JP2883212B2 - 光学ピックアップ装置 - Google Patents
光学ピックアップ装置Info
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- JP2883212B2 JP2883212B2 JP2410151A JP41015190A JP2883212B2 JP 2883212 B2 JP2883212 B2 JP 2883212B2 JP 2410151 A JP2410151 A JP 2410151A JP 41015190 A JP41015190 A JP 41015190A JP 2883212 B2 JP2883212 B2 JP 2883212B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録再
生をするために用いる光学ピックアップ装置に関するも
のである。
生をするために用いる光学ピックアップ装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】光学ピックアップ装置は、半導体レ−ザ
等の光源から発せられた光を光学記録媒体に照射して、
光学記録媒体で反射され、変調された反射光を光検出器
で検出することによって情報の記録再生を行う。このよ
うな光学ピックアップ装置は、対物レンズ、半導体レ−
ザ、光検出器等の多くの光学部品を必要とするため、装
置の小型化、軽量化を図ることが困難であった。このた
め、従来から各種の光学ピックアップ装置が提案されて
いる。
等の光源から発せられた光を光学記録媒体に照射して、
光学記録媒体で反射され、変調された反射光を光検出器
で検出することによって情報の記録再生を行う。このよ
うな光学ピックアップ装置は、対物レンズ、半導体レ−
ザ、光検出器等の多くの光学部品を必要とするため、装
置の小型化、軽量化を図ることが困難であった。このた
め、従来から各種の光学ピックアップ装置が提案されて
いる。
【０００３】例えば、特開平1-270382号公報には、半導
体基板に凹部を形成し該凹部に対し45°の角度で傾斜し
た傾斜面にモニタ用光検出器を設け、該モニタ用光検出
器の表面内にはほぼ 100％の反射率を有するコ−ティン
グ膜を形成し、さらに対物レンズを透過したレ−ザ光が
入射する位置にホログラムプレ−トを配設し、光ディス
クで反射されたレ−ザ光に対し非点収差の発生及びレ−
ザ光を回折分離する作用を持たせ、半導体基板上の光信
号検出器で受光し電圧変換するようにした内容が開示さ
れている。
体基板に凹部を形成し該凹部に対し45°の角度で傾斜し
た傾斜面にモニタ用光検出器を設け、該モニタ用光検出
器の表面内にはほぼ 100％の反射率を有するコ−ティン
グ膜を形成し、さらに対物レンズを透過したレ−ザ光が
入射する位置にホログラムプレ−トを配設し、光ディス
クで反射されたレ−ザ光に対し非点収差の発生及びレ−
ザ光を回折分離する作用を持たせ、半導体基板上の光信
号検出器で受光し電圧変換するようにした内容が開示さ
れている。
【０００４】また、90年春季及び秋季応用物理学会の資
料中29p-N-7 、30a-G-3 には、対物レンズにブレ−ズ特
性を有したホログラムを一体接合し、このホログラムを
透過した光ビ−ムを短冊状の10分割光検出器（ＰＤ）で
受光し、フォ−カス及びトラッキング検出を行い、対物
レンズを２次元方向に移動させるようにした内容が開示
されている。
料中29p-N-7 、30a-G-3 には、対物レンズにブレ−ズ特
性を有したホログラムを一体接合し、このホログラムを
透過した光ビ−ムを短冊状の10分割光検出器（ＰＤ）で
受光し、フォ−カス及びトラッキング検出を行い、対物
レンズを２次元方向に移動させるようにした内容が開示
されている。
【０００５】また、本出願人は特願平2-254109号（特開
平4-134634号公報）において、以下に説明するような光
ピックアップ装置を提案している。この光ピックアップ
装置では、半導体基板に傾斜部を形成し傾斜面上に半導
体レ−ザを設置し、半導体基板のレ−ザビ−ムが照射さ
れる位置に、ミラ−と該ミラ−を回転駆動させるアクチ
ュエ−タとを設置する。また、半導体基板の光学記録媒
体からの反射ビ−ムが入射する位置に、光検出器を形成
する。この光検出器の上にプリズムを設置し、該プリズ
ムの半導体レ−ザに対向する端面には半透過反射膜を形
成する。半導体レ−ザから出射され、ミラ−で反射され
たレ−ザビ−ムは半透過反射膜で反射され、対物レンズ
を介して光学記録媒体に導かれ、ここで反射された反射
ビ−ムは対物レンズを介して半透過反射膜に入射し、こ
こを透過したのち光検出器に導かれるように構成されて
いる。そして、光検出器で検出された光情報からトラッ
キングエラ−信号を検出し、ミラ−を駆動するアクチュ
エ−タにこのトラッキングエラ−信号を供給する。アク
