JPH04226387A

JPH04226387A - 光カード

Info

Publication number: JPH04226387A
Application number: JP3099767A
Authority: JP
Inventors: Naoto Ito; 伊藤　尚登; Takahisa Oguchi; 貴久小口; Tsuyoshi Enomoto; 榎本　堅
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1990-06-19
Filing date: 1991-04-05
Publication date: 1992-08-17
Anticipated expiration: 2012-07-30
Also published as: JP2635840B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録保存に用い
る光カードに関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平２−１３８３８２、同２−１３０
７３７、同２−１２２４３８、同２−１１８９１７など
により、基板上に記録層、即ち光吸収層が付着させられ
積層されているカードが既知のものとなっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】特開平２−１３８３８
２中で開示されている記録層を構成するアルキルフタロ
シアニンは、光カードとして所要の感度を与え得なかっ
た。また、特開平２−１３０７３７の実施例中に示され
ている光カードは、感度と耐久性が不良であり、しかも
光カードとして必要とされる、７８０〜８３０ｎｍの吸
収波長範囲内での３０％以上の反射率を有するという要
件を満足させていなかった。

【０００４】特開平２−１２２４３８には、本発明と同
一の層構成を成す光カードが開示されているが、これも
光カード所要の反射率３０％に達しておらず、加えて耐
久性も充分ではなかった。

【０００５】本発明の目的は、上記従来例において得ら
れなかった反射率３０％以上を有する、感度、耐久性と
もに良好な光カードを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するべく鋭意検討の結果、光カードの記録層に含有
される近赤外線吸収剤の融点が、１５０〜３００℃で、
かつ分解開始温度が２００〜３５０℃であると、その近
赤外線吸収剤を含有する記録層により構成される光カー
ドは、信号の書き込み感度、書き込まれた信号のシンメ
トリー性が良好で、記録ひずみも小さいことを見いだし
た。

【０００７】また、クロロホルム溶媒中でのその化合物
の溶液状態における最大吸収波長（λｍａｘ）が７３０
〜７９０ｎｍにある近赤外線吸収剤を記録層に用いるな
らば、光カードとして反射率３０％以上、最大吸収波長
範囲７７０〜８４０ｎｍの維持が可能であることを見い
出した。

【０００８】特に使用した近赤外線吸収剤の融点と分解
開始温度が、記録時の感度と再生持の安定性に大きく関
与していること見出し、これらの発見に基づいて発明を
完成させたものである。

【０００９】本発明の光カードは、透明基板、記録層、
保護層の順序の積層構成であり、前記記録層は、融点が
１５０〜３００℃で、かつ分解開始温度が２００〜３５
０℃の範囲内である化合物またはそれらの混合物からな
る近赤外線吸収剤を含有することを特徴としている。

【００１０】尚、融点は市販の融点測定器で、分解点は
示差熱−熱重量同時測定装置（ＤＴＡ−ＴＧＡ）で測定
し、５％分解した時の温度を分解開始温度とした。

【００１１】光カード即ち、ＩＤカード等に用いられる
長方形をした、基板、記録層、保護層より成る記録媒体
は、７８０〜８３０ｎｍ半導体レーザーで記録、再生が
行なわれるため、記録層にクロロホルム中のλｍａｘが
７３０〜７９０ｎｍの範囲にある近赤外線吸収剤を含有
させることが好ましく、その感度、再生能の面よりεｍ
ａｘが１×１０５　　ｌ　　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１以
上である近赤外線吸収剤を用いることにより、基板側か
らの読み出し光に対する反射光の比率（反射率）が３０
〜５０％となり、再生能が向上し、かつ書き込み感度も
向上するために特に好ましい。

【００１２】本発明の光カードに於て用いられる基板と
しては、光学的に透明な樹脂で有れば良い。例えば、ア
クリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化
ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹　　脂、エチレン
樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹
脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹脂な
どが挙げられる。また、基板は熱硬化性樹脂または紫外
線硬化性樹脂により表面処理がなされていてもよい。

