JPH042174A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

太陽電池及びその製造方法

Info

Publication number
JPH042174A
JPH042174A JP2102633A JP10263390A JPH042174A JP H042174 A JPH042174 A JP H042174A JP 2102633 A JP2102633 A JP 2102633A JP 10263390 A JP10263390 A JP 10263390A JP H042174 A JPH042174 A JP H042174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
crystal layer
semiconductor crystal
solar cell
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2102633A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0831617B2 (ja
Inventor
Akio Hayafuji
早藤　紀生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2102633A priority Critical patent/JPH0831617B2/ja
Priority to EP90311836A priority patent/EP0452588B1/en
Priority to DE69024481T priority patent/DE69024481T2/de
Priority to US07/606,853 priority patent/US5100480A/en
Publication of JPH042174A publication Critical patent/JPH042174A/ja
Publication of JPH0831617B2 publication Critical patent/JPH0831617B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は太陽電池およびその製造方法に関し、特に太
陽電池単体を複数個接続する方法、およびその際の電気
特性の劣化を抑えるための太陽電池構造に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第３図はガリウム砒素量構造及び接続技術：アイイーイ
ーイー　ピー・ブイ・ニス・シー　１９８５　６６３頁
ｒＧａＡｓ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｓｉｇｎ
　ａｎｄＷｅｌｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　：　ＩＥＥ
Ｅ　ＰＶＳＣ−１９８５ｐ６３３Ｊに示されている従来
の太陽電池を複数個接続してなる太陽電池モジュールの
構造を示す断面図である。
図において、各太陽電池単体はｎ−ＧａＡｓ基板１上に
成長されたｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　［１２とｐ−ＧａＡ
ｓ　Ｎ　３とから形成されており、その各表面には第１
接着剤４によってカバーガラス５が貼り付けられている
。さらにこれら同一型の太陽電池はインタコネクタ６に
よってその第１番目の太陽電池の上部電極を隣接する第
２番目の太陽電池の下部電極に接続し、次に第２番目の
太陽電池の上部電極を第３番目の太陽電池の下部電極に
接続するというように、隣り合う太陽電池の一方の上部
電極と他方の太陽電池の下部電極とがインクコネクタ６
を介して順次接続され、これによって所定の個数の太陽
電池が直列に接続されている。そしてこれら接続された
複数個の太陽電池を第２接着剤７にヨリハニカムボード
８上に配列固定することにより太陽電池モジュールが構
成されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の太陽電池は以上のように構成されており、これら
を多数個直列接続して太陽電池モジュールを構成しよう
とした場合、太陽電池単体がそれぞれ切り離された形で
あり、配列等のレイアウトの自由度が小さいという問題
点があった。また接続の際には、ｐ型およびｎ型の電極
がそれぞれ太陽電池単体の上、下面に形成されているた
めに、隣り合った太陽電池間で一方の上部電極と他方の
下部電極とを接続しなければならず、太陽電池の厚み分
の大きな段差を有するこれら２つの電極間をインクコネ
クタ６で接続する作業が困難であるばかリテなく、イン
クコネクタ６の構造も複雑になるという問題点があった
。
さらに接続の際の熱等の物理的ストレスが太陽電池本体
に加わることで、太陽電池本体の電気特性が劣化する等
の問題点があった。
また上記接続段差をなくし太陽電池単体間の接続を容易
にしようとしたもとして、例えば特開昭６４〜８２５７
０号公報、特開昭６４−８２５７１号公報、特開昭６３
−２１１７７３号公報に示されるように、基板にスルー
ホールを形成し、基板上面側の電極をスルーホールを通
し基板裏面に導き、これを基板裏面にて接続するように
したものがあったが、基板上面の電極を裏面に導くため
に、ｐ、ｎ接合部を絶縁膜で覆う必要があり、この絶縁
膜の形成が困難であったり、また基板上面の電極を裏面