チュエ−タは、このトラッキングエラ−信号に基づいて
ミラ−を回転させ、光学記録媒体への入射ビ−ムを偏向
させてトラッキングエラ−の補正を行うという内容が開
示されている。
平4-134634号公報）において、以下に説明するような光
ピックアップ装置を提案している。この光ピックアップ
装置では、半導体基板に傾斜部を形成し傾斜面上に半導
体レ−ザを設置し、半導体基板のレ−ザビ−ムが照射さ
れる位置に、ミラ−と該ミラ−を回転駆動させるアクチ
ュエ−タとを設置する。また、半導体基板の光学記録媒
体からの反射ビ−ムが入射する位置に、光検出器を形成
する。この光検出器の上にプリズムを設置し、該プリズ
ムの半導体レ−ザに対向する端面には半透過反射膜を形
成する。半導体レ−ザから出射され、ミラ−で反射され
たレ−ザビ−ムは半透過反射膜で反射され、対物レンズ
を介して光学記録媒体に導かれ、ここで反射された反射
ビ−ムは対物レンズを介して半透過反射膜に入射し、こ
こを透過したのち光検出器に導かれるように構成されて
いる。そして、光検出器で検出された光情報からトラッ
キングエラ−信号を検出し、ミラ−を駆動するアクチュ
エ−タにこのトラッキングエラ−信号を供給する。アク
チュエ−タは、このトラッキングエラ−信号に基づいて
ミラ−を回転させ、光学記録媒体への入射ビ−ムを偏向
させてトラッキングエラ−の補正を行うという内容が開
示されている。
【０００６】さらに、前記プリズムを断面台形を有する
プリズムに替え、半導体基板を傾斜部のない平坦な形状
にして、この半導体基板の平坦な表面に半導体レ−ザを
設置した構成も提案している。
プリズムに替え、半導体基板を傾斜部のない平坦な形状
にして、この半導体基板の平坦な表面に半導体レ−ザを
設置した構成も提案している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のうち特開平1-270382号公報及び応用物理学会の資
料に開示されているものは、フォ−カス、トラッキング
制御するために対物レンズを駆動するための２次元アク
チュエ−タを必要とし、小型、軽量化を要求される光学
ピックアップに適用することはできないという不具合が
ある。
来例のうち特開平1-270382号公報及び応用物理学会の資
料に開示されているものは、フォ−カス、トラッキング
制御するために対物レンズを駆動するための２次元アク
チュエ−タを必要とし、小型、軽量化を要求される光学
ピックアップに適用することはできないという不具合が
ある。
【０００８】また、上述した本出願人の提案に係る光ピ
ックアップ装置では、光学記録媒体からの反射光を半導
体基板上に設けたガルバノミラ−で反射させ、さらにプ
リズムで反射させた後、光検出器へ導くように光学系を
構成しているため、プリズムの表面に埃が付着しやすく
戻り光路が長くなってしまいひいては半導体基板が大き
くなり、光学ピックアップの小型、軽量化の妨げとなる
不具合がある。本発明は、上記不具合を解決すべく提案
されるもので、装置の小型、軽量化を図るとともに、光
検出器による信号検出を効率よく行える光学ピックアッ
プを提供することを目的としたものである。
ックアップ装置では、光学記録媒体からの反射光を半導
体基板上に設けたガルバノミラ−で反射させ、さらにプ
リズムで反射させた後、光検出器へ導くように光学系を
構成しているため、プリズムの表面に埃が付着しやすく
戻り光路が長くなってしまいひいては半導体基板が大き
くなり、光学ピックアップの小型、軽量化の妨げとなる
不具合がある。本発明は、上記不具合を解決すべく提案
されるもので、装置の小型、軽量化を図るとともに、光
検出器による信号検出を効率よく行える光学ピックアッ
プを提供することを目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、半導体レ−ザから出射されたレ−ザ光を
反射膜がコ−ティングされたマイクロプリズム、ホログ
ラムおよび対物レンズを介して光学記録媒体に照射し、
この光学記録媒体で反射された反射光を前記対物レンズ
およびホログラムを介して光検出器で受光するように構
成した光学ピックアップ装置において、前記半導体レ−
ザ、光検出器およびマイクロプリズムを共通の半導体基
板に設けるとともに、前記半導体レ−ザから出射された
レ−ザ光が前記対物レンズに入射するように前記半導体
基板にガルバノミラ−を設け、前記光学記録媒体で反射
された反射光を前記ガルバノミラ−およびマイクロプリ
ズムを介さずに前記光検出器で受光されるように構成し
たことを特徴とするものである。
め、本発明は、半導体レ−ザから出射されたレ−ザ光を
反射膜がコ−ティングされたマイクロプリズム、ホログ
ラムおよび対物レンズを介して光学記録媒体に照射し、
この光学記録媒体で反射された反射光を前記対物レンズ
およびホログラムを介して光検出器で受光するように構
成した光学ピックアップ装置において、前記半導体レ−
