JPH04214387A - 記録媒体及び記録方法 - Google Patents
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報分野における新規
な非線形光学現象を利用した記録用媒体、並びに記録方
法に関するものである。
な非線形光学現象を利用した記録用媒体、並びに記録方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、各種の記録方法、媒体が検討され
ており、例えば、磁気の状態の変化を磁場で追跡する磁
気記録、磁気の状態を光の偏光で検知する光磁気記録、
媒体の光学的変化を各種の方法で読み取る光記録等が存
在する。本発明は、この内の光記録方法に関するもので
あり、さらに詳しくは、記録の形成方法に主として熱源
を用い、媒体の固体構造の変化から派生する非線形光学
、特に第二高調波発生に関する光学的な変化を利用した
新規な記録媒体、記録方法に関するものである。
ており、例えば、磁気の状態の変化を磁場で追跡する磁
気記録、磁気の状態を光の偏光で検知する光磁気記録、
媒体の光学的変化を各種の方法で読み取る光記録等が存
在する。本発明は、この内の光記録方法に関するもので
あり、さらに詳しくは、記録の形成方法に主として熱源
を用い、媒体の固体構造の変化から派生する非線形光学
、特に第二高調波発生に関する光学的な変化を利用した
新規な記録媒体、記録方法に関するものである。
【0003】一般に、光記録においては、ピットと呼ば
れる基板平面上からの陥没形態、あるいは、バブルとよ
ばれる熱膨張の形態形成等でできる平面構造の変化に起
因する反射度の変化、あるいは、透過度の変化等光学的
な変化を認識することで、情報の記録、及び読み取りを
行うことが多い。しかしながら、この方法では、記録が
形成された場所と、されてない場所との相対的な変化の
割合は小さく、記録の読み取りにおける分解能が低いと
いう欠点を有している。この欠点の理由の一つとして、
読み取りの手段として認識される波長が記録部も非記録
部も同一であり、単にその強度の変化を追跡しているも
のである点が挙げられる。
れる基板平面上からの陥没形態、あるいは、バブルとよ
ばれる熱膨張の形態形成等でできる平面構造の変化に起
因する反射度の変化、あるいは、透過度の変化等光学的
な変化を認識することで、情報の記録、及び読み取りを
行うことが多い。しかしながら、この方法では、記録が
形成された場所と、されてない場所との相対的な変化の
割合は小さく、記録の読み取りにおける分解能が低いと
いう欠点を有している。この欠点の理由の一つとして、
読み取りの手段として認識される波長が記録部も非記録
部も同一であり、単にその強度の変化を追跡しているも
のである点が挙げられる。
【0004】かかる観点から、読み取りの光源の波長が
、全く異なるものであれば、このような理由で発生する
誤差は、大きく低減される可能性があり、信頼性の向上
と共に、読み取り波長が短くなることで、1記録当りの
分解能限界が増大することで、記録密度が向上すること
も期待される。
、全く異なるものであれば、このような理由で発生する
誤差は、大きく低減される可能性があり、信頼性の向上
と共に、読み取り波長が短くなることで、1記録当りの
分解能限界が増大することで、記録密度が向上すること
も期待される。
【0005】本発明者は、かかる観点から鋭意検討した
結果、非線形高額の第二高調波発生の現象がかかる目的
のために好適に用いられる可能性を見いだし、特に、第
二高調波発生を生起しない、対称中心のある材料を、適
宜組み合わせ、熱を用いることで、新規な対称中心のな
い、即ち、第二高調波を発生する状態に変化させること
で、ここから発生する1/2の波長の光を読み取ること
で、上に述べた、欠点を克服した新しい記録媒体、記録
方法が可能になるという本発明に到達した。
結果、非線形高額の第二高調波発生の現象がかかる目的
のために好適に用いられる可能性を見いだし、特に、第
二高調波発生を生起しない、対称中心のある材料を、適
宜組み合わせ、熱を用いることで、新規な対称中心のな
い、即ち、第二高調波を発生する状態に変化させること
で、ここから発生する1/2の波長の光を読み取ること
で、上に述べた、欠点を克服した新しい記録媒体、記録
方法が可能になるという本発明に到達した。
【0006】本発明によれば、単独では対称中心を有す
る結晶構造をとってSHG活性を示さないが、互いに混
合して固溶体を形成すると非対称となってSHG活性を
示すようになるような2種以上の有機化合物を用い、そ
れぞれの有機化合物を別個に超微粒子上にコーティング
し、その超微粒子を基板上に塗布して10μm以下の記
録層として形成した記録材料が提供される。更に詳しく
は本発明は、下記一般式(1)
る結晶構造をとってSHG活性を示さないが、互いに混
合して固溶体を形成すると非対称となってSHG活性を
示すようになるような2種以上の有機化合物を用い、そ
れぞれの有機化合物を別個に超微粒子上にコーティング
し、その超微粒子を基板上に塗布して10μm以下の記
録層として形成した記録材料が提供される。更に詳しく
は本発明は、下記一般式(1)
【0007】
【化3】
[但し、nは0,1または、2を表わす。Arは、炭素
数5−14の芳香族基を表わす。X,Yは、R1 −O
−で表わされるエーテル基、R2 R3 N−で表わさ
れるアミノ基、R4 −S−で表わされるチオエーテル
基、ニトリル基、ニトロ基、−COOR5 、−OCO
R6 で表わされるエステル基、−CONR7 R8
、−NR9 COR10で表わされるアミド基、−R1
1で表わされる炭化水素基(R1 〜R11は、同一、
または、異なる炭素数1−8の炭化水素基、または、水
素原子を表わす)から選ばれる官能基で、同じでも、異
なっていてもよい。]で表わされるカルボン酸で表面処
理された超微粒子のコロイド状分散体(1)と、p−ニ
トロアニリンで表面処理された超微粒子のコロイド状分
散体(2)とを少くとも含有してなる混合超微粒子分散
体が10μm以下の厚さの記録層として基板上に形成さ
れた記録媒体であり、かつ当該記録媒体の当該記録層に
熱源を照射し、照射部分に対称中心のない固溶体を形成
せしめることを特徴とする記録方法であり、かつ上記の
記録方法により製造された記録化記録媒体に光線を照射
し、当該固溶体を形成した部分から発生する第二高調波
を検出することを特徴とする読み取り方法である。
数5−14の芳香族基を表わす。X,Yは、R1 −O
−で表わされるエーテル基、R2 R3 N−で表わさ
れるアミノ基、R4 −S−で表わされるチオエーテル
基、ニトリル基、ニトロ基、−COOR5 、−OCO
R6 で表わされるエステル基、−CONR7 R8
、−NR9 COR10で表わされるアミド基、−R1
1で表わされる炭化水素基(R1 〜R11は、同一、
または、異なる炭素数1−8の炭化水素基、または、水
素原子を表わす)から選ばれる官能基で、同じでも、異
なっていてもよい。]で表わされるカルボン酸で表面処
理された超微粒子のコロイド状分散体(1)と、p−ニ
トロアニリンで表面処理された超微粒子のコロイド状分
散体(2)とを少くとも含有してなる混合超微粒子分散
体が10μm以下の厚さの記録層として基板上に形成さ
れた記録媒体であり、かつ当該記録媒体の当該記録層に
熱源を照射し、照射部分に対称中心のない固溶体を形成
せしめることを特徴とする記録方法であり、かつ上記の
記録方法により製造された記録化記録媒体に光線を照射
し、当該固溶体を形成した部分から発生する第二高調波
を検出することを特徴とする読み取り方法である。
【0008】本発明に述べる単独では対称中心を有する
結晶構造を形成する有機化合物としては、少くともその
1種類が下記一般式(1)
結晶構造を形成する有機化合物としては、少くともその
1種類が下記一般式(1)
【0009】
【化4】
[但し、nは0,1または、2を表わす。Arは、炭素
数5−14の芳香族基を表わす。X,Yは、R1 −O
−で表わされるエーテル基、R2 R3 N−で表わさ
れるアミノ基、R4 −S−で表わされるチオエーテル
基、ニトリル基、ニトロ基、−COOR5 、−OCO
R6 で表わされるエステル基、−CONR7 R8
、−NR9 COR10で表わされるアミド基、−R1
1で表わされる炭化水素基(R1 〜R11は、同一、
または、異なる炭素数1−8の炭化水素基、または、水
素原子を表わす)から選ばれる官能基で、同じでも、異
なっていてもよい。]で表わされるカルボン酸であり、
他の1種類が、p−ニトロアニリンであることを特徴と
する。
数5−14の芳香族基を表わす。X,Yは、R1 −O
−で表わされるエーテル基、R2 R3 N−で表わさ
れるアミノ基、R4 −S−で表わされるチオエーテル
基、ニトリル基、ニトロ基、−COOR5 、−OCO
R6 で表わされるエステル基、−CONR7 R8
