JPH04212458A - センサマトリックス - Google Patents

センサマトリックス

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JPH04212458A
JPH04212458A JP3007045A JP704591A JPH04212458A JP H04212458 A JPH04212458 A JP H04212458A JP 3007045 A JP3007045 A JP 3007045A JP 704591 A JP704591 A JP 704591A JP H04212458 A JPH04212458 A JP H04212458A
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ヘルフリード　ヴィーゾレック
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Koninklijke Philips Electronics NV
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    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２つの電極とその間に
設けられる半導体層とからなる光感知及び／又はＸ線感
知薄膜センサとからなるセンサマトリックスに係る。
【０００２】
【従来の技術】欧州公開特許明細書第０３３７８２６号
は、センサの第１の電極が第１の方向、例えば行方向に
相当接続され、第２の電極が第１の方向に関して９０°
の角度で延在する方向、例えば列方向に相互接続される
センサマトリックスを示す。２つの電極間に、複数の積
層半導体層が設けられる。このセンサマトリックスのＸ
線感知は、発光層が外部電極上に設けられることで達成
され、その発光層はＸ線が入射する時光を放射し、該光
は半導体層に所望の反応を生ずる。従って、Ｘ線は発光
層により間接的に測定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は出来る
だけ単純な構成を有する前記の種類のセンサマトリック
スを提供することである。
【０００４】本目的は、センサが第１の電極として設け
られた別々の電極を設けられ、半導体層がセンサに共通
であり、第１の電極を覆う連続層として形成され、第２
の電極が少なくともセンサ群用に、関連群のセンサの第
１の電極の領域で半導体層を覆い、関連群のセンサに対
し第２の電極として作用する連続層として形成される本
発明により達成される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】従って、実際、各センサ
素子は、全ての別なセンサ素子の第１の電極から機械的
に、電気的に分離され、関連センサ素子に対してのみ動
作する第１の電極とからなる。従って、マトリックスの
各センサに対して第１の電極として各別々の電極が設け
られ、全ての第１の電極は隣って配置される。センサの
これらの第１の電極は、全てのセンサに対し連続である
よう構成され、従って、中断されないか、さもなければ
サブ分割されない半導体層により覆われる。センサの第
２の電極は又少なくともセンサの群に対し同時にアクテ
ィブである連続層により形成される。例えば、共通の第
２電極は一群の１０のセンサに対し設けられてもよい。 この電極は１０のセンサに対して一体である。極端な場
合に、この第２の電極はマトリックスの全てのセンサに
対し単一共通電極として構成されてもよい。
【０００６】上記の装置は実質的に簡単な製造の利点を
提供する。半導体層及び第２の電極は構成される必要の
ない各層として構成される。個々のセンサに対して、単
に第１の電極及び各センサ用のスイッチング素子が別々
に設けられる必要があるだけである本発明の実施例では
、連続層として構成される第２の電極は、マトリックス
の全てのセンサの第１の電極の領域で半導体層を覆い、
マトリックスの全てのセンサ用の共通の第２電極として
作用する。
【０００７】上記の製造の簡略化は、センサに機能的欠
点を生じることなく本実施例で最も明らかにされる。
【０００８】本発明の更なる実施例では、センサ用に対
しＸ線感知を達成する為、全てのセンサに共通な半導体
層は、層自体がＸ線の適切量を吸収し、追加発光層が設
けられないほど厚く構成される。
【０００９】上記の簡単な構成は又センサがＸ線に対し
て感知するセンサマトリックス用に実現され、半導体層
は層自体が所望の範囲までＸ線を吸収し、従って初期化
する、例えば電荷シフトが測定されるよう十分に厚く構
成される。その場合に、追加発光層は必要ではない。
【００１０】半導体層の所望のＸ線感知は、略０．５ｍ
ｍの厚さで設けられる適切にドープされたセレンにより
本発明の更なる実施例により実現されうる。
【００１１】
【実施例】本発明による実施例を図面を参照して以下に
詳細に説明する。
【００１２】共通半導体層及び共通第２の電極がマトリ
ックスの全てのセンサ素子に対して設けられる図１に示
すセンサマトリックスの回路図はマトリックスの行及び
列に配置されるセンサ１を示す。マトリックスの個々の
センサ１は同一構成を有する。各センサ１は、関連セン
サ１の領域でのみ設けられ、隣るセンサ１の第１の電極
２から機械的及び電気的に分離された第１の電極２とか
らなる。それぞれの第１の電極２は関連センサ１内の記
憶容量３の第１の電極に接続され、他の電極は接地に接
続される。第１の電極２及び記憶容量３間の接続部は電
界効果トランジスタ４のソース端子に接続される。
【００１３】例えば、２０００×２０００のかかるセン
サがセンサマトリックス内に設けられてもよい。しかし
、明瞭化の為、図１は行及び列当り３つのセンサのみを
示す。
【００１４】図１に概略的に示す如く、マトリックスの
全てのセンサは、マトリックスの全てのセンサ素子１の
少なくとも全ての第１の電極２を覆う半導体層５により
覆われる。
【００１５】半導体層５自体は、第２の電極として役立
ち、マトリックスの全てのセンサ１に対し作用する導電
層６により覆われる。第２の電極６は直流電源７に接続
され、その他極は接地に接続される。
【００１６】図１に示されるセンサマトリックスは、薄