ザ、光検出器およびマイクロプリズムを共通の半導体基
板に設けるとともに、前記半導体レ−ザから出射された
レ−ザ光が前記対物レンズに入射するように前記半導体
基板にガルバノミラ−を設け、前記光学記録媒体で反射
された反射光を前記ガルバノミラ−およびマイクロプリ
ズムを介さずに前記光検出器で受光されるように構成し
たことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】このように構成することにより、対物レンズの
可動部の質量を小さくできるとともに、部品点数の減少
化を図れる。また、ガルバノミラ−への入射位置を同じ
位置にすることができるので、反射面の面積を小さくで
きアクチュエ−タの小型化を図れる。また、反射光をガ
ルバノミラ−を介さずに受光するようにしているので、
半導体基板を小さくでき装置の小型化を図れる。また、
マイクロプリズムを介することなく反射光の光路を短く
できるので、光量ロスを減少させ信号検出の効率化を図
れる。
可動部の質量を小さくできるとともに、部品点数の減少
化を図れる。また、ガルバノミラ−への入射位置を同じ
位置にすることができるので、反射面の面積を小さくで
きアクチュエ−タの小型化を図れる。また、反射光をガ
ルバノミラ−を介さずに受光するようにしているので、
半導体基板を小さくでき装置の小型化を図れる。また、
マイクロプリズムを介することなく反射光の光路を短く
できるので、光量ロスを減少させ信号検出の効率化を図
れる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に従い本発明の実施例を詳細に説
明してゆく。第１図は、本発明の第１実施例を示したも
のである。Ａ図は装置断面図、Ｂ図は平面図である。半
導体基板１上の長手方向の一方端部近傍に、光源たる半
導体レ−ザ２を錫半田付け等により固定し、この半導体
レ−ザ２に対向するように半導体基板１上の長手方向の
他方端部近傍に、対向面を傾斜面としたマイクロプリズ
ム３を固定する。そして該マイクロプリズム３の傾斜面
には、反射膜４がコ−ティングされている。またマイク
ロプリズム３の反射膜４に対向する半導体基板１上には
凹部５が形成され、ここにガラス基板内に形成されたガ
ルバノミラ−６が埋設されている。なお、ガルバノミラ
−６はミラ−がアクチュエ−タにより回転駆動されるよ
うになっているものである。このようにして各部材は半
導体基板１上にそれぞれ位置決め配設されるのである。
明してゆく。第１図は、本発明の第１実施例を示したも
のである。Ａ図は装置断面図、Ｂ図は平面図である。半
導体基板１上の長手方向の一方端部近傍に、光源たる半
導体レ−ザ２を錫半田付け等により固定し、この半導体
レ−ザ２に対向するように半導体基板１上の長手方向の
他方端部近傍に、対向面を傾斜面としたマイクロプリズ
ム３を固定する。そして該マイクロプリズム３の傾斜面
には、反射膜４がコ−ティングされている。またマイク
ロプリズム３の反射膜４に対向する半導体基板１上には
凹部５が形成され、ここにガラス基板内に形成されたガ
ルバノミラ−６が埋設されている。なお、ガルバノミラ
−６はミラ−がアクチュエ−タにより回転駆動されるよ
うになっているものである。このようにして各部材は半
導体基板１上にそれぞれ位置決め配設されるのである。
【００１２】また、ガルバノミラ−６を中心に半導体基
板１の幅方向の対称位置に、４分割光検出器7a、7bが位
置決め固定されている。一方、半導体基板１に対し図示
されていないフォーカス方向に移動可能なアクチュエー
タの可動部に固定された対物レンズ８が設けられ、該対
物レンズ８のレ−ザ光入射側には、ホログラム（ＨＯ
Ｅ）９が一体的に接合されている。なお、対物レンズ８
をプラスチック材で形成した場合、温度変化によって体
積膨張と屈折率変化が大きくなるので、焦点距離が変わ
り球面収差も悪くなる。これを改善するには対物レンズ
を、非球面レンズあるいはアキシャル又はラジアル方向
に屈折率の変わる屈折率分布型レンズを用いればよい。
板１の幅方向の対称位置に、４分割光検出器7a、7bが位
置決め固定されている。一方、半導体基板１に対し図示
されていないフォーカス方向に移動可能なアクチュエー
タの可動部に固定された対物レンズ８が設けられ、該対
物レンズ８のレ−ザ光入射側には、ホログラム（ＨＯ
Ｅ）９が一体的に接合されている。なお、対物レンズ８
をプラスチック材で形成した場合、温度変化によって体
積膨張と屈折率変化が大きくなるので、焦点距離が変わ
り球面収差も悪くなる。これを改善するには対物レンズ
を、非球面レンズあるいはアキシャル又はラジアル方向
に屈折率の変わる屈折率分布型レンズを用いればよい。
【００１３】以上のごとく構成されている本実施例の動
作を説明すると、半導体レ−ザ２から出射されたレ−ザ
光は、マイクロプリズム３に形成されている反射膜４で
反射され、ガルバノミラ−６のミラ−面に入射し、ここ
