JPH04225212A - 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス - Google Patents

投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス

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JPH04225212A
JPH04225212A JP2406801A JP40680190A JPH04225212A JP H04225212 A JPH04225212 A JP H04225212A JP 2406801 A JP2406801 A JP 2406801A JP 40680190 A JP40680190 A JP 40680190A JP H04225212 A JPH04225212 A JP H04225212A
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Koichiro Komatsu
宏一郎 小松
Kazu Nojima
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程で使用される投影露光装置に関し、特に位置合わせ
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、リソグラフィ工程では微細パター
ンを高分解能で感光基板(レジスト層が形成された半導
体ウエハ)上に転写する装置として、ステップ・アンド
・リピート方式の縮小投影型露光装置(ステッパー)が
多用されるようになっている。この種のステッパーでは
、半導体素子の高集積化に伴いウエハ上での解像線幅が
サブミクロン(0.5μm程度)に達しており、この解
像力に見合ったアライメント精度(通常、解像線幅の1
/5程度)で、レチクル(マスクと同義)のパターンと
ウエハ上の1つのショット領域との位置合わせを行う必
要がある。
【0003】一般にステッパーを始めとする投影型露光
装置では、レチクルパターンをウエハ上に高解像力で結
像するために、投影光学系は露光用の照明光(例えば、
波長248nmのKrFエキシマレーザ光等)のみに対
して、良好に色収差補正されているのが現状である。従
って、レチクルパターンの投影像とショット領域との重
ね合わせを行うためのアライメント系がTTR(スルー
・ザ・レチクル)またはTTL(スルー・ザ・レンズ)
方式の場合、アライメントマーク照明用の光が露光光の
波長と同一、若しくは極めてそれに近い波長の照明光を
用いると、アライメント用照明光がレジスト層によりウ
エハマークに達するまでに減衰を受けることと、マーク
からの反射光(正反射光、散乱光、回折光等)も減衰を
受けることによって、ウエハマークがアライメント系に
よって十分な光量で認識されず、その検出精度を低下さ
せるといった問題が生じる。さらに、アライメントのた
めにアライメント用照明光がウエハマークに照射される
と、その部分のレジスト層は当然に感光してしまい、現
像後に各種プロセスを通すと、ウエハ上の当該マークが
破壊されてしまう。そのため、次の層の重ね合わせ露光
の時のアライメントに使えないといった問題も生じてし
まう。
【0004】そこで、例えば特開昭60−130742
号公報や特開昭63−283129号公報に示すように
、アライメント用照明光を射出する光源に、露光光の波
長と異なる波長の光源(波長633nmのHe−Neレ
ーザ等)を用いて、ウエハ又はレチクル上に形成された
アライメントマークを検出し、その光情報からウエハ又
はレチクルの位置を検出する方法が知られている。
【0005】特開昭60−130742号公報に示され
ている方式は、ウエハ又はレチクル上に形成されたマー
クをレーザビームの集光したスポット光(スリット状)
で相対走査し、マークエッジからの散乱,回折光を光電
検出して、光電信号波形の中心からマーク位置を検出す
る方式(以下「LSA(レーザステップアライメント)
方式」と言う)である。又、特開昭63−283129
号公報に示されている方式は、回折格子マークに対して
2方向からコヒーレントなレーザビーム(平行光束)を
同時に照射して1次元の干渉縞を作り、この干渉縞を使
って回折格子マークの位置を特定しようとするものであ
る。このような干渉縞を使ったアライメント方式には、
2方向から照射される2本のレーザビームに一定の周波
数差を与えるヘテロダイン法と、周波数差のないホモダ
イン法とがある。ホモダイン法では回折格子マークと平
行に静止した干渉縞が作られ、位置検出にあたっては回
折格子マーク(物体)をそのピッチ方向に微動させる必
要があり、格子マークの位置は干渉縞を基準として求め
られる。これに対してヘテロダイン法では2本のレーザ
ビームの周波数差(ビート周波数)のために、干渉縞が
その縞方向(ピッチ方向)に高速に流れることになり、
格子マークの位置は干渉縞を基準として求めることはで
きず、専ら干渉縞の高速移動に伴う時間的な要素(位相
差)を基準として求めることになる。
【0006】例えばヘテロダイン法では、格子マークか
らの±1次回折光をビート周波数で強度変調させて検出
した光電信号(光ビート信号)と、基準格子を使って2
本の送光ビームから別途作成された参照用干渉光の光ビ
ート信号との位相差(±180°以内)を求め、格子ピ
ッチPの±P/4以内の位置ずれを検出するものである
【0007】以上のLSA方式や回折格子を使った方式
等のアライメント方式においては、アライメント光を送
光する光学系中(照明系中)において、ウエハと略共役
な位置に視野絞りを配置する必要がある。これは、ウエ
ハ上に形成されたアライメントマーク上の照明領域を制
限するものであり、特に転写領域の回路パターン、もし
