JPH04206759A - 半導体装置およびそのパッケージ材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、耐湿性に優れた半導体装置およびパッケージ
材料に関する。 〔従来の技術〕 一般に半導体装置では、水分または外部衝撃等により、
半導体素子の回路機能が損われたり、品質の低下、信頼
性の低下を招かないようにするため、半導体素子、リー
ドフレームおよびこれらを接続するボンディングワイヤ
を中空箱型のケーシングに収容し、このケーシングの開
口部にリッド（蓋）を接合する気密封止型のパッケージ
が用いられはじめている。 従来、このようなパッケージの素材としてはエポキシ樹
脂またはシリコーン樹脂などが使用されている。しかし
従来使用されているエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂
は耐湿性が十分ではなく、このような樹脂を用いた半導
体装置では水分が侵入して半導体素子の性能が低下する
という問題点がある。 特にＣＯＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖ
ｉｃｅ）、Ｍｏｓ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅ　　Ｓｅ厘ｆ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、　ＣＰＤ　　（Ｃｈａｒｇｅ　
　ＰｒｉｍｍｉｎｇＤｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子、
およびＥＦＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ　ａｎｄ　Ｐｒｏ
ｇｒａｍ＋ｍａｂｌｅ／Ｒｅａｄ　０ｎｌｙ阿ｅｍｏｒ
ｙ）等の光による書込、消去可能なメモリーなど、光学
特性を有する半導体素子を用いた半導体装置では、半導
体素子、リードフレーム、ボンディングワイヤを収容す
るケーシングの開口部に透明なリッドを封着してパッケ
ージが形成されているが、パッケージの耐湿性が十分で
ないと透光部のリッドに曇りを生じ、光学特性が阻害さ
れる。 （発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、上記問題点を解決するため、耐湿性に
優れた半導体装置、特に水分の侵入により透光部のリッ
ドに曇りを生じない半導体装置。 およびこのような半導体装置に利用される半導体装置用
パッケージ材料を提供することである。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は次の半導体装置およびそのパッケージ材料であ
る。 （１）半導体素子、リードフレーム、ボンディングワイ
ヤおよびこれらを封止する気密封止型のパッケージを備
えた半導体装置において、前記気密封止型のパッケージ
が下記一般式（１３〜〔８〕で表わされる１種または２
種以上の含フッ素エポキシ樹脂の硬化物からなることを
特徴とする半導体装置。 （式中、Ｒ１はフッ素原子を有するアルキル基を示し、
ｎはＯまたは正数である。） （式中、ｍは１〜１０の数である。） （式中　８２はフッ素原子を有するアルキル基を示す。 ） （式中、ｊは１〜４０、ｋは１〜８、ΩはＯ〜７で、か
つ２＜ｋ十Ωく８である。Ａは−ＣＨ，−ＣＨ−ＣＨ，
、ゝ。′ Ｒ３およびＲ４は水素原子、塩素原子、臭素原子、低級
アルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す、） （式中、ｐは１〜４０．ｑは２〜２００、ｒは０〜２０
０である。Ｂは−Ｃ）１．−ＣＨ−ＣＨ，、Ｒ’および
Ｒ６は水素源ゝ。′ 子、塩素原子、臭素原子、低級アルキル基またはパーフ
ルオロアルキル基を示す。） （２）気密封止型のパッケージがケーシングと、このケ
ーシングの開口部に接合されて封止空間を形成するリッ
ドと、前記ケーシングおよびリッド間に形成された接着
剤層とを有するものである上記（１）記載の半導体装置
。 （３）前記一般式〔１〕〜〔８〕で表わされる１種また
は２種以上の含フッ素エポキシ樹脂の硬化物からなるこ
とを特徴とする半導体装置用パッケージ材料。 本発明の半導体装置は、前記一般式（１）〜〔８〕で表
わされる１種または２種以上の含フッ素エポキシ樹脂（
以下、単に含フッ素エポキシ樹脂という）を硬化させた
硬化物からなるパッケージにより、半導体素子、リード
フレームおよびボンディングワイヤを気密封止したもの
である。 本発明の半導体装置においては、半導体素子等を収容す
る中空箱型のケーシングと、このケーシングの開口部に
接合されて封止空間を形成するリッドと、前記ケーシン
グとリッド間に形成された接着剤層とからなるパッケー
ジのうち、ケーシング、リッドおよび接着剤層のすべて
を含フッ素エポキシ樹脂の硬化物により形成することが
