JPH0418053A - 新規なエステル化合物及び液晶添加材料 - Google Patents

新規なエステル化合物及び液晶添加材料

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JPH0418053A
JPH0418053A JP11756990A JP11756990A JPH0418053A JP H0418053 A JPH0418053 A JP H0418053A JP 11756990 A JP11756990 A JP 11756990A JP 11756990 A JP11756990 A JP 11756990A JP H0418053 A JPH0418053 A JP H0418053A
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Toshihiro Hirai
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、新規なエステル化合物及び非光学活性液晶材
料に光学活性液晶材料としての性質を付与するための添
加剤に関するものである。この様にして得られた光学活
性液晶は、一般にキラルスメクチック液晶となり、例え
ば、液晶テレビ等のデイスプレィ用、光プリンターヘッ
ド、光フーリエ変換素子、ライトパルプ等、液晶やエレ
クトロケミクロミズムを利用するオプトエレクトロニク
ス関連素子の素材として有用である。
(従来の技術) 非光学活性液晶材料にある種の光学活性物質を添加する
ことにより、その液晶材料に光学活性液晶としての性質
が付与されることは知られている(例えば、特開昭58
−46040号公報)。
また、一般に高速応答性が要求される表示装置などの液
晶材料には、大きな自発分極を有すること、低粘性を有
すること、室温近傍を含む広い温度範囲でキラルスメク
チックC相を示すことなど多くの物性が要求されるため
、一般に、い(つもの化合物を混合して用いることが行
われる。例えば、低粘性を有し、室温近傍を含む広い温
度範囲でスメクチックC相を示す非光学活性材料に、光
学活性物質を添加することにより、光学活性液晶として
の性質を付与して高速応答を実現しようとする試みがし
ばしば行われる。
(発明が解決しようとする課題) しかし、一般に、添加する光学活性物質が、母体の液晶
材料に好ましくない影響、例えば液晶相の破壊、液晶秩
序度(オーダーパラメーター)の低下、配向性の劣悪化
等を与える可能性があり、単に光学活性物質であればそ
の添加により、非光学活性液晶材料を良好な光学活性液
晶材料に変え得るというわけではない。
例えば、次式、 のジフェニルピリミジン化合物を光学活性物質として用
い、次式、 で表されるピリミジン系非光学活性母体液晶に、かかる
ジフェニルピリミジン化合物を20w t%添加すると
、スメクチックA相−スメクチックC相間の相転移温度
が65°Cから20°Cへと太き(低下することが知ら
れている(特開平1−106871号公報)。
また、次式、 のビフェニリルピリミジン化合物を光学活性物質として
用い、次式、 CbHI30?(B)−C8HI Y   30Ht%
CeHI 70頑xDCaHI 7  20wt%Cq
HIqO臣xtC8HI 7  10wt%C轟O◎引
11HI7 10wt% C5Hz色Y法鍜CeHI7  瀕% CJIs(Q可バ)CsHI 7 10ivt%で表さ
れるピリミジン系非光学活性母体液晶に、かかるビフェ
ニリルピリミジン化合物を20−t%添加すると、スメ
クチックA相−スメクチックC相間の相転移温度が65
℃から24°Cへと大きく低下することが知られている
(特開平1−211570号公報)。
本発明者らは、非光学活性液晶材料に光学活性材料とし
ての性質を付与する添加剤を探索すべく鋭意検討を進め
た結果、α位に不斉炭素を有し、ベンゼン環に直結した
カルボニル基を分子内に有し、かつ、オルト位またはメ
タ位に置換基を有する安息香酸のビフェニルエステル化
合物が、母体液晶材料のスメクチックA相−スメクチッ
クC相の相転移温度を大きく低下させることなく、非光
学活性液晶材料に電気光学的に良好な光学活性液晶材料
としての性質を付与する性質を有することが分かった。
本発明は、かかる知見に基づきなされたもので、本発明
の目的は、新規なエステル化合物を提供すると共に、非
光学活性液晶材料に光学活性液晶材料としての性質を付
与して、自発分極が太き(応答速度が速い強誘電性液晶
材料となしうる新たな添加剤を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、下記の一般式(I)、 (式中、X、Yのうち一方はハロゲン原子、低級アルキ
ル基またはアルコキシ基であり、他方は水素原子、nは
2〜16の整数である)で表わされる新規なエステル化
合物、及びこの化合物の光学活性体からなる液晶材料添
加剤に関するものである。
すなわち、上記(I)式中、−CH3が結合している炭
素を中心に光学活性が付与されると、これを他の非光学
活性化合物に添加することにより、良好な光学活性材料
に変えることができる。
上記一般式(I)のエステル化合物中のnの値は、当該
エステル化合物の光学活性体を非光学活性液晶材料に添
加して得られる光学活性液晶材料が液晶状態を取り得る
温度域等の物性に影響を持つものであり、目的に応じて
上記範囲内において適宜選定され得るものである。
また、X、Yのいずれかの低級アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、ブチル基等が製造上、さらにアルコ
キシ基としては、炭素数1〜16のものが実用上、好ま
しい。
また、本発明のエステル化合物の光学活性体を添加し得
る液晶材料には、特に、制限はないが、非光学活性液晶
材料を光学活性液晶材料に変えるためにはスメクチック
C相の温度範囲の広い液晶材料を選択することが好まし
い。
尚、上記一般式(I)のエステル化合物の添加量は、1
%程度の添加で充分に本発明の効果を発揮させることが
できるが、液晶材料の使用目的により適宜添加量を変え
て用いることができる。
上記一般式(I)の代表的化合物の例と、その理化学的
性質を示すと次のとおりである。
■’H−NMR(270MHz、 CDCl z中、7
MS基準、δ値):δ0.88    3Hm δ1.25    3Hd    J=7Hz61.2
〜2.0   IOHm δ3.50    1Hm 67.28    2Ha+ 67.37    2Hd    J=9Hz67.6
3       1Hm 67.68      4Hd     J=9Hzδ
 8.05      2Hd     J=9Hzδ
 8.16       1Hm ■IR(KBr 、 cm−’) : 2910.2840.1735.1668.1598.
