JPH04237102A - 角形チップ抵抗器 - Google Patents

角形チップ抵抗器

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Publication number
JPH04237102A
JPH04237102A JP3021729A JP2172991A JPH04237102A JP H04237102 A JPH04237102 A JP H04237102A JP 3021729 A JP3021729 A JP 3021729A JP 2172991 A JP2172991 A JP 2172991A JP H04237102 A JPH04237102 A JP H04237102A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
resistor
substrate
conductor film
protective film
Prior art date
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Pending
Application number
JP3021729A
Other languages
English (en)
Inventor
Takafumi Katsuno
尊文 勝野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP3021729A priority Critical patent/JPH04237102A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は角形チップ抵抗器の改良
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】角形チップ抵抗器として、例えば図4に
示す如き構造のものが知られている。この抵抗器は、ア
ルミナ基板70上に抵抗体膜71が設けられ、抵抗体膜
71はほぼ全体が内部保護膜72で覆われている。基板
70の左右両側には上面導体膜(一次電極)80が形成
され、上面導体膜80は、一部が抵抗体膜71の下に進
入する様態で抵抗体膜71と重合している。更に、上面
導体膜80は基板70の側面に形成した側面導体膜(二
次電極)81に連続し、側面導体膜81は基板70の下
面まで延在する。抵抗体膜71と内部保護膜72の全体
を覆う外部保護膜73が設けられ、保護膜73は上面導
体膜80の一部を被覆する。外部保護膜73で覆われな
い上面導体膜80の部分と側面導体膜81は順にNiメ
ッキ膜75、半田メッキ膜76で被覆され、これらで抵
抗器の端子電極を構成する。この端子電極の内、特に基
板70の上面に在る部分は上面電極85となる。なお、
基板70上の中央部にはレーザトリミング溝90が形成
されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】かかる角形チップ抵抗
器は、温度差の熱履歴を繰り返し受けると、特に自動車
産業で要求される「温度サイクル試験」(チップ抵抗器
等の半導体チップ部品を、例えば−50℃程度で15〜
30分間保持した後、150℃程度まで昇温して同様に
15〜30分間保持するサイクルを約1000回繰り返
す試験)を受けた場合、上面導体膜80に膨張・収縮応
力が発生し、当該電極に亀裂が生じたり、電極が剥離し
たりして、抵抗値が変化することがある。特に、これら
の損傷が著しいと、例えば上面導体膜80を縦断する亀
裂が生起して当該電極が分離された場合や、上面導体膜
80が剥がれて抵抗体膜71との接触が断たれた場合に
は、断線不良を来すことになる。
【0004】上記応力発生のメカニズムについて図6を
参照しながらもう少し詳しく説明する。アルミナ基板7
0上に設けた抵抗体膜71と右側の上面導体膜80とは
相互の端部で重合状態に接続されており、この接続部ま
でが内部保護膜72で覆われている。更に、接続部を含
む抵抗体膜71と保護膜72の全体及び上面導体膜80
の一部が外部保護膜73で被覆されている。上面導体膜
80の露出部分にはNiメッキ膜75、半田メッキ膜7
6が順に施され、これによって上面電極85を形成する
【0005】上面電極85は端子電極としてNiメッキ
膜75、半田メッキ膜76を施した金属性であり、内部
・外部保護膜72、73は厚膜ペーストを焼結したガラ
ス性である。一般に、金属の膨張・収縮係数はガラスの
それよりも大きいため、前記の「温度サイクル試験」等
の温度差を繰り返し受けると、ガラス性領域と金属性領
域との境界域Aの近傍に位置する上面導体膜80の領域
Bに応力集中が発生する。この応力集中により、導体膜
80の領域Bが当該領域Bのアルミナ基板70から剥離
して空洞が生じたり、過度の場合には導体膜80を縦断
する亀裂が起こって断線することになる。
【0006】これは、角形チップ抵抗器の如き半導体チ
ップ部品には厳しい信頼性が要求されることからすると
甚だ好ましくない。従って、本発明の目的は、上記従来
の角形チップ抵抗器に温度差の熱履歴に起因して生じて
いた不具合を解消することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明者はガラス性領域と金属性領域との境界域に
おける応力集中と上記問題点との因果関係について鋭意
研究し、まず境界域の下に在る通常は薄膜の上面導体膜
を厚膜にすれば応力集中が緩和され、問題が解決される
だろうとの見解に達した。しかし、上面導体膜を厚くす
ると抵抗体を印刷する時に均一な抵抗体膜を形成できな
くなり、抵抗値がばらつく新たな問題が生ずる。このた
め本発明者は更に検討を重ねた結果、境界域の部分を上
面導体膜と抵抗体膜の2層で構成すれば、境界域におけ
る部分が厚膜となり、結果的に上面導体膜を厚くするの
と同等になるとの知見に至り、本発明を完成した。
【0008】即ち、本発明の角形チップ抵抗器は、基板
上面に抵抗体膜を設け、抵抗体膜に接触する導体膜を基
板の対向両側に設け、導体膜のうち基板上面に在る上面
