JPH0266955A - ウェーハ試験装置 - Google Patents
ウェーハ試験装置Info
- Publication number
- JPH0266955A JPH0266955A JP63219305A JP21930588A JPH0266955A JP H0266955 A JPH0266955 A JP H0266955A JP 63219305 A JP63219305 A JP 63219305A JP 21930588 A JP21930588 A JP 21930588A JP H0266955 A JPH0266955 A JP H0266955A
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- JP
- Japan
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- wafer
- contact
- probe
- tester
- program
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- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェーハ試験装置に間する。
第３図は従来のウェーハ試験装置の一例の正面模式国、
第４図は第３図のウェーハ試験装置の動作を説明するた
めのフローチャートである。
第４図は第３図のウェーハ試験装置の動作を説明するた
めのフローチャートである。
第３図に示すように、ウェーハ試験装置はウェーハ吸着
部２．に搭載された被試験半導体ウェーハ３の表面のバ
ッド４ｂに順次プローブカード１ａの探針１ｂを接触す
るプローバとウェーハ試験プログラムを有するテスタ１
．を有していた。
部２．に搭載された被試験半導体ウェーハ３の表面のバ
ッド４ｂに順次プローブカード１ａの探針１ｂを接触す
るプローバとウェーハ試験プログラムを有するテスタ１
．を有していた。
第４図に示すように、ウェーハ３にプローブを接触して
からテスタ部１．のウェーハ試験プログラムによって半
導体ウェーハごとに試験をしていた。
からテスタ部１．のウェーハ試験プログラムによって半
導体ウェーハごとに試験をしていた。
ところがプローブカード１□の探針１ｂの先端に異物が
ついたり、針圧が弱くなった場合に、探針１ｂと半導体
ウェーハ３との接触抵抗が高くなり、ウェーハ内部のＩ
Ｃ特性が良品であるのに、不良に誤判定される事があり
、その接触不良を分離して検出する事が出来なかった。
ついたり、針圧が弱くなった場合に、探針１ｂと半導体
ウェーハ３との接触抵抗が高くなり、ウェーハ内部のＩ
Ｃ特性が良品であるのに、不良に誤判定される事があり
、その接触不良を分離して検出する事が出来なかった。
すなわち上述した従来のウェーハ試験装置は、プローブ
の探針と被試験半導体ウェーハとの接触不良をチエツク
する事が出来ないのでＩＣの正確な試験ができないとい
う欠点があった。
の探針と被試験半導体ウェーハとの接触不良をチエツク
する事が出来ないのでＩＣの正確な試験ができないとい
う欠点があった。
本発明の目的はプローブの正常な接触状態で試験のでき
るウェーハ試験装置を提供することにある。
るウェーハ試験装置を提供することにある。
本発明のウェーハ試験装置は、ウェーハ吸着部に搭載さ
れた被試験半導体ウェーハにプローブの探針を接触させ
てテスタ部に接続するウェーハ試験装置において、全パ
ッドが同一電位のダミーウェーハを搭載する第２のウェ
ーハ吸着部を設けて、前記探針を前記パッドに接触させ
て前記テスタ部により前記探針の接触状態を確認して構
成されている。
れた被試験半導体ウェーハにプローブの探針を接触させ
てテスタ部に接続するウェーハ試験装置において、全パ
ッドが同一電位のダミーウェーハを搭載する第２のウェ
ーハ吸着部を設けて、前記探針を前記パッドに接触させ
て前記テスタ部により前記探針の接触状態を確認して構
成されている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例の正面模式
図、第２図は第１図のウェーハ試験装置の動作を説明す
るためのフローチャートである。
図、第２図は第１図のウェーハ試験装置の動作を説明す
るためのフローチャートである。
第１図に示すように、プローバはダミーウェーハ４を搭
載するウェーハ吸着部２ｂを付加したことが異る点以外
は第３図の従来のプローバと同一である。
載するウェーハ吸着部２ｂを付加したことが異る点以外
は第３図の従来のプローバと同一である。
被試験半導体ウェーハ３を検査する場合は第１図（ａ）
に示すように、テスタ部５に予めウェーハ試験用プログ
ラムの他に接触チエツク用プログラムも入力する。
に示すように、テスタ部５に予めウェーハ試験用プログ
ラムの他に接触チエツク用プログラムも入力する。
半導体ウェーハ３のパッドにプローブの探針１ｈを当て
るようにセットした後、半導体ウェーハ３の検査が開始
される。
るようにセットした後、半導体ウェーハ３の検査が開始
される。
付加されたウェーハ吸着部２ｂにはあらかじめ全パッド
４．が内部の導電部ｐで接続されたダミーウェーハを搭
載しておく。
４．が内部の導電部ｐで接続されたダミーウェーハを搭
載しておく。
半導体ウェーハ３の検査が終了後、プローバはテスタ部
らに終了信号を出力すると共に、第１図（ｂ）に示すよ
うにウェーハ吸着部２．がプローブカード１．の下に移
動して探針１ｂはダミーウェーハ４のパッド４ａに接触
し、第２図に示すようにブローバからの終了信号により
、テスタ部５はコンタクトチエツクモードとなり、接触
チエツク用のプログラムを選択して接触チエツクを行う
。