、−NR9 COR10で表わされるアミド基、−R1
1で表わされる炭化水素基(R1 〜R11は、同一、
または、異なる炭素数1−8の炭化水素基、または、水
素原子を表わす)から選ばれる官能基で、同じでも、異
なっていてもよい。]で表わされるカルボン酸であり、
他の1種類が、p−ニトロアニリンであることを特徴と
する。
【0010】奇妙なことに、これらのそれぞれの有機化
合物単独では、対称中心を有する結晶構造をとり、非線
形光学現象の一つである入射光の波長の半分の波長が発
生する第二高調波発生(以下SHGと略す)を生起しな
いが、混合系を溶融混合することで、新しい非対称な構
造を形成し、このためにSHGが活性となる。この現象
は、全く新規な現象であり、通常は作製が困難なSHG
発生材料を簡便に供給できるという新しい観点で、本発
明者により別途出願されている。
合物単独では、対称中心を有する結晶構造をとり、非線
形光学現象の一つである入射光の波長の半分の波長が発
生する第二高調波発生(以下SHGと略す)を生起しな
いが、混合系を溶融混合することで、新しい非対称な構
造を形成し、このためにSHGが活性となる。この現象
は、全く新規な現象であり、通常は作製が困難なSHG
発生材料を簡便に供給できるという新しい観点で、本発
明者により別途出願されている。
【0011】一般式(1)において、Arは、炭素数5
−14の芳香族基を示す。このArとしては、例えば、
ピリジン、ベンゼン、ビフェニル、インデン、ナフタレ
ン、ビフェニレン、アセナフチレン、フルオレン、フェ
ナントレン、アントラセン、ベンゾフラン、ベンゾチオ
フェン、インドール、キノリン、イソキノリン、カルバ
ゾール、キサンテンから誘導される基を挙げることがで
きる。就中、ベンゼン、ナフタレンから誘導される基が
好ましい。また一般式(1)において、X,Yは前記基
を示すが、その具体例を挙げれば以下の通りである。
−14の芳香族基を示す。このArとしては、例えば、
ピリジン、ベンゼン、ビフェニル、インデン、ナフタレ
ン、ビフェニレン、アセナフチレン、フルオレン、フェ
ナントレン、アントラセン、ベンゾフラン、ベンゾチオ
フェン、インドール、キノリン、イソキノリン、カルバ
ゾール、キサンテンから誘導される基を挙げることがで
きる。就中、ベンゼン、ナフタレンから誘導される基が
好ましい。また一般式(1)において、X,Yは前記基
を示すが、その具体例を挙げれば以下の通りである。
【0012】例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、n−ブトキシ基、フェノキシ基で表わされ
るエーテル基、アミノ基、モノメチルアミノ基、モノエ
チルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ジ(n−プロピル)アミノ基、メチルエチルアミノ基、
アニリノ基、ジフェニルアミノ基等のアミノ基。
ロポキシ基、n−ブトキシ基、フェノキシ基で表わされ
るエーテル基、アミノ基、モノメチルアミノ基、モノエ
チルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ジ(n−プロピル)アミノ基、メチルエチルアミノ基、
アニリノ基、ジフェニルアミノ基等のアミノ基。
【0013】メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピ
ルチオ基、フェニルチオ基等で表わされるチオエーテル
基。
ルチオ基、フェニルチオ基等で表わされるチオエーテル
基。
【0014】シアノ基、ニトロ基、Ar1 の芳香族基
から誘導されるカルボン酸のメチルエステル基、エチル
エステル基、n−プロピルエステル基、n−ブチルエス
テル基、フェニルエステル基、のようなCOOR5 で
表わされるエステル基、あるいは、アセチルオキシ基、
プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基のようなOCOR6 で表わされるエステル基
。
から誘導されるカルボン酸のメチルエステル基、エチル
エステル基、n−プロピルエステル基、n−ブチルエス
テル基、フェニルエステル基、のようなCOOR5 で
表わされるエステル基、あるいは、アセチルオキシ基、
プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基のようなOCOR6 で表わされるエステル基
。
【0015】Ar1 の芳香族基から誘導されるカルボ
ン酸のアンモニアとのアミド基、メチルアミド基、エチ
ルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、プ
ロピルアミド基、ジプロピルアミド基、ブチルアミド基
、ジブチルアミド基、アニリド基のような−CONR7
Rで表わされるアミド基、あるいは、ホルミルアミド
基、アセチルアミド基、プロピオニルアミド基、ブチリ
ルアミド基、ベンゾイルアミド基のような−NR9 C
OR10で表わされるアミド基。
ン酸のアンモニアとのアミド基、メチルアミド基、エチ
ルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、プ
ロピルアミド基、ジプロピルアミド基、ブチルアミド基
、ジブチルアミド基、アニリド基のような−CONR7
Rで表わされるアミド基、あるいは、ホルミルアミド
基、アセチルアミド基、プロピオニルアミド基、ブチリ
ルアミド基、ベンゾイルアミド基のような−NR9 C
OR10で表わされるアミド基。
【0016】あるいは、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基のような炭化水
素基が挙げられる。好適例は以下の通りである。
ピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基のような炭化水
素基が挙げられる。好適例は以下の通りである。
【0017】メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、フェノキシ基で表わされるエーテル基、アミノ基、
モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ア
ニリノ基で表わされるアミノ基、メチルチオ基、エチル
チオ基、フェニルチオ基等で表わされるチオエーテル基
、シアノ基、ニトロ基。
基、フェノキシ基で表わされるエーテル基、アミノ基、
モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ア
ニリノ基で表わされるアミノ基、メチルチオ基、エチル
チオ基、フェニルチオ基等で表わされるチオエーテル基
、シアノ基、ニトロ基。
【0018】Ar1 の芳香族基から誘導されるカルボ
ン酸のメチルエステル基、エチルエステル基、フェニル
エステル基のようなCOOR5 で表わされるエステル
基、あるいは、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ
基、ベンゾイルオキシ基のようなOCOR6 で表わさ
れるエステル基。
ン酸のメチルエステル基、エチルエステル基、フェニル
エステル基のようなCOOR5 で表わされるエステル
基、あるいは、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ
基、ベンゾイルオキシ基のようなOCOR6 で表わさ
れるエステル基。
【0019】Ar1 の芳香族基から誘導されるカルボ
ン酸のアンモニアとのアミド基、メチルアミド基、エチ
ルアミド基、ジメチルアミド基、アニリド基のような−
CONR7 Rで表わされるアミド基、あるいは、ホル
ミルアミド基、アセチルアミド基、ベンゾイルアミド基
のような−CR9 COR10で表わされるアミド基、
あるいは、メチル基、エチル基、n−プロピル基のよう
な炭化水素基である。
ン酸のアンモニアとのアミド基、メチルアミド基、エチ
ルアミド基、ジメチルアミド基、アニリド基のような−
CONR7 Rで表わされるアミド基、あるいは、ホル
ミルアミド基、アセチルアミド基、ベンゾイルアミド基
のような−CR9 COR10で表わされるアミド基、
あるいは、メチル基、エチル基、n−プロピル基のよう
な炭化水素基である。
【0020】また、一般式(1)において、X,Yはい
ずれかが水素原子の場合、水素原子以外の置換基は、−
CH=CH−基とp−位または、o−位にあることが好
ましく、共に水素原子以外の場合は。p−位、及びo−
位にあることが好ましい。
ずれかが水素原子の場合、水素原子以外の置換基は、−
CH=CH−基とp−位または、o−位にあることが好
ましく、共に水素原子以外の場合は。p−位、及びo−
位にあることが好ましい。
【0021】非線形光学効果を高らしめるためには、分
子構造として、大きな双極子を有することが必要であり
