JPH0423505A - 発振回路 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
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- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランジスタ回路に関し、特に発振回路に関
する。
する。
従来の発振器は、第２図に示すように、正帰還信号ＳＦ
を入力して発振信号Ｓ。を出力する差動増幅器１と発振
信号Ｓ。を入力する帰還回路２とから構成され、差動増
幅器１はトランジスタＱｌ。
を入力して発振信号Ｓ。を出力する差動増幅器１と発振
信号Ｓ。を入力する帰還回路２とから構成され、差動増
幅器１はトランジスタＱｌ。
Ｑ２及び負荷ＺＬ、定電流源工、バイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ
２、バイパスコンデンサＣ３、バイアス電圧源ＶＢから
構成され、帰還回路２は結合コンデンサ０１〜Ｃ２、共
通回路のコンデンサＣ８、インダクタンスＬ。から構成
されている。
２、バイパスコンデンサＣ３、バイアス電圧源ＶＢから
構成され、帰還回路２は結合コンデンサ０１〜Ｃ２、共
通回路のコンデンサＣ８、インダクタンスＬ。から構成
されている。
次に動作について説明する。回路内で振動電流が生じる
と、インダクタンスＬ。及びコンデンサｃｏによって ”” ２Ｋｖ’：口、、 °°−（１
）の周波数で共振され、結合コンデンサＣ２を介してト
ランジスタＱ１のベースに入力され、差動増幅器１で増
幅されて、トランジスタＱ２のコレクタから発振信号Ｓ
。が出力され、結合コンデンサＣ１を介してトランジス
タＱ１のベースに正帰還され、共振周波数と同周波数で
発振が生じ、すなわち図２の従来の発振回路の発振周波
数は（１）の式で示される。しかしなから、高周波の発
振回路においては、差動増幅器１の入力インピーダンス
の影響があるため（１）の式とはならない。高周波の発
振回路の発振周波数を式を用いて説明する。
と、インダクタンスＬ。及びコンデンサｃｏによって ”” ２Ｋｖ’：口、、 °°−（１
）の周波数で共振され、結合コンデンサＣ２を介してト
ランジスタＱ１のベースに入力され、差動増幅器１で増
幅されて、トランジスタＱ２のコレクタから発振信号Ｓ
。が出力され、結合コンデンサＣ１を介してトランジス
タＱ１のベースに正帰還され、共振周波数と同周波数で
発振が生じ、すなわち図２の従来の発振回路の発振周波
数は（１）の式で示される。しかしなから、高周波の発
振回路においては、差動増幅器１の入力インピーダンス
の影響があるため（１）の式とはならない。高周波の発
振回路の発振周波数を式を用いて説明する。
トランジスタＱ１のベースから見た差動増幅器１の入力
インピーダンスをＺ工、として図２の従来例から帰還回
路２を抜き出して書くと図３となる。
インピーダンスをＺ工、として図２の従来例から帰還回
路２を抜き出して書くと図３となる。
図３においてｖ’ｌ／ｖ、すなわち帰還率βを求めると
（ｓ ＝ ｉ ｍ、コイルＬ。の抵抗分子として、Ｇ１
／ ｒとすると） ・・・・・（３） 差動増幅器のオープンゲインなＡ。とすると発振条件は Ａｏβ＝１ ・・・・・（４） となる。
（ｓ ＝ ｉ ｍ、コイルＬ。の抵抗分子として、Ｇ１
／ ｒとすると） ・・・・・（３） 差動増幅器のオープンゲインなＡ。とすると発振条件は Ａｏβ＝１ ・・・・・（４） となる。