で反射されてホログラム９が一体的に接合された対物レ
ンズ８を透過した後、照射ビ−ムとなって光ディスク10
に入射する。
作を説明すると、半導体レ−ザ２から出射されたレ−ザ
光は、マイクロプリズム３に形成されている反射膜４で
反射され、ガルバノミラ−６のミラ−面に入射し、ここ
で反射されてホログラム９が一体的に接合された対物レ
ンズ８を透過した後、照射ビ−ムとなって光ディスク10
に入射する。
【００１４】光ディスク10で反射された反射ビ−ムは、
再び対物レンズ８を透過し、ホログラム９面で一次光が
回折された後、それぞれ４分割光検出器7a、7bで受光さ
れる。この場合、一次光の焦点位置は光軸方向において
４分割光検出器7a、7bに対し前後するように共役結像さ
せる。このように、本実施例では光ディスク10からの反
射光が対物レンズ９及びこれに一体的に接合されている
ホログラム９を透過した後、ガルバノミラ−６、マイク
ロプリズム３を介することなく４分割光検出器7a、7bで
受光されるので、反射光路が短くなり光量ロスが減少す
ることとなる。なお、光ビ−ムは１ビ−ムの場合を示し
ているが、半導体レ−ザ２をマルチ発光させて光ディス
ク10の情報トラック上に複数のビ−ムを照射させるよう
にしてもよい。以下の実施例についても同様である。
再び対物レンズ８を透過し、ホログラム９面で一次光が
回折された後、それぞれ４分割光検出器7a、7bで受光さ
れる。この場合、一次光の焦点位置は光軸方向において
４分割光検出器7a、7bに対し前後するように共役結像さ
せる。このように、本実施例では光ディスク10からの反
射光が対物レンズ９及びこれに一体的に接合されている
ホログラム９を透過した後、ガルバノミラ−６、マイク
ロプリズム３を介することなく４分割光検出器7a、7bで
受光されるので、反射光路が短くなり光量ロスが減少す
ることとなる。なお、光ビ−ムは１ビ−ムの場合を示し
ているが、半導体レ−ザ２をマルチ発光させて光ディス
ク10の情報トラック上に複数のビ−ムを照射させるよう
にしてもよい。以下の実施例についても同様である。
【００１５】４分割光検出器7a、7bは、それぞれa1〜d1
及びa2〜d2という各素子を演算することによりフォ−カ
スエラ−信号(SF ) 、トラッキングエラ−信号(ST ) を
検出する。そして、フォ−カスエラ−信号を検出するこ
とにより、対物レンズ８及びホログラム９を光軸方向に
移動させて光ディスク10に対物レンズ９を透過した照射
ビ−ムが、収束し焦点を結ぶように制御するのである。
また、トラッキングエラ−信号を検出することにより、
ガルバノミラ−６が制御され、照射ビ−ムが光ディスク
10のピット列に追従するようにされる。ここで、フォ−
カスエラ−信号(SF ) 、トラッキングエラ−信号(ST )
、情報信号(SRF) を求める演算式を示すと次のごとく
なる。 SF ＝〔 (a1＋c1) − (b1＋d1) 〕−〔 (a2＋c2) − (b2＋d2) 〕 ST ＝ (a1＋d1＋b2＋c2) − (b1＋c1＋a2＋d2) SRF＝ (a1＋b1＋c1＋d1) ＋ (a2＋b2＋c2＋d2)
及びa2〜d2という各素子を演算することによりフォ−カ
スエラ−信号(SF ) 、トラッキングエラ−信号(ST ) を
検出する。そして、フォ−カスエラ−信号を検出するこ
とにより、対物レンズ８及びホログラム９を光軸方向に
移動させて光ディスク10に対物レンズ９を透過した照射
ビ−ムが、収束し焦点を結ぶように制御するのである。
また、トラッキングエラ−信号を検出することにより、
ガルバノミラ−６が制御され、照射ビ−ムが光ディスク
10のピット列に追従するようにされる。ここで、フォ−
カスエラ−信号(SF ) 、トラッキングエラ−信号(ST )
、情報信号(SRF) を求める演算式を示すと次のごとく
なる。 SF ＝〔 (a1＋c1) − (b1＋d1) 〕−〔 (a2＋c2) − (b2＋d2) 〕 ST ＝ (a1＋d1＋b2＋c2) − (b1＋c1＋a2＋d2) SRF＝ (a1＋b1＋c1＋d1) ＋ (a2＋b2＋c2＋d2)
【００１６】以上のごとく本実施例によれば、光検出器
で検出されたトラッキングエラ−信号から、半導体基板
１上に設けられたガルバノミラ−６を駆動させ、また光
検出器で検出されたフォ−カスエラ−信号から対物レン
ズ８を駆動させればよいので、対物レンズ８は光軸方向
のみのアクチュエ−タ構成でよいこととなる。したがっ
て、対物レンズ８の可動部の質量を小さくすることがで
きるとともに、高速アクセス時に対物レンズ８のトラッ
キング方向への振れを防止でき、部品点数の減少を図れ
る。
で検出されたトラッキングエラ−信号から、半導体基板
１上に設けられたガルバノミラ−６を駆動させ、また光
検出器で検出されたフォ−カスエラ−信号から対物レン
ズ８を駆動させればよいので、対物レンズ８は光軸方向