できるが、これらのうちいずれかがセラミックス、ガラ
ス等の他の耐湿性の高い素材からなる場合は、残りのも
のを含フッ素エポキシ樹脂の硬化物により形成すること
ができる。 特にケーシングに含フッ素エポキシ樹脂の硬化物からな
る成形品を用いた場合は、軽量で加工性に優れた樹脂材
料により、耐湿性に優れた半導体装置が得られるので好
ましい、この場合、リッドも含フッ素エポキシ樹脂の硬
化物からなるものが好ましいが、その他のプラスチック
ス、ガラス。 金属など、任意の素材からなるものを使用してもよい。 また接着剤層を形成する接着剤も含フッ素エポキシ樹脂
からなる接着剤が好ましいが、この他に、ケーシングと
リッドとを気密封止状に接着する接着剤１例えばエポキ
シ系、アクリル系、フェノール系、ウレタン系、シリコ
ーン系、ゴム系の樹脂またはホットメルト系の樹脂接着
剤などが使用できる。 本発明の半導体装置用パッケージ材料は、含フッ素エポ
キシ樹脂の硬化物からなるケーシング、リッドまたは接
着剤層を別々に、あるいはこのようなケーシングもしく
はリッドに接着剤層を形成する接着剤を塗布した状態で
、パッケージの形成に供することができる。 本発明において用いられる含フッ素エポキシ樹脂は、耐
水性、耐湿性、接着性等に優れているので、このような
樹脂を用いることにより、耐湿性に優れた半導体装置が
得られる。 特に半導体装置がＣＣＤ、　ＭＯＳ、　ＣＰＤ等の固体
撮像素子、およびＥＦＲＯＭ等の光による書込、消去可
能なメモリーなど、光学特性を有する半導体素子を用い
た気密封止型の半導体装置である場合２封止空間への水
分の侵入が防止され、このため透光部のリッドに曇りが
生じないので、電気特性はもちろん光学特性も高く維持
される。 前記一般式〔１〕で表わされる含フッ素エポキシ樹脂は
、下記一般式

〔９〕 （’Ｌ （式中、Ｒ１は前記一般式〔１〕と同じである６）で表
わされる含フッ素ビスフェノールとエピクロルヒドリン
とを反応させることによって、容易に製造することがで
きる。この反応は、ビスフェノールＡとエピクロルヒド
リンとを反応させてエポキシ樹脂を製造する従来の方法
と同様にして行うことができる。 上記含フッ素ビスフェノールは、下記一般式〔１０〕 Ｒ１−Ｃ〇−ＣＨ，・・・〔１０〕 （式中、Ｒ１は前記一般式〔１〕と同じである。）で表
わされる含フッ素ケトンを、例えば塩化水素のような酸
の存在下にフェノールと反応させ、縮合させることによ
って得ることができる。 上記含フッ素ケトンは、例えば下記一般式〔１１〕Ｒ１
−Ｃ０ＯＨ・・・〔１１〕 （式中、Ｒ１は前記一般式〔１〕と同じである。）で表
わされる含フッ素カルボン酸または下記一般式〔１２〕 Ｒ１−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　・・・〔１
２〕（式中、Ｒ１は前記一般式〔１〕と同じである。）
で表わされる含フッ素ニトリルにヨウ化メチルマグネシ
ウムのようなグリニヤ試薬を反応させる方法、フン化ア
セチルと含フッ素オレフィンの付加反応、含フッ素オレ
フィンへのアルデヒドのラジカル付加等の方法によって
得ることができる。 前記含フッ素ビスフェノールとしては、例えば１．１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−トリフルオロメ
チルエタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−ペンタフルオロエチルエタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１−（１，１，２，２−テト
ラフルオロエチル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−ヘプタフルオロプロピルエタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（２−
トリフルオロメチルエチル）エタン、１．１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１−（２Ｎ−パーフルオロプ
ロピル）エタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−（３−トリフルオロメチルプロピル）エタン
、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−パー
フルオロヘプチルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）　−１−（２Ｈ−パーフルオロヘプチル）
エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−パーフルオロオクチルエタン、１．１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−１−（２Ｈ，８Ｈ−パーフルオロ
