JPH04181610A - イグニッションケーブルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ワイヤ巻き各型イグニッションケーブルに関するルは、
最終製品の抵抗率を正確かつ高い信頼度で割部できる手
段を提供する。現在のワイヤ巻き導電各部を備えたイグ
ニッションケーブルは、ワイヤと端子との間を電気接続
するためのはがしが難しい。多くの場合、ワイヤが保護
されていないため、はがし作業中にそれがケムプルの端
部がら引き出される結果、望ましくないワイヤの「飛び
出し部分」が生じる。端子に取り付ける前にこの「飛び
出し部分」を適正に切り取っておがなければ、端子アセ
ンブリの早期絶縁破損の原因となったり。

飛び出し部分と接地面との間にアーク放電が発生する。

そのようなワイヤ巻きケーブルの典型例が、宮本他の米
国特許第４，４３５，６９２号及びコンフェイ（Ｃｏｆ
ｆｅｙ）他の米国特許第４，７００，１７１号に示され
ている。宮本他の特許は、抵抗ワイヤをフェライト心線
の上に巻き付けたワイヤ巻きイグニッションケーブルを
開示している。抵抗ワイヤ及びフェライト心線は、ポリ
エチレン及びエチレンプロピレンジエンの混合物の押し
出し成形層によって被覆されている。コッフエイ他の特
許は、酸化鉄等の磁気粒子を含有している絶縁層でガラ
ス繊維強力部材を浸せき被覆して各部を形成した、官本
特許に類似したイグニッションケーブルを開示している
。

次に、各部に抵抗ワイヤを螺旋状に巻き付ける。

次に、抵抗ワイヤを熱可塑性ポリマー半導体で浸せき被
覆する。熱可塑性ポリマー半導体には、炭素粒子と、続
いて張り付けられる絶縁層をきれいにはぎ取ることがで
きるようにするはく離削とが含有されている。

コッフェイ他の特許に開示されているイグニッションケ
ーブルの問題点は、熱可塑性半導体が比較的低温で不安
定なことである。従って、コッフェイ他の特許に開示さ
れているイグニッションケーブルの温度範囲が限定され
る。本発明は、イグニッションケーブルを５００６Ｆま
での温度で使用でき付けて導電各部を形成するイグニッ
ションケーブルである。接着層を導電各部の上に設けて
から、架橋熱硬化材からなる半導体層を接着層の上に押
し出し成形することにより、合成導電心部を形成する。

絶縁材及び保護外装の層をこの合成導電心部の上に形成
して構成されている。

好適な実施例では、押し出し成形される半導体層が、米
国インジアナ州、ケンビルのダウ（ＤＯＷ）−５ＴＴに
よって製造された導電シリコーンにカーボンブラック粒
子を懸濁させて半導体にしたもので形成されている。

本発明の目的は、電気的公差が小さく温度ケイパビリテ
ィが高い、低抵抗イグニッションケーブルを提供するこ
とである。

本発明の別の目的は、簡単に剥すことができるワイヤ巻
きイグニッションケーブルを提供することである。

本発明のさらなる目的は、ワイヤを強力部材に付着する
ことによってそれが解けないようにすることである。

本発明のさらに別の目的は、５００’　Ｆまで安定して
いるイグニッションケーブルを提供することである。

本発明のさらなる目的は、螺旋巻きしたワイヤの上に架
橋熱硬化半導体材の層を押し出し成形することによって
温度安定性を向上させることである。

本発明の最後の目的は、ワイヤ巻き導電性心部の上に半
導体の層を押し出し成形することによって導電各部を剥
がれ謳〈シて、半導体層とそれの上側の絶縁層との間の
接合表面が平滑になるようにすることである。

本発明のこれら及びその他の目的、特徴及び利点は、添
付の図面を参照した以下の説明からざらヨンケーブル１
０の詳細を示している。ワイヤ巻きイグニッションケー
ブル１０では、抵抗ワイヤ１２を強力部材１・１に螺旋
状に巻き付けることによって導電各部１６を形成してい
る。好ましくは、抵抗ワイヤは抵抗が１〜２００オーム
／インチであり、金属合金またはその他の適当な素材で
形成できる。抵抗ワイヤ１２の１インチ当りの巻き線数
及びそれの抵抗率が導電各部１６の抵抗を決定する。強
力部材は。

非導電性繊維からなる単糸でも、あるいは複数の非導電
性繊維の粗紡糸でもよい。その単糸を導電性ペンキまた
は素材、例えば懸濁グラファイトまたは炭素粒子を含浸
させたラテックス固着剤で被覆することによって、強力
部材１４を導電性にすることができる。粗紡糸の場合、
その粗紡糸に上記の導電性ペンキまたは素材を含浸させ
る。