のみのアクチュエ−タ構成でよいこととなる。したがっ
て、対物レンズ８の可動部の質量を小さくすることがで
きるとともに、高速アクセス時に対物レンズ８のトラッ
キング方向への振れを防止でき、部品点数の減少を図れ
る。
【００１７】第２図は、本発明の第２実施例を示したも
ので、Ａ図は装置断面図、Ｂ図は平面図、Ｃ図は反射光
とホログラムの説明図である。第１実施例と対応する個
所には同一符号を付した（以下の実施例についても同
様）。本実施例では、対物レンズ８と一体的に接合され
たホログラム９の中央部にトラッキングエラ−信号検出
用の第２のホログラム領域11を形成し、光ディスク10か
らの反射光は対物レンズ８を透過させた後、ホログラム
９の他に第２のホログラム領域11でも回折するようにな
っている。
ので、Ａ図は装置断面図、Ｂ図は平面図、Ｃ図は反射光
とホログラムの説明図である。第１実施例と対応する個
所には同一符号を付した（以下の実施例についても同
様）。本実施例では、対物レンズ８と一体的に接合され
たホログラム９の中央部にトラッキングエラ−信号検出
用の第２のホログラム領域11を形成し、光ディスク10か
らの反射光は対物レンズ８を透過させた後、ホログラム
９の他に第２のホログラム領域11でも回折するようにな
っている。
【００１８】また、半導体基板１上の光検出器は、ガル
バノミラ−６を中心に半導体基板１幅方向の対称位置に
２個7a、7b設けるとともに、半導体レ−ザ２とガルバノ
ミラ−６との間にも１個7c設けている。そして、光ディ
スク10からの反射光はホログラム９で回折されて３分割
光検出器7a、7b（フォ−カスエラ−信号用、情報信号
用）で受光されるとともに、第２ホログラム領域11で回
折されて２分割光検出器7c（トラッキングエラ−信号
用）で受光され、それぞれ電圧変換され駆動回路を介し
て、ガルバノミラ−６を制御するようになっている。
バノミラ−６を中心に半導体基板１幅方向の対称位置に
２個7a、7b設けるとともに、半導体レ−ザ２とガルバノ
ミラ−６との間にも１個7c設けている。そして、光ディ
スク10からの反射光はホログラム９で回折されて３分割
光検出器7a、7b（フォ−カスエラ−信号用、情報信号
用）で受光されるとともに、第２ホログラム領域11で回
折されて２分割光検出器7c（トラッキングエラ−信号
用）で受光され、それぞれ電圧変換され駆動回路を介し
て、ガルバノミラ−６を制御するようになっている。
【００１９】光ディスク10からの反射光とホログラムの
関係をＣ図によって説明すると、ホログラム９には反射
光に対して一対の異なる曲率を有する部分が形成されて
おり、球面波が回折光として発生する。ホログラム９の
中央部には、第２のホログラム領域11が設けられてい
る。つまり、焦点ａ点、ｂ点、発光点ｏ点から発散する
球面波干渉と第２ホログラム領域11のゾーンプレートよ
り回折光を得ることができるのである。他の構成につい
ては第１実施例と同様であり、効果についても同様であ
る。
関係をＣ図によって説明すると、ホログラム９には反射
光に対して一対の異なる曲率を有する部分が形成されて
おり、球面波が回折光として発生する。ホログラム９の
中央部には、第２のホログラム領域11が設けられてい
る。つまり、焦点ａ点、ｂ点、発光点ｏ点から発散する
球面波干渉と第２ホログラム領域11のゾーンプレートよ
り回折光を得ることができるのである。他の構成につい
ては第１実施例と同様であり、効果についても同様であ
る。
【００２０】本実施例において、フォ−カスエラ−信号
等の各信号を求めるには次の演算式による。 ジャストフォーカス時は、３分割光検出器7aの光スポ
ット径と7bの光スポット径は等しく、インフォーカス時
（光ディスクが対物レンズに近づいた状態）は、３分割
光検出器7bの光スポット径が大きくなり又7aの光スポッ
ト径は小さくなる。逆にアウトフォーカス時（光ディス
クが対物レンズから遠ざかった状態）は、３分割光検出
器7bの光スポット径は小さくなり又7aの光スポット径は
大きくなる。
等の各信号を求めるには次の演算式による。 ジャストフォーカス時は、３分割光検出器7aの光スポ
ット径と7bの光スポット径は等しく、インフォーカス時
（光ディスクが対物レンズに近づいた状態）は、３分割
光検出器7bの光スポット径が大きくなり又7aの光スポッ
ト径は小さくなる。逆にアウトフォーカス時（光ディス
クが対物レンズから遠ざかった状態）は、３分割光検出
器7bの光スポット径は小さくなり又7aの光スポット径は
大きくなる。
【００２１】第３図は、本発明の第３実施例を示したも
ので装置の断面図である。本実施例は、第２実施例と同
様にホログラム９の中央部に第２のホログラム領域11を
形成し、半導体基板１の表面側に断面Ｖ字状の溝12を形
成し、この溝12の一方の傾斜面にガルバノミラ−６と３
分割光検出器7a、7bを設け、他方の傾斜面にトラッキン
