JPH04216328A - 光学ピックアップ装置 - Google Patents

光学ピックアップ装置

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JPH04216328A
JPH04216328A JP2410151A JP41015190A JPH04216328A JP H04216328 A JPH04216328 A JP H04216328A JP 2410151 A JP2410151 A JP 2410151A JP 41015190 A JP41015190 A JP 41015190A JP H04216328 A JPH04216328 A JP H04216328A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録再
生をするために用いる光学ピックアップ装置に関するも
のである。 【0002】 【従来の技術】光学ピックアップ装置は、半導体レ−ザ
等の光源から発せられた光を光学記録媒体に照射して、
光学記録媒体で反射され、変調された反射光を光検出器
で検出することによって情報の記録再生を行う。このよ
うな光学ピックアップ装置は、対物レンズ、半導体レ−
ザ、光検出器等の多くの光学部品を必要とするため、装
置の小型化、軽量化を図ることが困難であった。このた
め、従来から各種の光学ピックアップ装置が提案されて
いる。 【0003】例えば、特開平1−270382号公報に
は、半導体基板に凹部を形成し該凹部に対し45°の角
度で傾斜した傾斜面にモニタ用光検出器を設け、該モニ
タ用光検出器の表面内にはほぼ 100%の反射率を有
するコ−ティング膜を形成し、さらに対物レンズを透過
したレ−ザ光が入射する位置にホログラムプレ−トを配
設し、光ディスクで反射されたレ−ザ光に対し非点収差
の発生及びレ−ザ光を回折分離する作用を持たせ、半導
体基板上の光信号検出器で受光し電圧変換するようにし
た内容が開示されている。 【0004】また、90年春季及び秋季応用物理学会の
資料中29p−N−7 、30a−G−3 には、対物
レンズにブレ−ズ特性を有したホログラムを一体接合し
、このホログラムを透過した光ビ−ムを短冊状の10分
割光検出器(PD)で受光し、フォ−カス及びトラッキ
ング検出を行い、対物レンズを2次元方向に移動させる
ようにした内容が開示されている。 【0005】また、本出願人が既に提案している特願平
2−254109の中には、半導体基板に傾斜部を形成
し傾斜面上に半導体レ−ザを設置し、半導体基板のレ−
ザビ−ムが照射される位置に、ミラ−と該ミラ−を回転
駆動させるアクチュエ−タとを設置する。また、半導体
基板の光学記録媒体からの反射ビ−ムが入射する位置に
、光検出器を形成する。この光検出器の上にプリズムを
設置し、該プリズムの半導体レ−ザに対向する端面には
半透過反射膜を形成する。半導体レ−ザから出射され、
ミラ−で反射されたレ−ザビ−ムは半透過反射膜で反射
され、対物レンズを介して光学記録媒体に導かれ、ここ
で反射された反射ビ−ムは対物レンズを介して半透過反
射膜に入射し、ここを透過したのち光検出器に導かれる
ように構成されている。そして、光検出器で検出された
光情報からトラッキングエラ−信号を検出し、ミラ−を
駆動するアクチュエ−タにこのトラッキングエラ−信号
を供給する。アクチュエ−タは、このトラッキングエラ
−信号に基づいてミラ−を回転させ、光学記録媒体への
入射ビ−ムを偏向させてトラッキングエラ−の補正を行
うという内容が開示されている。 【0006】さらに、前記プリズムを断面台形を有する
プリズムに替え、半導体基板を傾斜部のない平坦な形状
にして、この半導体基板の平坦な表面に半導体レ−ザを
設置した構成も開示されている。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のうち特開平1−270382号公報及び応用物理
学会の資料に開示されているものは、フォ−カス、トラ
ッキング制御するために対物レンズを駆動するための2
次元アクチュエ−タを必要とし、小型、軽量化を要求さ
れる光学ピックアップに適用することはできないという