らに終了信号を出力すると共に、第１図（ｂ）に示すよ
うにウェーハ吸着部２．がプローブカード１．の下に移
動して探針１ｂはダミーウェーハ４のパッド４ａに接触
し、第２図に示すようにブローバからの終了信号により
、テスタ部５はコンタクトチエツクモードとなり、接触
チエツク用のプログラムを選択して接触チエツクを行う
。
良品の場合は、半導体ウェーハ試験モードに戻り、半導
体ウェーハ用試験プログラムにより次の被試験半導体ウ
ェーハにプローブカードが接触して次のウェーハの試験
を行なう。
体ウェーハ用試験プログラムにより次の被試験半導体ウ
ェーハにプローブカードが接触して次のウェーハの試験
を行なう。
不良の場合にはアラームが鳴り、接触チエツク不良表示
を行い、プローバ及びテスタ部の動作は停止する。
を行い、プローバ及びテスタ部の動作は停止する。
再テストの場合は調整して探針１ｂの接触チエツクをパ
スさせた後に行う。
スさせた後に行う。
以上の動作を繰返し行う事により半導体ウェーハとプロ
ーブの接触不良が検出でき、良品の不良誤判定を大幅に
低減する事ができる。
ーブの接触不良が検出でき、良品の不良誤判定を大幅に
低減する事ができる。
また被試験半導体ウェーハ内で所定数以上の不良が連続
した場合に不良信号が出力されるようにプローブの接触
チエツクをセットすれは、さらに効率よく接触不良によ
る誤判定を低減できる利点がある。
した場合に不良信号が出力されるようにプローブの接触
チエツクをセットすれは、さらに効率よく接触不良によ
る誤判定を低減できる利点がある。
以上説明したように、本発明によるプローバは、ダミー
ウェーハを搭載するウェーハ吸着部とテスタ部に接触チ
エツクプログラムを付加する事により、前記プローブと
被試験半導体ウェーハとの接触不良を検出する事ができ
るので、正確な半導体ウェーハ試験ができる効果がある
。
ウェーハを搭載するウェーハ吸着部とテスタ部に接触チ
エツクプログラムを付加する事により、前記プローブと
被試験半導体ウェーハとの接触不良を検出する事ができ
るので、正確な半導体ウェーハ試験ができる効果がある
。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例の正面模式
図、第２図は第１図のウェーハ試験装置の動作を説明す
るためのフローチャート、第３図は従来のウェーハ試験
装置の一例の正面模式図、第４図は第３図のウェーハ試
験装置の動作を説明するためのフローチャートである。 １、・・・プローブカード、１ｂ・・・探針、２゜２ｂ
・・・ウェーハ吸着部、３・・・被試験半導体ウェーハ
、４・・・ダミーウェーハ、５・・・テスタ部。
図、第２図は第１図のウェーハ試験装置の動作を説明す
るためのフローチャート、第３図は従来のウェーハ試験
装置の一例の正面模式図、第４図は第３図のウェーハ試
験装置の動作を説明するためのフローチャートである。 １、・・・プローブカード、１ｂ・・・探針、２゜２ｂ
・・・ウェーハ吸着部、３・・・被試験半導体ウェーハ
、４・・・ダミーウェーハ、５・・・テスタ部。
Claims (1)
- ウェーハ吸着部に搭載された被試験半導体ウェーハに
プローブの探針を接触させてテスタ部に接続するウェー
ハ試験装置において、全パッドが同一電位のダミーウェ
ーハを搭載する第２のウェーハ吸着部を設けて、前記探
針を前記パッドに接触させて前記テスタ部により前記探
針の接触状態を確認することを特徴とするウェーハ試験
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219305A JPH0266955A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | ウェーハ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219305A JPH0266955A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | ウェーハ試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266955A true JPH0266955A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16733409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219305A Pending JPH0266955A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | ウェーハ試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113376092A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-10 | 深圳市卓晶微智能机器人科技有限公司 | 一种半导体晶片贴装到基板后的封装检测设备 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63219305A patent/JPH0266955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113376092A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-10 | 深圳市卓晶微智能机器人科技有限公司 | 一种半导体晶片贴装到基板后的封装检测设备 |
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