（４）式を（３）の式に適用すると
・・・・・・（５）
βの虚数部が零となれば（５）式は成立し、発振器
件を満す。
Ｓ＝ｊｍを代入して整理すると
Ｗ：″ Ｌｏ Ｃｏ＋Ｃ＋＋０２ 十〇−ＺＩＮ−０
１ｆ°＝ ２π Ｌ、ＣＯ＋ＣＩ＋０２＋Ｇ−Ｚ＋、・
Ｃ１・・・・・・（７） 発振周波数ｆ。は式（７）にて求められる。ただし差動
増幅器１の入力インピーダンスｚＩＮは純抵抗と仮定し
以下の式で示される。
１ｆ°＝ ２π Ｌ、ＣＯ＋ＣＩ＋０２＋Ｇ−Ｚ＋、・
Ｃ１・・・・・・（７） 発振周波数ｆ。は式（７）にて求められる。ただし差動
増幅器１の入力インピーダンスｚＩＮは純抵抗と仮定し
以下の式で示される。
ＺＩＮ共り、。７ｇ、、、・・・・・・（８）ｇ、ｎは
差動増幅器１の相互コンダクタンスである。
差動増幅器１の相互コンダクタンスである。
ｈｒａは、トランジスタの電流増幅率である。
（８）式を（７）式に代入して
となる。
この従来の発振回路では、式（８）で示されるように、
発振周波数ｆ。が、
となり、発振周波数ｆ。が差動増幅器１の相互コンダク
タンスｇｍを含んでいる。
タンスｇｍを含んでいる。
（ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷
量である。） 式（９）よりｇ、は、温度に対して変化するためｇｍを
含むｆ。全体も温度に対して変化する。すなわち発振器
の発振周波数の温度変動が大きくなる。今、（８）式に
定数を入れてｆ。の温度変動を調べると、Ｇ＝０．００
１．２ｈｆ−＝１００． ｇよ＝０．２（温度ｔ＝−２
５℃のとき） ｃｏ＝０１−０２とし、■は温度変化で変わらないとす
ると、 ｔ＝−２５℃時の発振周波数ｆ、は ”＝２５．６１１７ ・旧・・（１ｏ）次
にｔ′ ７５℃時のｇ。′ を求めると ｑｌ ｑｌ ｇ′″ ４ｋＴ’ ４ｋＴ Ｔ ２７３＋ｔ ’−”ｇ ｆｆｉ’ Ｔ’ ２７３＋ｔ′ ｇ、’− ２７３＋７５ ここでｇ。−０，２よりｔ′ ＝７５℃時のｇｍ′ は ｇｍ’＃０．１４ 従ってｔ′ ７５℃時の発振周波数ｆ２は 今、ｆに４８０ＭＨｚであるとすると ｆ ２＝０．９７ Ｘ ４８０＝４６６ＭＨｚとなり温
度−２５°〜７５°の変化で発振周波数の変動が１４Ｍ
Ｈｚとなり温度変化で発振周波数の変動が大きくなると
いう問題点があった。
量である。） 式（９）よりｇ、は、温度に対して変化するためｇｍを
含むｆ。全体も温度に対して変化する。すなわち発振器
の発振周波数の温度変動が大きくなる。今、（８）式に
定数を入れてｆ。の温度変動を調べると、Ｇ＝０．００
１．２ｈｆ−＝１００． ｇよ＝０．２（温度ｔ＝−２
５℃のとき） ｃｏ＝０１−０２とし、■は温度変化で変わらないとす
ると、 ｔ＝−２５℃時の発振周波数ｆ、は ”＝２５．６１１７ ・旧・・（１ｏ）次
にｔ′ ７５℃時のｇ。′ を求めると ｑｌ ｑｌ ｇ′″ ４ｋＴ’ ４ｋＴ Ｔ ２７３＋ｔ ’−”ｇ ｆｆｉ’ Ｔ’ ２７３＋ｔ′ ｇ、’− ２７３＋７５ ここでｇ。−０，２よりｔ′ ＝７５℃時のｇｍ′ は ｇｍ’＃０．１４ 従ってｔ′ ７５℃時の発振周波数ｆ２は 今、ｆに４８０ＭＨｚであるとすると ｆ ２＝０．９７ Ｘ ４８０＝４６６ＭＨｚとなり温
度−２５°〜７５°の変化で発振周波数の変動が１４Ｍ
Ｈｚとなり温度変化で発振周波数の変動が大きくなると
いう問題点があった。
本発明の目的は温度変化に対して安定な発振周波数で発
振する発振回路を提供することにある。
振する発振回路を提供することにある。