不具合がある。 【0008】また、特願平2−254109に開示され
ているものは、光学記録媒体からの反射光を半導体基板
上に設けたガルバノミラ−で反射させ、さらにプリズム
で反射させた後、光検出器へ導くように光学系を構成し
ているため、マイクロプリズムの表面に埃が付着しやす
く戻り光路が長くなってしまいひいては半導体基板が大
きくなり、光学ピックアップの小型、軽量化の妨げとな
る不具合がある。本発明は、上記不具合を解決すべく提
案されるもので、装置の小型、軽量化を図るとともに、
光検出器による信号検出を効率よく行える光学ピックア
ップを提供することを目的としたものである。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体レ−ザから出射されたレ−ザ光を
反射膜がコ−ティングされたマイクロプリズム、ホログ
ラム、対物レンズを介して光学記録媒体に照射し、この
光ディスクで反射された反射光を対物レンズ、ホログラ
ムを介して光検出器で受光するように構成した光学ピッ
クアップにおいて、半導体レ−ザ、光検出器、マイクロ
プリズムを共通基板の表面側に設けるとともに、半導体
レ−ザから出射されたレ−ザ光が対物レンズに入射する
ように共通基板の表面側にガルバノミラ−を設け、光デ
ィスクで反射された反射光はガルバノミラ−、マイクロ
プリズムを介さずに光検出器で受光されるように構成し
た光学ピックアップ装置としたものである。 【0010】 【作用】このように構成することにより、対物レンズの
可動部の質量を小さくできるとともに、部品点数の減少
化を図れる。また、ガルバノミラ−への入射位置を同じ
位置にすることができるので、反射面の面積を小さくで
きアクチュエ−タの小型化を図れる。また、反射光をガ
ルバノミラ−を介さずに受光するようにしているので、
半導体基板を小さくでき装置の小型化を図れる。また、
マイクロプリズムを介することなく反射光の光路を短く
できるので、光量ロスを減少させ信号検出の効率化を図
れる。 【0011】 【実施例】以下、図面に従い本発明の実施例を詳細に説
明してゆく。第1図は、本発明の第1実施例を示したも
のである。A図は装置断面図、B図は平面図である。半
導体基板1上の長手方向の一方端部近傍に、光源たる半
導体レ−ザ2を錫半田付け等により固定し、この半導体
レ−ザ2に対向するように半導体基板1上の長手方向の
他方端部近傍に、対向面を傾斜面としたマイクロプリズ
ム3を固定する。そして該マイクロプリズム3の傾斜面
には、反射膜4がコ−ティングされている。またマイク
ロプリズム3の反射膜4に対向する半導体基板1上には
凹部5が形成され、ここにガラス基板内に形成されたガ
ルバノミラ−6が埋設されている。なお、ガルバノミラ
−6はミラ−がアクチュエ−タにより回転駆動されるよ
うになっているものである。このようにして各部材は半
導体基板1上にそれぞれ位置決め配設されるのである。 【0012】また、ガルバノミラ−6を中心に半導体基
板1の幅方向の対称位置に、4分割光検出器7a、7b
が位置決め固定されている。一方、半導体基板1に対し
図示されていないフォーカス方向に移動可能なアクチュ
エータの可動部に固定された対物レンズ8が設けられ、
該対物レンズ8のレ−ザ光入射側には、ホログラム(H
OE)9が一体的に接合されている。なお、対物レンズ
8をプラスチック材で形成した場合、温度変化によって
体積膨張と屈折率変化が大きくなるので、焦点距離が変
わり球面収差も悪くなる。これを改善するには対物レン
ズを、非球面レンズあるいはアキシャル又はラジアル方
向に屈折率の変わる屈折率分布型レンズを用いればよい
。 【0013】以上のごとく構成されている本実施例の動
作を説明すると、半導体レ−ザ2から出射されたレ−ザ
光は、マイクロプリズム3に形成されている反射膜4で
反射され、ガルバノミラ−6のミラ−面に入射し、ここ
で反射されてホログラム9が一体的に接合された対物レ
ンズ8を透過した後、照射ビ−ムとなって光ディスク1
0に入射する。 【0014】光ディスク10で反射された反射ビ−ムは
、再び対物レンズ8を透過し、ホログラム9面で一次光
が回折された後、それぞれ4分割光検出器7a、7bで