、この目的のために一般式は、シアノ基、カルボキシル
基を同一炭素原子上に存在させる。また、その分子分極
が相互に干渉しあうためには、共役系があることが望ま
しいが、共役長さが長くなると吸収極大が長波長側に伸
び、入射光波長、あるいは、第2高調波により損傷を生
ずる恐れがある。このために、共役長は余り長くてはな
らない。
子構造として、大きな双極子を有することが必要であり
、この目的のために一般式は、シアノ基、カルボキシル
基を同一炭素原子上に存在させる。また、その分子分極
が相互に干渉しあうためには、共役系があることが望ま
しいが、共役長さが長くなると吸収極大が長波長側に伸
び、入射光波長、あるいは、第2高調波により損傷を生
ずる恐れがある。このために、共役長は余り長くてはな
らない。
【0022】一般式(1)で表わされるカルボン酸とし
ては、例えば次の化合物を挙げることができる。
ては、例えば次の化合物を挙げることができる。
【0023】3−フェニル−2−シアノプロペノン酸、
3−(p−ジメチルアミノフェニル)−2−シアノプロ
ペノン酸、3−(p−アミノフェニル)−2−シアノプ
ロペノン酸、3−(p−ジエチルアミノフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−ジプロピルアミノフ
ェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ジブチ
ルアミノフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(
p−モノメチルアミノフェニル)−2−シアノプロペノ
ン酸、3−(p−モノエチルアミノフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
3−(p−ジメチルアミノフェニル)−2−シアノプロ
ペノン酸、3−(p−アミノフェニル)−2−シアノプ
ロペノン酸、3−(p−ジエチルアミノフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−ジプロピルアミノフ
ェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ジブチ
ルアミノフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(
p−モノメチルアミノフェニル)−2−シアノプロペノ
ン酸、3−(p−モノエチルアミノフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
【0024】3−(p−メトキシフェニル)−2−シア
ノプロペノン酸、3−(p−エトキシフェニル)−2−
シアノプロペノン酸、3−(p−プロピルオキシフェニ
ル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ブチルオキ
シフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ペ
ンチルオキシフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3
−(p−n−ヘキシルオキシフェニル)−2−シアノプ
ロペノン酸、3−(p−デカノキシフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
ノプロペノン酸、3−(p−エトキシフェニル)−2−
シアノプロペノン酸、3−(p−プロピルオキシフェニ
ル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ブチルオキ
シフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ペ
ンチルオキシフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3
−(p−n−ヘキシルオキシフェニル)−2−シアノプ
ロペノン酸、3−(p−デカノキシフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
【0025】3−(p−メチルチオフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、3−(p−エチルチオフェニル)−
2−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピルチオフェ
ニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ブチルチ
オフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−n
−ペンチルチオフェニル)−2−シアノプロペノン酸、
3−(p−n−ヘキシルチオフェニル)−2−シアノプ
ロペノン酸、3−(p−デカンチオフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
アノプロペノン酸、3−(p−エチルチオフェニル)−
2−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピルチオフェ
ニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ブチルチ
オフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−n
−ペンチルチオフェニル)−2−シアノプロペノン酸、
3−(p−n−ヘキシルチオフェニル)−2−シアノプ
ロペノン酸、3−(p−デカンチオフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
【0026】3−(p−シアノフェニル)−2−シアノ
プロペノン酸、3−(m−シアノフェニル)−2−シア
ノプロペノン酸、3−(o−シアノフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、3−(p−メチルオキシフェニル)
−2−シアノプロペノン酸、3−(p−エチルオキシフ
ェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピ
ルオキシフェニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそ
れらの、m−,o−置換誘導体。
プロペノン酸、3−(m−シアノフェニル)−2−シア
ノプロペノン酸、3−(o−シアノフェニル)−2−シ
アノプロペノン酸、3−(p−メチルオキシフェニル)
−2−シアノプロペノン酸、3−(p−エチルオキシフ
ェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピ
ルオキシフェニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそ
れらの、m−,o−置換誘導体。
【0027】3−(p−アセチルオキシフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピオニルオキシ
フェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ブタ
ノイルオキシフェニル)−2−シアノプロペノン酸、及
びそれらの、m−,o−置換誘導体;3−(p−ニトロ
フェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(m−ニト
ロフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(o−ニ
トロフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−
ジメチルアミドフェニル)−2−シアノプロペノン酸、
3−(p−ジエチルアミドフェニル)−2−シアノプロ
ペノン酸、3−(p−ジプロピルアミドフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−ジブチルアミドフェ
ニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそれらの、m−
,o−置換誘導体。
−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピオニルオキシ
フェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−ブタ
ノイルオキシフェニル)−2−シアノプロペノン酸、及
びそれらの、m−,o−置換誘導体;3−(p−ニトロ
フェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(m−ニト
ロフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(o−ニ
トロフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−
ジメチルアミドフェニル)−2−シアノプロペノン酸、
3−(p−ジエチルアミドフェニル)−2−シアノプロ
ペノン酸、3−(p−ジプロピルアミドフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−ジブチルアミドフェ
ニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそれらの、m−
,o−置換誘導体。
【0028】3−(p−アセチルアミノフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピオニルアミノ
フェニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそれらの、
m−,o−置換誘導体。
−シアノプロペノン酸、3−(p−プロピオニルアミノ
フェニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそれらの、
m−,o−置換誘導体。
【0029】3−(p−メチルフェニル)−2−シアノ
プロペノン酸、3−(p−エチルフェニル)−2−シア
ノプロペノン酸、3−(p−プロピルフェニル)−2−
シアノプロペノン酸、3−(p−ブチルフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−n−ペンチルフェニ
ル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−n−ヘキシ
ルフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−デ
カンフェニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそれら
の、m−,o−置換誘導体;で表わされる置換フェニル
2−シアノプロペノン酸誘導体。
プロペノン酸、3−(p−エチルフェニル)−2−シア
ノプロペノン酸、3−(p−プロピルフェニル)−2−
シアノプロペノン酸、3−(p−ブチルフェニル)−2
−シアノプロペノン酸、3−(p−n−ペンチルフェニ
ル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−n−ヘキシ
ルフェニル)−2−シアノプロペノン酸、3−(p−デ
カンフェニル)−2−シアノプロペノン酸、及びそれら
の、m−,o−置換誘導体;で表わされる置換フェニル
2−シアノプロペノン酸誘導体。
【0030】2−シアノ−5−フェニル−2,4−ペン
タジエン酸、2−シアノ−5−(p−ジメチルアミノフ
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)−2,4−ペンタジエ
ン酸、2−シアノ−5−(p−ジプロピルアミノフェニ
ル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p
−ジブチルアミノフェニル)−2,4−ペンタジエン酸
、2−シアノ−5−(p−モノメチルアミノフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ア
ミノフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれら
の、m−,o−置換誘導体。
タジエン酸、2−シアノ−5−(p−ジメチルアミノフ
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)−2,4−ペンタジエ
ン酸、2−シアノ−5−(p−ジプロピルアミノフェニ
ル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p
−ジブチルアミノフェニル)−2,4−ペンタジエン酸
、2−シアノ−5−(p−モノメチルアミノフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ア
ミノフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれら
の、m−,o−置換誘導体。
【0031】2−シアノ−5−(p−メチルオキシフェ
ニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(
p−エチルオキシフェニル)−2,4−ペンタジエン酸
、2−シアノ−5−(p−プロピルオキシフェニル)−
2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ブチ
ルオキシフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそ
れらの、m−,o−置換誘導体。
ニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(
p−エチルオキシフェニル)−2,4−ペンタジエン酸
、2−シアノ−5−(p−プロピルオキシフェニル)−
2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ブチ
ルオキシフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそ
れらの、m−,o−置換誘導体。
【0032】2−シアノ−5−(p−メチルチオフェニ
ル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p
−エチルチオフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2
−シアノ−5−(p−プロピルチオフェニル)−2,4
−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ブチルチオ
フェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、
m−,o−置換誘導体。
ル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p
−エチルチオフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2
−シアノ−5−(p−プロピルチオフェニル)−2,4
−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ブチルチオ
フェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、
m−,o−置換誘導体。
【0033】2−シアノ−5−(p−シアノフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m−,o−
置換誘導体。
−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m−,o−
置換誘導体。
【0034】2−シアノ−5−(p−メチルオキシカル
ボニルフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シア
ノ−5−(p−エチルオキシカルボニルフェニル)−2
,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−プロピ
ルオキシカルボニルフェニル)−2,4−ペンタジエン
酸、2−シアノ−5−(p−ブチルオキシカルボニルフ
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m
−,o−置換誘導体。
ボニルフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シア
ノ−5−(p−エチルオキシカルボニルフェニル)−2
,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−プロピ
ルオキシカルボニルフェニル)−2,4−ペンタジエン
酸、2−シアノ−5−(p−ブチルオキシカルボニルフ
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m
−,o−置換誘導体。
【0035】2−シアノ−5−(p−ニトロフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m−,o−
置換誘導体。
−2,4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m−,o−
置換誘導体。
【0036】2−シアノ−5−(p−ジメチルアミドフ