本発明の発振回路は差動増幅器の出力が帰還回路を介し
て前記差動増幅器の出力と同相の前記差動増幅器の入力
に正帰還され、前記差動増幅器の定電流源はトランジス
タ、抵抗から構成され、バンドギャップレギュレータの
バンドギャップ電圧はオペアンプで直流増幅され、前記
オペアンプの出力は前記トランジスタのベースに与えら
れ、前記トランジスタのエミッタは前記抵抗を介して接
地され、前記差動増幅器の定電流源の電流がトランジス
タのサーマル電圧に正比例している。
て前記差動増幅器の出力と同相の前記差動増幅器の入力
に正帰還され、前記差動増幅器の定電流源はトランジス
タ、抵抗から構成され、バンドギャップレギュレータの
バンドギャップ電圧はオペアンプで直流増幅され、前記
オペアンプの出力は前記トランジスタのベースに与えら
れ、前記トランジスタのエミッタは前記抵抗を介して接
地され、前記差動増幅器の定電流源の電流がトランジス
タのサーマル電圧に正比例している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の発振回路であり、発振回
路５．オペアンプ６、バンドギャッフＬ／ギュレータ７
から構成され、発振回路５は差動増幅器９及び帰還回路
８から構成され、正帰還信号ＳＦＩをトランジスタＱ３
のベースに入力して、トランジスタＱ３．Ｑ４からなる
差動増幅器で増幅サレ、発振信号Ｓ。１はトランジスタ
Ｑ４のコレクタから出力され結合コンデンサＣ６，Ｃｓ
を介してトランジスタＱ３のベースに正帰還される。Ｃ
ｏ ＋ ｒＬｏｔは、共振回路を形成し、ＲｏｌはＬＯ
Ｉの抵抗分であり、Ｃｓ、Ｃａを含めて発振周波数を決
定する。Ｒ，、、Ｒ，２はベースバイアス抵抗でｖｎ＋
はベースバイアス源、Ｃ７はバイパスコンデンサである
。バンドギャップレギュレータ７は、トランジスタＣ５
〜Ｑ９．トランジスタＱ５．Ｃ６のエミツタ面積比はＮ
：１（Ｎ＞２）であり、抵抗ｒｌ＋ｒ２１ＲＩＯ％位相
補正コンデンサＣ８にて構成され、端子２０よりバンド
ギャップ電圧が出力され、オペアンプ６にて直流増幅さ
れ、トランジスタＱ１０のベースに入力される。トラン
ジスタＱ１０とＲ７は定電流源を構成し、トランジスタ
Ｑ１０のベース電圧により、差動増幅器９の定電流工を
決定する。今、発振回路５の発振周波数ｆ。５を求める
と従来例の式（８）より ・・・・・（１３） ただし、’ｈｆ。５はトランジスタの電流増幅率、ｇｍ
５は差動増幅器９の相互コンダクタンスである。
路５．オペアンプ６、バンドギャッフＬ／ギュレータ７
から構成され、発振回路５は差動増幅器９及び帰還回路
８から構成され、正帰還信号ＳＦＩをトランジスタＱ３
のベースに入力して、トランジスタＱ３．Ｑ４からなる
差動増幅器で増幅サレ、発振信号Ｓ。１はトランジスタ
Ｑ４のコレクタから出力され結合コンデンサＣ６，Ｃｓ
を介してトランジスタＱ３のベースに正帰還される。Ｃ
ｏ ＋ ｒＬｏｔは、共振回路を形成し、ＲｏｌはＬＯ
Ｉの抵抗分であり、Ｃｓ、Ｃａを含めて発振周波数を決
定する。Ｒ，、、Ｒ，２はベースバイアス抵抗でｖｎ＋
はベースバイアス源、Ｃ７はバイパスコンデンサである
。バンドギャップレギュレータ７は、トランジスタＣ５
〜Ｑ９．トランジスタＱ５．Ｃ６のエミツタ面積比はＮ
：１（Ｎ＞２）であり、抵抗ｒｌ＋ｒ２１ＲＩＯ％位相
補正コンデンサＣ８にて構成され、端子２０よりバンド
ギャップ電圧が出力され、オペアンプ６にて直流増幅さ
れ、トランジスタＱ１０のベースに入力される。トラン
ジスタＱ１０とＲ７は定電流源を構成し、トランジスタ