グエラ−信号検出用の２分割光検出器7cを設けている。
そして、光ディスク10からの反射光はホログラム９で回
折されて３分割光検出器7a、7b（フォ−カスエラ−信号
用、情報信号用）で受光されるとともに、第２ホログラ
ム領域11で回折されて２分割光検出器7c（トラッキング
エラ−信号用）で受光されるようになっている。他の構
成については前記各実施例とほぼ同様であり、効果につ
いても同様である。
ので装置の断面図である。本実施例は、第２実施例と同
様にホログラム９の中央部に第２のホログラム領域11を
形成し、半導体基板１の表面側に断面Ｖ字状の溝12を形
成し、この溝12の一方の傾斜面にガルバノミラ−６と３
分割光検出器7a、7bを設け、他方の傾斜面にトラッキン
グエラ−信号検出用の２分割光検出器7cを設けている。
そして、光ディスク10からの反射光はホログラム９で回
折されて３分割光検出器7a、7b（フォ−カスエラ−信号
用、情報信号用）で受光されるとともに、第２ホログラ
ム領域11で回折されて２分割光検出器7c（トラッキング
エラ−信号用）で受光されるようになっている。他の構
成については前記各実施例とほぼ同様であり、効果につ
いても同様である。
【００２２】第４図は、本発明の第４実施例を示したも
ので、本実施例では半導体基板１にＶ字状溝を形成し、
ガルバノミラ−６、光検出器７を設ける点については第
３実施例と同様であるが、光検出器７は１個のみで各信
号を検出するように構成してある。つまり、対物レンズ
８と一体的に接合され、＋１次光回折光の影響を除去す
るようにされたホログラム９を透過してきた反射光を、
短冊状の光検出器７で受光しフォ−カスエラ−信号はス
ポットサイズ法により、トラッキングエラ−信号はプッ
シュプル法により、情報信号は10分割の素子で検出する
ようになっている。他の構成については前記各実施例と
ほぼ同様であり、効果についても同様である。
ので、本実施例では半導体基板１にＶ字状溝を形成し、
ガルバノミラ−６、光検出器７を設ける点については第
３実施例と同様であるが、光検出器７は１個のみで各信
号を検出するように構成してある。つまり、対物レンズ
８と一体的に接合され、＋１次光回折光の影響を除去す
るようにされたホログラム９を透過してきた反射光を、
短冊状の光検出器７で受光しフォ−カスエラ−信号はス
ポットサイズ法により、トラッキングエラ−信号はプッ
シュプル法により、情報信号は10分割の素子で検出する
ようになっている。他の構成については前記各実施例と
ほぼ同様であり、効果についても同様である。
【００２３】第５図は、本発明の第５実施例を示したも
ので、Ａ図は装置断面図、Ｂ図は平面図である。本実施
例では、半導体基板１にエッチングにより凹部５を形成
し、この凹部５の底部に半導体レ−ザ２を錫半田付けで
固定し、凹部５の斜面にはガルバノミラ−６を設ける。
凹部５の上方には、ビームスプリッタ13を有するマイク
ロプリズム３を配設し、該マイクロプリズム３の半導体
基板１の幅方向両側には情報信号、各制御信号を検出す
るための光検出器7a、7bを設ける。なお、この光検出器
はホログラム９を介する＋１次回折光、−１次回折光を
検出する。
ので、Ａ図は装置断面図、Ｂ図は平面図である。本実施
例では、半導体基板１にエッチングにより凹部５を形成
し、この凹部５の底部に半導体レ−ザ２を錫半田付けで
固定し、凹部５の斜面にはガルバノミラ−６を設ける。
凹部５の上方には、ビームスプリッタ13を有するマイク
ロプリズム３を配設し、該マイクロプリズム３の半導体
基板１の幅方向両側には情報信号、各制御信号を検出す
るための光検出器7a、7bを設ける。なお、この光検出器
はホログラム９を介する＋１次回折光、−１次回折光を
検出する。
【００２４】また、本実施例ではマイクロプリズム３を
透過した反射光の一部が出射する位置の半導体基板１表
面に、2 分割光検出器である前方モニタ14を設けてい
る。この前方モニタ14は、２個の素子の和信号により半
導体レ−ザ２の出力をモニタし、半導体レ−ザ２のＡＰ
Ｃ回路を介して出力光量を制御するとともに、差信号に
よりガルバノミラ−６の振れ量の位置検出をするように
なっている。
透過した反射光の一部が出射する位置の半導体基板１表
面に、2 分割光検出器である前方モニタ14を設けてい
る。この前方モニタ14は、２個の素子の和信号により半
導体レ−ザ２の出力をモニタし、半導体レ−ザ２のＡＰ
Ｃ回路を介して出力光量を制御するとともに、差信号に
よりガルバノミラ−６の振れ量の位置検出をするように
なっている。
【００２５】第６図は、本発明の第６実施例を示したも
ので、本実施例では光ディスクの情報トラックに対して
θ角傾けた状態にして、ガルバノミラ−６を振らせる構
成を示したものである。本実施例では、光検出器７の分
割方向に光ビ−ムを移動させることができ、フォ−カ
ス、トラッキングのオフセットを除去できる。
ので、本実施例では光ディスクの情報トラックに対して