に導くことが技術的に困難である等の問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、１ウエハ内に複数個の太陽電池を接続し、そ
の際の配線構造が単純で、かつその接続作業も容易に行
なうことができ、また、接続時においても大きな物理的
ストレスがかからず、電気特性が劣化することのない太
陽電池及びその製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る太陽電池は、基板に絶縁性もしくは半絶
縁性のものを用い、その上に太陽電池能動層となるｐｎ
接合を有する半導体結晶層を形成し、このｐ型、ｎ型半
導体結晶層上にそれぞれ形成したｐ型、ｎ型導電用電極
の一部を基板裏面に露呈させ、この露呈した電極を用い
て隣接する太陽電池単体の電極に順次接続するようにし
たものである。
〔作用〕
この発明においては、基板に絶縁性もしくは半絶縁性の
ものを用い、その上に太陽電池能動層となるｐｎ接合を
有する半導体結晶層を形成し、このｐ型、ｎ型半導体結
晶層上にそれぞれ形成したｐ型、ｎ型導電用電極の一部
を基板裏面に露呈させ、この露呈した電極を用いて隣接
する太陽電池単体の電極に順次接続するようにしたので
、１ウエハ内に複数個の太陽電池単体を形成でき、隣接
する太陽電池を直列接続させる場合に、接続段差が生じ
ることがなく単純な配線構造で、その接続作業も容易に
でき、さらに接続時の太陽電池本体への物理的ストレス
も低減することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例によるヘテロフェイス型ＣｙａＡ
ｓ太陽電池単体の各製造工程における断面構造図を示し
、第３図と同一符号は同一または相当部分を示すもので
ある。
以下その製造方法について説明する。
■　まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板９上に有機金属気相成
長法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−ＧａＡｓ層２を成長さ
せ（図ａ）、ウェハ表面の一部分を選択的にエツチング
してそれぞれｎ−ＧａＡｓ層２、半絶縁性ＧａＡｓ基板
９表面に露呈した凹みを形成する（図ｂ）。
■　次に、その上にＭＯＣＶＤ法によりｐ−ＧａＡｓ層
３９表面再結合防止用のｐ−ＡｆＧａＡＳ窓］１１０を
成長させ、さらにその上に光ＣＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４
からなる反射防止膜１１を堆積させる（図Ｃ）。
■　次に、凹み部分のみを選択的にエツチングしてｐ−
ＧａＡｓ層３を露呈させ、その上にｐ型電極１３を形成
する（図ｄ）。
■　次に、ウェハ内の上記凹み部分とは別の領域を選択
的にエツチングしてｎ−ＧａＡｓ層２゜半絶縁性Ｃｙａ
Ａｓ基板９の露呈した凹みを形成し、その上にｎ型電極
１２を形成する（図ｅ）。
■　最後に、半絶縁性ＧａＡｓ基板９の裏面側をエツチ
ング、あるいは研削、エツチングすることにより、ｎ型
電極１２．Ｐ型電極１３の一部を裏面に露呈させ、それ
ぞれメツキ法等により補強形成する（図ｒ）。
第２図は、第１図のへテロフェイス型ＧａＡｓ太陽電池
単体の製造方法を用い、１ウニＡ上へ太陽電池単体を集
積化した場合の一実施例を示す断面構造図である。図に
おいて、１４はｐ、ｎ両電極接続用の配線金属である。
また１５はそれぞれの太陽電池単体間の電気的短絡を防
ぐために半絶縁性ＧａＡｓ基板９まで達するようにして
設けられた溝である。
図かられかるように、１つの太陽電池単体裏面のｎ型電
極１２が別の隣接する太陽電池単体の裏面のＰ型電極１
３に順次、配線金属１４によって接続されている。
このように本実施例では、ｐ、ｎ接合部の絶縁を半絶縁
性ＣｙａＡｓ基板９にて行ない、第１，２導電用電極を
太陽電池能動領域に設けた凹み部に形成し、太陽電池単
体を複数個接続する場合には、基板９裏面側に露呈した
電極に、隣接する太陽電池の電極を順次接続するととも
に、隣合う太陽電池単体間に半絶縁性ＧａＡｓ基板９ま
で達する溝１５を設けたので、簡単な技術で、太陽電池
を１ウエハ内に複数個形成できるとともに、太陽電池単
体を複数個接続して太陽電池モジュールを作成する場合
に、接続段差が生じることがなく配線構造を単純にでき
、また接続作業も容易にでき、さらに接続時の物理的ス
トレスも低減することができる。
なお、上記実施例では太陽電池の基板に半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板９を用いたものを示したが、用いられる基板はこ
れに限られるものではなく、例えばサファイアや、Ｉｎ
Ｐ等の絶縁性のもの、あるいはＧａＡｓ以外の半絶縁性
の材料からなるものを用いてもよい。
また上記実施例では太陽電池の能動領域の材料としてＧ
ａＡｓやＡ１．ＧａＡｓを用いたが、例えばＩｎＰ、Ｇ
ａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等他の材料であってもかまわ
ない。
〔発明の効果） 以上のように、この発明に係る太陽電池及びその製造方
法によれば、基板に絶縁性もしくは半絶縁性のものを用
い、その上に太陽電池能動層となるｐｎ接合を有する半
導体結晶層を形成し、このｐ型、ｎ型半導体結晶層上に
それぞれ形成したｐ型、ｎ型導電用電極の一部を基板裏
面に露呈させ、この露呈した電極を用いて隣接する太陽
電池単体の電極に順次接続するようにしたので、簡単な
製造方法にて太陽電池を実現でき、また容易に多数個の
太陽電池を１ウエハ内で直列接続させて太陽電池モジュ