導体膜の前記側縁寄りの部分が露出する態様で抵抗体膜
と上面導体膜とを覆う保護膜を設け、露出する上面導体
膜を有する部分を上面電極とした角形チップ抵抗器にお
いて、上面電極と保護膜との境界域が抵抗体膜と上面導
体膜とからなることを特徴とするものである。
【0009】これにより、ガラス性領域と金属性領域と
の境界域に発生する応力が上面導体膜と抵抗体膜とで構
成される厚膜に分散され、応力集中が緩和される。その
上、上面導体膜のみを厚くした場合に問題となる抵抗値
のばらつきは起きない。この結果、一次電極である上面
導体膜の亀裂や剥離、及びこれらに起因する抵抗値変化
や断線不良などの問題は殆ど皆無になる。
【0010】本発明の抵抗器では、ガラス性領域と金属
性領域との境界域における部分が上面導体膜と抵抗体膜
の2層で構成されれば十分である。これを具体化する方
法には特定はないが、次の方法■又は■が妥当である。 ■:従来のように外部保護膜を上面導体膜上まで施すの
ではなく、抵抗体膜と上面導体膜との接続部までとする
(外部保護膜のサイズを小さくする)。即ち、抵抗体膜
と上面導体膜とで構成される2層膜上に境界域が来るよ
うにする。
【0011】■:境界域を越える位置まで抵抗体膜を延
長する(抵抗体膜のサイズを大きくする)。上記方法■
又は■は、いずれもその構造となるようにパターン設計
すればよい。これに当たっては、外部保護膜パターンや
抵抗体膜パターンを変えるだけで済み、余分な工程を追
加したり、設備を変更するなどは全く必要ない。
【0012】
【実施例】以下、本発明の角形チップ抵抗器を実施例に
基づいて説明する。図1はその一実施例の側面を、図2
はその平面を示す。本実施例の抵抗器は境界域における
2層構造が前記方法■によるものである。アルミナ基板
10上には抵抗体膜11が設けられ、抵抗体膜11はそ
の端縁部を残す様態で内部保護膜12で覆われている。 基板10の両側には、例えばAg/Pd系導電性ペース
ト又はAg系導電性ペーストからなる上面導体膜(一次
電極)20が形成され、その一部は抵抗体膜11の下に
進入し、抵抗体膜11と上面導体膜20が電気的に接続
される。上面導体膜20は更に、基板10の側面に形成
したAg系導電性ペースト等からなる側面導体膜(二次
電極)21に連続する。側面導体膜21は基板10の下
面まで形成されている。又、外部保護膜13が抵抗体膜
11と上面導体膜20の接続部まで施され、抵抗体膜1
1と内部保護膜12を防護する。外部保護膜13の端縁
からは上面及び側面導体膜20、21を被覆するNiメ
ッキ膜15、半田メッキ膜16が順に形成され、これら
で抵抗器の端子電極を構成する。この端子電極の内、基
板10上に存在する部分が上面電極25となる。又、抵
抗体膜11と内部保護膜12には、その中央部付近にレ
ーザトリミング溝30が形成されている。
【0013】かかる構造の抵抗器は、図1からも分かる
ように、上面電極25で構成されるガラス性領域と外部
保護膜13(内部保護膜12も含む)で構成される金属
性領域との境界域Aの部分が、抵抗体膜11と上面導体
膜20の2層からなる。この結果、境界域Aにおける部
分が厚膜になり、温度差の繰り返しによって境界域Aに
生ずる膨張・収縮の応力集中が当該厚膜層に適度に分散
され、応力緩和がもたらされる。しかも、上面導体膜2
0自体を厚くするのではないため、基板10と導体膜2
0のパターンとの段差は大きくならず、抵抗値のばらつ
きも起きない。
【0014】図3に示す実施例では、境界域Aにおける
2層構造も前記方法■によるものであるが、図1に示す
実施例とは異なり、抵抗体膜11を上面導体膜20より
も先に印刷・焼成してある。即ち、抵抗体膜11が上面
導体膜20の下に進入した態様のものである他は、図1
の実施例と全く同一である。同様に、境界域Aにおける
部分は上面導体膜20と抵抗体膜11の2層で構成され
、厚膜となり、上記実施例と同等の作用効果が得られる
【0015】
【発明の効果】本発明の角形チップ抵抗器は、以上説明
したように基板上のガラス性領域と金属性領域との境界
域における部分が抵抗体膜と上面導体膜の2層で構成さ
れているので、境界域の部分が厚膜になり、温度差の熱
履歴を受けて境界域に発生する集中応力が緩和され、抵
抗値変化や断線等の問題点を克服でき、極めて信頼性が
高い。
【0016】又、単に上面導体膜を厚くする場合とは違
い、抵抗値のばらつきは生じない。更に、境界域の2層
構造を達成する方法も、外部保護膜パターン又は抵抗体
膜パターンを変更するだけでよく、従来の工程や設備を
そのまま適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の抵抗器の一実施例の側面図である。
【図2】図1に示す抵抗器の平面図である。
【図3】本発明の抵抗器の別実施例の側面図である。
【図4】従来の一般的抵抗器の側面図である。
【図5】図4に示す抵抗器の平面図である。
【図6】図4に示す如き従来の抵抗器における境界域A
付近の拡大図である。
【符号の説明】
10  アルミナ基板 11  抵抗体膜 12  内部保護膜 13  外部保護膜 20  上面導体膜(一次電極) 21  側面導体膜(二次電極) 25  上面電極 A  境界域

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上面に抵抗体膜を設け、抵抗体膜に接
    触する導体膜を基板の対向両側に設け、導体膜のうち基
    板上面に在る上面導体膜の前記側縁寄りの部分が露出す
    る態様で抵抗体膜と上面導体膜とを覆う保護膜を設け、
    露出する上面導体膜を有する部分を上面電極とした角形
    チップ抵抗器において、上面電極と保護膜との境界域が
    抵抗体膜と上面導体膜とからなることを特徴とする角形
    チップ抵抗器。
JP3021729A 1991-01-21 1991-01-21 角形チップ抵抗器 Pending JPH04237102A (ja)

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