JPH04214682A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH04214682A JPH04214682A JP2401994A JP40199490A JPH04214682A JP H04214682 A JPH04214682 A JP H04214682A JP 2401994 A JP2401994 A JP 2401994A JP 40199490 A JP40199490 A JP 40199490A JP H04214682 A JPH04214682 A JP H04214682A
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- type gaalas
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Links
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- -1 that is Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光波長６５０〜８８０
ｎｍの範囲に於て高い光出力を有し、ＧａＡｌＡｓ層か
ら成る発光ダイオードに関する。
ｎｍの範囲に於て高い光出力を有し、ＧａＡｌＡｓ層か
ら成る発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高い光出力を有するものとしてダ
ブルヘテロ構造の発光ダイオードがあり、例えば特開平
２−６５２８０号公報等に於て、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層とその 上に順次積層されたＰ型ＧａＡｌＡｓ活
性層とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層とを具備した発光ダ
イオードが開示されている。上述の発光ダイオードに於
て、光出力を向上させる方法の１つとして、Ｎ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層の層厚を厚くしていた。そしてこの様
な発光ダイオードの不純物濃度を不純物の量より求める
と、例えばＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層は３．２×１０
１８ｃｍ−３、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性 は２．２×１０
１８ｃｍ−３、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層は１×１０
１６ｃｍ−３である。この条 件であれば例えば層厚が
６０μｍのものは３０μｍのものより光出力が１．５倍
であった。 この様に上述の公報等では大きな光出力を
得るために、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の層厚を厚く
することのみ考慮し、不純物濃度を変化させることは考
慮されていなかった。これに対して光出力が不純物濃度
に大きく影響される事に着目して、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活
性層の不純物濃度を変化させた技術も開示されている。 しかしこの活性層のみの効果では未だ不充分であった。
ブルヘテロ構造の発光ダイオードがあり、例えば特開平
２−６５２８０号公報等に於て、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層とその 上に順次積層されたＰ型ＧａＡｌＡｓ活
性層とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層とを具備した発光ダ
イオードが開示されている。上述の発光ダイオードに於
て、光出力を向上させる方法の１つとして、Ｎ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層の層厚を厚くしていた。そしてこの様
な発光ダイオードの不純物濃度を不純物の量より求める
と、例えばＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層は３．２×１０
１８ｃｍ−３、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性 は２．２×１０
１８ｃｍ−３、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層は１×１０
１６ｃｍ−３である。この条 件であれば例えば層厚が
６０μｍのものは３０μｍのものより光出力が１．５倍
であった。 この様に上述の公報等では大きな光出力を
得るために、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の層厚を厚く
することのみ考慮し、不純物濃度を変化させることは考
慮されていなかった。これに対して光出力が不純物濃度
に大きく影響される事に着目して、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活
性層の不純物濃度を変化させた技術も開示されている。 しかしこの活性層のみの効果では未だ不充分であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の欠点を
鑑みてなされたものであり、すなわちＰ型ＧａＡｌＡｓ
活性層のみならず隣接するＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層のそれぞれの不純物濃度
の最適値を求めて、大きな光出力を有する発光ダイオー
ドを提供する。さらに本発明はＰ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層とＰ側電極が十分オーミック接触できる発光ダイオ
ードを提供するものである。
鑑みてなされたものであり、すなわちＰ型ＧａＡｌＡｓ
活性層のみならず隣接するＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層のそれぞれの不純物濃度
の最適値を求めて、大きな光出力を有する発光ダイオー
ドを提供する。さらに本発明はＰ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層とＰ側電極が十分オーミック接触できる発光ダイオ
ードを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層と、その上
に積層されるＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層と、その上に積層
されるＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層とを具備し、Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層の少くともＰ型ＧａＡｌＡｓ活性