オクチル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−パーフルオロノニルエタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−（１０Ｈ−パーフル
オロデシル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−（１１Ｈ−パーフルオロウンデシル）エ
タンなどをあげることができる。 前記一般式〔１〕で表わされる含フッ素エポキシ樹脂に
おいて、Ｒ１は好ましくは炭素数２〜２ｏのフッ素置換
アルキル基であり、特に好ましくは炭素数２〜１０のフ
ッ素置換アルキル基である。このようなフッ素置換アル
キル基において、フッ素原子の数は、通常３〜４１の範
囲にあるが、好ましくは５〜２１の範囲にある。また、
ｎは好ましくは０または１である。 含フッ素エポキシ樹脂を硬化させて硬化物とする場合１
通常硬化剤を使用する。このような硬化剤としては、例
えば未変性脂肪族ポリアミン、変性脂肪族ポリアミン、
未変性芳香族ポリアミン。 変性芳香族ポリアミン、未変性脂環式ポリアミン、変性
脂環式ポリアミン、未変性ポリアミノアミド、変性ポリ
アミノアミド、配合されたアミン硬化剤。 第三級アミン、アミン誘導体とホルムアルデヒド（ユリ
アホルムアルデヒド、メラミンホルムアルデヒド等）の
縮合ポリマー、アミン錯体、未変性脂肪族酸および酸無
水物、未変性脂環式酸および酸無水物、未変性芳香族酸
および酸無水物、変性酸および酸無水物、ハロゲン化酸
無水物および酸、ジシアンジアミドおよび誘導体、ハロ
ゲン化ホウ素錯化合物、有機金属錯化合物、ポリチオー
ル、フェノールホルムアルデヒドの縮合ポリマー、フェ
ノール類および誘導体、水酸基を含むその他の化合物、
イソシアネート、ポリイソシアネート、ブロックイソシ
アネート、ケチミン、酸ジヒドラジドならびにイミダゾ
ールおよび誘導体などをあげることができる。 このような硬化剤の具体的なものとしては、ジエチレン
トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレン
ペンタミン、ジエチルアミノプロピルアミン等の未変性
脂肪族ポリアミンおよびこれらの変性物である変性脂肪
族ポリアミン；−キシレンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、閣−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニ
ルスルホン等の未変性芳香族ポリアミンおよびこれらの
変作物である変性芳香族ポリアミン；メンセンジアミン
、イソホロンジアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、
３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１
０−テトラオキシスピロ（５，５）ウンデカンアダクト
、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタ
ン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン等の未変
性脂環式ポリアミンおよびこれらの変性物である変性脂
環式ポリアミン；無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタ
ル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ
無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、メチ
ルナジック酸無水物、ドデシルコハク酸無水物、クロレ
ンド酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノン
テトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビス（ア
ンヒドロトリメート）、　メチルシクロヘキセンテトラ
カルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ポリアゼラ
イン酸無水物等の酸無水物；ポリメルカプタン、ポリサ
ルファイド等のポリメルカプタン；レゾール型のフェノ
ール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビ
スフェノール類；ヒドロキノン、ピロガロール、プロロ
グルシン等のヒドロキシベンゼン誘導体；　１，１．３
−　）−リス（２−メチル−４−グリシドキシ−５−ｔ
−ブチルフェニル）ブタン、ｌ−［α−メチル−α−（
４′−グリシドキシフェニル）エチル］−４−［α′、