ールを作成することができ、その際の接続作業も容易で
あり、かつ熱等の物理的ストレスも低減でき、電気特性
が劣化することがないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるヘテロフェイス型Ｇ
ａＡｓ太陽電池単体の各製造工程における断面構造図、
第２図は上記第１図の製造方法を用いて１ウエハ上へ太
陽電池を集積化した場合の一実施例を示す断面構造図、
第３図は従来の太陽電池単体を複数個接続してなる太陽
電池モジュールの構造を示す断面図である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＧａＡｓ
層、３はｐ−ＧａＡｓ層、４は第１接着剤、５はカバー
ガラス、９は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０はｐ−ＡｆＧ
ａＡｓ窓層、１１は反射防止膜、１２はｎ型電極、１３
はｐ型電極、１４は配線金属、１５は溝である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）裏面まで貫通した１対の穴を有する絶縁性もしく
    は半絶縁性の基板と、 該基板上に形成された第１導電型半導体結晶層と、 上記対をなす穴の片方の穴の側面を含み、上記第１導電
    型半導体結晶層の表面に形成された第２導電型半導体結
    晶層と、 該第２導電型半導体結晶層が形成されていない側の穴の
    第１導電型半導体結晶層表面と、これに続く基板裏面の
    一部に連続して形成され、第１導電型半導体結晶層のみ
    を導通させる第１導電用電極と、 上記第２導電型半導体結晶層が形成された側の穴の該第
    ２導電型半導体結晶層の表面と、これに続く基板の裏面
    の一部に連続して形成され、第２導電半導体結晶層のみ
    を導通させる第２導電用電極とを備えた太陽電池単体を
    含むことを特徴とする太陽電池。
  2. （２）上記太陽電池単体の基板裏面の第１導電用電極を
    、隣接する別の太陽電池単体の基板裏面の第２導電用電
    極に順次接続するとともに、太陽電池単体間に基板まで
    達する溝を設けてなることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の太陽電池。
  3. （３）基板に半絶縁性ＧａＡｓ基板を用い、半導体結晶
    層にＧａＡｓエピタキシャル結晶層を用いることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。
  4. （４）絶縁性もしくは半絶縁性の基板上に第１導電型半
    導体結晶層を成長させる工程と、 該第１導電型半導体結晶層と基板の一部とを選択的にエ
    ッチングして凹みを形成する工程と、露呈した第１半導
    体結晶層および基板の上に第２導電型半導体結晶層を成
    長させる工程と、該第２導電型半導体結晶層の上に第２
    導電用電極を形成する工程と、 上記第１半導体結晶層、第２半導体結晶層、基板の一部
    を選択的にエッチングして上記凹みとは別の基板の途中
    まで達する凹みを形成する工程と、該凹み上に露呈され
    た基板及び第１半導体結晶層の上に第１導電用電極を形
    成する工程と、基板裏面側よりの処理により上記それぞ
    れの凹みの底部の第１および第２導電用電極を露呈させ
    る工程と、 上記基板裏面処理により、基板裏面に露呈した第１およ
    び第２導電用電極を補強形成した後に、上記第１導電用
    電極を隣接する太陽電池単体の第２導電用電極に順次配
    線金属を介して接続するとともに隣接する太陽電池単体
    間に基板まで達する絶縁用の溝を形成する工程とを含む
    ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
JP2102633A 1990-04-18 1990-04-18 太陽電池及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH0831617B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2102633A JPH0831617B2 (ja) 1990-04-18 1990-04-18 太陽電池及びその製造方法
EP90311836A EP0452588B1 (en) 1990-04-18 1990-10-29 Solar cell and method for manufacturing the same
DE69024481T DE69024481T2 (de) 1990-04-18 1990-10-29 Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
US07/606,853 US5100480A (en) 1990-04-18 1990-10-31 Solar cell and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2102633A JPH0831617B2 (ja) 1990-04-18 1990-04-18 太陽電池及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH042174A true JPH042174A (ja) 1992-01-07
JPH0831617B2 JPH0831617B2 (ja) 1996-03-27

