JPH04181228A - 表示体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はデイスプレィ、ライトバルブ等に用いられる表
示体の素子構成に関する。

［従来の技術］ 従来の高分子に液晶、あるいは液晶に高分子を分散した
層と、スイッチング素子基板を具備する表示体は、例え
ば日経エレクトロニクス６月１１日号１０２ページに記
載されているようによく知られている。

これらの表示体は、従来のＴＮ型（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎ
ｅｍａｔＬｃ　Ｔｙｐｅ）液晶表示と比較して、１）大
面積化が容易、２）形状の自由度がある、３）偏光板が
不必要なため透過光強度が大きく、視野角が広い、４）
応答性が良い、などの優れた特徴があり、非常に注目さ
れている。従来用いられている高分子は、紫外線硬化型
でありその単分子（モノマー）を液晶と混合し、紫外線
を照射することにより重合させ液晶との分散層を形成さ
せている。このような紫外線硬化型の高分子を用いた表
示体は、しきい特性が緩慢でスイッチング素子との併用
が必要不可欠である。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、このスイッチング素子は紫外線に対する信頼性
が悪いという欠点を有していた。そこで、本発明では素
子上に紫外線保護膜を形成することにより、モノマーを
重合する際に照射する紫外線、あるいは使用中に照射さ
れる紫外線からスイッチング素子を保護し信頼性を向上
することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明の表示体は、 高分子に液晶、あるいは液晶に高分子を分散した層と、
スイッチング素子基板を具備する表示体において、紫外
線保護膜をスイッチング素子基板の素子表面に形成した
ことを特徴とする。

［作用］ 本発明の上記の素子構成によれば、高分子を形成する際
に照射する紫外線、あるいは使用中に照射される紫外線
からスイッチング素子を保護することができる。

１．以下、実施例により本発明の詳細を示す。

［実施例］ 実施例１ 本実施例ではスイッチング素子基板としてτＦＴ＊子基
板を用いた例を示す、第１図は本実施例の表示体の断面
を示す概念図である。まず、基板上にＴＰＴ素子を形成
した０通常の方法で基板１上に画素電極７、ゲート電極
２、ゲート絶縁層３、半導体層４、ドレイン電極５およ
びソース電極６を順次形成した。その上に紫外線保護層
８を５０００人の厚さに形成した。紫外線保護層に用い
た物質の組成について述べる。紫外線吸収物質として９
−ビニルアントラセンを用い、これをポリイミド樹脂溶
液（日本合成ゴム社製　ＪＩＢ）に乾燥時で５％濃度に
なるように混合した。こうして調整した溶液をロールコ
ートし、１５０℃にて乾燥硬化させた。この基板に対し
て対向電極１０を形成した対向基板１１を１０μｍの間
隙を保ち固定した。この間隙にモノマーと液晶の混合物
を封入した。ここで用いたモノマーはメタクリル酸エス
テルであ？、またここで用いた液晶はロブイック社製の
ＰＮｏｏｌである。混合比は液晶：　モノマー＝３：１
であるが、１：１から９：１の間であれば用いることが
できる。これに対向電極基板側から４００Ｗ紫外線ラン
プ（東芝　Ｈ−４００Ｐ）を用い２０ａｎの距離をおい
て紫外線を照射した。これにより高分子／液晶層を形成
したが、作製した２３０ｘ３００画素のパネル５枚のう
ち１パネル当り１０〜２０画素の点欠陥が認められた。

これは後に示す従来例に比べ、格段に改良された結果と
なっている。

またこの他、紫外線保護層８においては紫外線に不透明
なものであれば用いることができる。更に高分子／液晶
層４に用いるモノマーあるいはポリマーとして、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂も用いることができる。

実施例２ 本実施例ではスイッチング素子基板として旧Ｈ素子基板
を用いた例を示す、第２図は本実施例の表示体の断面を
示す概念図である。まず、基板上に１；、ＩＭ素子を形
成した０通常の方法で基板１上に画素電極７、電極Ａ１
２、絶縁層１３および電極Ｂ１４を順次形成した。その
上に紫外線保護層８を５００ＯＡの厚さに形成した。紫
外線保護層に用いた物質の組成について述べる。紫外線
吸収物質として９−ビニルアントラセンを用い、これを
メタクリル酸エステルに１０％漬度になるように混合し
た。こうして調整した混合液をロールコートし、紫外線
を十分照射して硬化させ、紫外線保護層８とした。この
基板に対して対向電極１０を形成した対向基板１１を１
０μｍの間隙を保ち固定した。

この間隙に千ツマ−と液晶の混合物を封入した。

これに対向電極基板側から４００Ｗ紫外線ランプ（東芝
　Ｈ−４００Ｐ）を用い２０ａａの距離をおいて紫外線
を照射した。これにより高分子／液晶層を形成したが、
作製した２３０ｘ３００画素のパネル５枚のうち１パネ
ル当り１５〜３０の点欠陥が認められた。これも次に述
べる従来例に比べ格段に改善されている。　　またこの
他、紫外線保護層８においては紫外線に不透明なもので
あれば用いることができる。更に高分子／液晶層９に用
いるモノマーあるいはポリマーとして、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂も用いることができる。

従来例 従来例ではスイッチング素子基板としてＴＰＴ素子基板
を用いた例を示す、第３図は従来例の表示体の断面を示
す概念図である。まず、通常の方法で基板１上に画素電
極７、ゲート電極２、ゲート絶縁層３、半導体層４、ド
レイン電極５およびソース電極６を順次形成した。その
上に保護層１５としてを５０００人の厚さにロールコー
トした。これに対して対向電極１０を形成した対向基板
１１を１０μｍの間隙を保ち固定した。この間隙にモノ
マーと液晶の混合物を封入した。これに対向電極基板側
から４００Ｗ紫外線ランプ（東芝　Ｈ−４００Ｐ）を用
い２０ａｎの距離をおいて紫外線を照射した。これによ
り高分子／液晶層を形成したが、作製した２３０Ｘ３０
０画素のパネル５枚のうち１パネル当り１００〜２００
の点欠陥が認められた。　　ＨＩＭ素子を用いた従来の
高分子分散型表示体についても同様に１パネル当り１０
０〜２００画素の点欠陥が認められた。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、素子基板上に紫外線
保護層を形成することにより、素子の劣化が抑えられ、
歩留まりが飛躍的に向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例１の表示体の断面図である。 第２図は本発明の実施例２の表示体の断面図である。 第３図は本発明の従来側の表示体の断面図である。 １・・・基板 ２・・・ゲート電極 ３・・・ゲート絶縁層 ４・・・半導体層 ５・・・ドレイン電極 ６・・・ソース電極 ｌシ フ・・・画素電極 ８・・・紫外線保護層 ９・・・高分子／液晶層 １０・・・対向電極 １１・・・対向基板 １２・・・電極Ａ １３・・・絶縁層 １４・・・電極Ｂ １５・−・保護層 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　射水喜三部（化１名）第１図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　高分子に液晶、あるいは液晶に高分子を分散した層と
   、スイッチング素子基板を具備する表示体において、紫
   外線保護膜をスイッチング素子基板の素子表面に形成し
   たことを特徴とする表示体。