θ角傾けた状態にして、ガルバノミラ−６を振らせる構
成を示したものである。本実施例では、光検出器７の分
割方向に光ビ−ムを移動させることができ、フォ−カ
ス、トラッキングのオフセットを除去できる。
【００２６】次に、ガルバノミラ−６を半導体基板１に
形成する方法を説明する。ここでガルバノミラ−６は、
ミラ−とミラ−を回転駆動させるアクチュエ−タを指す
ものとする。第７図Ａは斜視図であり、Ｂ図は断面図で
ある。半導体基板１の表面に設けた回転軸15を中心に可
動部16を回動自在に設け、この可動部16の表面に反射膜
17を形成してミラ−として作用させる。可動部16の表面
には電極18を形成する。一方、可動部16の下方に位置
し、ミラ−19を指示しているガラス基板20の表面に、可
動部16の回転軸15を中心に分離した２個の対向電極21、
22を形成する。
形成する方法を説明する。ここでガルバノミラ−６は、
ミラ−とミラ−を回転駆動させるアクチュエ−タを指す
ものとする。第７図Ａは斜視図であり、Ｂ図は断面図で
ある。半導体基板１の表面に設けた回転軸15を中心に可
動部16を回動自在に設け、この可動部16の表面に反射膜
17を形成してミラ−として作用させる。可動部16の表面
には電極18を形成する。一方、可動部16の下方に位置
し、ミラ−19を指示しているガラス基板20の表面に、可
動部16の回転軸15を中心に分離した２個の対向電極21、
22を形成する。
【００２７】このように構成されているので、電極15と
可動部18の裏面に取りつけた電極18とに、例えばトラッ
キングエラ−信号に基づく電圧を印加すると、電極18と
対向電極21との間に静電引力が発生し、ミラ−19が矢印
Ａ方向に回動する。一方、対向電極22と電極18とにトラ
ッキングエラ−信号に基づく電圧を印加すると、ミラ−
19は矢印Ｂ方向に回動する。このように、ミラ−19を回
動させ、ミラ−19で反射するレ−ザビ−ムの進行方向を
変えて、対物レンズ８、ホログラム９を透過した後の、
照射ビ−ムの光ディスクの情報トラックからのずれ量を
補正するのである。なお、ミラ−19に入射するレ−ザビ
−ムの位置は常に同じ位置であるため、ミラ−19の面積
を小さくすることができ、ガルバノミラ−６を小型にす
ることができる。
可動部18の裏面に取りつけた電極18とに、例えばトラッ
キングエラ−信号に基づく電圧を印加すると、電極18と
対向電極21との間に静電引力が発生し、ミラ−19が矢印
Ａ方向に回動する。一方、対向電極22と電極18とにトラ
ッキングエラ−信号に基づく電圧を印加すると、ミラ−
19は矢印Ｂ方向に回動する。このように、ミラ−19を回
動させ、ミラ−19で反射するレ−ザビ−ムの進行方向を
変えて、対物レンズ８、ホログラム９を透過した後の、
照射ビ−ムの光ディスクの情報トラックからのずれ量を
補正するのである。なお、ミラ−19に入射するレ−ザビ
−ムの位置は常に同じ位置であるため、ミラ−19の面積
を小さくすることができ、ガルバノミラ−６を小型にす
ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のごとく本発明によれば、光検出器
で検出されたトラッキングエラ−信号から、半導体基板
上に設けられたガルバノミラ−を駆動させ、また光検出
器で検出されたフォ−カスエラ−信号から対物レンズを
駆動させればよいので、対物レンズは光軸方向のみのア
クチュエ−タ構成でよいこととなる。したがって、対物
レンズの可動部の質量を小さくすることができるととも
に、高速アクセス時に対物レンズのトラッキング方向へ
の振れを防止でき、部品点数の減少化を図れる。また、
半導体基板に半導体レ−ザ、マイクロプリズム、ガルバ
ノミラ−を設けることにより、ガルバノミラ−に入射す
るレ−ザビ−ムの位置は常に同じ位置であるから、ガル
バノミラ−の反射面の面積を小さくすることができ、ア
クチュエ−タの小型化を図れる。また、光ディスクでの
反射光をホログラムで回折分離し、半導体基板上のガル
バノミラ−、マイクロプリズムを介さずに光検出器で受
光するようにしているので、半導体基板を小さくするこ
とができ装置の小型化を図れる。また、マイクロプリズ
ム、ガルバノミラ−を介さずに光検出器で受光するよう
にしているので、光路長が短くなりさらにそれらの光学
素子の表面に埃が付着することにより生じる光量ロスを
軽減できるので、光検出器で効率よく信号検出ができ
る。
で検出されたトラッキングエラ−信号から、半導体基板
上に設けられたガルバノミラ−を駆動させ、また光検出
器で検出されたフォ−カスエラ−信号から対物レンズを
駆動させればよいので、対物レンズは光軸方向のみのア
クチュエ−タ構成でよいこととなる。したがって、対物
レンズの可動部の質量を小さくすることができるととも
に、高速アクセス時に対物レンズのトラッキング方向へ
の振れを防止でき、部品点数の減少化を図れる。また、