Family

ID=14332645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2102633A Expired - Lifetime JPH0831617B2 (ja) 1990-04-18 1990-04-18 太陽電池及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5100480A (ja)
EP (1) EP0452588B1 (ja)
JP (1) JPH0831617B2 (ja)
DE (1) DE69024481T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006126590A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Honda Motor Co., Ltd. カルコパイライト型太陽電池
JP2018531522A (ja) * 2015-10-19 2018-10-25 ベイジン チュアング テクノロジー カンパニー リミテッド 太陽電池素子、その製造方法及びそれからなる太陽電池パック

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852322A (en) * 1995-05-19 1998-12-22 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Radiation-sensitive detector element and method for producing it
DE19549228A1 (de) 1995-12-21 1997-06-26 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optoelektronisches Sensor-Bauelement
DE19758589B4 (de) * 1996-04-26 2004-05-13 Mitsubishi Denki K.K. Solarzelle und Verfahren zur Herstellung von Solarzellen
DE19706519B4 (de) * 1996-04-26 2004-02-05 Mitsubishi Denki K.K. Verfahren zur Herstellung von Solarzellen
US6034321A (en) * 1998-03-24 2000-03-07 Essential Research, Inc. Dot-junction photovoltaic cells using high-absorption semiconductors
US6753197B2 (en) 2001-06-29 2004-06-22 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6790691B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-14 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
CN100367584C (zh) * 2001-06-29 2008-02-06 美莎诺普有限公司 光电器件及其集成方法
US6620642B2 (en) 2001-06-29 2003-09-16 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6731665B2 (en) 2001-06-29 2004-05-04 Xanoptix Inc. Laser arrays for high power fiber amplifier pumps
US6775308B2 (en) 2001-06-29 2004-08-10 Xanoptix, Inc. Multi-wavelength semiconductor laser arrays and applications thereof
US6633421B2 (en) 2001-06-29 2003-10-14 Xanoptrix, Inc. Integrated arrays of modulators and lasers on electronics
US6724794B2 (en) * 2001-06-29 2004-04-20 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6753199B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-22 Xanoptix, Inc. Topside active optical device apparatus and method
US7831151B2 (en) 2001-06-29 2010-11-09 John Trezza Redundant optical device array
JP4110390B2 (ja) * 2002-03-19 2008-07-02 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
WO2004068665A2 (en) * 2003-01-24 2004-08-12 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Research And Sponsored Programs Wafer scale packaging technique for sealed optical elements and sealed packages produced thereby
US7649141B2 (en) 2003-06-30 2010-01-19 Advent Solar, Inc. Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers
US7144751B2 (en) 2004-02-05 2006-12-05 Advent Solar, Inc. Back-contact solar cells and methods for fabrication
US20050172996A1 (en) 2004-02-05 2005-08-11 Advent Solar, Inc. Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7276724B2 (en) 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US7781886B2 (en) * 2005-06-14 2010-08-24 John Trezza Electronic chip contact structure
US7534722B2 (en) 2005-06-14 2009-05-19 John Trezza Back-to-front via process
US7767493B2 (en) * 2005-06-14 2010-08-03 John Trezza Post & penetration interconnection
US7521806B2 (en) * 2005-06-14 2009-04-21 John Trezza Chip spanning connection
US7560813B2 (en) 2005-06-14 2009-07-14 John Trezza Chip-based thermo-stack
US7838997B2 (en) * 2005-06-14 2010-11-23 John Trezza Remote chip attachment
US20060281303A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 John Trezza Tack & fuse chip bonding
US8456015B2 (en) * 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7851348B2 (en) * 2005-06-14 2010-12-14 Abhay Misra Routingless chip architecture
US7687400B2 (en) * 2005-06-14 2010-03-30 John Trezza Side stacking apparatus and method
US20060278996A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 John Trezza Active packaging
US7989958B2 (en) * 2005-06-14 2011-08-02 Cufer Assett Ltd. L.L.C. Patterned contact
US20070281460A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-06 Cubic Wafer, Inc. Front-end processed wafer having through-chip connections
US7687397B2 (en) * 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
EP2074647B1 (en) * 2006-10-17 2012-10-10 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Wafer via formation
US7705613B2 (en) * 2007-01-03 2010-04-27 Abhay Misra Sensitivity capacitive sensor
US7670874B2 (en) 2007-02-16 2010-03-02 John Trezza Plated pillar package formation
US7850060B2 (en) * 2007-04-05 2010-12-14 John Trezza Heat cycle-able connection
US7748116B2 (en) * 2007-04-05 2010-07-06 John Trezza Mobile binding in an electronic connection
US7960210B2 (en) * 2007-04-23 2011-06-14 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Ultra-thin chip packaging
CN101656273B (zh) * 2008-08-18 2011-07-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法
US8247243B2 (en) 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
KR101028971B1 (ko) * 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
KR101091475B1 (ko) * 2009-06-30 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101676368B1 (ko) * 2010-03-05 2016-11-15 주성엔지니어링(주) 태양전지 및 그 제조방법
FR2961300B1 (fr) * 2010-06-14 2014-05-09 Inst Rech Fondamentale En Technologies Solaires Irfts Structure de solidarisation de panneaux photovoltaiques sur un bati
KR20150039535A (ko) 2013-10-02 2015-04-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1010476A (en) * 1962-01-15 1965-11-17 Secr Aviation Improved photo-electric generators
US4110122A (en) * 1976-05-26 1978-08-29 Massachusetts Institute Of Technology High-intensity, solid-state-solar cell device
US4156309A (en) * 1977-12-23 1979-05-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of construction of a multi-cell solar array
FR2426335A1 (fr) * 1978-05-19 1979-12-14 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur monolithique comportant une pluralite de cellules photosensibles
US4200472A (en) * 1978-06-05 1980-04-29 The Regents Of The University Of California Solar power system and high efficiency photovoltaic cells used therein
US4278473A (en) * 1979-08-24 1981-07-14 Varian Associates, Inc. Monolithic series-connected solar cell
US4335503A (en) * 1980-12-24 1982-06-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of making a high voltage V-groove solar cell
JPS58201376A (ja) * 1982-05-20 1983-11-24 Toshiba Corp 太陽電池装置
JPS63211773A (ja) * 1987-02-27 1988-09-02 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体太陽電池
JPS6482570A (en) * 1987-09-24 1989-03-28 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of photoelectric conversion device
JPS6482571A (en) * 1987-09-24 1989-03-28 Mitsubishi Electric Corp Solar cell and manufacture thereof
US4897123A (en) * 1987-11-28 1990-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cells and method for producing solar cells