受光される。この場合、一次光の焦点位置は光軸方向に
おいて4分割光検出器7a、7bに対し前後するように
共役結像させる。このように、本実施例では光ディスク
10からの反射光が対物レンズ9及びこれに一体的に接
合されているホログラム9を透過した後、ガルバノミラ
−6、マイクロプリズム3を介することなく4分割光検
出器7a、7bで受光されるので、反射光路が短くなり
光量ロスが減少することとなる。なお、光ビ−ムは1ビ
−ムの場合を示しているが、半導体レ−ザ2をマルチ発
光させて光ディスク10の情報トラック上に複数のビ−
ムを照射させるようにしてもよい。以下の実施例につい
ても同様である。 【0015】4分割光検出器7a、7bは、それぞれa
1〜d1及びa2〜d2という各素子を演算することに
よりフォ−カスエラ−信号(SF ) 、トラッキング
エラ−信号(ST ) を検出する。そして、フォ−カ
スエラ−信号を検出することにより、対物レンズ8及び
ホログラム9を光軸方向に移動させて光ディスク10に
対物レンズ9を透過した照射ビ−ムが、収束し焦点を結
ぶように制御するのである。 また、トラッキングエラ−信号を検出することにより、
ガルバノミラ−6が制御され、照射ビ−ムが光ディスク
10のピット列に追従するようにされる。ここで、フォ
−カスエラ−信号(SF ) 、トラッキングエラ−信
号(ST ) 、情報信号(SRF) を求める演算式
を示すと次のごとくなる。    SF =〔 (a1+c1) − (b1+d1
) 〕−〔 (a2+c2) − (b2+d2) 〕
   ST = (a1+d1+b2+c2) − (
b1+c1+a2+d2)    SRF= (a1+
b1+c1+d1) + (a2+b2+c2+d2)
 【0016】以上のごとく本実施例によれば、光検出
器で検出されたトラッキングエラ−信号から、半導体基
板1上に設けられたガルバノミラ−6を駆動させ、また
光検出器で検出されたフォ−カスエラ−信号から対物レ
ンズ8を駆動させればよいので、対物レンズ8は光軸方
向のみのアクチュエ−タ構成でよいこととなる。したが
って、対物レンズ8の可動部の質量を小さくすることが
できるとともに、高速アクセス時に対物レンズ8のトラ
ッキング方向への振れを防止でき、部品点数の減少を図
れる。 【0017】第2図は、本発明の第2実施例を示したも
ので、A図は装置断面図、B図は平面図、C図は反射光
とホログラムの説明図である。第1実施例と対応する個
所には同一符号を付した(以下の実施例についても同様
)。本実施例では、対物レンズ8と一体的に接合された
ホログラム9の中央部にトラッキングエラ−信号検出用
の第2のホログラム領域11を形成し、光ディスク10
からの反射光は対物レンズ8を透過させた後、ホログラ
ム9の他に第2のホログラム領域11でも回折するよう
になっている。 【0018】また、半導体基板1上の光検出器は、ガル
バノミラ−6を中心に半導体基板1幅方向の対称位置に
2個7a、7b設けるとともに、半導体レ−ザ2とガル
バノミラ−6との間にも1個7c設けている。そして、
光ディスク10からの反射光はホログラム9で回折され
て3分割光検出器7a、7b(フォ−カスエラ−信号用
、情報信号用)で受光されるとともに、第2ホログラム
領域11で回折されて2分割光検出器7c(トラッキン
グエラ−信号用)で受光され、それぞれ電圧変換され駆
動回路を介して、ガルバノミラ−6を制御するようにな
っている。 【0019】光ディスク10からの反射光とホログラム
の関係をC図によって説明すると、ホログラム9には反
射光に対して一対の異なる曲率を有する部分が形成され
ており、球面波が回折光として発生する。ホログラム9
の中央部には、第2のホログラム領域11が設けられて
いる。つまり、焦点a点、b点、発光点o点から発散す
る球面波干渉と第2ホログラム領域11のゾーンプレー
トより回折光を得ることができるのである。他の構成に
ついては第1実施例と同様であり、効果についても同様
である。 【0020】本実施例において、フォ−カスエラ−信号
等の各信号を求めるには次の演算式による。   ジャストフォーカス時は、3分割光検出器7aの光