層との境界付近とＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層とＮ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層のそれぞれの不純物濃度が８×１０１
７ｃｍ−３以下、１〜８×１０１８ｃｍ−３、０．５〜
５×１０１７ｃｍ−３となる様に設けたものである。
決するために、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層と、その上
に積層されるＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層と、その上に積層
されるＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層とを具備し、Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層の少くともＰ型ＧａＡｌＡｓ活性
層との境界付近とＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層とＮ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層のそれぞれの不純物濃度が８×１０１
７ｃｍ−３以下、１〜８×１０１８ｃｍ−３、０．５〜
５×１０１７ｃｍ−３となる様に設けたものである。
【０００５】そして望しくはＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層がＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層との境界付近を除く部分に
於て１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有する様
にしたものである。或いはＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
の裏面に１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有す
るＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層を積層したものである。
層がＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層との境界付近を除く部分に
於て１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有する様
にしたものである。或いはＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
の裏面に１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有す
るＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層を積層したものである。
【０００６】
【作用】本発明は上述の様に各層の不純物濃度の最適値
を組合せることにより大きい光出力を得ることができる
。これは、結晶の整合性と電流の流れ易さに影響を与え
る不純物濃度に於て、適正な範囲が存在する事に依るも
のと推測される。さらにＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の
裏面側の不純物濃度を高めることにより、或いは高い不
純物濃度を有するＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層を設けることに
より、Ｐ型電極と 十分なオーミック接触が出来るよう
になる。
を組合せることにより大きい光出力を得ることができる
。これは、結晶の整合性と電流の流れ易さに影響を与え
る不純物濃度に於て、適正な範囲が存在する事に依るも
のと推測される。さらにＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の
裏面側の不純物濃度を高めることにより、或いは高い不
純物濃度を有するＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層を設けることに
より、Ｐ型電極と 十分なオーミック接触が出来るよう
になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１に従い説明
する。図１は本実施例に係る発光ダイオードの断面図で
ある。１はＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７〜０．８
）にＺｎをＰ型不純物として添加された層厚５０〜２０
０μｍのＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層である。２はＧａ
１−ｙＡｌｙＡｓ（ｙ＝０．３〜０．４）にＺｎを添加
された層厚０．５〜３μｍの Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層
であり、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の上に積層され
、不純物濃度は１〜８×１０１８ｃｍ−３である。Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物濃度は、少くともＰ
型ＧａＡｌＡｓ活性層２との境界付近に於て、すなわち
境界より少くとも１０μｍ以上の深さに於て、８×１０
１７ｃｍ−３以下となる様に形成される。３はＧａ１−
ｚＡｌＺＡｓ（ｚ＝０．７〜０．８）にＴｅをＮ型不純
物として添加された層厚２０〜２００μｍのＮ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層であり、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層 ２
の上に積層され、不純物濃度は０．５〜５×１０１７ｃ
ｍ−３である。４はＮ型ＧａＡｌ Ａｓクラッド層３の
上に形成されたＡｕ等から成るＮ側電極であり、５はＰ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の裏面に形成されたＰ側電
極である。
する。図１は本実施例に係る発光ダイオードの断面図で
ある。１はＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７〜０．８
）にＺｎをＰ型不純物として添加された層厚５０〜２０
０μｍのＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層である。２はＧａ
１−ｙＡｌｙＡｓ（ｙ＝０．３〜０．４）にＺｎを添加
された層厚０．５〜３μｍの Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層
であり、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の上に積層され