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−
(p−ジエチルアミドフェニル)−2,4−ペンタジエ
ン酸、2−シアノ−5−(p−ジプロピルアミドフェニ
ル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p
−ジブチルアミドフェニル)−2,4−ペンタジエン酸
、2−シアノ−5−(p−モノメチルアミドフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ア
ミドフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれら
の、m−,o−置換誘導体。
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−
(p−ジエチルアミドフェニル)−2,4−ペンタジエ
ン酸、2−シアノ−5−(p−ジプロピルアミドフェニ
ル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p
−ジブチルアミドフェニル)−2,4−ペンタジエン酸
、2−シアノ−5−(p−モノメチルアミドフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−ア
ミドフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、及びそれら
の、m−,o−置換誘導体。
【0037】2−シアノ−5−(p−アセチルアミノフ
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−
(p−プロピオニルアミノフェニル)−2,4−ペンタ
ジエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
ェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−
(p−プロピオニルアミノフェニル)−2,4−ペンタ
ジエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
【0038】2−シアノ−5−(p−メチルフェニル)
−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−エ
チルフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ
−5−(p−プロピルフェニル)−2,4−ペンタジエ
ン酸、2−シアノ−5−(p−ブチルフェニル)−2,
4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘
導体;で表わされる置換フェニル 2−シアノ−2,
4−ペンタジエン酸誘導体。
−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(p−エ
チルフェニル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ
−5−(p−プロピルフェニル)−2,4−ペンタジエ
ン酸、2−シアノ−5−(p−ブチルフェニル)−2,
4−ペンタジエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘
導体;で表わされる置換フェニル 2−シアノ−2,
4−ペンタジエン酸誘導体。
【0039】2−シアノ−7−フェニル−2,4,6−
ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ジメチルア
ミノフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−
シアノ−7−(p−ジエチルアミノフェニル)−2,4
,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ジプ
ロピルアミノフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン
酸、2−シアノ−7−(p−ジブチルアミノフェニル)
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(
p−モノメチルアミノフェニル)−2,4,6−ヘプタ
トリエン酸、2−シアノ−7−(p−モノエチルアミノ
フェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそれ
らの、m−,o−置換誘導体。
ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ジメチルア
ミノフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−
シアノ−7−(p−ジエチルアミノフェニル)−2,4
,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ジプ
ロピルアミノフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン
酸、2−シアノ−7−(p−ジブチルアミノフェニル)
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(
p−モノメチルアミノフェニル)−2,4,6−ヘプタ
トリエン酸、2−シアノ−7−(p−モノエチルアミノ
フェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそれ
らの、m−,o−置換誘導体。
【0040】2−シアノ−7−(p−メチルオキシフェ
ニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−
7−(p−エチルオキシフェニル)−2,4,6−ヘプ
タトリエン酸、2−シアノ−7−(p−プロピルオキシ
フェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シア
ノ−7−(p−ブチルオキシフェニル)−2,4,6−
ヘプタトリエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
ニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−
7−(p−エチルオキシフェニル)−2,4,6−ヘプ
タトリエン酸、2−シアノ−7−(p−プロピルオキシ
フェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シア
ノ−7−(p−ブチルオキシフェニル)−2,4,6−
ヘプタトリエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導
体。
【0041】2−シアノ−7−(p−メチルチオフェニ
ル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7
−(p−エチルチオフェニル)−2,4,6−ヘプタト
リエン酸、2−シアノ−7−(p−プロピルチオフェニ
ル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7
−(p−ブチルチオフェニル)−2,4,6−ヘプタト
リエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
ル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7
−(p−エチルチオフェニル)−2,4,6−ヘプタト
リエン酸、2−シアノ−7−(p−プロピルチオフェニ
ル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7
−(p−ブチルチオフェニル)−2,4,6−ヘプタト
リエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
【0042】2−シアノ−7−(p−シアノフェニル)
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそれらのm−,
o−置換誘導体。
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそれらのm−,
o−置換誘導体。
【0043】2−シアノ−7−(p−メチルオキシカル
ボニルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2
−シアノ−7−(p−エチルオキシカルボニルフェニル
)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−
