JPS5946417B2 - 不良半導体チツプ表示方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体ウェハの検査に際しての不良半導体
チップ表示方法に関するものである。

第１図は従来の不良半導体チップ表示方法に用いられる
装置の一例の模式図である。第１図において、１は半導
体ウェハ内に形成された半導体チップ（以下、「チップ
」と略称する）、１１はチップ１の表面のボンディング
パッド、２は検査時にボンディングパッド１に接触する
検査用プローブ針（探査針）、３は検査用プローブ針２
を移動させて所要のボンディングパッド１１に接触させ
るプローバ（探査装置）、４は検査用プローブ針２から
プローバ３を通して送られてくる信号によつてチップ１
の検査をするテスタ、５は不良半導体チップを表示する
マークを打つマーカである。上記の装置による従来の不
良半導体チップ表示方法は次のとおりである。プローバ
３は、検査用プローブ針２がチップ１のボンディングパ
ッド１１に接触すると、テスタ４に信号を送る。テスタ
４はその信号を受けて検査を実行し、その検査結果から
良品か不良品かの判断を行い、検査されたチップ１が不
良の場合は、マーカ５へ信号を送る。マーカ５はその信
号を受けてそのチップ１に不良マークを打つ。従来の不
良半導体チップ表示方法は、以上のようであるので、マ
ーカ５の高速動作ができず、かつマーカ作動装置（図示
せず）が必要であり、特にインクにて不良マークを打つ
場合は、インクの調整が困難で常に一定の大きさに打つ
ことは至難である。

また、スクラッチ方式（引つかき方式）のマーカでも、
チップ１の表面を削るため、そのとき発生するシリコン
ガラス粉末を取り除くのが困難でありチップ１の特性に
悪影響を及ぼす。従来の方法には上記のような欠点があ
つた。この発明は、上記の点に鑑みてなされたものであ
り、表面にボンディングパッドとは別に導電性材料から
なリボンディングパッドと同程度の大きさを有する追加
パツドおよびボンデイングパツドと追加パツドとの間の
配線を設けたチツプを用い、検査の結果、不良チツプは
上記の配線を電気的に溶断することによつて、チツプを
汚したり特性に悪影響を及ぼす粉末を生じたりすること
なく、電気的に高速に不良表示することができる不良半
導体チツプ表示方法を提供することを目的としたもので
ある。

以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。

第２図および第３図はそれぞれこの発明による不良半導
体チツプ表示方法の一実施例に用いられる装置の一例の
模式図およびチツプの一例の平面図である。第２図およ
び第３図において、第１図と同一符号は第１図にて示し
たものと同様のものを表わしている。１１ａ，１１ｂは
互いに形状が異なるボンデイングパツド、１２ａおよび
１２ｂはアルミニウムからなり、それぞれボンデイング
パツド１１ａおよび１１ｂと同様の形状を有する追加パ
ツド、１３ａはアルミニウムからなりボンデイングパツ
ド１１ａと追加パツド１２ａとを連〉結する配線、１３
ｂはアルミニウムからなリボンデイングパツド１１ｂと
追加パツド１２ｂとを連結する配線、１４ａは追加パツ
ド１２ａと配線１３ａとからなるマークパターン、１４
ｂは追加パツド１２ｂと配線１３ｂとからなるマークパ
タ ２ーンである。

ボンデイングパツド１１ｂと追加パツド１２ｂとは、配
線１３ｂによつて結ばれる部分の幅が狭くなつている。
１個のチツプ１に２個のマークパターン１４ａ，１４ｂ
を必要とするわけではないが、第３図において、追加パ
ツドの２３種類の形状を例示するためにマークパターン
１４ａ，１４ｂが示してある。

次に、第２図に示す装置を用いて第３図に示すチツプ１
の不良を表示する不良半導体チツプ表示方法をマークパ
ターン１４ａによつて説明する。

３プローバ３は、検査用プローブ針２がチツプ１のボ
ンデイングパツド１１ａに接触すると、従来の方法と同
様に、テスタ４に信号を送る。テスタ４はその信号を受
けて検査を実行し、その検査結果から良品か不良品かの
判断を行い、検査されたチツプ１が不良の場合は、第３
図に示すボンデイングパツド１１ａと追加パツド１２ａ
とにそれぞれ配線溶断用プローブ針（図示せず）を接触
させて配線１３ａに電流を流して、配線１３ａを溶断さ
せる。従つて、半導体ウエハを構成する全チツプの検査
完了後には、配線１３ａが溶断しているチツプと配線１
３ａが完全につながつているチツプとが存在するわけで
、チツプの選別時は常に配線１３ａの場所を監視するこ
とによつて良品チツプ・不良チツプの判断ができる。従
つて、チツプを汚したリチツプの特性に悪影響を及ぼす
粉末を生じたりすることがなく、しかも高速に不良表示
することができる。上記の実施例においては配線の材料
にアルミニウムを用いる場所について述べたが、配線の
材料として、多結晶シリコンなどを用いてもよい。

以上詳述したように、この発明による不良半導体チツプ
表示方法においては、表面にボンデイングパツドとは別
に導電性材料からなりボンデイングパツドと同程度の大
きさを有する追加パツドおよびボンデイングパツドと追
加パツドとの間の配線を設けたチツプを用い、チツプの
検査の結果、不良チツプは上記配線を電気的に溶断する
ことによつて不良表示をするので、チツプを汚したり特
性に悪影響を及ぼす粉末を生じたりすることなく、電気
的に高速に不良表示することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の不良半導体チツプ表示方法に用いられる
装置の一例の模式図、第２図および第３図はそれぞれこ
の発明による不良半導体チツプ表示方法の一実施例に用
いられる装置の一例の模会図およびチツプの−例の平面
図である。 図において、１はチツプ、１１，１１ａ，１１ｂはボン
デイングパツド、１２ａ，１２ｂは追加パツド、１３ａ
，１３ｂは配線、２は検査用プローブ針である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面にボンディングパッドとは別に導電性材料から
   なり上記ボンディングパッドと同程度の大きさを有する
   追加パッドおよび上記ボンディングパッドと上記追加パ
   ッドとを連結する配線を設けた半導体チップの上記ボン
   ディングパッドに検査用プローブ針を接触させ上記半導
   体チップを検査し、不良半導体チップの上記ボンディン
   グパッドと上記追加パッドとにそれぞれ配線溶断用プロ
   ーブ針を接触させ上記配線に電流を流して上記配線を溶
   断することによつて不良表示をすることを特徴とする不
   良半導体チップ表示方法。 ２ 追加パッドの材料にアルミニウムを用いることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の不良半導体チップ
   表示方法。 ３ 配線の材料にアルミニウムを用いることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項または第２項記載の不良半導体
   チップ表示方法。 ４ 配線の材料に多結晶シリコンを用いることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項または第２項記載の不良半導
   体チップ表示方法。