JPH04214648A - 半導体のテスト装置 - Google Patents

半導体のテスト装置

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Publication number
JPH04214648A
JPH04214648A JP33540190A JP33540190A JPH04214648A JP H04214648 A JPH04214648 A JP H04214648A JP 33540190 A JP33540190 A JP 33540190A JP 33540190 A JP33540190 A JP 33540190A JP H04214648 A JPH04214648 A JP H04214648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
probe
solvent
pad
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP33540190A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Shimatani
島谷 弘昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体の製造過程においてウェハをテストす
る半導体のテスト装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は、従来のウェハテスト装置のテスト状態を示す
模式正面図、第3図はチップのパッドに検針を接触させ
る直前の状況を示す模式拡大正面図である。図において
(1)は固定プローブ、(2)はウェハ,(3)はウェ
ハ(2)をのせるチャック,(5)は検針,(6)はア
ルミのパッドである。
次に動作について説明する。ウェハ(2)上でテストを
行う場合、固定プローブ(1)の検針(5)を、チップ
のパッド(6)に接触させて、電気的特性を測定する。
次に動作について説明する。ウェハテストする場合、固
定プローブ(1)に取り付けられた検針(5)をウェハ
(2)のチップのパッド(6)に接触させてテストを行
う。次のチップをテストする場合、ウェハ(2)をのせ
たチャック(3)が移動し、次のチップのパッド(6)
に検針(5)を接続しテストする。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体のテスト装置は、以上のように構成されて
いるので、固定プリーブの検針は、チップのパッドの表
面の対して斜めに位置しており、この検針に対してチャ
ックをのせたウェハが上昇し、検針とパッドが接触する
。この時、検針がパッドの表面を水平方向に滑べる。パ
ッドの材料はアルミニウムであり、検針は、タングステ
ンを通常使用するために、検針がパッドの表面を滑べる
時に、少量のアルミニウムを削り取る。この削り取られ
たアルミ屑が、次のチップに固定プローブが移動する時
に、検針に付着したままで移動しようとし、途中でアル
ミ屑が、落下し、チップの信頼性を著しく低下させるな
どの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、固定プローブの検針がパッドに接触する際に
発生するアルミ屑をチップの上に落下させない半導体の
テスト装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係わる半導体のテスト装置は、チップ上にア
ルミ屑が落ちない様に適当な溶媒で、アルミ屑を除くも
のである。
〔作用〕
この発明による半導体のテスト装置は、不導体であるよ
うな溶媒の中でウエハテスストすることによりアルミ屑
がウェハ上に落下することを防ぐ。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例の図について説明する。
第1図は半導体のテスト装置を示す模式断面図である。
図において、(1)〜(3)は第2図の従来例に示した
ものと同等であるので説明を省略する。(4)は不導体
である溶媒である。
次に動作について説明する。不導体である溶媒(4)で
満たされた容器の中にチャック(3)とその上のウェハ
(2),固定プローブ(1)がある。溶媒(4)は完全
不導体であれば、チップのパッド(6)と固定プローブ
(1)の検針(5)が接触している部分でしか電流は流
れない。
チップと固定プローブ(1)の間は、従来は第3図に示
すごとく大気で満たされているために、検針(5)がパ
ッドと接触後、検針(5)がパッド(6)(チップ)か
ら離れた場合に、検針(5)に付着したアルミ屑が落下
することはすでに従来の技術で説明したが、第1図に示
すごとくウェハ(2)と固定プローブ(1)の空間に溶
媒(4)を封入することで、アルミ屑がチップ上に付着
するのを防ぐ。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ウェハ上にアルミ屑が
付着するのを防ぐことができるので、アルミ屑が原因と
なる不良を減らすことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例による半導体のテスト装
置の模式断面図、第2図は従来のウェハテスト装置の模
式正面図、第3図は第2図の装置においてチップのパッ
ドに検針を接触させる直前の状況を示す模式拡大正面図
である。 図において、(1)は固定プローブ、(2)はウェハ、
(3)はチャック、(4)は溶媒である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 完全な不導体の溶媒の中で固定プローブを用いて、ウェ
    ハを測定する半導体のテスト装置。
JP33540190A 1990-11-28 1990-11-28 半導体のテスト装置 Pending JPH04214648A (ja)

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JP33540190A JPH04214648A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 半導体のテスト装置

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