(p−プロピルオキシカルボニルフェニル)−2,4,
6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ブチル
オキシカルボニルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリ
エン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
ボニルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2
−シアノ−7−(p−エチルオキシカルボニルフェニル
)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−
(p−プロピルオキシカルボニルフェニル)−2,4,
6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ブチル
オキシカルボニルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリ
エン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
【0044】2−シアノ−7−(p−アセチルオキシフ
ェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ
−7−(p−プロピオニルオキシフェニル)−2,4,
6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ブタノ
イルオキシフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸
、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
ェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ
−7−(p−プロピオニルオキシフェニル)−2,4,
6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ブタノ
イルオキシフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸
、及びそれらの、m−,o−置換誘導体。
【0045】2−シアノ−7−(p−ジメチルアミドフ
ェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ
−7−(p−ジプロピルアミドフェニル)−2,4,6
−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ジエチル
アミドフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2
−シアノ−7−(p−ジプロピルアミドフェニル)−2
,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−
ジブチルアミドフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエ
ン酸、2−シアノ−7−(p−モノメチルアミドフェニ
ル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7
−(p−モノエチルアミドフェニル)−2,4,6−ヘ
プタトリエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体
。
ェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ
−7−(p−ジプロピルアミドフェニル)−2,4,6
−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ジエチル
アミドフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2
−シアノ−7−(p−ジプロピルアミドフェニル)−2
,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−
ジブチルアミドフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエ
ン酸、2−シアノ−7−(p−モノメチルアミドフェニ
ル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7
−(p−モノエチルアミドフェニル)−2,4,6−ヘ
プタトリエン酸、及びそれらの、m−,o−置換誘導体
。
【0046】2−シアノ−7−(p−ニトロフェニル)
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそれのm−,o
−置換誘導体。
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそれのm−,o
−置換誘導体。
【0047】2−シアノ−7−(p−メチルフェニル)
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(
p−エチルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸
、2−シアノ−7−(p−プロピルフェニル)−2,4
,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ブチ
ルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそ
れのm−,o−置換誘導体;で表わされるフェニル置換
2,4,6−ヘプタトリエン酸誘導体。
−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(
p−エチルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸
、2−シアノ−7−(p−プロピルフェニル)−2,4
,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(p−ブチ
ルフェニル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、及びそ
れのm−,o−置換誘導体;で表わされるフェニル置換
2,4,6−ヘプタトリエン酸誘導体。
【0048】3−(2−インドリル)−2−シアノプロ
ペノン酸、3−(3−インドリル)−2−シアノプロペ
ノン酸、3−(5−クロロ−3−インドリル)−2−シ
アノプロペノン酸、2−シアノ−5−(2−インドリル
)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(3−
インドリル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−
5−(5−クロロ−3−インドリル)−2,4−ペンタ
ジエン酸、2−シアノ−7−(3−インドリル)−2,
4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(2−イ
ンドリル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シア
ノ−7−(5−クロロ−3−インドリル)−2,4,6
−ヘプタトリエン酸、等を好ましく挙げることができる
。
ペノン酸、3−(3−インドリル)−2−シアノプロペ
ノン酸、3−(5−クロロ−3−インドリル)−2−シ
アノプロペノン酸、2−シアノ−5−(2−インドリル
)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−5−(3−
インドリル)−2,4−ペンタジエン酸、2−シアノ−
5−(5−クロロ−3−インドリル)−2,4−ペンタ
ジエン酸、2−シアノ−7−(3−インドリル)−2,
4,6−ヘプタトリエン酸、2−シアノ−7−(2−イ
ンドリル)−2,4,6−ヘプタトリエン酸、2−シア
ノ−7−(5−クロロ−3−インドリル)−2,4,6
−ヘプタトリエン酸、等を好ましく挙げることができる
。
【0049】本発明のコロイド状態分散系は、少なくと
も1種類が金コロイドであることが好ましい。該分散系
の構成は、すべて金コロイドであってもよいし、表面処
理する有機材料の種類に応じて、銀コロイド、鉄コロイ
ド、ポリマーラテックス、カゼインの中から適当に1種
類、あるいは2種類以上を選んで組み合わせて用いるこ
とができる。
も1種類が金コロイドであることが好ましい。該分散系
の構成は、すべて金コロイドであってもよいし、表面処
理する有機材料の種類に応じて、銀コロイド、鉄コロイ
ド、ポリマーラテックス、カゼインの中から適当に1種
