JPH04187411A - 樹脂封止方法 - Google Patents

樹脂封止方法

Info

Publication number
JPH04187411A
JPH04187411A JP31678690A JP31678690A JPH04187411A JP H04187411 A JPH04187411 A JP H04187411A JP 31678690 A JP31678690 A JP 31678690A JP 31678690 A JP31678690 A JP 31678690A JP H04187411 A JPH04187411 A JP H04187411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tablet
resin
mold
plunger
lower mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP31678690A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2996718B2 (ja
Inventor
Fumihito Takahashi
高橋 文仁
Yuichi Asano
祐一 浅野
Hitoshi Kobayashi
均 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
Original Assignee
Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Miyagi Electronics Ltd filed Critical Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
Priority to JP31678690A priority Critical patent/JP2996718B2/ja
Publication of JPH04187411A publication Critical patent/JPH04187411A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2996718B2 publication Critical patent/JP2996718B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 樹脂封止方法、とくに、半導体装置の樹脂モールド方法
に関し。
半導体装置をモールドする樹脂中のボイドを低減するこ
とを目的とし。
樹脂封止装置の下型上に樹脂タブレットを載置し、一方
、上型のポット内におけるプランジャを。
その下面か上型の下面に対して樹脂タブレットの高さ分
だけ上方に位置するように制御したののちに下型と上型
とを結合してタブレットをポット内に嵌挿させ2次いで
タブレットをプランジャにより押圧する諸工程を含むよ
うに構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止方法、とくに、半導体装置の樹脂モ
ールド方法に関する。
半導体装置の樹脂封止工程のスルーブツトを高めるため
に、モールド用金型が大型化し、1シヨツト(−回の樹
脂封止工程)当たりのモールド個数を増加する傾向にあ
る。
〔従来の技術〕
現在の半導体装置の樹脂封止の主流となっているトラン
スファモールド法用の金型の概要を第3図および第4図
を参照して説明する。
第3図は金型を構成する上型3と下型4とか分離された
状態を示す斜視図、第4図は第3図におけるキャビティ
ブロック1の部分拡大斜視図である。第4図に示すよう
に、半導体装置チップ11か接続されたリードフレーム
lOを下型4上に載置する。この際、キャビティブロッ
クlに設けられているキャビティIA内に半導体装置チ
ップllか位置するようにされる。そして、上型3と下
型4とを重ね合わせ、油圧もしくはモータにより所定の
圧力を加えて締め付ける。なお、第3図において符号3
1および41は、上型3および下型4を結合するときの
位置合わせ用のガイド、符号81は、ポット5からラン
ナ8に樹脂を流し込むためのカルである。
次いで、樹脂粉末を成形したタブレット(図示省略)を
、上型3に設けられたポット5内に挿入し、このタブレ
ットを70〜80°Cに加熱して流動性を付与したのち
9図示しないプランジャにより押圧する。これにより樹
脂は、下型4面に設けられているランナ8およびランナ
8から分岐したゲート9を通じて、キャビティIA内に
流入する。上型3と下型4間には、リードフレームIO
の厚さにほぼ等しい隙間があるので、各々のキャヒティ
IA内の空気は、樹脂の流入とともに、この隙間から外
部に押し出される。キャビティIA内に流入した樹脂が
硬化したのち、上型3と下型4を分離してリードフレー
ム10を取り出す。このようにして、樹脂封止された個
々の半導体装置チップ11は、リードフレームIOのフ
レームから切断分離される。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、前述のように大型化した金型によれば、1シ
ヨツトで数10ないし100個の半導体チップが樹脂封
止される。したがって、これに要する樹脂量、すなわち
、前記樹脂タブレットの大きさは9例えば直径か60m
m、高さが40〜60mm(20〜30mmのものを2
段重ね)程度に達する。このことは。
ポット5の容積が大きく、ポット5内に装填された樹脂
タブレット上の空間か大きいことを意味する。
すなわち、第5図(a)に示すように、従来のトランス
ファモールド方式の樹脂封止方法においては。
上型3と下型4とを結合してから、ポット5内に樹脂タ
ブレット6を装填するため、このときにプランジャ7が
ポット5外に出ている。したがって。
ポット5内にプランジャ7を差し込んで抑圧を始めたと
きに、タブレット6上に残っている空気量が大きい。な
お、同図において、符号20は、下型4を押上て上型3
と結合するための昇降機構である。
このため、第5図(b)に示すように、上記残留空気が
、プランジャ7の押下により流動する樹脂6Aに巻き込
まれて前記キャビティIA (第3図および第4図参照
)に達する量か大きくなる。その結果。
半導体装置チップ11をモールドする樹脂中にボイドが
発生しやすくなる問題かあった。このような封止樹脂中
のボイドは、樹脂モールドされた半導体装置の外観的な
品質の低下はもちろん、このようなボイドを通じて内部
に水分か侵入して半導体装置の性能や信頼性を劣化する
原因となる。
本発明は、大型の金型においても上記のような残留空気
の巻き込みを少なくすることによりボイドの発生を低減