、不純物濃度は１〜８×１０１８ｃｍ−３である。Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物濃度は、少くともＰ
型ＧａＡｌＡｓ活性層２との境界付近に於て、すなわち
境界より少くとも１０μｍ以上の深さに於て、８×１０
１７ｃｍ−３以下となる様に形成される。３はＧａ１−
ｚＡｌＺＡｓ（ｚ＝０．７〜０．８）にＴｅをＮ型不純
物として添加された層厚２０〜２００μｍのＮ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層であり、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層 ２
の上に積層され、不純物濃度は０．５〜５×１０１７ｃ
ｍ−３である。４はＮ型ＧａＡｌ Ａｓクラッド層３の
上に形成されたＡｕ等から成るＮ側電極であり、５はＰ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の裏面に形成されたＰ側電
極である。
【０００８】次に第１実施例に係る発光ダイオードの製
造過程を図２に従い説明する。表１に示す様に不純物濃
度を数種類に設定した第１、第２、第３の溶液をそれぞ
れの溶液溜に溜める。
造過程を図２に従い説明する。表１に示す様に不純物濃
度を数種類に設定した第１、第２、第３の溶液をそれぞ
れの溶液溜に溜める。
【０００９】
【表１】
【００１０】純水素雰囲気中で、第１、第２、第３の溶
液をＡ点の如く８９０℃に昇温し５０分 程維持しＢ点
に至る。次にＣ点の８８９℃に於て、第１の溶液とＰ型
ＧａＡｓ基板 とを接触させ０．１〜１．０℃／分の速
度で降温しＤ点の７８４℃に於て、第１の溶液と Ｐ型
ＧａＡｓ基板を分離する。これによりＰ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層１を形成する。次に第２の溶液と接触させＥ
点の７８２℃に於て第２の溶液とＰ型ＧａＡｓ 基板を
分離してＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層２を形成する。次に第
３の溶液と接触させＦ点の７７０℃から１．０〜２．０
℃／分の速度で降温した後、Ｇ点の６５０℃で第３の溶
液とＰ型ＧａＡｓ基板を分離し、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層３を形成する。次にＰ型ＧａＡｓ基板を除去した
後Ｎ型電極４とＰ型電極５を形成して発光波長６５０ｎ
ｍの発光ダイオードを完成させる。
液をＡ点の如く８９０℃に昇温し５０分 程維持しＢ点
に至る。次にＣ点の８８９℃に於て、第１の溶液とＰ型
ＧａＡｓ基板 とを接触させ０．１〜１．０℃／分の速
度で降温しＤ点の７８４℃に於て、第１の溶液と Ｐ型
ＧａＡｓ基板を分離する。これによりＰ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層１を形成する。次に第２の溶液と接触させＥ
点の７８２℃に於て第２の溶液とＰ型ＧａＡｓ 基板を
分離してＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層２を形成する。次に第
３の溶液と接触させＦ点の７７０℃から１．０〜２．０
℃／分の速度で降温した後、Ｇ点の６５０℃で第３の溶
液とＰ型ＧａＡｓ基板を分離し、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層３を形成する。次にＰ型ＧａＡｓ基板を除去した
後Ｎ型電極４とＰ型電極５を形成して発光波長６５０ｎ
ｍの発光ダイオードを完成させる。
【００１１】次に第１実施例の発光ダイオードに於ける
Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２の不純物、すなわちＺｎの濃
度を変化させた時の光出力の測定値を図３に示す。Ｎ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層３の不純物、すなわちＴｅの濃
度を変化させた時の光出力の測定値を図４に示す。Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物、すなわちＺｎの濃
度を変化させた時の光出力の測定値を図５に示す。これ
らの図に於て□印は従来の技術で述べた層厚６０μｍの
Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有する発光ダイオードの
測定値を示す。そしてこれらの図に於て、パラメータと
なる○、●、△印の意味を表２に示す。
Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２の不純物、すなわちＺｎの濃
度を変化させた時の光出力の測定値を図３に示す。Ｎ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層３の不純物、すなわちＴｅの濃
度を変化させた時の光出力の測定値を図４に示す。Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物、すなわちＺｎの濃
度を変化させた時の光出力の測定値を図５に示す。これ
らの図に於て□印は従来の技術で述べた層厚６０μｍの
Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有する発光ダイオードの
測定値を示す。そしてこれらの図に於て、パラメータと
なる○、●、△印の意味を表２に示す。
【００１２】
【表２】
【００１３】再び図３に於て、○印と●印を比較してＰ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物濃度が大きい程、
光出力は小さい。●印と△印を比較してＮ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層３の不純物濃度が小さい程、光出力は小さ
い。従ってこれらの条件の組合せに於ては、△印の組合
せが１番、光出力が小さいことがわかる。従って△印の
特性に於て、従来より２倍以上の光出力を確保するには
Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２の不純物濃度は点線で示した
１〜８×１０１８ｃｍ−３であれば良い。この濃度は、
表１の第２の溶液に於けるＺｎの量が０．０８〜０．３
６ｇにて前述のエピタキシャル成長を行った時に得られ
る不純物濃度である。
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物濃度が大きい程、
光出力は小さい。●印と△印を比較してＮ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層３の不純物濃度が小さい程、光出力は小さ
い。従ってこれらの条件の組合せに於ては、△印の組合
せが１番、光出力が小さいことがわかる。従って△印の
特性に於て、従来より２倍以上の光出力を確保するには
Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２の不純物濃度は点線で示した