くはその他のアライメント用のマークをアライメント光
の一部で照明することによる反射光が、ノイズ光として
検出器に入射することを防ぐ為である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き従来の技術においては、投影光学系に対してアライ
メント光は軸外で入射し、さらに露光光とアライメント
光との波長の違いにより非点収差が生じる。仮に、視野
絞りを照明系内でウエハと略共役な面であって特に、投
影光学系のアライメント光に対するサジタル像面(投影
光学系の視野内のサジタル方向と垂直な方向に延びたエ
ッジを結像する位置)に配置したとする。すると非点収
差の為に視野絞りのウエハ上での像の形状は投影光学系
の視野内のメリジオナル方向(以下「M方向」とする)
においてデフォーカス状態となる(投影光学系の視野内
のサジタル方向に延びたエッジがデフォーカス状態とな
る)。このために適当な照野が形成できず、ウエハ上の
アライメントマークの領域を越えた照明光が、他のアラ
イメントマークや回路パターンをも照明してしまう。又
投影光学系とウエハ間或いは投影光学系間の面間反射等
の影響により迷光が発生する。このため、所定のアライ
メントマーク以外からの光束が、アライメントセンサー
にノイズとして混入することとなる。例えば、ヘテロダ
イン法を使って、基準格子に対するウエハ上のアライメ
ントマークの位置ずれを検出する場合を考えてみる。
【0009】図12は投影光学系の視野ifとウエハ上
のアライメントマークの位置関係を示す図である。複数
のアライメントマークWM1〜WM4は投影光学系の視
野if内であって、かつこれに内接する矩形のパターン
領域PAの外側にパターン領域PAに隣接して設けられ
ている。回折格子状のアライメントマークWM1〜WM
4は、投影光学系の視野if内のサジタル方向(以下「
S方向」とする)が計測方向となるように、ウエハ上に
設けられているものとする。つまり、2光束がS方向か
ら所定の角度でマークに入射するようにし、S方向と垂
直な方向に延びたエッジ(M方向のエッジ)を使って計
測を行うものである。従ってアライメントマークのエッ
ジはほぼM方向に延びているものとする。ここで、M方
向は投影光学系の視野if内の光軸AXを中心とした放
射方向であり、S方向はM方向に垂直な方向である。 図10は、複数のアライメントマークの中の1つに着目
したもので、アライメントマークWM1と照明領域SA
を示す図である。この場合矩形状の絞りを、ウエハと略
共役な位置にあるサジタル像面に配置し、S方向と垂直
な方向に延びたエッジをウエハW上に結像する。このエ
ッジをEdとして太線で示す。これに対して前述の如く
、非点収差の影響によりM方向と垂直な方向に延びたエ
ッジは、ウエハW上に結像せず、デフォーカス状態(波
線で示した状態)となり、アライメントマークWM1の
みを照明する照明領域を明瞭に規定することができない
。従って、検出すべきアライメントマークWM1以外の
マークや回路パターンPから発生した干渉光が、次式に
示すようにノイズ光成分として検出すべき干渉光に混入
してしまい、位相のずれを生じてしまう。 ψ=Acos(ωt+φ) + Σ Ncos(ωt+
φN )   (1)  (A: 振幅, ω:ビート
周波数,φ: 位相,N:ノイズ成分の振幅,φN :
 ノイズ成分の位相) この方式では、位相のずれはア
ライメントずれとして検出され、その結果アライメント
エラーとなってしまう。
【0010】図11にこの位相のずれの様子を示す。横
軸は、参照用干渉光のビート信号(基準信号)成分を表
している。又、マークWM1からの干渉光のビート信号
のベクトル成分をAs,ノイズ光のビート信号のベクト
ル成分をNsで表す。φA は参照用干渉光のビート信
号(基準信号)とマークWM1からの干渉光のビート信
号との位相差を表し、φN は基準信号とノイズ光のビ
ート信号の位相差を表す。ベクトル成分AsとNsとの
合成成分Tsと基準信号成分との位相差がφs となる
。従って、アライメント情報としての位相差φs には
ノイズ光によるアライメント誤差を含むこととなり、ア
ライメントエラーを引き起こす。
【0011】又、LSA方式では、迷光やアライメント
マーク以外によるノイズ光の影響によって光電信号に歪
みが生じるため、マーク位置を正確に検出できず、アラ
イメントずれを起こしてしまう。以上の如く、従来のよ
うに照明光学系中に単一の視野絞りを配置しただけでは
非点収差の為に、適切な照明領域を規定することができ
ず、又迷光の影響によりアライメントセンサーがウェハ
アライメントマーク以外からの位置情報を検出してしま
いアライメントエラーを起こしてしまうという問題点が
あった。
【0012】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、アライメント光の照明領域を適当な範囲に限定し、
又迷光の影響を防止することによりアライメント精度を
向上させウェハ上に高い集積度で回路パターンを焼き付
けられるようにすることを目的としている。
【0013】
【課題を解決する為の手段】かかる問題点を解決するた
め本発明においては、マスク(R)上に形成された所定
のパターンを露光用の第1波長の光(エキシマレーザ光
)のもとで感光基板(W)上に結像投影する投影光学系
(PL)と、位置合わせの為に前記投影光学系(PL)
を介して前記第1波長とは異なる第2波長の光(He−
Neレーザ光)で前記感光基板(W)上のマーク(WM
1)を照明する照明系と、前記マーク(WM1)からの
光を検出する検出系とを備えた投影露光装置において、
前記照明系は、前記第2波長の光を射出する光源(10
)と;該光源(10)と前記投影光学系(PL)の間に
設けられ、前記投影光学系(PL)の視野内のサジタル