類、あるいは2種類以上を選んで組み合わせて用いるこ
とができる。
【0050】一般に、金コロイドは、超微粒子水分散系
として得られる。その形態は、一般に、球状と考えられ
るが、本発明の遂行にあたっては、形状が大きく影響を
あたえることはなく、平均的な粒系が1ミクロン以下で
あればよく、好ましくは、5nmから400nmであれ
ばよい。銀コロイドも同様の形状であればよい。ポリマ
ーラテックスとして知られる合成高分子材料は、ポリス
チレン、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリビニルト
ルエン、スチレン−ジビニルベンゼン共重合架橋体、ビ
ニルトルエン−t−ブチルスチレン共重合体等を挙げる
ことができる。これらの材料は、一般に球状に形成され
ていることが多く、以下に述べる本発明の目的から考え
るに、粒子相互の接触面積が大きくなる点で、利すると
ころが大きい。カゼインは、主として、牛乳タンパクを
主成分として多くの構成成分を含み、特定のものを記述
することはできない。しかし、特定できないことが分散
材料としての効果を損なうものではない。
として得られる。その形態は、一般に、球状と考えられ
るが、本発明の遂行にあたっては、形状が大きく影響を
あたえることはなく、平均的な粒系が1ミクロン以下で
あればよく、好ましくは、5nmから400nmであれ
ばよい。銀コロイドも同様の形状であればよい。ポリマ
ーラテックスとして知られる合成高分子材料は、ポリス
チレン、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリビニルト
ルエン、スチレン−ジビニルベンゼン共重合架橋体、ビ
ニルトルエン−t−ブチルスチレン共重合体等を挙げる
ことができる。これらの材料は、一般に球状に形成され
ていることが多く、以下に述べる本発明の目的から考え
るに、粒子相互の接触面積が大きくなる点で、利すると
ころが大きい。カゼインは、主として、牛乳タンパクを
主成分として多くの構成成分を含み、特定のものを記述
することはできない。しかし、特定できないことが分散
材料としての効果を損なうものではない。
【0051】これらのコロイドを、表面処理するに際し
ては、上記有機材料である一般式(1)で示されるカル
ボン酸、あるいは、p−ニトロアニリンを、メタノール
、エタノール等のアルコール類、エチレングリコール、
プロピレングリコール等のグリコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、テトラハイドロフラン
、ジオキサン等の環状エーテル類に溶解させ、コロイド
分散液に接触、充分な振盪を与えることで行われる。さ
らなる別の方法としては、特に、ポリマーラテックスの
微粒子分散系には、上記有機物を粉砕した微粉末を用い
るスプレードライ法により表面処理することも可能であ
る。
ては、上記有機材料である一般式(1)で示されるカル
ボン酸、あるいは、p−ニトロアニリンを、メタノール
、エタノール等のアルコール類、エチレングリコール、
プロピレングリコール等のグリコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、テトラハイドロフラン
、ジオキサン等の環状エーテル類に溶解させ、コロイド
分散液に接触、充分な振盪を与えることで行われる。さ
らなる別の方法としては、特に、ポリマーラテックスの
微粒子分散系には、上記有機物を粉砕した微粉末を用い
るスプレードライ法により表面処理することも可能であ
る。
【0052】一般に、コロイドの実効濃度は、安定性の
観点から10wt%以下であることが多く、この点から
上記有機物の量論比が大過剰にならないように配慮する
必要がある。
観点から10wt%以下であることが多く、この点から
上記有機物の量論比が大過剰にならないように配慮する
必要がある。
【0053】また、これらのコロイドは、安定性が良好
でないことが多く、このような表面処理、薄膜形成、等
の処理は、迅速に行うことが望ましい。
でないことが多く、このような表面処理、薄膜形成、等
の処理は、迅速に行うことが望ましい。
【0054】金コロイドを、塗布してなる薄膜は、金固
有の光学的物性を示し、反射/吸収を示す。金は、可視
光波長よりも長波長側に、大きな吸収を有することが知
られている。即ち、金コロイドから形成された薄膜は、
赤外波長光を吸収しこれを熱に変化させることが可能で
ある。この吸収熱は、該コロイドを処理している対称中
心を有する一般式(1)で示されるカルボン酸、および
、p−ニトロアニリンからなる有機物層を溶融させ、こ
の溶融された有機物の混合体が、冷却固化するに際して
固溶体を形成し、この固溶体が対称中心のない固体構造
となり、非線形光学効果のうち、第二高調波発生の現象
を生起する。この溶融固化した状態で、読み取り光を照
射すると、読み取り波長の半分の波長のSHGが発光し
、これを読み取ることで、例えばビット状記録の有無を
判断することができる。かかる本発明の特徴から、構成
されるコロイドは必ずしもその表面の処理有機物が共有
結合の形で強固に固着する必要はない。本発明によれば
、通常の熱を駆動源にする光記録の方法のように、特別
の波長に感応する感熱/感光色素を記録媒体系に別途添
加する必要性がなく、かかる添加材料による実効記録媒
体濃度の減少という感度低下の抑制の観点、あるいは、
成分比の最適点を探索するという余分の作製プロセスを
必要とせず、産業技術上の視点からも大きい進歩が期待
できる。
有の光学的物性を示し、反射/吸収を示す。金は、可視
光波長よりも長波長側に、大きな吸収を有することが知
られている。即ち、金コロイドから形成された薄膜は、
赤外波長光を吸収しこれを熱に変化させることが可能で
ある。この吸収熱は、該コロイドを処理している対称中
心を有する一般式(1)で示されるカルボン酸、および
、p−ニトロアニリンからなる有機物層を溶融させ、こ
の溶融された有機物の混合体が、冷却固化するに際して
固溶体を形成し、この固溶体が対称中心のない固体構造
となり、非線形光学効果のうち、第二高調波発生の現象
を生起する。この溶融固化した状態で、読み取り光を照
射すると、読み取り波長の半分の波長のSHGが発光し
、これを読み取ることで、例えばビット状記録の有無を
判断することができる。かかる本発明の特徴から、構成
されるコロイドは必ずしもその表面の処理有機物が共有
結合の形で強固に固着する必要はない。本発明によれば
、通常の熱を駆動源にする光記録の方法のように、特別
の波長に感応する感熱/感光色素を記録媒体系に別途添
加する必要性がなく、かかる添加材料による実効記録媒
体濃度の減少という感度低下の抑制の観点、あるいは、
成分比の最適点を探索するという余分の作製プロセスを
必要とせず、産業技術上の視点からも大きい進歩が期待
できる。
【0055】基板材料としては、ガラス、ポリカーボネ
ート、アモルファスポリオレフィン等、一般の光記録材
料の媒体に用いられるものであれば、なんら制限を受け
ることなく好適に用いられる。
ート、アモルファスポリオレフィン等、一般の光記録材
料の媒体に用いられるものであれば、なんら制限を受け
ることなく好適に用いられる。
【0056】記録手法としては、可視光の波長よりも長
い波長の光を光源として用いているのであるから、この
ような赤外光のみならず、発熱体そのもの、例えば、サ
ーマルヘッド等を用いることで、記録の書き込みを行う
ことも可能である。
い波長の光を光源として用いているのであるから、この
ような赤外光のみならず、発熱体そのもの、例えば、サ
ーマルヘッド等を用いることで、記録の書き込みを行う
ことも可能である。
【0057】
【実施例1】p−ニトロアニリンの1wt%のメタノー
ル溶液0.1mlを作製し、これを粒系が10nmの市
販の非標識ゴールドコロイドの水溶液15mlに加えて
、よく振盪する。同様に5−(4−ジメチルアミノフェ
ニル)ペンタジエン酸の1wt%のメタノール溶液0.
1mlを作製し、同様に金コロイド溶液に加えてよく振
盪する。このようにして得られた金コロイド混合溶液に
ポリカーボネート基板を浸漬し、垂直に保持して過剰の
溶液を取り除いた後、窒素気流下に乾燥し、次いで異な
る金コロイド溶液に浸漬し、風乾処理を繰り返して、2
種類の表面処理がされた金コロイド薄膜を得た。 この記録層をNd−YAGレーザの1.06μの波長の
光の焦点距離に設定し、記録層を移動させながらパルス
状に光を照射した。次いで、焦点距離より記録面をはず
して、記録面を動かしながらかつ出力を低くして同じ光
源を連続的に照射したところ、前回のパルスで照射され
た場所から緑色の発光が観測された。
ル溶液0.1mlを作製し、これを粒系が10nmの市
販の非標識ゴールドコロイドの水溶液15mlに加えて
、よく振盪する。同様に5−(4−ジメチルアミノフェ
ニル)ペンタジエン酸の1wt%のメタノール溶液0.