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006126590A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Honda Motor Co., Ltd. カルコパイライト型太陽電池
JP2006332190A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Honda Motor Co Ltd カルコパイライト型太陽電池
JP4681352B2 (ja) * 2005-05-24 2011-05-11 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型太陽電池
US7964791B2 (en) 2005-05-24 2011-06-21 Honda Motor Co., Ltd. Chalcopyrite type solar cell
JP2018531522A (ja) * 2015-10-19 2018-10-25 ベイジン チュアング テクノロジー カンパニー リミテッド 太陽電池素子、その製造方法及びそれからなる太陽電池パック

Also Published As

Publication number Publication date
EP0452588B1 (en) 1995-12-27
EP0452588A1 (en) 1991-10-23
US5100480A (en) 1992-03-31
JPH0831617B2 (ja) 1996-03-27
DE69024481D1 (de) 1996-02-08
DE69024481T2 (de) 1996-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH042174A (ja) 太陽電池及びその製造方法
EP1125331B1 (en) Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
US5391236A (en) Photovoltaic microarray structure and fabrication method
US6300150B1 (en) Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same
US5164019A (en) Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same
US5716459A (en) Monolithically integrated solar cell microarray and fabrication method
US5593917A (en) Method of making semiconductor components with electrochemical recovery of the substrate
EP0666602B1 (en) Method of manufacturing a GaAs solar cell on a Si substrate
US7732706B1 (en) Solar cell circuit and method for manufacturing solar cells
JPH02135786A (ja) 太陽電池セル
US4846896A (en) Solar cell with integral reverse voltage protection diode
US5367188A (en) Photodiode array device and method for producing same
US4935067A (en) Solar cell and fabrication method thereof
US5633526A (en) Photodiode array and method for manufacturing the same
US4156309A (en) Method of construction of a multi-cell solar array
US5320685A (en) Thin solar cell
JPH02260667A (ja) シリコン基板上化合物半導体太陽電池およびその作製方法
JPH0613603A (ja) 半導体デバイス
JPH0548134A (ja) 太陽電池とその製造方法
JPH043471A (ja) 太陽電池
JPS6244430B2 (ja)
JPH07505258A (ja) 基板の電気化学的回収による半導体部品の製造方法
Routh et al. Method of construction of a multi-cell solar array
JPH01165178A (ja) 太陽電池
JPS61121362A (ja) 半導体素子