方向と略垂直な方向に延び、かつ、該サジタル方向に所
定の間隔で並設された少なくとも2つの直線状エッジ(
E3,E4)を有し、前記感光基板(W)上の照野(S
A)を規定する第1視野絞り(15a)と;前記投影光
学(PL)系のメリジオナル方向と略垂直な方向に延び
、かつ、該メリジオナル方向に所定の間隔で並設された
少なくとも2つの直線状エッジ(E5,E6)を有し、
前記感光基板上の照野(SA)を規定する第2視野絞り
(15b)とを備え、前記第1視野絞り(15a)と前
記第2視野絞り(15b)とを前記第2波長の光によっ
て生ずる前記投影光学系(PL)の非点隔差(ΔZ)分
だけ前記照明系の光軸(AXa)方向に離して並設して
、前記第1視野絞り(15a)のエッジ(E3,E4)
と前記第2視野絞り(15b)のエッジ(E5,E6)
を共に前記投影光学系(PL)を介して前記感光基板(
W)上に結像する。
【0014】
【作  用】本発明によれば、照明系内にウエハと略共
役な位置になる投影光学系のアライメント照明光に対す
るサジタル像面,メリジオナル像面の夫々について視野
絞りを設けたため、2つの絞りはウエハ上でウエハアラ
イメントマークのみを照明する適当な照野を形成するこ
とが可能となる。又、投影光学系とウエハ間或いは投影
光学系の各エレメント面間の反射による迷光を効果的に
防止することが可能となる。従って、ウエハマーク以外
からの光がアライメントセンサー等に入射することがな
くなり、アライメントエラーを防止することができ、高
精度のアライメントが実現可能となる。
【0015】
【実  施  例】以下、図面を参照して本発明の実施
例について詳述する。図2は、本発明の第1の実施例に
よるTTR方式のヘテロダインアライメント系を備えた
ステッパーの概略的な構成を示す平面図である。このス
テッパーでは、半導体素子のチップサイズに応じたレチ
クルマークの位置変更に対応して、アライメント系24
が駆動制御系23により矢印Aの方向に移動可能に構成
されている。
【0016】図2において、KrFエキシマレーザ装置
等の照明光源1は、レジスト層を感光させる波長域の露
光用照明光ILを発生し、露光光ILはオプチカルイン
テグレータ(フライアイレンズ)を含む照明光学系2に
入射する。照明光学系2により光束の一様化、スペック
ルの低減化等が行われた露光光ILは、ミラー3、メイ
ンコンデンサーレンズ4を介してダイクロイックミラー
5に至る。ダイクロイックミラー5はメインコンデンサ
ーレンズ4からの露光光ILを垂直に下方に反射させ、
レチクルRを均一な照度で照明する。ここで、ダイクロ
イックミラー5はレチクルRの上方に45°で斜設され
ている。
【0017】レチクルRには、パターン領域PAを囲む
一定幅の遮光帯(クロム層)LSBの中に、パターン領
域PAの各辺に対応して4つのアライメント用の透明窓
(RW1 ,RW3 のみ図示)が形成されている。さ
らに、その外側(レチクル周辺側)には、レチクルRの
X,Y及び回転方向の位置決めを行うための3つのレチ
クルアライメントマーク(RX2 のみ図示)が形成さ
れている。レチクルRはレチクルステージRS上に載置
され、パターン領域PAの中心点が光軸AXと一致する
ように位置決めが行われる。
【0018】さて、パターン領域PAを通過した露光光
ILは、両側テレセントリックな投影光学系PLに入射
し、投影光学系PLはレチクルRの回路パターンの投影
像を、表面にレジスト層が形成されたウエハW上の1つ
のショット領域に重ね合わせて投影(結像)する。ウエ
ハWにはショット領域と一定の位置関係で近傍の位置に
、レチクルRの透明窓に対応して4つの回折格子状のウ
エハマーク(WM1  のみ図示)が形成される。投影
光学系PLは、露光光ILの波長(KrFエキシマレー
ザ等)に関して良好に色収差補正され、その露光波長の
もとでレチクルRとウエハWとは互いに共役になるよう
に配置される。また、ウエハWは駆動モータ8によりス
テップ・アンド・リピート方式で2次元移動するウエハ
ステージWSに載置され、ウエハW上の1つのショット
領域に対するレチクルRの転写露光が終了すると、次の
ショット位置までステッピングされる。ウエハステージ
WSの2次元的な位置は、干渉計9によって例えば0.
01μm程度の分解能で検出され、ウエハステージWS
の端部には干渉計9からのレーザビームを反射する移動
鏡9mが固定されている。干渉計9からの検出信号は主
制御系28に送られる。  次に、図3,図4,図5を
併用して本実施例のTTR方式のアライメント系につい
て説明する。図3は、アライメント系の具体的な構成を
示す斜視図であって、図2中のミラー21は省略してあ
る。図4は、アライメント系の一部をS方向についてと
らえた平面図であり、図5は、アライメント系の一部を
M方向についてとらえた平面図である。図3に示すよう
に、レーザ光源10は露光光ILの波長域と異なる波長
域のレーザビームLBを射出する光源であって、例えば
レジスト層に対してほとんど感度を持たない波長633
nmのレーザ光を射出するHe−Neレーザ光源とする
。 レーザ光源10より射出されたレーザ光LBは、1/2
波長板,偏光ビームスプリッター,ミラー,2つの音響
光学素子等からなる2光束周波数シフター11に入射し
、ここで、周波数f1 のビームLB1 とf1 との
周波数差がΔfとなる周波数f2 (f2 =f1 −
Δf)のビームLB2 となって射出される。これらの
ビームLB1 ,LB2 は、所定間隔だけあけて主光
線を平行にした直線偏光、例えばp偏光ビームとして射
出される。 尚、ビームLB1 ,LB2 の主光線はアライメント
系の光軸AXaを挟んで対称に位置するようになる。
【0019】さて、2本のp偏光ビームLB1 (周波
数f1 )とLB2 (同f2 )とは共に、1/2波