α′−ビス（４′−グリシドキシフェニル）エチルコベ
ンゼン等のグリシドキシフェニル基を有する化合物；フ
ェノールノボラック樹脂、フェニルノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、オクチルフェニルノボラック
樹脂等のノボラック樹脂；　ＢＦ、などがあげられる。 これらの硬化剤は１種単独で、または２種以上を組合せ
て使用することができる。 また含フッ素エポキシ樹脂を硬化させて硬化物とする場
合、硬化剤の他にも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
等の従来のエポキシ樹脂、あるいは従来のエポキシ樹脂
に使用されている触媒、硬化促進剤、溶剤、添加剤など
を本発明の目的を損なわない範囲で使用することができ
る。 前記触媒としては、例えば２−メチルイミダゾール、２
−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４．６−トリ
ス（ジメチルアミノメチル）フェノール、モノエチルア
ミン錯体などの公知のエポキシ樹脂硬化触媒をあげるこ
とができる。 これらの触媒は１種単独で、または２種以上を組合せて
使用することができる。 前記溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；トルエン、
キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素；ジメチルホ
ルアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド；エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル等のエーテル；エチレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル等のエステル；メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコールなど
をあげることができる。 これらの溶剤は１種単独で、または２種以上を組合せて
使用することができる。 前記添加剤としては、例えばシリカ、アルミナ、タルク
、クレー、酸化亜鉛、酸化チタン、ガラス繊維等の無機
質充填剤：酸化アンチモン、ハロゲン化物、リン化物等
の難燃化剤；離型剤、顔料、着色剤、難燃剤、シランカ
ップリング剤等の充填剤；表面処理剤などをあげること
ができる。 含フッ素エポキシ樹脂に硬化剤その他の成分を混合した
含フッ素樹脂組成物は、長時間がければ常温、常圧でも
硬化するが、加熱下で硬化させるのが好ましい。 前記含フッ素樹脂組成物からケーシング、リッド等の半
導体装置用パッケージ材料を成形するには、含フッ素樹
脂組成物を加熱ロール等により溶融混練し、混線物を冷
却粉砕した粉砕物を熱プレス成形等により成形する方法
、あるいは溶剤に溶解して注型成形等により成形する方
法、その他の方法により成形することができる。 接着剤として使用する場合は、ケーシング、リッド等に
塗布した後、乾燥して部分硬化物として用いることもで
きる。 〔作　用〕 本発明の半導体装置は、耐水性、耐湿性および接着性等
に優れた含フッ素エポキシ樹脂からなるパッケージによ
り、半導体素子等が封止されているので、半導体装置へ
の水分の侵入が防止される。 従って、回路機能等が損われることはなく、電気特性が
高く維持される。特に前記のような光学特性を有する半
導体素子を用いた気密封止型の半導体装置においては、
透光部のリッドに曇りが生じないので、光学特性も高く
維持される。 〔実施例〕 次に本発明を図面の実施例について説明する。 第１図は実施例の気密封止型の半導体装置を示す断面図
である。 第１図において、半導体装Ｉｌｌは、中空箱型のケーシ
ング２内に形成されたダイパッド３に、半導体素子（Ｉ
Ｃチップ）４が固着され、ボンディングワイヤ５により
リード６に接続されている。ケーシング２の開口部はリ
ッド（蓋）７が接着剤層８により接着（封着）され、気
密封止されてパッケージ９が形成されている。 この場合ケーシング２およびリッド７として。 含フッ素エポキシ樹脂の硬化物からなる成形品が使用さ
れている。 ケーシング２およびリッド７として、含フッ素エポキシ
樹脂の硬化物からなる成形品を使用した場合、封止空間
１０への水分の侵入が防止されるため、半導体素子４の
回路機能が損われることはない。またＣＣＤ、　ＭＯＳ
、　ＣＰＤ等の固体撮像素子、およびＥＦＲＯＭ等の光
による書込、消去可能なメモリーなど、光学特性を有す
る半導体素子４を用いた半導体装置１の場合には、透光
部のリッド７に曇りが生じないため、光学特性が阻害さ
れない。 製造例１ 温度計を備えた３００ｔＱ容量の４つロフラスコに１゜
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（２Ｈ，８