Ｑ１０のベース電圧により、差動増幅器９の定電流工を
決定する。今、発振回路５の発振周波数ｆ。５を求める
と従来例の式（８）より ・・・・・（１３） ただし、’ｈｆ。５はトランジスタの電流増幅率、ｇｍ
５は差動増幅器９の相互コンダクタンスである。
式（１３）においてｇｍｓが温度において一定となれば
（１３）式のｆ。５は温度に対して変動がなくなる。
（１３）式のｆ。５は温度に対して変動がなくなる。
バンドギャップレギュレータ７のバンドギャップ電圧■
ヨ。を求めると、トランジスタＱ５．Ｑ６のコレクタ電
流を各々、Ｉｓ、Ｉ。とすると、トランジスタＱ７．Ｑ
８からなるカレントミラー及びトランジスタＱ９、抵抗
Ｒ］、０による帰還回路によりほぼ等しくなり Ｉ ５ ＝ Ｉ ａ ＝ Ｉ
・・・・・・（１４）次にトランジスタＱ５．Ｑ６のベ
ース、エミッタ間電圧差は、エミツタ面積比Ｎにより決
定され、（ＶＴは、トランジスタのサーマル電圧）ＶＢ
Ｅ（Ｃ６） ＝ ＶＢＥ（Ｃ５） ＋ ｒ １１
−− （１５）式（１４）を代入して整理して ＶＴＩ２ｎＮ＝ ｒ １１ −・”（
１７）抵抗ｒ２に流れる電流は２工ゆえ、トランジスタ
Ｑ６のエミッタ電圧は、式（１７）を用いてＶＥ（Ｃ６
）＝ ２ Ｉ ｒ ２：２ ｖＴβｎＮ−・・・・・（
１８）従ってバンドギャップ電圧ＶＢＧは ＶＢＯ＝ＶＢＥ（Ｃ６） ＋２ ｖＴＪ２ ｎＮ・・・
・・・（１９） ＶＢＧは、 オペアンプ６にて増幅され、 出力電圧は ＶＥとして端子２１より出力され、 （ＶＢｇｔｏａ：＋＋２ｖ７．ＣｎＮ ）−−（２
０）ｌ となる。■おは、トランジスタＱ１０のベース電圧ゆえ
、トランジスタＱＩＯのコレクタ電流工。（ＱＩＯ）は
、・・・・・・（２１） ム ″７〜 Ｒ８゜ Ｒ８が となるように選択されたとすると式（２１）は、計算が
複雑となるので Ｉ Ｃ（ＱＩＯ） ＝ ｋ ＋ Ｖ Ｔ・・（２４） ＩＣ（Ｑｌ。）は差動増幅器９の定電流ゆえ（２５）式
に（２４）式を代入して （２６）式を（１３）式に代入して ・・・・・・（２７） すなわち発振周波数ｆ。５は、 温度Ｔの項を含まな い為、 温度変化対して一定となる。
ヨ。を求めると、トランジスタＱ５．Ｑ６のコレクタ電
流を各々、Ｉｓ、Ｉ。とすると、トランジスタＱ７．Ｑ
８からなるカレントミラー及びトランジスタＱ９、抵抗
Ｒ］、０による帰還回路によりほぼ等しくなり Ｉ ５ ＝ Ｉ ａ ＝ Ｉ
・・・・・・（１４）次にトランジスタＱ５．Ｑ６のベ
ース、エミッタ間電圧差は、エミツタ面積比Ｎにより決
定され、（ＶＴは、トランジスタのサーマル電圧）ＶＢ
Ｅ（Ｃ６） ＝ ＶＢＥ（Ｃ５） ＋ ｒ １１
−− （１５）式（１４）を代入して整理して ＶＴＩ２ｎＮ＝ ｒ １１ −・”（
１７）抵抗ｒ２に流れる電流は２工ゆえ、トランジスタ
Ｑ６のエミッタ電圧は、式（１７）を用いてＶＥ（Ｃ６
）＝ ２ Ｉ ｒ ２：２ ｖＴβｎＮ−・・・・・（
１８）従ってバンドギャップ電圧ＶＢＧは ＶＢＯ＝ＶＢＥ（Ｃ６） ＋２ ｖＴＪ２ ｎＮ・・・
・・・（１９） ＶＢＧは、 オペアンプ６にて増幅され、 出力電圧は ＶＥとして端子２１より出力され、 （ＶＢｇｔｏａ：＋＋２ｖ７．ＣｎＮ ）−−（２
０）ｌ となる。■おは、トランジスタＱ１０のベース電圧ゆえ
、トランジスタＱＩＯのコレクタ電流工。（ＱＩＯ）は
、・・・・・・（２１） ム ″７〜 Ｒ８゜ Ｒ８が となるように選択されたとすると式（２１）は、計算が
複雑となるので Ｉ Ｃ（ＱＩＯ） ＝ ｋ ＋ Ｖ Ｔ・・（２４） ＩＣ（Ｑｌ。）は差動増幅器９の定電流ゆえ（２５）式
