】本発明を可変成形ビーム方式電子ビーム描画
装置に応用する場合の描画法を示す。
【図12】本発明を可変成形ビーム方式電子ビーム描画
装置に応用した場合の具体的な回路構成を示す。
【図13】図10の変形で第2の偏向器を追加した回路
構成を示す。
【図14】図10,図12及び図13の要部構成を示す
図。
【符号の説明】
11…CPU、12…主メモリ、13…コンソール、1
4…ディスク、15…電子光学系制御ユニット、16…
パターンプロセッサ、17…偏向制御ユニット、18…
スキャンコントローラ、19…テーブル制御ユニット、
20…ドライバ、21…アンプユニット、22…レーザ
測長系、30…電子光学鏡筒、31…電子銃、32…第
1コンデンサレンズ、33…第2コンデンサレンズ、3
4…対物レンズ、35…ブランキング用偏向器、36…
ビーム走査用偏向器、37…基板、38…X−Yテーブ
ル、39…描画室。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被描画基板を搭載するX−Yテーブルと、
    被描画基板に描画すべき図形情報を記憶する記憶手段と
    、電子ビームをオン・オフ制御するブランカーと、電子
    ビームをX−Y方向に偏向する偏向器と、この偏向器を
    駆動して電子ビームをラスタスキャンするための第1の
    偏向回路とを具備し、前記記憶手段から読出した図形情
    報をラスタイメージに変換したデータで前記ブランカー
    を制御することにより、前記基板上に所望の図形を描画
    するラスタスキャン方式の電子ビーム描画装置において
    、前記記憶手段に記憶された基本図形を回転させて描画
    するための第2の偏向回路を設け、該第2の偏向回路に
    図形の回転情報を与えることにより、前記記憶手段に記
    憶された基本図形を繰返し用い、該基本図形を回転させ
    た図形を描画することを特徴とする電子ビーム描画装置
  2. 【請求項2】被描画基板を搭載するX−Yテーブルと、
    被描画基板に描画すべき図形情報を記憶する記憶手段と
    、電子ビームをオン・オフ制御するブランカーと、電子
    ビームを成形する成形手段と、この手段により成形され
    たビームをX−Y方向に偏向する偏向器と、この偏向器
    を駆動して成形ビームを位置決めするための第1の偏向
    回路とを具備し、前記記憶手段から読出した図形情報で
    前記基板上に所望の図形を描画する可変成形ビーム方式
    の電子ビーム描画装置において、前記記憶手段に記憶さ
    れた基本図形に回転とスケーリングの少なくとも一方を
    与えて描画するための第2の偏向回路を設け、該第2の
    偏向回路に図形の回転情報とスケーリング情報の少なく
    とも一方を与えることにより、前記記憶手段に記憶され
    た基本図形を繰返し用い、該基本図形を回転や縮小拡大
    した図形を描画することを特徴とする電子ビーム描画装
    置。
  3. 【請求項3】第2の偏向回路の出力は、第1の偏向回路
    に加算されることを特徴とする請求項1又は2に記載の
    電子ビーム描画装置。
  4. 【請求項4】前記偏向器は第1及び第2の偏向器からな
    り、第1の偏向器は第1の偏向回路により駆動され、第
    2の偏向器は第2の偏向回路により駆動されることを特
    徴とする請求項1又は2に記載の電子ビーム描画装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115815B2 (en) 2012-12-28 2018-10-30 Cree, Inc. Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same
US10840367B2 (en) 2012-12-28 2020-11-17 Cree, Inc. Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same

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