１〜８×１０１８ｃｍ−３であれば良い。この濃度は、
表１の第２の溶液に於けるＺｎの量が０．０８〜０．３
６ｇにて前述のエピタキシャル成長を行った時に得られ
る不純物濃度である。
【００１４】次に図４に於て、図３と同様にＰ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層１の不純物濃度が大きい程、そしてＰ
型ＧａＡｌＡｓ活性層２の不純物濃度が大きい程、すな
わち△印の組合せが１番光出力が小さい。△印の特性に
於て従来の２倍以上の光出力を得るには、Ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層３の不純物濃度は点線で示した０．５〜
５×１０１７ｃｍ−３であれば良い。この濃度は表１
の第３の溶液に於けるＴｅの量が２．３〜４．７ｍｇに
てエピタキシャル成長を行った時の数値である。次に図
５に於て、図３と同様にＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３
の不純物濃度が小さい程、そしてＰ型ＧａＡｌＡｓ活性
層２の不純物濃度が大きい程、すなわち△印の組合せが
１番光出力が小さい。 △印に於て、従来の２倍以上の光出力を得るには、Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物濃度は点線で示した
８×１０１７ｃｍ−３以下であれば良い。この濃度は表
１の第１の溶液に於けるＺｎの量が０．０７ｇ以下の量
にてエピタキシャル成長を行った時の数値である。
ｌＡｓクラッド層１の不純物濃度が大きい程、そしてＰ
型ＧａＡｌＡｓ活性層２の不純物濃度が大きい程、すな
わち△印の組合せが１番光出力が小さい。△印の特性に
於て従来の２倍以上の光出力を得るには、Ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層３の不純物濃度は点線で示した０．５〜
５×１０１７ｃｍ−３であれば良い。この濃度は表１
の第３の溶液に於けるＴｅの量が２．３〜４．７ｍｇに
てエピタキシャル成長を行った時の数値である。次に図
５に於て、図３と同様にＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３
の不純物濃度が小さい程、そしてＰ型ＧａＡｌＡｓ活性
層２の不純物濃度が大きい程、すなわち△印の組合せが
１番光出力が小さい。 △印に於て、従来の２倍以上の光出力を得るには、Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物濃度は点線で示した
８×１０１７ｃｍ−３以下であれば良い。この濃度は表
１の第１の溶液に於けるＺｎの量が０．０７ｇ以下の量
にてエピタキシャル成長を行った時の数値である。
【００１５】さらに、発光波長８８０ｎｍの発光ダイオ
ードを得るには、各層の混晶比、すなわ ちｘ、ｙ、ｚ
の値を上述の混晶比を変化させれば良く、不純物濃度の
適正範囲は上述の範囲と同じである。
ードを得るには、各層の混晶比、すなわ ちｘ、ｙ、ｚ
の値を上述の混晶比を変化させれば良く、不純物濃度の
適正範囲は上述の範囲と同じである。
【００１６】そして上述の例に於て、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層１の裏面側が不純物濃度８×１０１７ｃｍ−
３以下だと、濃度が低すぎてＰ側電極５とオーミック接
触しにくい。それ故、さらに望しくは、Ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層１の上述の境界付近を除く部分が１×１０
１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有する様に設ける。こ
れによりＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の裏面側は高濃
度不純物を有するので、Ｐ側電極５とオーミック接触し
易くなる。
クラッド層１の裏面側が不純物濃度８×１０１７ｃｍ−
３以下だと、濃度が低すぎてＰ側電極５とオーミック接
触しにくい。それ故、さらに望しくは、Ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層１の上述の境界付近を除く部分が１×１０
１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有する様に設ける。こ
れによりＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の裏面側は高濃
度不純物を有するので、Ｐ側電極５とオーミック接触し
易くなる。
【００１７】次に本発明の第２実施例を図６に従い説明
する。６は層厚１０〜３０μｍのＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層
であり、Ｇａ１−ψＡｌψＡｓ（ψ＝０．６〜０．８）
にＺｎを１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度として
添加される。その他の層は第１実施例と同じである。Ｐ
＋型ＧａＡｌＡｓ層６は高濃度不純物を有するのでＰ型
電極５とオーミック接触し易くなる。そしてこの第２実
施例の様にＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層６を積層する方が、第
１実施例の様にＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物
濃度を変化させるより各層の温度制御がし易い。光出力
の特性はＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層２とそれに隣接するＮ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層３及びＰ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層１の約層厚１０μｍ以内の不純物濃度に依存する
。従って第１と第２実施例の適正な不純物濃度は変わら
ない。
する。６は層厚１０〜３０μｍのＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層
であり、Ｇａ１−ψＡｌψＡｓ（ψ＝０．６〜０．８）
にＺｎを１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度として
添加される。その他の層は第１実施例と同じである。Ｐ
＋型ＧａＡｌＡｓ層６は高濃度不純物を有するのでＰ型
電極５とオーミック接触し易くなる。そしてこの第２実
施例の様にＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層６を積層する方が、第
１実施例の様にＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１の不純物
濃度を変化させるより各層の温度制御がし易い。光出力