半導体基板に半導体レ−ザ、マイクロプリズム、ガルバ
ノミラ−を設けることにより、ガルバノミラ−に入射す
るレ−ザビ−ムの位置は常に同じ位置であるから、ガル
バノミラ−の反射面の面積を小さくすることができ、ア
クチュエ−タの小型化を図れる。また、光ディスクでの
反射光をホログラムで回折分離し、半導体基板上のガル
バノミラ−、マイクロプリズムを介さずに光検出器で受
光するようにしているので、半導体基板を小さくするこ
とができ装置の小型化を図れる。また、マイクロプリズ
ム、ガルバノミラ−を介さずに光検出器で受光するよう
にしているので、光路長が短くなりさらにそれらの光学
素子の表面に埃が付着することにより生じる光量ロスを
軽減できるので、光検出器で効率よく信号検出ができ
る。
【図１】本発明の第１実施例に係る装置の断面図、平面
図である。
図である。
【図２】第２実施例に係る装置の断面図、平面図、説明
図である。
図である。
【図３】第３実施例に係る装置の断面図である。
【図４】第４実施例に係る装置の断面図である。
【図５】第５実施例に係る装置の断面図、平面図であ
る。
る。
【図６】第６実施例に係る装置の断面図、平面図であ
る。
る。
【図７】ガルバノミラ−の製造方法に係る斜視図、断面
図である。
図である。
１ 半導体基板 ２ 半導体レ−ザ ３ マイクロプリズム ４ 反射膜 ６ ガルバノミラ− ７ 光検出器 ８ 対物レンズ ９ ホログラム 10 光ディスク
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レ−ザから出射されたレ−ザ光を
反射膜がコ−ティングされたマイクロプリズム、ホログ
ラムおよび対物レンズを介して光学記録媒体に照射し、
この光学記録媒体で反射された反射光を前記対物レンズ
およびホログラムを介して光検出器で受光するように構
成した光学ピックアップ装置において、 前記半導体レ−ザ、光検出器およびマイクロプリズムを
共通の半導体基板に設けるとともに、前記半導体レ−ザ
から出射されたレ−ザ光が前記対物レンズに入射するよ
うに前記半導体基板にガルバノミラ−を設け、前記光学
記録媒体で反射された反射光を前記ガルバノミラ−およ
びマイクロプリズムを介さずに前記光検出器で受光され
るように構成したことを特徴とする光学ピックアップ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410151A JP2883212B2 (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 光学ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410151A JP2883212B2 (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 光学ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216328A JPH04216328A (ja) | 1992-08-06 |
| JP2883212B2 true JP2883212B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18519355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410151A Expired - Fee Related JP2883212B2 (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 光学ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2883212B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8582618B2 (en) * | 2011-01-18 | 2013-11-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive or refractive lens on the semiconductor laser device |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP2410151A patent/JP2883212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04216328A (ja) | 1992-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990105 |
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