1mlを作製し、同様に金コロイド溶液に加えてよく振
盪する。このようにして得られた金コロイド混合溶液に
ポリカーボネート基板を浸漬し、垂直に保持して過剰の
溶液を取り除いた後、窒素気流下に乾燥し、次いで異な
る金コロイド溶液に浸漬し、風乾処理を繰り返して、2
種類の表面処理がされた金コロイド薄膜を得た。 この記録層をNd−YAGレーザの1.06μの波長の
光の焦点距離に設定し、記録層を移動させながらパルス
状に光を照射した。次いで、焦点距離より記録面をはず
して、記録面を動かしながらかつ出力を低くして同じ光
源を連続的に照射したところ、前回のパルスで照射され
た場所から緑色の発光が観測された。
【0058】
【実施例2】実施例1と同様にp−ニトロアニリンの金
コロイド溶液を作製した。3−(3,4−ジメトキシフ
ェニル)−2−シアノプロペノン酸の1wt%のメタノ
ール溶液を、ダウ社製のダウユニフォームラテックスパ
ーテクルスのポリスチレン製(粒系85nm)の5%分
散液に加えてよく振盪し、カルボン酸のポリマーラテッ
クスコロイド分散液を調製した。基板として、表面親水
処理されたガラスを用いて、金コロイド、次いでポリマ
ーラテックスコロイドに浸漬風乾処理してガラス板状の
記録層を形成した。これを、実施例1と同様に赤外レー
ザ光を照射し、しかるのちに記録された場所を低い出力
のレーザ光で読み取ったところ、緑色の発光が観測され
た。
コロイド溶液を作製した。3−(3,4−ジメトキシフ
ェニル)−2−シアノプロペノン酸の1wt%のメタノ
ール溶液を、ダウ社製のダウユニフォームラテックスパ
ーテクルスのポリスチレン製(粒系85nm)の5%分
散液に加えてよく振盪し、カルボン酸のポリマーラテッ
クスコロイド分散液を調製した。基板として、表面親水
処理されたガラスを用いて、金コロイド、次いでポリマ
ーラテックスコロイドに浸漬風乾処理してガラス板状の
記録層を形成した。これを、実施例1と同様に赤外レー
ザ光を照射し、しかるのちに記録された場所を低い出力
のレーザ光で読み取ったところ、緑色の発光が観測され
た。
【0059】
【実施例3】実施例1と同様にp−ニトロアニリンの金
コロイド溶液を作製した。3−(3−インドリル)−α
−シアノプロペノン酸と等量の5−フェニル−2−シア
ノペンタジエン酸を含む2wt%のメタノール溶液を作
製し、上記p−ニトロアニリンを含む金コロイド溶液に
少しずつよく攪拌しながら加えた。得られる金コロイド
分散液を手早く、ポリカーボネートフィルムの上に流延
し、余分の溶液をよくきりとった後、窒素気流下で乾燥
し、記録層フィルムを得た。このフィルムに、実施例1
と同様のレーザ光照射、読み取りを行ったところ、緑色
発光の記録ピットの存在が確認された。
コロイド溶液を作製した。3−(3−インドリル)−α
−シアノプロペノン酸と等量の5−フェニル−2−シア
ノペンタジエン酸を含む2wt%のメタノール溶液を作
製し、上記p−ニトロアニリンを含む金コロイド溶液に
少しずつよく攪拌しながら加えた。得られる金コロイド
分散液を手早く、ポリカーボネートフィルムの上に流延
し、余分の溶液をよくきりとった後、窒素気流下で乾燥
し、記録層フィルムを得た。このフィルムに、実施例1
と同様のレーザ光照射、読み取りを行ったところ、緑色
発光の記録ピットの存在が確認された。
【図1】コロイド粒子表面処理の概念と溶融による固溶
体形成の概念を示す。
体形成の概念を示す。
【図2】本発明の実施例における記録層の基本構造と記
録原理を示す。
録原理を示す。
Claims (6)
- 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 [但し、nは0,1または、2を表わす。Arは、炭素
数5−14の芳香族基を表わす。X,Yは、R1 −O
−で表わされるエーテル基、R2 R3 N−で表わさ
れるアミノ基、R4 −S−で表わされるチオエーテル
基、ニトリル基、ニトロ基、−COOR5 、−OCO
R6 で表わされるエステル基、−CONR7 R8
、−NR9 COR10で表わされるアミド基、−R1
1で表わされる炭化水素基(R1 〜R11は、同一、
または、異なる炭素数1−8の炭化水素基、または、水
素原子を表わす)から選ばれる官能基で、同じでも、異
なっていてもよい。]で表わされるカルボン酸で表面処
理された超微粒子のコロイド状分散体(1)と、p−ニ
トロアニリンで表面処理された超微粒子のコロイド状分
散体(2)とを少くとも含有してなる混合超微粒子分散
体が10μm以下の厚さの記録層として基板上に形成さ
れた記録媒体。 - 【請求項2】 コロイド状分散体を構成する超微粒子
の直径が1ミクロン以下であることを特徴とする請求項
1の記録媒体。 - 【請求項3】 超微粒子の少くとも1種類が、金コロ
イドである請求項1又は2の記録媒体。 - 【請求項4】 コロイド状分散体が、銀コロイド、鉄
コロイド、ポリマーラテックス、カゼインであることを
特徴とする請求項1の記録媒体。 - 【請求項5】 下記一般式(1) 【化2】 [但し、nは0,1または、2を表わす。Arは、炭素
数5−14の芳香族基を表わす。X,Yは、R1 −O
−で表わされるエーテル基、R2 R3 N−で表わさ
れるアミノ基、R4 −S−で表わされるチオエーテル
基、ニトリル基、ニトロ基、−COOR5 、−OCO
R6 で表わされるエステル基、−CONR7 R8
、−NR9 COR10で表わされるアミド基、−R1
1で表わされる炭化水素基(R1 〜R11は、同一、
または、異なる炭素数1−8の炭化水素基、または、水
素原子を表わす)から選ばれる官能基で、同じでも、異
なっていてもよい。]で表わされるカルボン酸で表面処
理された超微粒子のコロイド状分散体(1)と、p−ニ
トロアニリンで表面処理された超微粒子のコロイド状分
散体(2)とを少くとも含有してなる混合超微粒子分散
体が10μm以下の厚さの記録層として基板上に形成さ
れた記録媒体の当該記録層に熱源を照射し、照射部分に
対称中心のない固溶体を形成せしめることを特徴とする
記録方法。 - 【請求項6】 請求項5の記録方法により製造された
記録化記録媒体に光線を照射し、当該固溶体を形成した
部分から発生する第二高調波を検出することを特徴とす
る読み取り方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2409867A JPH04214387A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 記録媒体及び記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2409867A JPH04214387A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 記録媒体及び記録方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04214387A true JPH04214387A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18519136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2409867A Pending JPH04214387A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 記録媒体及び記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04214387A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6800659B2 (en) | 2000-04-13 | 2004-10-05 | Hsc Research And Development Limited Partnership | Compounds for modulating cell proliferation |
US7598419B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-10-06 | Hsc Research And Development Limited Partnership | Compounds for modulating cell proliferation |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP2409867A patent/JPH04214387A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6800659B2 (en) | 2000-04-13 | 2004-10-05 | Hsc Research And Development Limited Partnership | Compounds for modulating cell proliferation |
US7012095B2 (en) | 2000-04-13 | 2006-03-14 | Hsc Research And Development Limited | Compounds for modulating cell proliferation |
US7598419B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-10-06 | Hsc Research And Development Limited Partnership | Compounds for modulating cell proliferation |
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