長板(不図示)の作用により偏光方向が約45°回転さ
せられ、さらに2光束周波数シフター11内のレンズ系
(不図示)により図4にも示すようにアライメント系の
瞳面Ep’(ビームウエスト位置で、投影光学系PLの
入射瞳Epとほぼ共役な面)、若しくはその近傍で一度
スポット状に集光した後、偏光ビームスプリッター(P
BS)12に達する。PBS12において、ビームLB
1 は周波数f1 のp偏光ビームLB1pとs偏光ビ
ームLB1sとに分割され、ビームLB2 は周波数f
2 のp偏光ビームLB2pとs偏光ビームLB2sと
に分割される。PBS12で反射される2本のs偏光ビ
ームLB1s(周波数f1 )とLB2s(同f2 )
とは、瞳を像面に変換するレンズ系(逆フーリエ変換レ
ンズ)43、ミラー44、レンズ系43の後側焦点面に
配置される参照用回折格子45、及び光電検出器46で
構成された参照信号作成部13(図2、図5)に入射す
る。2本のビームLB1s、LB2sは、レンズ系43
を介してミラー44で反射され、装置上でウエハWと略
共役な面に固定されている参照用回折格子45に対して
異なる2方向から平行光束となって所定の交差角で入射
し結像(交差)する。光電検出器46は、2組の受光素
子(若しくは2分割受光素子)を有し、例えば参照用回
折格子45を通過したビームLB1sの0次光と、これ
と同軸に進むビームLB2sの+1次回折光(反時計回
り方向を+とする)との干渉光、及びビームLB1sの
−1次回折光(時計回り方向を−とする)と、これと同
軸に進むビームLB2sの0次光との干渉光を、それぞ
れ独立に受光(光電変換)する。それら2つの干渉光の
強度に応じた正弦波状の光電信号は不図示のアンプによ
って加算され、この結果得られる光電信号SRは、ビー
ムLB1s,LB2sの差周波数Δfに比例した周波数
となり、光ビート信号となる。ここで、参照用回折格子
45の格子ピッチは、ビームLB1s,LB2sによっ
て作られる干渉縞のピッチと等しくなるように定められ
ている。
【0020】一方、PBS12を通過した2本のp偏光
ビームLB1p(周波数f1 )とLB2p(同f2 
)とは、図4に示す如くレンズ14によって所定角度だ
け傾いた平行光束となり、レンズ14の後側焦点面(ウ
エハとほぼ共役な面)IP’に配置された2つの視野絞
り15a,15b(詳細後述)の内ウエハWのサジタル
像面に配置された絞り15aで一度交差した後、ビーム
スプリッター(NBS)16を介してレンズ17から射
出される。これより、図4に示すようにビームLB1p
、LB2pは、各主光線がアライメント系の光軸AXa
に対してほぼ平行になり、且つ瞳面Ep’’(ビームウ
エスト位置)で光軸AXaを挟んでほぼ点対称な2点に
スポットとして集光する結像光束となる。さらにビーム
LB1p、LB2pは、ビームスプリッター(NBS)
19、ミラー21及びテレセントリックな対物レンズ2
2を介してダイクロイックミラー5に垂直方向から投射
され、ウエハW上での交差角2θW により一義的に定
まる交差角2θR で焦点面25にて一度交差した後、
レチクルRのパターン面では分離して透明窓RW1 を
照射する。尚、焦点面25(対物レンズ22の後側焦点
面)は、アライメント用照明光LBの波長のもとでウエ
ハ面とほぼ共役となり、この焦点面25とレチクルRの
パターン面との間隔が投影光学系PLの軸上色収差量Δ
Lに対応している。
【0021】ここで、図6にレチクルRの遮光帯LSB
の中に設けられた透明窓RW1 の具体的な構成の一例
を示す。透明窓RW1 は、矩形状の透明部RS1 と
レチクルマーク領域MA1 、MA2 とで構成される
。透明部RS1 は、アライメント用のビームLB1P
、LB2Pを通過させると共に、ビームLB1P、LB
2PのウエハマークWM1での所定次数の回折光(干渉
光BTLW )を通過させる(詳細後述)。マーク領域
MA1 、MA2 は所定の間隔ΔDR だけ離れて設
けられ、各領域内には回折格子状のレチクルマークRM
1 、RM2 (デューティは1:1)が共にピッチP
R で形成されている。
【0022】ここで、レチクルマークRM1 、RM2
 の間隔ΔDR はΔDR =2・ΔL・tanθR 
で定められる。さて、図3,図4,図5で、ビームLB
1p、LB2pが照射されるレチクルマークRM1 、
RM2 の格子ピッチPR は、焦点面25でのビーム
LB1p、LB2pの交差角2θR に応じて、以下の
ように定められている。但し、Mはこのアライメント光
に対する投影光学系PLの投影倍率である。 PR =λ/2・sin θR =λ/2M・sin 
θW =PW /2M  (2)  従って、レチクル
マークRM1 から発生する1次回折光RL1 (周波
数f1 )とレチクルマークRM2 から発生する1次
回折光RL2 (同f2 )とが、ビームLB1p、L
B2pの各主光線と全く同軸に、ダイクロイックミラー
5、対物レンズ22、ミラー21、NBS19及びレン
ズ17を介してNBS16のところまで戻り、ここで反
射されてミラー47、透過型の基準格子板48(回折格
子)、空間フィルター49及び光電検出器50で構成さ
れた第2計測信号作成部18(図2、図5)に入射する
。基準格子板48は、レンズ17の後側焦点面(ウエハ
共役面)に配置されるので、1次回折光RL1 、RL
2 はミラー47を介して基準格子板48に異なる2方
向から平行光束となって所定の交差角で入射し結像(交
差)することになる。これより、基準格子板48上には
その周波数差Δfに対応して格子ピッチ方向に流れる1
次元の干渉縞が作られることになる。
【0023】ここで、本実施例では説明を簡単にするた
め、焦点面25と基準格子板48との間の倍率を等倍(
1倍)とし、基準格子板48の格子ピッチPGRをPG
R=2PR に設定しておくものとする。また、1次回