Ｈ−パーフルオロオクチル）エタン４９．８ｇ（８３，
５ｍｍｏＱ）、エピクロルヒドリン７７．３ｇ（含フッ
素ビスフェノールの１０倍モル量）、水２．７　ｇ　（
エピクロルヒドリンの３．５重量％）およびテトラメチ
ルアンモニウムクロライド４４＋ｎｇ（含フッ素ビスフ
ェノールの０．４８モル％）を仕込み、攪拌しながら７
０℃の温度で３時間反応させた。 次いで、同じ温度で４８％水酸化ナトリウム水溶液１４
．３ｇ（含フッ素ビスフェノールの２．０５倍モル量）
を２時間かけて加えた。この間、反応系内の水分濃度が
一定（約２重量％）となるように、減圧下にエピクロル
ヒドリンと水との共沸を利用して水を系外に除去し、エ
ピクロルヒドリンは反応系に戻した。水酸化ナトリウム
水溶液の添加終了後、さらに３０分間攪拌を続けた。 反応終了後、反応混合物の温度を１２０℃に上げ、減圧
下に未反応のエピクロルヒドリンを留去した。 次いで、反応混合物にメチルイソブチルケトン７３ｇお
よび水３５ｇを加え、９０℃で十分に攪拌した後、下層
の水相を分離除去した。 得られた油相に４８％水酸化ナトリウム水溶液０．４５
　ｇを加え、２時間反応させた後、１５％リン酸二水素
ナトリウム水溶液３０■Ｑで中和し、水相を静置分離し
た後、油相を共沸脱水し、Ｇ４ガラスフィルターにて不
溶物を濾別した。 得られた濾液から減圧下にメチルイソブチルケトンを留
去して、含フッ素エポキシ樹脂５１．１　ｇを得た（以
下、含フッ素エポキシ樹脂〔１〕という）。 質量分析、プロトンＮＭＲスペクトルおよび試料を燃焼
させてフッ素をＦ−とじて検出した結果から、上記で得
た含フッ素エポキシ樹脂〔１〕は、前記−般式〔１〕に
おいてｎ　＝Ｏ１Ｒ１＝−ＣＦ２−ＣＦ）Ｉ−（ＣＦ２
）、　Ｈの含フッ素エポキシ樹脂であることを確認した
。 実施例１〜４．比較例１ 多官能エポキシ化合物として、オルトクレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０２Ｓ（日立化成社製
、エポキシ当量２１１、軟化点６６．４℃、商品名）１
００重量部に対して、表１に示す組成で、製造例１で得
た含フッ素エポキシ樹脂〔１〕、ノボラック型フェノー
ル樹脂ＨＰ６０７Ｎ　（日立化成社製、軟化点７８〜８
２℃、商品名）、Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミドジフェニル
メタン（ＤＤＭビスマレイミド）または２，２−ビス−
（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパ
ンを所定量配合し、これらの配合物に、硬化促進剤とし
て、トリフェニルホスフィン２．０重量部、カツブリン
グ剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３　（信越化学
社製、商品名）２．０重量部と、アシレート型チタネー
ト系化合物０．８重量部、離型剤としてステアリン酸カ
ルシウム１．０重量部とへキストワックスＥ（ヘキスト
ジャパン社製、商品名）１．０重量部、難燃剤として付
加型イミドコート赤リン５重量部、充填材として平均粒
径Ｌ４の球状アルミナ５０重量パーセント（配合組成物
全体に対して）と、１０〜４４趨の粒径の溶融石英ガラ
ス粉３０重量パーセント（配合組成物全体に対して）、
着色剤としてカーボンブラック（キャボット社製）２．
０重量部を。 それぞれに添加し、５種類の組成物を調製した。 次いで、上記組成物を７５〜８５℃に加熱した直径８イ
ンチの２本ロールで約８分間加熱混練した後、冷却し、
粗粉砕して、半導体封止成形用組成物を得た。 この組成物を用いて、トランスファ成形機を用いて１８
０℃、７０ｋｇｆ／ｃ園２．２分間の条件で成形を行い
、箱型中空樹脂成形体を得た。 この成形体にＣＣＤチップを搭載した後、ワイヤボンデ
ィングを行い１箱型成形体の凹部全体を、ガラス製のリ
ッドおよびエポキシ系接着剤を用いて密閉し、固体撮像
素子を得た。 得られた素子を高温高温（８５℃、８５ＲＨ％）下に所
定時間投入した後、取出して素子が電気的に正常に動作
するかどうかを試験した。結果を表１に示す。 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明によれば、特定の含フッ素エポキシ
樹脂の硬化物からなるパッケージにより半導体素子等を
封止するようにしたので、耐湿性に優れた半導体装置、
特に水分の侵入により透光部のリッドに曇りを生じない
半導体装置が得られる。またこのような半導体装置用の
パッケージ材料が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例の気密封止型の半導体装置を示す断面図
である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し。 １は半導体装置、２はケーシング、３はダイパッド、４