【００１３】記録層に含有される近赤外線吸収剤として
は、下記式（Ｉ）で示される化合物群

【００１４】

【化１】〔式（Ｉ）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，
Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，
Ｒ１４，Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、置換または未置換のアルキル基
、置換または未置換のアリール基、置換または未置換の
アルコキシル基、置換または未置換のアリールオキシ基
、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未置
換のアリールチオ基を表す。ただし、Ｒ１とＲ４、Ｒ５
とＲ８、Ｒ９とＲ１２およびＲ１３とＲ１６の組合せに
おいて、少なくとも一方は、置換または未置換のアルコ
キシル基、置換または未置換のアリールオキシ基、置換
または未置換のアルキルチオ基、及び置換または未置換
のアリーリチオ基の中より選択された基を表し、Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ
１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５及びＲ
１６のうち、１〜４個はハロゲン原子をあらわし、Ｍｅ
ｔは２個の水素原子、２価の金属原子、３価又は４価の
金属誘導体を表わす。〕で示されるフタロシアニン化合
物及びその異性体群、またはシアニン色素、アントラキ
ノン色素、ポリオレフィン色素、チアピリリウム色素な
どの色素群の中から、単一または混合物の融点が１５０
〜３００℃で、かつ分解開始温度が２００〜３５０℃で
ある色素または色素混合物を選択することで、記録感度
、記録特性の優れた光カードが得られる。

【００１５】記録層の作製方法としては前記化合物の単
一または混合物を１層または２層に塗布あるいは蒸着す
る方法があり、塗布法としては、バインダー樹脂２０重
量％以下、好ましくは０％と、前化合物０．０５重量％
〜２０重量％、好ましくは０．５重量％〜２０重量とな
るように溶媒に溶解し、スピンコーターで塗布する方法
などがある。また蒸着方法としては、１０−５〜１０−
７ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて基板上に前化合物を
堆積させる方法などがある。

【００１６】記録層中の近赤外線吸収剤を含む層の膜厚
は５０〜３００ｎｍが好ましい。

【００１７】基板の耐溶剤性より、スピンコートに用い
る溶媒としては、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロ
ロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエ
チレン、ジクロロジフルオロエタンなど）、エーテル類
（例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテルなど）、アルコール類（例えば、メタノ
ール、エタノール、プロパノールなど）、セロソルブ類
（メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど）、炭化水
素類（ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、ベンゼン
、トルエン）が好ましい。

【００１８】保護層を作製する方法としては、基板上に
記録層を前述のようにして作製した後、ＵＶ硬化樹脂ま
たは熱硬化樹脂組成物をスピンコート法、バーコーター
法、浸漬法などにより塗布した後、硬化する方法がある
。また、その厚みは１μｍ〜５００μｍが好ましい。

【００１９】光カードを作製する場合、コスト面、ユー
ザー取扱い面より、基板はポリアクリレート基板または
ポリカーボネート基板を用い、かつスピンコート法によ
り塗布されるのが好ましい。

【００２０】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。なお、実施例中の部は全て重量部を示す。

【００２１】実施例１

【００２２】

【化２】上記フタロシアニン（融点２５０℃以上、分解開始温度
３０２℃、λｍａｘ＝７７６ｎｍおよびεｍａｘ＝１．
８×１０５　　ｌ　　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１）１部を
ジブチルエーテル１００部に溶解し、ポリカーボネート
光カード基板に塗布した。この上に光硬化型ポリアクリ
ル樹脂をオーバーコートして光硬化させた。

【００２３】このようにして作製した光カードは、線速
１．４ｍ／ｓｅｃ、レーザーパワー７ｍＷ（ａｔ８３０
ｎｍ）において、Ｃ／Ｎ比６０ｄＢであり、良好な感度
であった。また、フェードメーター６３℃／１００ｈｒ
照射後、記録層の劣化は観察されなかった。

【００２４】実施例２

【００２５】

【化３】上記フタロシアニン（融点１５０℃、分解開始温度３０
５℃、λｍａｘ＝７７０ｎｍ、εｍａｘ＝２．０×１０
５　　ｌ　　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１）５部をｎ−オク
タン５００部に溶解し、スピンコーターにより、光カー
ド用ポリカーボネート基板上に乾燥膜厚１５０ｎｍとな
るように塗布した。その上にＵＶ硬化型樹脂をコートしてＵＶ硬化させるこ
とにより保護層を形成し、光カードを作製した。

【００２６】このようにして作製した光カードは、反射
率３５％であり、線速度１．４ｍ／ｓｅｃにて、７ｍＷ
、８３０ｎｍのレーザー光により、Ｃ／Ｎ比６０ｄＢの
記録を書き込みえた。

【００２７】このカードは、カーボンアーク灯６３℃、
２００時間の耐光試験においても変化しなかった。

【００２８】実施例３

【００２９】

【化４】上記の融点２５０℃以上、分解開始温度２５２℃、λｍ
ａｘ＝７７５ｎｍ、εｍａｘ＝１．７×１０５　　ｌ　
　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１である１，４，５，８，９，
１２，１３，１６−オクタ（２−エチルヘキシルオキシ
）−２，３，６，７，１０，１１，１４，１５−オクタ
（フェニルチオ）フタロシアニンパラジウム５部をｎ−
オクタンに溶解し、スピンコーターによりポリカーボネ
ート基板に塗布した。膜厚は１２０ｎｍであった。この
上にＵＶ硬化型樹脂を用いて保護層を形成した。