折光RL1 、RL2 による干渉縞の大きさ、位置に
応じて基準格子板48をウエハ共役面内に配置しておけ
ば良い。 この結果、1次回折光RL1 、RL2 が基準格子板
48に入射すると、基準格子板48からは±1次回折光
が同軸に発生し、この干渉光BTLR (平行光束)は
空間フィルター49を介して光電検出器50に受光され
る。基準格子板48からの0次光L0 ’は空間フィル
ター49によって遮光される。光電検出器50からの干
渉光BTLR に対応した光電信号は、干渉縞の明暗変
化の周期に応じた正弦波状の交流信号(ビート周波数の
光ビート信号)SDR となって位相検出系27に出力
される。
【0024】一方、ビームLB1p,LB2pはレチク
ルマークRM1 、RM2 を照射すると共にその一部
は透明部RS1 を通過して投影光学系PLに軸外から
入射し、入射瞳Epにおいて瞳中心(光軸AX)に関し
てほぼ点対称となるように一度スポット状に集光する。 しかる後に、ウエハマークWM1のピッチ方向に関して
光軸AXを挟んで互いに対称的な角度で傾いた平行光束
となり、ウエハマークWM1上に異なる2方向から交差
角2θW で入射し結像する。尚、交差角2θW は、
大きくても投影光学系PLの射出(ウエハ)側の開口数
(N. A.)の2倍を越えることはない。  又、入
射瞳Epにおいて光軸AXを挟んでほぼ点対称となるよ
うに形成されるビームLB1p,LB2pの各スポット
を結ぶ直線の方向と、ウエハマークWM1のピッチ方向
とはほぼ一致している。 さて、ビームLB1p、LB2pが交差角2θW でウ
エハマークWM1に入射すると、ビームLB1p、LB
2pが交差している空間領域内で光軸AXと垂直な任意
の面内(ウエハ面)には、ウエハマークWM1のピッチ
PW に対して1/N倍(Nは自然数)のピッチPf 
(本実施例ではPf =PW /2と定める)で、1次
元の干渉縞が作られることになる。この干渉縞は、ウエ
ハマークWM1のピッチ方向(X方向)に、ビームLB
1p、LB2pの差周波数Δfに対応して移動する(流
れる)ことになりその速度Vは、V=Δf・Pf なる
関係式で表される。また、交差角2θW はアライメン
ト用照明光LBの波長をλとすると、以下の(3)式を
満足するように定められている。 sin θW =λ/PW   (3)ウエハマークW
M1からは±1次回折光が発生し、これら回折光は同軸
に合成されて入射瞳Epの中心を通るように光軸AXの
方向に沿って逆進する。この2つの回折光は、同一偏光
成分(p偏光成分)なので互いに干渉し、光ビート(干
渉光)BTLW となって、投影光学系PL、レチクル
Rの透明窓RW1 、ダイクロイックミラー5、対物レ
ンズ22、ミラー21を介してNBS19のところまで
戻り、ここで反射されてアフォーカル拡大リレー系51
、52、空間フィルター53、ミラー54、集光レンズ
55、及び光電検出器56で構成された第1計測信号作
成部20(図2、図5)に入射する。
【0025】第1計測信号作成部20において、ウエハ
マークWM1からの干渉光BTLW はアフォーカル拡
大リレー系51、52を通り、入射瞳Epとほぼ共役に
配置される空間フィルター53に達する。ここでビーム
LB1p、LB2pの主光線と全く同軸に戻る反射光の
うちの0次光L0 、及びレチクルマークRM1 、R
M2 からの1次回折光RL1 、RL2 (図3、図
4)がカットされて、干渉光BTLW のみが抽出され
る。さらに、干渉光BTLW はミラー54、集光レン
ズ55を介して光電検出器56に受光される。光電検出
器56は干渉光BTLW に対応した光電信号を作り、
この光電信号は干渉縞の明暗変化の周期に応じた正弦波
状の交流信号、即ち周波数差Δfのビート周波数をもつ
光ビート信号SDW となって位相検出系27に出力さ
れる。
【0026】ここでは、ウエハマークWM1と透明窓R
W1 を検出するアライメント系のみ示したが、実際に
はショット周辺に設けられたウエハマークWM1等の各
々に対応して4組のアライメント系が配置され、さらに
レチクルアライメントマークRX2 等の各々に対応し
て3組のレチクルアライメント系が配置されている。さ
て、図2に示すように位相検出系27は、参照信号作成
部13で作られた参照信号としての光ビート信号SRと
、第1計測信号作成部20、第2計測信号作成部18で
作られた光ビート信号SDW 、SDR の夫々との位
相差を検出し、2つの光ビート信号SDW 、SDR 
間の相対位相差を求め、この位相差情報を主制御系28
へ出力する。 主制御系28は、位相検出系27の位相差情報に基づい
て透明窓RW1 とウエハマークWM1との相対位置ず
れを、格子ピッチPW の±PW /4の範囲内で高精
度に算出し、さらに干渉計9、駆動モータ8及び位相検
出系27を統括的に制御し、レチクルRのパターン領域
PAの投影像とショット領域とを正確に一致させる。
【0027】次に、ウエハ共役面IP’に配置される視
野絞り15について説明する。視野絞り15は、ウエハ
上でのアライメント用照明光の形状(照明領域SA)を
任意に設定するものである。絞り15は、投影光学系P
Lに対するウエハのサジタル像面に配置される絞り15
aと投影光学系PLに対するウエハのメリジオナル像面
に配置される絞り15bとで構成されている。これら2
つの絞りを照明系の光軸AXa方向に非点隔差に相当す
る分だけ離して、かつ、互いに直交するように配置する
。これによって夫々の絞りの像をウエハW上に形成し、
照明領域SAを規定する。これら2つの絞りは、露光光
の波長と異なるアライメント光が投影光学系PLに軸外
から入射することにより生じる投影光学系の非点収差に
よる弊害を防止するものである。
【0028】図1はこの2つの絞りとこれにより規定さ
れる照明領域(照野)SAを示すものである。絞り15