の特性はＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層２とそれに隣接するＮ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層３及びＰ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層１の約層厚１０μｍ以内の不純物濃度に依存する
。従って第１と第２実施例の適正な不純物濃度は変わら
ない。
【００１８】
【発明の効果】上述の様に本発明はＰ型ＧａＡｌＡｓク
ラッド層の少くとも境界部分とＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層
とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の不純物濃度をそれぞれ
８×１０１７ｃｍ−３以下、１〜８×１０１８ｃｍ−３
、０．５〜５×１０１７ｃｍ−３とすることにより、最
適な 組合せとなり光出力を従来の２倍以上とすること
ができる。
ラッド層の少くとも境界部分とＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層
とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の不純物濃度をそれぞれ
８×１０１７ｃｍ−３以下、１〜８×１０１８ｃｍ−３
、０．５〜５×１０１７ｃｍ−３とすることにより、最
適な 組合せとなり光出力を従来の２倍以上とすること
ができる。
【００１９】さらに本発明はＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層の裏面側の不純物濃度を高めることにより、或いはＰ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層の下にＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層
を設 けることにより、高い光出力を維持しながらＰ型
電極と十分なオーミック接触が出来るようになる。
層の裏面側の不純物濃度を高めることにより、或いはＰ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層の下にＰ＋型ＧａＡｌＡｓ層
を設 けることにより、高い光出力を維持しながらＰ型
電極と十分なオーミック接触が出来るようになる。
【図１】本発明の第１実施例に係る発光ダイオードの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る発光ダイオードの製
造時の溶液溜の温度プログラム図である。
造時の溶液溜の温度プログラム図である。
【図３】Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層の不純物濃度を変化さ
せた時の光出力の特性図である。
せた時の光出力の特性図である。
【図４】Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の不純物濃度を変
化させた時の光出力の特性図である。
化させた時の光出力の特性図である。
【図５】Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の不純物濃度を変
化させた時の光出力の特性図である。
化させた時の光出力の特性図である。
【図６】本発明の第２実施例に係る発光ダイオードの断
面図である。
面図である。
１ Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２ Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層
３ Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
４ Ｎ側電極
５ Ｐ側電極
６ Ｐ＋型ＧａＡｌＡｓ層
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層と、その
上に積層されるＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層と、その上に積
層されるＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層とを具備する発光
ダイオードに於て、前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の
不純物濃度が少くとも前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層との
境界付近に於て８×１０１７ｃｍ−３以下であり、かつ
前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層の不純物濃度が１〜８×１
０１８ｃｍ−３であり、かつ前記Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層の不純物濃度が０．５〜５×１０１７ｃｍ−３で
ある事 を特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層が前
記境界付近を除く部分に於て１×１０１８ｃｍ−３以上
の不純物濃度を有する事を特徴とする請求項１の発光ダ
イオード。 - 【請求項３】 前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の裏
面に１×１０１８ｃｍ−３以上の不純物濃度を有するＰ
＋型ＧａＡｌＡｓ層が積層される事を特徴とする請求項
１の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401994A JPH04214682A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401994A JPH04214682A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214682A true JPH04214682A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18511803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401994A Pending JPH04214682A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308376A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP2401994A patent/JPH04214682A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308376A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ |
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