し、樹脂封止型の半導体装置の品質、信頼性および製造
歩留りを向上可能とすることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 上記目的は、樹脂から成るタブレットに嵌合するポット
が設けられた上型と樹脂封止される物体を収容可能なキ
ャビティか設けられた下型とを結合し、前記ポット内の
前記タブレットをプランジャにより押圧して前記キャビ
ティ内の前記物体周囲の空間に前記樹脂を充填する樹脂
封止方法であって、前記下型の所定位置に前記タブレッ
トを載置する工程と、前記ボット内における前記プラン
ジャの下面が前記上型の下面に対して前記タブレットの
高さに等しい距離だけ上方に位置するように制御したの
ち前記上型と前記下型とを結合して前記タブレットを前
記ポット内に嵌挿させる工程と2次いで前記タブレット
を前記プランジャにより押圧する工程とを含むことを特
徴とする本発明に係る樹脂封止方法によって達成される
〔作 用〕
トランスファモールド用の金型の上型に設けられている
ポット内の所定位置にプランジャを設置しておき、一方
、下型の所定位置に樹脂タブレットを載置する。この状
態で上型と下型とを結合する。したがって、半導体装置
チップを封止する樹脂中におけるボイドの原因となる空
気の、樹脂タブレット上に残留する量か少なくなる。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
以下の図面において、既掲の図面におけるのと同じ部分
には同一符号を付しである。
第1図(a)を参照して、トランスファモールド型の樹
脂封止装置の金型の下型4上の所定位置に。
樹脂を成形して成るタブレット6を載置する。タブレッ
ト6の高さをHとする。一方、プランジャ7を上型3に
設けられたボット5内に挿入し、。
その下面が下型4の下面よりHだけ高く位置するように
設定する。
次いで、第1図(b)に示すように9例えば油圧ジヤツ
キのような昇降機構20により、下型4を押上げて上型
3と下型4とを結合する。これにより。
上型3のポット5内にタブレット6が挿入されるが、タ
ブレット6とプランジャ7との間にはほとんど空気が残
留しない。
以後、第3図および第4図を参照して説明した従来の工
程と同様に、タブレット6を70〜80°Cに加熱した
のち、プランジャ7を押圧する。加熱されたタブレット
6は、ボット5から押し出され。
前記ランナ8およびゲート9を通じてキャビティIAに
流入し、半導体装置チップ11をモールドする。
上記実施例の方法によれば、従来のようなタブレット6
とプランジャ7間における残留空気の巻き込みおよびこ
れによるボイドの発生か著しく低減される。
第2図は本発明の別の実施例説明図であって。
上型3と下型4を結合する際に、下型4上に載置された
樹脂タブレット6を上型3のポット5内に確実に挿入す
るために、ガイド30を設ける。ガイド30は、ボット
5にちょうど嵌合し、かつ、プランジャ7が嵌挿され、
かつ、タブレット6を収容可能な直径を有する円筒であ
り、上型3と下型4とを分離したときに、その上端が僅
かにポット5内に入る長さを有する。
ガイド30をボット5に押上げて下型4上にタブレット
6を載置したのち、ガイド30を下げる。これにより、
ボット5に対するタブレット6の位置か決る。下型4を
前記昇降機構20(第1図参照)により押上げ、上型3
と結合したとき、ガイド30タブレツト6とともにボッ
ト5に挿入される。この状態でプランジャ7を押下し、
タブレット6を押圧する。このために、プランジャ7の
先端部近傍は、ガイド30内に嵌挿可能な直径にしてお
く。
〔発明の効果〕
本発明によれば、トランスファモールド法によって封止
される半導体装置の樹脂層中におけるボイドが低減され
、半導体装置の品質、信頼性および製造歩留りを向上可
能とする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図と第2図は本発明の詳細な説明図。 第3図と第4図はトランスファモールド方式の樹脂封止
装置の概要説明図。 第5図は従来の問題点説明図 である。 図において。 lはキャビティブロック、   IAはキャビティ。 3は上型、  4は下型、  5はポット6はタブレッ
ト、  7はプランジャ。 8はランナ、  9はゲート 10はリードフレーム、11は半導体装置チップ。 20は昇降機構、30はガイド。 31と41は位置合わせ用ガイド、81はカルである。 本発明のガ旅4り1しの1) 第  1  図 水発口月の尖pj簑1夕1(ンの2) 箋  2  図 トラレスフf七−ルト方氏の桐詣14止片IC1既1(
明図(その1)第    21     図 トラレ久フ7七−ルド万氏の相方bHL札貫Oゼを3訣
4明図(tの2)第斗図 樗Uに2の問題部、^漿日月図 第  5  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 樹脂から成るタブレットに嵌合するポットが設けられた
    上型と樹脂封止される物体を収容可能なキャビティが設
    けられた下型とを結合し、前記ポット内の前記タブレッ
    トをプランジャにより押圧して前記キャビティ内の前記
    物体周囲の空間に前記樹脂を充填する樹脂封止方法であ
    って、 前記下型の所定位置に前記タブレットを載置する工程と
    、 前記ポット内における前記プランジャの下面が前記上型
    の下面に対して前記タブレットの高さに等しい距離だけ
    上方に位置するように制御したのち前記上型と前記下型
    とを結合して前記タブレットを前記ポット内に嵌挿させ
    る工程と、 次いで前記タブレットを前記プランジャにより押圧する
    工程 とを含むことを特徴とする樹脂封止方法。
JP31678690A 1990-11-21 1990-11-21 樹脂封止方法 Expired - Lifetime JP2996718B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31678690A JP2996718B2 (ja) 1990-11-21 1990-11-21 樹脂封止方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31678690A JP2996718B2 (ja) 1990-11-21 1990-11-21 樹脂封止方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04187411A true JPH04187411A (ja) 1992-07-06
JP2996718B2 JP2996718B2 (ja) 2000-01-11