aは遮光部と光透過部とからなり、斜線部は遮光部を表
している。絞り15aはS方向に延びたエッジE1,E
2とM方向に延びたエッジE3,E4を有しており、M
方向に延びたエッジ(S方向を規定するエッジ)E3,
E4の像をウェハ上に結像する。絞り15bは遮光部と
光透過部とからなり、斜線部は遮光部を表している。絞
り15bはS方向に延びたエッジE5,E6とM方向に
延びたエッジE7,E8を有しており、S方向に延びた
エッジ(M方向を規定するエッジ)E5,E6の像をウ
ェハ上に結像する。絞り15a,15bは、エッジE3
,E4、E5,E6の像が結像されるようにウエハWと
略共役な位置に照明系の光軸AXa方向に非点隔差分だ
け離して配置される。その結果この2つの絞り15a,
15bによってウエハアライメントマークWM1のみを
照明する照明領域SAが規定される。このためマークW
M1以外からのノイズ光は発生せず光電検出器56で検
出される信号にはノイズ光が混入することはない。 尚、絞り15a,15bの大きさ,形状はマークWM1
に応じて規定されるものであり、少なくとも絞り15a
のM方向に延びたエッジE3,E4、絞り15bのS方
向に延びたエッジE5,E6を照明系の光軸AXaと垂
直な平面内で駆動可能な可変絞りとしても構わない。
【0029】次に、絞りの光学的配置について説明する
。図4の光束LB1とLB2 はサジタル像面に配置さ
れた絞り15aで交差したあと焦点面25(対物レンズ
22の後側焦点面)及びウエハW面上で再び交差する。 これは、M方向に延びたエッジE3,E4を有する絞り
15aとウエハWとが結像関係であることを表している
。尚、焦点面25はアライメント用照明光LBの波長の
もとでウエハ面とほぼ共役となり、この焦点面25とレ
チクルRのパターン面との間隔が投影光学系PLの軸上
色収差量ΔLに対応している。ΔZは投影光学系PLの
アライメント光に対する非点隔差を表す。ここではアラ
イメント光はレジストに対して感度をほとんど持たない
He−Neレーザ光であるとしたが、これに限るもので
はない。レジストに対して感度を持つ光をアライメント
光として使用する場合でも、露光光との波長の違いによ
り非点収差が生じるならば同様に構成された2つの絞り
15a,15bを使うことは有効である。
【0030】図5の実線で示した光束はメリジオナル像
面に配置されたS方向に延びたエッジE5,E6を有す
る絞り15bで照明領域の大きさを規定された後、ウエ
ハWに入射する様子を示している。点線は絞り15bと
ウエハWの結像関係を示している。ここで、一般的にア
ライメント光の波長は、露光光に対して長い波長を持つ
ことにより、アライメント用光源側がS像面となり、ウ
エハ側がM像面となる。
【0031】又、絞り15aの短手方向のエッジE1,
E2の長さdSは、ウエハアライメントマークWM1の
みを照明する仮想的な照明領域の計測方向(長手方向,
S方向)の長さを投影倍率MS (絞り15aをウエハ
W上に結像する投影倍率)で割ることによって求まる。 同様に絞り15bの短手方向のエッジE7,E8の長さ
dMは、ウエハアライメントマークWM1のみを照明す
る仮想的な照明領域の非計測方向(短手方向,M方向)
の長さを投影倍率MM(絞り15bをウエハW上に結像
する投影倍率)で割ることによって求まる。
【0032】更に、2本のビームLB1P,LB2Pが
絞り15bを通過する時の間隔ΔDsは、絞り15aで
交差する交差角2θS と非点隔差ΔZに基づいて決ま
り、ΔDs=2・ΔZ・tanθS で求まる。又、絞
り15aと15bの長手方向のエッジの長さは無限大に
することが望ましいが、現実化は難しい。そこで、ある
程度に長く延びたエッジとし、絞り15aの長手方向の
エッジE3,E4の長さdS1は少なくともビーム径よ
りも長くするのがよい。この長さがビーム径よりも短い
と絞り15aの短手方向のエッジから回折光が発生して
、絞り15b上での照度分布を不均一にし、ウエハW上
での照度分布に悪影響を及ぼすためである。一方、絞り
15bの長手方向のエッジE5,E6の長さdM1は、
前述の絞り15bを通過する間隔ΔDsだけ離れた2本
のビームを遮らないような大きさにする必要があり、望
ましくは、投影光学系を通過する光束を遮ることのない
程度に長く、dM1=dS+2・NA・ΔZ/MS 以
上にするとよい。
【0033】以上、照明系中にS,M両方向の視野絞り
を設けることにより、ウエハW上でのアライメント検出
光の照明領域SAが、ウェハアライメントマークWM1
に限定されるのでウェハアライメントマーク以外のマー
クや回路パターンからのノイズ光の影響を受けず、高精
度に位置ずれを検出することができる。次に本実施例の
変形例について説明する。
【0034】前述の実施例では絞り15の配置は、第1
,第2計測信号作成部よりもレーザ光源10に近い位置
であったが、第1,第2計測信号作成部よりもウエハW
に近い位置、例えばウエハ共役位置25に配置するもの
である。これによりウエハWから戻ってきた検出光は絞
り15a,15bを通過するため迷光等の影響を受けに
くくなる。ここで、迷光には〔1〕投影光学系PLとレ
チクルRとの間での迷光〔2〕投影光学系PLのレンズ
エレメント間の反射による迷光〔3〕投影光学系PLと
ウエハWとの間での迷光が存在する。上記のように配置
した絞り15a,15bは〔2〕,〔3〕のような迷光
を有効に防止するものである。
【0035】この場合、収差のために干渉光が照明系の
光軸AXaからずれてしまい、干渉光がウエハWのメリ
ジオナル像面に配置された絞り15bのエッジでさえぎ
られてしまう恐れがある。そこで、前述の一実施例では
絞り15a,15bの形状はともに矩形としていたのに
対して、この場合はウエハWのメリジオナル像面に置か
れた絞り15bを図7のように中央部がふくらんだ形状