膜技術を用いて製造される。この技術は、２つの電極及
び半導体層用にのみ用いられるばかりでなく、記憶容量
３及び電界効果トランジスタ４用にも用いられる。
【００１７】マトリックスの全てのセンサ用の共通の第
２の電極６は直流電源７によりバイアスされる。光又は
Ｘ線が半導体層５上に入射される時、照射は導電率が変
化される半導体層で吸収される。従って、センサ１の記
憶容量３を電気的に充電されるようにする電荷シフトが
起こる。各個々のセンサの充電の度合は、所定時間間隔
中の関連センサの第１の電極２及び対電極６間の領域で
半導体層５上に入射する照射の量に依る。
【００１８】記憶容量３に蓄積された電荷は入射，照射
を決める為に読出されうる。この為に、センサの各行に
対し、各スイッチングライン８が設けられ、そのライン
は関連行のセンサの電界効果トランジスタのゲート端子
に接続され、制御回路９により制御されうる。例えば、
制御回路９は第１の行のスイッチングライン８を活性化
し、これによりこの行のセンサの全ての電界効果トラン
ジスタ４がターンオンされる。次にこの行のセンサに蓄
積された電荷は、各センサ列に設けられ、関連列のセン
サの電界効果トランジスタのドレーン端子に接続される
読出ライン１０を介して読出される。従って、読出し動
作は関連行の全てのセンサに対して同時に行なわれる。 増幅器１１でのその結果の信号の増幅の後、増幅された
信号はセンサ列の並列的に届くデータから連続出力信号
を形成するマルチプレックス回路１２に印加される。
【００１９】電気的スイッチング原理を適宜明瞭にする
為、図１は分割形の共通の第２電極６と同様に半導体層
５を示す。しかし、実際、層及び共通の第２電極の両方
は分割されず、マトリックスの全てのセンサ１の全ての
第１電極２を覆う。
【００２０】この事実は本発明によるマトリックスの一
部の平面図である図２に更に明瞭に示される。マトリッ
クスは共通の第２の電極６の平面図で示される。対向電
極６及び共通の半導体層５はマトリックスのセンサの全
ての第１電極２を覆い、そのうち９つのみが図２の例で
示される。その下に位置したセンサの素子の表示を可能
にする為、図２において、第２の電極６及び半導体層５
は映像で準透明法で示される。
【００２１】半導体層５の面の下において、第１の電極
２は図２の各センサに対して区別され、その電極は比較
的に大きい面領域を占める。記憶容量３は明瞭化の為図
２で省略した。従って、センサの第１の電極２は図２の
電界効果トランジスタ４のソース端子に直接に接続され
る。電界効果トランジスタ４のゲート端子は各スイッチ
ングライン８に接続され、電界効果トランジスタのドレ
ーン端子は各読出ライン１０に接続される。
【００２２】図２に示す装置は薄膜技術を用いて構成さ
れる。この技術は各センサに対し別々に設けられる電界
効果トランジスタ４及び第１の電極２に対すると同様に
センサの全ての素子に対し用いられる。センサの全ての
第１の電極を覆う半導体層及びマトリックスの全てのセ
ンサに対する共通の第２電極として役立つ導電層６は薄
膜技術で構成される。
【００２３】図２は、マトリックスの構成が共通層５及
び６の為比較的に単純であり、各個々のセンサに対して
、別な第１の電極２及び電界効果トランジスタ４を設け
るのが単に必要であることを示す。この単純な構成によ
り、かかるマトリックスは単純に安価に製造されうる。
【００２４】第２の電極６は、実質的に製造工程をより
複雑にしないで雑に分割される。即ち共通連続層は一群
のセンサだけに対し設けられうる。例えば、一群の１０
０×１００センサに対し、共通対向電極６が設けられて
もよい。同じことが各共通の第２電極６からなる更なる
一群のセンサに対してあてはまる。そのような一群のセ
ンサは、例えば列又は行の全てのセンサにより形成され
うる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マトリックスの全てのセンサに共通である第２
の電極とからなるセンサマトリックスの一部の回路図で
ある。
【図２】全てのセンサに対する共通の第２電極からなる
マトリックスの一部の平面図である。
【符号の説明】
１　　センサ ２　　第１の電極 ３　　記憶容量 ４　　電界効果トランジスタ ５　　半導体層 ６　　導電性層 ７　　直流電圧源 ８　　スイッチングライン ９　　制御回路 １０　　読取ライン １１　　増幅器 １２　　マルチプレクサ回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　２つの電極（２，６）とその間に設け
    られた半導体層（５）とからなる光感知及び／又はＸ線
    感知薄膜センサ（１）からなり、センサ（１）は、第１
    の電極（２）としての別々の電極を設けられ、半導体層
    （５）はセンサ（１）に共通であり、第１の電極（２）
    を覆う連続層として形成され、第２の電極（６）は、少
    なくともセンサ（１）の群用に関連群のセンサ（１）の
    第１の電極（２）の領域で半導体層（５）を覆い、関連
    群のセンサに対し第２の電極として作用する連続層（６
    ）として形成されることを特徴とするセンサマトリック
    ス。
  2. 【請求項２】　　連続層として構成される第２の電極は
    、マトリックスのセンサ（１）の第１の電極（２）の領
    域で半導体層（５）を覆い、マトリックスのセンサ（１
    ）に対し共通の第２電極（６）として作用することを特
    徴とする請求項１のセンサマトリックス。
  3. 【請求項３】　　センサに対しＸ線感知を達成する為、
    全てのセンサ（１）に共通な半導体層は、層自体がＸ線
    の適切量を吸収し、追加発光層が設けられないほど厚く
    構成されることを特徴とする請求項１又は２のセンサマ
    トリックス。
  4. 【請求項４】　　適切にドープされたセレンが半導体材
    （５）として用いられ、半導体層は略０．５ｍｍの厚さ
    を有することを特徴とする請求項３のセンサマトリック
    ス。
JP00704591A 1990-01-27 1991-01-24 センサマトリックス Expired - Lifetime JP3313375B2 (ja)

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