【００３０】作製された光カードに、線速１．３ｍ／ｓ
ｅｃ、７ｍＷの７８０ｎｍのレーザーにより記録したと
ころ、Ｃ／Ｎ比５５ｄＢの記録が得られた。

【００３１】また、この光カードにキセノンランプ、５
０℃による耐光性試験を行ったところ、２００時間経過
しても変化がないことが確認された。

【００３２】実施例４

【００３３】

【化５】上記式で示されるフタロシアニン（融点２５０℃以上、
分解開始温度３５０℃、λｍａｘ＝７７８ｎｍ、εｍａ
ｘ＝１．６×１０５　　ｌ　　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１
）５部をジブチルエーテルとジイソプロピルエーテルの
３：１混合物３００部に溶解し、スピンコーターにより
ＰＭＭＡ基板上に厚み１２０ｎｍで塗布し、続いてＵＶ
硬化型樹脂にて保護層を形成し、カードを作製した。

【００３４】得られた光カードに、線速１．４ｍ／ｓｅ
ｃ、８ｍＷ，８３０ｎｍのレーザーで記録したところ、
Ｃ／Ｎ比６０ｄＢの記録が得られた。

【００３５】実施例５

【００３６】

【化６】 λｍａｘ＝７７３ｎｍ、εｍａｘ＝１．７×１０５ｌ　
　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１、融点１５２℃、分解開始温
度２９８℃の上記フタロシアニンを使用して、実施例１
と同様に光カードを作製した。

【００３７】この光カードに、線速１．４ｍ／ｓｅｃ、
７ｍＷ、８３０ｎｍのレーザーで記録したところ、Ｃ／
Ｎ比６０ｄＢの記録が得られた。再生光安定性は１ｍＷ
の８３０ｎｍ半導体レーザーで以て１０万回の読み出し
を行なっても信号に変化はなかった。

【００３８】実施例６

【００３９】

【化７】上記式で示されるフタロシアニン（融点１８５〜２５０
℃以上、分解開始温度２１８℃、λｍａｘ＝７３４ｎｍ
、εｍａｘ＝２．０×１０５　　ｌ　　ｍｏｌ−１　　
ｃｍ−１）を用いて、実施例１と同様に光カードを作製
した。

【００４０】得られた光カードに、線速１．４ｍ／ｓｅ
ｃ、８ｍＷ、８３０ｎｍのレーザーで記録したところ、
Ｃ／Ｎ比６０ｄＢの記録が得られた。再生光安定性は１
ｍＷの８３０ｎｍ半導体レーザーで以て１０万回の読み
出しを行なっても信号に変化はなかった。

【００４１】実施例７

【００４２】

【化８】上記式で示されるフタロシアニン（λｍａｘ＝７５０ｎ
ｍ、εｍａｘ＝１．９×１０５　　ｌ　　ｍｏｌ−１　
　ｃｍ−１、融点２００〜２３５℃、分解開始温度２０
６℃）を用いて、実施例１と同様に光カードを作製した
。

【００４３】得られた光カードに、線速１．３ｍ／ｓｅ
ｃ、７ｍＷ、８３０ｎｍのレーザーで記録したところ、
Ｃ／Ｎ比５５ｄＢの記録が得られた。

【００４４】実施例８

【００４５】

【化９】上記式で示されるフタロシアニン（融点２６０℃、分解
開始温度２７２℃、λｍａｘ＝７３９ｎｍ、εｍａｘ＝
２．０×１０５　　ｌｍｏｌ−１　　ｃｍ−１）を用い
て、実施例１と同様に光カードを作製した。

【００４６】得られた光カードに、線速１．４ｍ／ｓｅ
ｃ、７．５ｍＷ、８３０ｎｍのレーザーで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ比６１ｄＢの記録が得られた。

【００４７】実施例９

【００４８】

【化１０】上記式で示されるフタロシアニン（融点２５５℃、分解
開始温度２６７℃、λｍａｘ＝７５９ｎｍ、εｍａｘ＝
１．９×１０５　　ｌｍｏｌ−１　　ｃｍ−１）を用い
て、実施例１と同様に光カードを作製した。

【００４９】得られた光カードに、線速１．３ｍ／ｓｅ
ｃ、７．５ｍＷ、８３０ｎｍのレーザーで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ　　比６０ｄＢの記録が得られた。

【００５０】実施例１０

【００５１】

【化１１】上記式で示されるフタロシアニン（融点２６０℃、分解
開始温度２８０℃、λｍａｘ＝７３２ｎｍ、εｍａｘ＝
２．１×１０５　　ｌｍｏｌ−１　　ｃｍ−１）を用い
て、実施例１と同様にして光カードを作製した。