に（２４）式を代入して （２６）式を（１３）式に代入して ・・・・・・（２７） すなわち発振周波数ｆ。５は、 温度Ｔの項を含まな い為、 温度変化対して一定となる。
第４図に本発
明の別の実施例を示すが、
動作は同じなので説明
は省略する。
以上説明したように、
本発明は発振器の構成の
一部である差動増幅器の定電流源の電流をトランジスタ
のサーマル電圧に正比例するように設定したので、式（
２７）に示されるように発振周波数ｆ。５の温度に関す
るパラメータがなくなり、温度変動に対して極めて安定
になるという効果を有する。本発明を用いて試作した発
振器の温度対発振周波数の特性を図５に示す。常温にお
ける発振周波数は４８０ＭＨｚであり、温度−２５℃〜
７５℃の変化において発振周波数の変動を１．１４ Ｍ
Ｈｚとすることができた。
のサーマル電圧に正比例するように設定したので、式（
２７）に示されるように発振周波数ｆ。５の温度に関す
るパラメータがなくなり、温度変動に対して極めて安定
になるという効果を有する。本発明を用いて試作した発
振器の温度対発振周波数の特性を図５に示す。常温にお
ける発振周波数は４８０ＭＨｚであり、温度−２５℃〜
７５℃の変化において発振周波数の変動を１．１４ Ｍ
Ｈｚとすることができた。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は従来の発
振回路図、第３図は従来の発振回路の帰還回路のみの回
路図、第４図は本発明の第二の実施例の回路図、第５図
は本発明を用いて試作した発振器の発振周波数の温度特
性を示すデータである。 ５．６３・・・・・・発振回路、１，９．６２・・・・
・・差動増幅器、２，８．６１・・・・・・帰還回路、
７，６５・・・、・・バンドギャップレギュレータ、Ｑ
ｌ、Ｃ２，Ｃ３、Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｑ９
．Ｑ１０、Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ３３，Ｃ３４，Ｃ３５，
Ｃ３６、Ｃ３７，Ｃ３８・・・・・・トランジスタ、Ｒ
１゜Ｒ２，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１１，Ｒ１２゜
ｒｌ＋ ｒ２＋ ＲＩ Ｏ，Ｒ３１〜Ｒ３７−抵抗、
Ｇ、Ｇｌ、Ｇ２・・・・・・コイルの抵抗のコンダクタ
ンス、Ｃ１〜Ｃ３，Ｃ５〜Ｃ８，Ｃ３１〜Ｃ３４・・・
・・・コンデンサ、Ｌ ｏ、 Ｌ ｏ １． Ｌ ０２
・・・・・・共振回路のインダクタンス、ｃｏ、Ｃｏ１
．Ｃｏ２・・・・・・共振回路のコンデンサ、ＶＢ、
ＶＢＩ、 ＶＢ□・・・・・・バイアス電圧源、ＶＣＣ
＋ ｖｏ。、 ｌ ＶＣＣ２・・・・・・電源、■・・
・・・・定電流源、Ｚｃ・・・・・・負荷、２１．５１
・・・・・・オペアンプ出力端子、２２，５２，１２．
・・・・・・発振回路出力端子。 代理人 弁理士 内 原 晋
振回路図、第３図は従来の発振回路の帰還回路のみの回
路図、第４図は本発明の第二の実施例の回路図、第５図
は本発明を用いて試作した発振器の発振周波数の温度特
性を示すデータである。 ５．６３・・・・・・発振回路、１，９．６２・・・・
・・差動増幅器、２，８．６１・・・・・・帰還回路、
７，６５・・・、・・バンドギャップレギュレータ、Ｑ
ｌ、Ｃ２，Ｃ３、Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｑ９