スポット径と7bの光スポット径は等しく、インフォー
カス時(光ディスクが対物レンズに近づいた状態)は、
3分割光検出器7bの光スポット径が大きくなり又7a
の光スポット径は小さくなる。逆にアウトフォーカス時
(光ディスクが対物レンズから遠ざかった状態)は、3
分割光検出器7bの光スポット径は小さくなり又7aの
光スポット径は大きくなる。 【0021】第3図は、本発明の第3実施例を示したも
ので装置の断面図である。本実施例は、第2実施例と同
様にホログラム9の中央部に第2のホログラム領域11
を形成し、半導体基板1の表面側に断面V字状の溝12
を形成し、この溝12の一方の傾斜面にガルバノミラ−
6と3分割光検出器7a、7bを設け、他方の傾斜面に
トラッキングエラ−信号検出用の2分割光検出器7cを
設けている。 そして、光ディスク10からの反射光はホログラム9で
回折されて3分割光検出器7a、7b(フォ−カスエラ
−信号用、情報信号用)で受光されるとともに、第2ホ
ログラム領域11で回折されて2分割光検出器7c(ト
ラッキングエラ−信号用)で受光されるようになってい
る。他の構成については前記各実施例とほぼ同様であり
、効果についても同様である。 【0022】第4図は、本発明の第4実施例を示したも
ので、本実施例では半導体基板1にV字状溝を形成し、
ガルバノミラ−6、光検出器7を設ける点については第
3実施例と同様であるが、光検出器7は1個のみで各信
号を検出するように構成してある。つまり、対物レンズ
8と一体的に接合され、+1次光回折光の影響を除去す
るようにされたホログラム9を透過してきた反射光を、
短冊状の光検出器7で受光しフォ−カスエラ−信号はス
ポットサイズ法により、トラッキングエラ−信号はプッ
シュプル法により、情報信号は10分割の素子で検出す
るようになっている。他の構成については前記各実施例
とほぼ同様であり、効果についても同様である。 【0023】第5図は、本発明の第5実施例を示したも
ので、A図は装置断面図、B図は平面図である。本実施
例では、半導体基板1にエッチングにより凹部5を形成
し、この凹部5の底部に半導体レ−ザ2を錫半田付けで
固定し、凹部5の斜面にはガルバノミラ−6を設ける。 凹部5の上方には、ビームスプリッタ13を有するマイ
クロプリズム3を配設し、該マイクロプリズム3の半導
体基板1の幅方向両側には情報信号、各制御信号を検出
するための光検出器7a、7bを設ける。なお、この光
検出器はホログラム9を介する+1次回折光、−1次回
折光を検出する。 【0024】また、本実施例ではマイクロプリズム3を
透過した反射光の一部が出射する位置の半導体基板1表
面に、2 分割光検出器である前方モニタ14を設けて
いる。この前方モニタ14は、2個の素子の和信号によ
り半導体レ−ザ2の出力をモニタし、半導体レ−ザ2の
APC回路を介して出力光量を制御するとともに、差信
号によりガルバノミラ−6の振れ量の位置検出をするよ
うになっている。 【0025】第6図は、本発明の第6実施例を示したも
ので、本実施例では光ディスクの情報トラックに対して
θ角傾けた状態にして、ガルバノミラ−6を振らせる構
成を示したものである。本実施例では、光検出器7の分
割方向に光ビ−ムを移動させることができ、フォ−カス
、トラッキングのオフセットを除去できる。 【0026】次に、ガルバノミラ−6を半導体基板1に
形成する方法を説明する。ここでガルバノミラ−6は、
ミラ−とミラ−を回転駆動させるアクチュエ−タを指す
ものとする。第7図Aは斜視図であり、B図は断面図で
ある。半導体基板1の表面に設けた回転軸15を中心に
可動部16を回動自在に設け、この可動部16の表面に
反射膜17を形成してミラ−として作用させる。可動部
16の表面には電極18を形成する。一方、可動部16
の下方に位置し、ミラ−19を指示しているガラス基板
20の表面に、可動部16の回転軸15を中心に分離し
た2個の対向電極21、22を形成する。 【0027】このように構成されているので、電極15
と可動部18の裏面に取りつけた電極18とに、例えば
トラッキングエラ−信号に基づく電圧を印加すると、電
極18と対向電極21との間に静電引力が発生し、ミラ