【００５２】得られた光カードに、線速１．４ｍ／ｓｅ
ｃ、７ｍＷ、７８０ｎｍのレーザーで記録したところ、
Ｃ／Ｎ比５７ｄＢの記録が得られた。

【００５３】比較試験以上得られた本発明の光カードを公知の要件で作製した
光カードについてその性能を比較した。本発明の光カー
ドとして、実施例２、４および５のものを使用し、比較
例として下記６種の公知色素を用いて作製した光カード
を使用した。

【００５４】比較例１：特開平２−１３８３８２を参照
し、下記化合物を用いた例

【００５５】

【化１２】比較例２：下記の色素を用いた例（特開昭５９−２４６
９２を参照した。）

【００５６】

【化１３】比較例３：特開平２−１３０７３７を参照し、スピロン
ブラックＭＨスペシャルＮを用いて光カードを作製した
例。

【００５７】比較例４：特開平２−１２２４３８を参照
し、無機記録層を用いた例。

【００５８】比較例５：下式の色素を用いた例で実施例
１と同様に媒体を作製した。

【００５９】

【化１４】ただし、色素のｍｐ８０〜９０℃、分解開始点３１０　
　℃比較例６：下記の色素を用いた例で、実施例１と同
様にして媒体を作製した。

【００６０】

【化１５】（色素の物性は、融点が１４０℃、分解開始温度が３２
０℃であった。）以上の比較例は全て以下の手順により
その物性を測定し、その結果を実施例との比較で表１に
示した。

【００６１】反射率は　　８３０ｎｍの光に対するもの
、感度は線速１．４ｍ／ｓｅｃ、８３０ｎｍにおいて測
定し、　　１）　　シンメトリーは記録パワー５〜９０
ｍＷにおいて、変動率５％以下を（〇）、変動率５％以
上を（×）、２）パルス幅補正は４Ｔの信号（２３１×
４＝９２４ｎｓｅｃ）を記録したときの所要補正幅が０
〜−１００ｎｓｅｃの時を（〇）、−１００〜−２００
ｎｓｅｃの時を（△）、−２００ｎｓｅｃ以上の時を（
×）とし、３）記録のひずみは記録波形のひずみをオシ
ロスコープにより測定し、顕微鏡による記録ピットの観
察により金属のひずみを見た結果、ひずみのないものを
（〇）、あるものを（×）とし、４）耐久性は０．５ｍ
Ｗ　　線速１．４ｍ／ｓｅｃで１０万回読み出した時の
記録の変化（再生光安定性）とキセノンランプ、４０℃
、１００　　ｈｒによる耐日光堅牢度促進試験による記
録の変化が各々１０％以下を（〇）、１０〜２０％を（
△）、２０％以上を（×）とした。

【００６２】

【表１】表　　１

【００６３】

【表２】表　　１（続き）＊　　ＴＧ−ＤＴＡにより測定＊＊　　無機化合物による媒体のため、データなし。＊＊＊　　分解融点

【００６４】

【発明の効果】本発明は、透明基板上に記録層、保護層
の順序で積層された構成で、前記記録層に融点１５０〜
３００℃、分解開始温度２００〜３５０℃で、かつ、λ
ｍａｘが７３０〜７９０ｎｍの色素を用いたことにより
、高感度で、記録ひずみの小さい高耐久性の光カードが
えられる。この光カードは品質が従来に比べて安定化さ
れている。

Claims

【特許請求の範囲】【請求項１】　　透明基板に記録層、次いで保護層の順
序で積層された構成であり、前記記録層は融点が、１５
０〜３００℃で、かつ分解開始温度が２００〜３５０℃
の範囲内である化合物またはそれらの混合物からなる近
赤外線吸収剤を含有することを特徴とする光カード【請
求項２】　　記録層がクロロホルム溶液中における最大
吸収波長が７３０〜７９０ｎｍである近赤外線吸収剤に
て構成されることを特徴とする請求項１記載の光カード
。【請求項３】　　近赤外線吸収剤がクロロホルム溶液中
の最大吸収波長におけるモル吸光係数が１×１０５　　
ｌ　　ｍｏｌ−１　　ｃｍ−１以上の化合物である請求
項２記載の光カード。【請求項４】　　記録層を構成する近赤外線吸収剤の基
板側よりの反射率が３０〜５０％の範囲であることを特
徴とする請求項３記載の光カード。【請求項５】　　記録層を構成する近赤外線吸収剤がフ
タロシアニンである請求項４記載の光カード。