は半導体素子、５はボンディングワイヤ、６はリード、
７はリッド、８は接着剤層、９はパッケージ、１０は封
止空間である。 代理人　弁理士　柳　原　　　成

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体素子、リードフレーム、ボンディングワイ
   ヤおよびこれらを封止する気密封止型のパッケージを備
   えた半導体装置において、前記気密封止型のパッケージ
   が下記一般式〔１〕〜〔８〕で表わされる１種または２
   種以上の含フッ素エポキシ樹脂の硬化物からなることを
   特徴とする半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔１〕 （式中、Ｒ＾１はフッ素原子を有するアルキル基を示し
   、ｎは０または正数である。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔２〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔３〕 （式中、ｍは１〜１０の数である。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔４〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔５〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔６〕 （式中、Ｒ＾２はフッ素原子を有するアルキル基を示す
   。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔７〕 （式中、ｊは１〜４０、ｋは１〜８、ｌは０〜７で、か
   つ２＜ｋ＋ｌ＜８である。Ａは▲数式、化学式、表等が
   あります▼、 Ｒ＾３およびＲ＾４は水素原子、塩素原子、臭素原子、
   低級アルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す。 ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔８〕 （式中、ｐは１〜４０、ｑは２〜２００、ｒは０〜２０
   ０である。Ｂは▲数式、化学式、表等があります▼、Ｒ
   ＾５およびＲ＾６は水素原子、塩素原子、臭素原子、低
   級アルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す。）
2. （２）気密封止型のパッケージがケーシングと、このケ
   ーシングの開口部に接合されて封止空間を形成するリッ
   ドと、前記ケーシングおよびリッド間に形成された接着
   剤層とを有するものである請求項（１）記載の半導体装
   置。
3. （３）下記一般式〔１〕〜〔８〕で表わされる１種また
   は２種以上の含フッ素エポキシ樹脂の硬化物からなるこ
   とを特徴とする半導体装置用パッケージ材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔１〕 （式中、Ｒ＾１はフッ素原子を有するアルキル基を示し
   、ｎは０または正数である。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔２〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔３〕 （式中、ｍは１〜１０の数である。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔４〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔５〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔６〕 （式中、Ｒ＾２はフッ素原子を有するアルキル基を示す
   。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔７〕 （式中、ｊは１〜４０、ｋは１〜８、ｌは０〜７で、か
   つ２＜ｋ＋ｌ＜８である。Ａは▲数式、化学式、表等が
   あります▼、 Ｒ＾３およびＲ＾４は水素原子、塩素原子、臭素原子、
   低級アルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す。 ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔８〕 （式中、ｐは１〜４０、ｑは２〜２００、ｒは０〜２０
   ０である。Ｂは▲数式、化学式、表等があります▼、Ｒ
   ＾５およびＲ＾６は水素原子、塩素原子、臭素原子、低
   級アルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す。）