の絞り15bとすればよい。これにより干渉光BTLW
 が照明系の光軸AXaからずれた場合でも、絞り15
bに遮られずにすむ。点線で示した干渉光BTLW は
、照明系の光軸AXaを通る場合を示しており、実線で
示した干渉光BTLW は照明系の光軸AXaからずれ
た場合を示している。絞り15bのS方向に延びた直線
状エッジ部分が光束LB1P,LB2Pを制限し、ウエ
ハW上にM方向に延びたエッジの像を形成する。従って
、絞り15aと合わせてこのような直線状エッジを有し
つつ、中央部が膨らんだ形状の絞り15bを設けること
により、ウエハからの干渉光BTLW が遮られること
なく、かつ、所定の照明領域を規定することが可能とな
る。
【0036】又この場合、絞り15aの長手方向のエッ
ジE3,E4の長さdS1は、ビーム径よりも大きくな
っており、更に投影光学系PLの瞳面Epを通過する光
束を遮ることのない程度にすることが望ましい。つまり
、絞り15aの長手方向のエッジの長さdS1は、ビー
ム径より長く、かつ、dM+2・NA・ΔZ/MM 以
上であることが望ましい(NAは投影光学系PLのレチ
クル側開口数)。尚、絞り15a,15bの短手方向の
エッジの長さdS,dM及び絞り15bの長手方向の長
さdM1は、前述の一実施例の場合と同様の条件である
ものとする。  さらに、別の変形例を説明する。
【0037】ウエハアライメントマークWM1の計測方
向の視野を定める視野絞り15aのS方向に延びたエッ
ジE1,E2を照明系の光軸AXaと垂直な面内で少し
傾けることにより、視野絞り15a及び15bによって
形成されるウエハW上の照野SAの形状を菱形若しくは
台形形状とするものである。これにより視野絞り15a
のS方向に延びたエッジE1,E2による回折光が光電
検出器に入射するのを防止してアライメントエラーが起
こらないようにしている。
【0038】以上では、各々の絞りは所定の直線上エッ
ジを有し、互いに直交している。これに対して変形例と
して図8に示すように絞りのエッジを駆動部100a,
100bを含む駆動制御系100により照明系の光軸A
Xaと垂直な平面内で回転又は移動可能とし、さらに照
明系の光軸AXa方向に絞り15a,15bを移動可能
とするものである。その一例として、図2で示したよう
に、レチクルパターン領域PAの大きさの変更等に応じ
て変化するレチクルマークの位置に対応してアライメン
ト系24が駆動制御系23により移動可能となっている
。この移動にともない、アライメント光が投影光学系P
Lに入射する像高位置が変わるため、色収差ΔL及び非
点隔差ΔZ、更にアライメント光の投影倍率Mが変わっ
てくる。この場合に、まず変化した非点隔差ΔZに対応
するためには、駆動制御系100により絞り15を照明
系の光軸AXaに垂直な面内で回転,移動あるいは光軸
AXa方向に移動可能とし、さらに、エッジの大きさを
可変として非点収差の変化に応じた適切な配置とするよ
うにすればよい。その方法の一例を説明する。アライメ
ント光の投影光学系PLに対する入射位置と絞り15の
配置(絞り15a,15bの間隔等),エッジの大きさ
等の関係は予めテーブル値として主制御系28に記憶さ
せておく。駆動制御系23からの駆動量情報を主制御系
28に入力する。主制御系28は駆動制御系23からの
情報に基づきアライメント光の入射位置を求める。この
求めた入射位置とテーブル値から絞り15の適切な配置
条件を求める。そして、その条件を満たすように主制御
系28は駆動制御系100を制御する。
【0039】上記と同様な制御方法により変化した色収
差ΔL,非点隔差ΔZに対応して照明系とレチクルの光
路長を補正したり、交差角2θR を補正したりする。 以上、WM1についてのみ述べてきたがWM2〜WM4
についてもWM1と同様に考えることができる。尚、こ
こではウエハ上の回折格子状パターンに2本の光束を入
射させることによって得られた干渉光を使ったアライメ
ント方式としているが、これに限るものではなく、ウエ
ハ上の回折格子状パターンに1本の光束を垂直に入射さ
せて得られる±1次回折光を干渉させる方式においても
、本実施例の絞りを適用可能である。又、干渉光を使っ
たアライメント方式はヘテロダイン方式,ホモダイン方
式のどちらであっても本実施例の絞りを適用可能である
【0040】次に、本発明にかかる第2の実施例につい
て図9を参照して説明する。第1の実施例と同じ作用、
機能の部材には同一の符号を付してある。第1の実施例
では干渉光を使ったアライメント方式を使用する系にお
いて、2つの絞りを設ける場合について説明したが、こ
れに限るものではなく、例えば投影光学系PLを介して
アライメントを行う系におけるLSA方式についても同
様に適用可能である。この場合、M方向から見た光束の
様子は前述図4のように2光束ではない。しかし、2光
束を1つの光束と考えれば同様に絞り15aとウエハW
との結像関係を表すことができる。この様子を図9(a
),図9(b)を参照して説明する。図9(a)はLS
A方式のアライメント系の一部をS方向でとらえた平面
図、図9(b)はLSA方式のアライメント系の一部を
M方向でとらえた平面図である。図9(a)において、
アライメント用レーザ光源(He−Neレーザ)10か
ら射出されたレーザ光はビームスプリッター102,レ
ンズ系101を介して絞り15aが設けられたサジタル
像面に集光した後投影光学系PLを通ってウエハW上に
集光する。ここで絞り15aとウエハWはアライメント
光に関して投影光学系PLを介して共役関係になってい
る。ただし、ビームウェストの位置においたこの絞り1
5aの役割は、照野SAのS方向の範囲を規定するもの
ではなく、投影光学系PL等からの迷光を防止するもの
である。一方、アライメント系をM方向でとらえたウエ
ハWと絞り15bとの結像関係は図5と同様にして表す