Family

ID=18080902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31678690A Expired - Lifetime JP2996718B2 (ja) 1990-11-21 1990-11-21 樹脂封止方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2996718B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7651201B2 (en) 1997-11-25 2010-01-26 Seiko Epson Corporation Ink jet recording head and ink jet recorder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7651201B2 (en) 1997-11-25 2010-01-26 Seiko Epson Corporation Ink jet recording head and ink jet recorder

Also Published As

Publication number Publication date
JP2996718B2 (ja) 2000-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4900485A (en) Method and apparatus for transfer molding
JP3642685B2 (ja) トランスファ成形装置
JP5065747B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法及び製造装置
KR100392264B1 (ko) 반도체집적회로장치의제조방법
JP3456983B2 (ja) リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH04187411A (ja) 樹脂封止方法
CN106876342A (zh) 一种双面散热半导体元件的制造方法
US6428731B1 (en) Mould part, mould and method for encapsulating electronic components mounted on a carrier
TWI778332B (zh) 樹脂成形裝置以及樹脂成形品的製造方法
JP3092568B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置製造金型
JPS60125616A (ja) 樹脂封止用金型
CN110544637B (zh) 一种半导体器件模封方法及用于该模封方法的封装模具
JP2000100845A (ja) 半導体装置及びその製造方法ならびにその製造装置
KR20110123035A (ko) 반도체 패키지 제조용 몰딩장치 및 몰딩방법
JPH1187433A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2587539B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止用金型
JPH10116847A (ja) 半導体装置の製造方法およびトランスファモールド装置
JPS5961933A (ja) トランスフア成形機
JPH09181105A (ja) 半導体樹脂封止用金型
JPS58201333A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH02110945A (ja) 半導体装置製造方法及びその実施装置
JPH08306719A (ja) 半導体装置の樹脂封止装置および樹脂封止方法
JPH08156034A (ja) モールド装置および方法
JPH0464417A (ja) 金型
JPS59201428A (ja) 半導体装置用樹脂封止金型

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029

Year of fee payment: 12