米国ペンシルバニア州、エリ−のロード（Ｌｏｒｄ）社
が製造しているケムロック（ＣＨＥＭＬＯＫ）　（登録
商標）ＡＰ−１３３等の接着剤１８の非常に薄い層で導
電各部１６を被覆することにより、上側の半導体の層２
０を付着し易くすることができる。この接着層は厚さが
０．０００５インチ以下であり、ワイヤと半導体の層２
０との間の導電性にはほとんど影響を与えない。半導体
層２０は、米国インジアナ州、ケンビルのダウ（Ｄｏｌ
ｌ）−５ＴＩによって製造された導電シリコーン等の架
橋熱硬化材で形成される。半導体材の抵抗率は１〜４０
オームセンチメートルである。好ましくは、半導体層を
接着剤の層の上に押し出し成形して、その外表面が平滑
になるようにする。従来技術に従って熱硬化プラスチッ
クの上に架橋材で半導体層を形成することの利点は、そ
の方が特に５００’　Ｆまでの温度で熱力学的に安定す
ることである。

半導体層２０の断面積及び抵抗率は、半導体層２０を設
けることによって半導体Ｎ２０及び導電各部１６からな
る合成導電心部の抵抗率が１０％以上の変化を生じるこ
とがないように選択される。

半導体層２０の上に絶縁層２２が載っており、それが保
護外装２４で被覆されている。絶縁層はエラストマ二　
架橋ポリオレフィン、またはイグニッションケーブルの
製造に一般的に使用されるその他の絶縁素材で形成され
る。保護外装２４はポリオレフィン、シリコンゴムまた
はその他の同様な素材で形成できる。

第２図に示すように、イグニッションケーブルの機械的
強度を高めるため、絶縁層２２の上にガラスブレード２
６を張り付けてもよい。ワイヤ巻き導電各部１６によっ
て、イグニッションケーブルに対する所望の抵抗率を正
確に得ることができる。形成中に抵抗ワイヤの１インチ
当りの巻き線数を変更することによって、イグニッショ
ンケーブルの抵抗率をユーザの要求に合わせることがで
きる。

導電各部Ｉ６の上に半導体＃２０を付は加えることによ
って、後に端子をイグニッションケーブルの端部に取り
付ける際のはがし及び接続作業中にワイヤが損傷を受け
ないようにすることができる。また、押し出し成形され
た半導体層２０により、導体と絶縁層２２との間の接合
面を平滑にすることができ、これによってイグニッショ
ンケーブルの絶縁耐力を高めることができる。

請求範囲に記載されている発明の範囲内においてイグニ
ッションケーブルの構造及び構成材料を変更できること
は、当業者であれば理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のイグニッションケーブルの第１実施例
の構造詳細の斜視図、第２図はイグニッションケーブル
の第２実施例の構造詳細の斜視図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）長手方向の強力部材と 前記長手方向強力部材に螺旋状に巻き付けられて、所定
   の抵抗率の導電心部を形成するワイヤと、前記導電心部
   の上に押し出し成形されて合成心部を形成する半導体材
   の層と、 前記合成心部の上に重ねて形成された絶縁材の層と、 前記絶縁材の層の上に重ねて形成された保護外装とを有
   することを特徴とするイグニッションケーブル。
2. （２）長手方向の強力部材を形成する複数の非金属繊維
   と、 前記長手方向強力部材に螺旋状に巻き付けられて、第１
   抵抗率の導電心部を形成する、１〜２００オーム／イン
   チの抵抗率のワイヤと、 前記導電心部の上に設けられた薄い接着層と、前記接着
   層の上に押し出し成形されて、抵抗率が前記第１抵抗率
   の±１０％以内である合成心部を形成する半導体材料の
   層と、 前記合成導電心部の表面の上に形成された絶縁材の層と
   、 前記絶縁材の層の表面の上に形成された保護外装とを有
   することを特徴とするワイヤ巻きイグニッションケーブ
   ル。
3. （３）ワイヤを長手方向強力部材に巻き付けることによ
   って、第１抵抗率の導電心部を形成する段階と、前記導
   電心部の上に薄い接着層を設ける段階と、前記接着層の
   上に半導体材の層を押し出し成形することによって、前
   記第１抵抗率の±１０％以内である第２抵抗率の合成導
   電心部を形成する段階と、前記合成導電心部を絶縁材の
   層で被覆する段階と、 前記絶縁材の層を保護外装で被覆する段階とを有するこ
   とを特徴とするイグニッションケーブルの製造方法。