ことができる。この様子を図9(b)を使って簡単に説
明する。レーザ光源10から射出された光束は、ビーム
スプリッタ102を介し、レンズ系101でスリット状
のスポット光にされた後、メリジオナル像面に配置され
た絞り15bによって規定され、後投影光学系PLを通
ってウエハW上に集光する。ここで絞り15bとウエハ
Wはアライメント光に関して投影光学系PLを介して共
役関係になっている様子を点線で示してある。この絞り
15bは、照野SAのM方向の範囲を規定できる。光束
がウエハW上のアライメントマークを照射することによ
ってマークからは回折光が発生し、この回折光は投影光
学系PLを逆進してビームスプリッタ102で光電検出
系103に入射する。このようにLSA方式においては
、2つの絞りを使って一方で照明領域を規定し、もう一
方で迷光を防止する。
【0041】又、スリット状のビームスポット光の代わ
りに矩形状のエッジを結像して作ったスリット光を使っ
てLSA方式と同様にアライメントマークからの散乱、
回折光を検出する系では絞り15aと15bの2つの絞
りは照野を規定するのに有効に作用する。更に、ビジコ
ン,CCD等のカメラを使ってマークの画像を検出する
アライメント方式における照明系においても、本実施例
のような2つの絞りをマークへの照明光路中に配置する
ことができ、ノイズ光やレンズ間の面間反射の影響を防
いで高精度にマーク位置を検出することが可能となる。
【0042】以上のように、本発明にかかる2つの絞り
は種々のアライメントセンサーに適用可能であり、又投
影光学系PLを介してウエハW上のマークを照明し、マ
ークを検出する方式であればレチクルを介しても介さな
くともよい。又前述の2つの絞りは、ガラス板の片面に
クロム層等で絞り15aの遮光部を形成し、反対側の面
にクロム層等で絞り15bの遮光部を形成した一体型で
構成されたものであっても構わない。この場合の絞り1
5aと15bとの間のガラスの厚さは屈折率を考慮しつ
つ非点隔差に相当するものとすればよい。
【0043】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、投影光学
系のアライメント光に対する非点収差がある場合でもア
ライメント光はアライメントマークのみを照明すること
ができるため他のマークや回路パターンの影響を受ける
ことなく高精度にマーク位置を計測することを実現でき
る。又迷光による影響を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による絞り15a,絞り
15bの形状とこれにより規定される照明領域を表す図
である。
【図2】本発明の第1の実施例によるTTR方式のアラ
イメント系を備えたステッパーの概略的な構成を示す平
面図である。
【図3】図2中のアライメント系の具体的な構成を示す
斜視図である。
【図4】図2のアライメント系の一部をサジタル方向で
とらえた平面図である。
【図5】図2のアライメント系の一部をメリジオナル方
向でとらえた平面図である。
【図6】図6は図2の透明窓を示す図である。
【図7】図7は図1の絞り15bの形状の変形例を示す
図である。
【図8】図8は絞り15a,15bの変形例を示す図で
ある。
【図9】(a)はLSA系でのサジタル像面に配置され
た絞り15aの結像関係を示す図である。(b)はLS
A系でのメリジオナル像面に配置された絞り15bの結
像関係を示す図である。
【図10】従来の絞りによるアライメント照明領域を示
す図である。
【図11】ノイズによる位相ずれを概念的に示す図であ
る。
【図12】投影光学系の視野とアライメントマークの位
置関係を示す図である。
【符号の説明】
1  露光用光源 10  アライメント用光源 15a  サジタル像面に配置される視野絞り15b 
 メリジオナル像面に配置される視野絞り27  位相
検出系 28  主制御系 48  基準格子板 23、100  駆動制御系 LB  アライメント用照明光 IL  露光用照明光 R  レチクル RM1 、RM2   レチクルマークPL  投影光
学系 Ep  入射瞳 AX  投影光学系の光軸 AXa  照明系の光軸 W  ウエハ SA  照明領域

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  マスク上に形成された所定のパターン
    を露光用の第1波長の光のもとで感光基板上に結像投影
    する投影光学系と、位置合わせの為に前記投影光学系を
    介して前記第1波長とは異なる第2波長の光で前記感光
    基板上のマークを照明する照明系と、前記マークからの
    光を検出する検出系とを備えた投影露光装置において、
    前記照明系は、前記第2波長の光を射出する光源と;該
    光源と前記投影光学系の間に設けられ、前記投影光学系
    の視野内のサジタル方向と略垂直な方向に延び、かつ、
    該サジタル方向に所定の間隔で並設された少なくとも2
    つの直線状エッジを有し、前記感光基板上の照野を規定
    する第1視野絞りと;前記投影光学系のメリジオナル方
    向と略垂直な方向に延び、かつ、該メリジオナル方向に
    所定の間隔で並設された少なくとも2つの直線状エッジ
    を有し、前記感光基板上の照野を規定する第2視野絞り
    とを備え、前記第1視野絞りと前記第2視野絞りとを前
    記第2波長の光によって生ずる前記投影光学系の非点隔
    差分だけ前記照明系の光軸方向に離して並設して、前記
    第1視野絞りのエッジと前記第2視野絞りのエッジを共
    に前記投影光学系を介して前記感光基板上に結像するこ
    とを特徴とする投影露光装置。
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