JPH01313781A - 半導体ウェハの特性測定装置 - Google Patents
半導体ウェハの特性測定装置Info
- Publication number
- JPH01313781A JPH01313781A JP14637188A JP14637188A JPH01313781A JP H01313781 A JPH01313781 A JP H01313781A JP 14637188 A JP14637188 A JP 14637188A JP 14637188 A JP14637188 A JP 14637188A JP H01313781 A JPH01313781 A JP H01313781A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- failure
- semiconductor wafer
- semiconductor
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 15
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハの特性測定装置に関する。
従来、この種の半導体ウェハ特性測定装置は第2図に示
すように、半導体ウェハ10内の半導体素子を測定ピッ
チで移動させるテーブル11と、半導体素子の電極に接
触させる探針12を取付けたプローブカード13と、半
導体素子が不良の場合にその半導体素子に不良表示を行
う不良表示装置14がプローバ15に取付けられており
、探針12はプローブカード13を通してテスタ16と
接続されている。
すように、半導体ウェハ10内の半導体素子を測定ピッ
チで移動させるテーブル11と、半導体素子の電極に接
触させる探針12を取付けたプローブカード13と、半
導体素子が不良の場合にその半導体素子に不良表示を行
う不良表示装置14がプローバ15に取付けられており
、探針12はプローブカード13を通してテスタ16と
接続されている。
上述した従来の半導体ウェハの特性測定装置は、半導体
ウェハの厚さにバラツキがあったり、不良表示装置の高
さ調整が良くされてなかった場合に、不良表示装置が正
常に作動せず、不良半導体素子に不良表示をしないため
、次工程で不良半導体素子を良品と判断してしまうとい
う欠点がある。
ウェハの厚さにバラツキがあったり、不良表示装置の高
さ調整が良くされてなかった場合に、不良表示装置が正
常に作動せず、不良半導体素子に不良表示をしないため
、次工程で不良半導体素子を良品と判断してしまうとい
う欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体ウェハの特性
測定装置を提供することにある。
測定装置を提供することにある。
上述した従来の半導体ウェハの特性測定装置に対し1本
発明は半導体素子の特性測定後に再度特性測定を行い、
不良品を発見するという相違点を有する。
発明は半導体素子の特性測定後に再度特性測定を行い、
不良品を発見するという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は半導体ウェハの特性
測定装置において、半導体素子が不良の場合に不良表示
する工程後に、再度半導体素子を特性測定する機構を有
するものである。
測定装置において、半導体素子が不良の場合に不良表示
する工程後に、再度半導体素子を特性測定する機構を有
するものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
図において、プローバフには、半導体ウェハ1を測定ピ
ッチで移動させるテーブル2と、半導体素子の電極に接
触させる2つの探針3,4を不良半導体素子に不良表示
する不良表示装置5の前後に配置して装備したプローブ
カード6とを取付けてあり、探針3,4はプローブカー
ド6を通して2つの探針を切り換えるリレー8を通して
テスタ9に接続しである。
ッチで移動させるテーブル2と、半導体素子の電極に接
触させる2つの探針3,4を不良半導体素子に不良表示
する不良表示装置5の前後に配置して装備したプローブ
カード6とを取付けてあり、探針3,4はプローブカー
ド6を通して2つの探針を切り換えるリレー8を通して
テスタ9に接続しである。
実施例において、不良表示装置5の前方の探針3で半導
体ウェハ1上の半導体素子を測定し、その結果をテスタ
9に記憶し、半導体素子1ケ分テーブル2を移動し、不
良の場合は不良表示装置5により不良表示し、その後ま
た半導体素子1ヶ分テーブル2を移動し、リレー8によ
り測定系を不良表示装置5の後方位置の探針4に切り換
え、不良表示装置5の後方の探針4を用いて前回測定済
の半導体素子を再度測定し、前回の記憶されている測定
結果と比較する。結果が同一の場合は上記事項を繰り返
し行う。結果が異なる場合は装置を停止する。このこと
により、不良表示されなかった不良半導体素子の流出を
防止することが可能になる。
体ウェハ1上の半導体素子を測定し、その結果をテスタ
9に記憶し、半導体素子1ケ分テーブル2を移動し、不
良の場合は不良表示装置5により不良表示し、その後ま
た半導体素子1ヶ分テーブル2を移動し、リレー8によ
り測定系を不良表示装置5の後方位置の探針4に切り換
え、不良表示装置5の後方の探針4を用いて前回測定済
の半導体素子を再度測定し、前回の記憶されている測定
結果と比較する。結果が同一の場合は上記事項を繰り返
し行う。結果が異なる場合は装置を停止する。このこと
により、不良表示されなかった不良半導体素子の流出を
防止することが可能になる。
以上説明したように本発明によれば、半導体素子の特性
試験を繰り返し行い、その結果に基づいて不良品をピッ
クアップするため、次工程に不良品が流出するのを防止
できる効果を有する。
試験を繰り返し行い、その結果に基づいて不良品をピッ
クアップするため、次工程に不良品が流出するのを防止
できる効果を有する。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図、第2図は従来
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
Claims (1)
- (1)半導体ウェハの特性測定装置において、半導体素
子が不良の場合に不良表示する工程後に、再度半導体素
子を特性測定する機構を有することを特徴とする半導体
ウェハの特性測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14637188A JPH01313781A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体ウェハの特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14637188A JPH01313781A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体ウェハの特性測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01313781A true JPH01313781A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15406206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14637188A Pending JPH01313781A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体ウェハの特性測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01313781A (ja) |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP14637188A patent/JPH01313781A/ja active Pending
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