．Ｑ１０、Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ３３，Ｃ３４，Ｃ３５，
Ｃ３６、Ｃ３７，Ｃ３８・・・・・・トランジスタ、Ｒ
１゜Ｒ２，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１１，Ｒ１２゜
ｒｌ＋ ｒ２＋ ＲＩ Ｏ，Ｒ３１〜Ｒ３７−抵抗、
Ｇ、Ｇｌ、Ｇ２・・・・・・コイルの抵抗のコンダクタ
ンス、Ｃ１〜Ｃ３，Ｃ５〜Ｃ８，Ｃ３１〜Ｃ３４・・・
・・・コンデンサ、Ｌ ｏ、 Ｌ ｏ １． Ｌ ０２
・・・・・・共振回路のインダクタンス、ｃｏ、Ｃｏ１
．Ｃｏ２・・・・・・共振回路のコンデンサ、ＶＢ、
ＶＢＩ、 ＶＢ□・・・・・・バイアス電圧源、ＶＣＣ
＋ ｖｏ。、 ｌ ＶＣＣ２・・・・・・電源、■・・
・・・・定電流源、Ｚｃ・・・・・・負荷、２１．５１
・・・・・・オペアンプ出力端子、２２，５２，１２．
・・・・・・発振回路出力端子。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 差動構成の発振回路において、差動増幅器の出力が帰還
回路を介して前記差動増幅器の出力と同相の前記差動増
幅器の入力に正帰還され、前記差動増幅器の定電流源は
トランジスタ、抵抗から構成され、バンドギャップレギ
ュレータのバンドギャップ電圧はオペアンプで直流増幅
され、前記オペアンプの出力は前記トランジスタのベー
スに与えられ、前記トランジスタのエミッタは前記抵抗
を介して接地され、前記差動増幅器の定電流源の電流が
トランジスタのサーマル電圧に正比例していることを特
徴とする発振回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2128055A JPH0423505A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 発振回路 |
| US07/701,912 US5151667A (en) | 1990-05-17 | 1991-05-17 | Temperature compensated oscillation circuit |
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| JP2128055A JPH0423505A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 発振回路 |
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|---|---|
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Family
ID=14975372
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2128055A Pending JPH0423505A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 発振回路 |
Country Status (4)
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| JP (1) | JPH0423505A (ja) |
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