−19が矢印A方向に回動する。一方、対向電極22と
電極18とにトラッキングエラ−信号に基づく電圧を印
加すると、ミラ−19は矢印B方向に回動する。このよ
うに、ミラ−19を回動させ、ミラ−19で反射するレ
−ザビ−ムの進行方向を変えて、対物レンズ8、ホログ
ラム9を透過した後の、照射ビ−ムの光ディスクの情報
トラックからのずれ量を補正するのである。なお、ミラ
−19に入射するレ−ザビ−ムの位置は常に同じ位置で
あるため、ミラ−19の面積を小さくすることができ、
ガルバノミラ−6を小型にすることができる。 【0028】 【発明の効果】以上のごとく本発明によれば、光検出器
で検出されたトラッキングエラ−信号から、半導体基板
上に設けられたガルバノミラ−を駆動させ、また光検出
器で検出されたフォ−カスエラ−信号から対物レンズを
駆動させればよいので、対物レンズは光軸方向のみのア
クチュエ−タ構成でよいこととなる。したがって、対物
レンズの可動部の質量を小さくすることができるととも
に、高速アクセス時に対物レンズのトラッキング方向へ
の振れを防止でき、部品点数の減少化を図れる。また、
半導体基板に半導体レ−ザ、マイクロプリズム、ガルバ
ノミラ−を設けることにより、ガルバノミラ−に入射す
るレ−ザビ−ムの位置は常に同じ位置であるから、ガル
バノミラ−の反射面の面積を小さくすることができ、ア
クチュエ−タの小型化を図れる。また、光ディスクでの
反射光をホログラムで回折分離し、半導体基板上のガル
バノミラ−、マイクロプリズムを介さずに光検出器で受
光するようにしているので、半導体基板を小さくするこ
とができ装置の小型化を図れる。また、マイクロプリズ
ム、ガルバノミラ−を介さずに光検出器で受光するよう
にしているので、光路長が短くなりさらにそれらの光学
素子の表面に埃が付着することにより生じる光量ロスを
軽減できるので、光検出器で効率よく信号検出ができる
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る装置の断面図、平面
図である。
【図2】第2実施例に係る装置の断面図、平面図、説明
図である。
【図3】第3実施例に係る装置の断面図である。
【図4】第4実施例に係る装置の断面図である。
【図5】第5実施例に係る装置の断面図、平面図である
【図6】第6実施例に係る装置の断面図、平面図である
【図7】ガルバノミラ−の製造方法に係る斜視図、断面
図である。
【符号の説明】
1  半導体基板 2  半導体レ−ザ 3  マイクロプリズム 4  反射膜 6  ガルバノミラ− 7  光検出器 8  対物レンズ 9  ホログラム 10  光ディスク

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体レ−ザから出射されたレ−ザ光
    を反射膜がコ−ティングされたマイクロプリズム、ホロ
    グラム、対物レンズを介して光学記録媒体に照射し、こ
    の光ディスクで反射された反射光を対物レンズ、ホログ
    ラムを介して光検出器で受光するように構成した光学ピ
    ックアップにおいて、半導体レ−ザ、光検出器、マイク
    ロプリズムを共通基板の表面側に設けるとともに、半導
    体レ−ザから出射されたレ−ザ光が対物レンズに入射す
    るように共通基板の表面側にガルバノミラ−を設け、光
    ディスクで反射された反射光はガルバノミラ−、マイク
    ロプリズムを介さずに光検出器で受光されるように構成
    したことを特徴とする光学ピックアップ装置。
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CN102610997A (zh) * 2011-01-18 2012-07-25 安华高科技光纤Ip(新加坡)私人有限公司 表面发射半导体激光器装置
CN102610997B (zh) * 2011-01-18 2015-04-01 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 表面发射半导体激光器装置

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