1485.1228.1190.1050、755■ 
融点: mp = 83.4°C ■’H−NMR(270MHz、 CDCl 3中、7
MS基準、δ値):δ0.86    3FI  t 
   J=7Hzδ1.22    3Hd    J
=7Hz61.2〜2.0   lOHm− 63,49LH+n δ7.32    2Hd    J=98z67.3
8      1 H謂 δ 7.53      1Hrr1 67.68      4Hd     J=9Hzδ
 7.90     1 Hbr、d   J =13
 Hzδ 8.02      1Hm δ 8.04      2Hd     J=9Hz
■ IR(KBr 、 cm−’) :2910.28
40.1728.1675.1592.128o、12
12、748 ■ 融点: mp = 88.0°C 2−クロロ″′堅  −4’−(2−メチルオクタノイ
ル)ビフェニル ■’H−NMR(90MHz、 CDCl 3中、7M
S基準、δ値):60.92    3Hm δ1.26    3HdJ=7Hz 61.2〜1.610Hm δ 3.54      1Hm δ 7.44’     2Hd     J ・9 
lz67.4〜7.7   38  m δ 7.80      4Hd     J=91(
zδ 8.13      2Hd     J=9H
z68.16      1Hm ■IR(KBr 、 cm−’)  :2910.28
40、エフ42.1668.1600.1242.12
42.1230.1190.1032、750■ 融点
: mp = 57.5℃ ■’H−NMR(90MHz、 CDCf 3中、TM
S基準、δ値):60.91    3Hm δ1.23    3Hd    J=7Hz61.2
〜1.6  108  m δ 3.55      1H+n 67.37     2Hd     J=9Hz67
.4〜7.7   3Hm δ 7.73     4Hd     J=9Hzδ
 8.09      2tld     J・9 H
zδ 8゜21      1Hm ■IR(KBr 、 cm−’) : 2910.2840.1730.1668.1600.
1250.1190、742 ■ 融点: mp・79.2°C ■’H−NMR(90MtlzXCDCl x中、TM
S基準、δ値):60.87    3Hm 61.24    3)1d    J=IHz61.
2〜2.010H+++ δ 2.69       3Hs δ 3.50       1Hm δ 7.30       2Hcl     J=9
Hz67.43       38m 67.70       4)1d     J=9H
zδ 8.06       2Hd     J=9
Hzδ 8.20       18m ■ IR(KBr 、、cm−’)  :2910.2
840.1730.1665.1598.1230.1
192.1040、740 ■ 融点: mp・41.0°C ■’H−NMR(90M)lz、 CDCl x中、T
MS基準、δ値):60.87    3Hm δ1.25    3tld    J=7Hz61.
2〜2.0108m δ 2.52      3Hs δ 3.49       1Hm 67.37       28m δ 7.45       2Hd     J=9H
zδ 7.70      4Hd     J=9H
zδ 8.07      2Hd     J=9H
zδ 8.11       2Hrrl■ IR(K
Br 、 c′m−’) :2910.2840,17
25.1668.1600.1272.1185.10
80.1040 ■ 融点: mp = 72.8℃ ■’H−NMR(90MHzSCDC1:+中、TMS
基準、δ値)60.88      6Ha+ δ 1.22      3Hd     J=7Hz
61.2〜2.1   22Hm 63.52      1Hm δ 4.13      2Ht     J=7f(
zδ 7.1〜7.52Hm 67.38      2Hd     J=9Hz6
7.7〜B、02Hm δ 7.75      4Hd     J=9Hz
δ 8.10      28  d     J=9
Hz■IR(KBr 、 cm〜リ : 2910.2840.1728.1670.1600.
1272.1200、748 ■ 融点: wp = 44.0°C 上記一般式(I)のエステル化合物は次式に従い得るこ
とができる。
(式中、X、Y、nは前記のものと同じものである) 上記反応式に示すように、カルボン酸(I)とフェノー
ル(2)とをエステル化することにより一般式(I)の
化合物を得ることができる。この反応は、例えば、ジク
ロロへキシルカルボジイミドのような脱水縮合剤を用い
て行うことができる。また、カルボン酸(I)を、例え
ば、ハロゲン化チオニルを用いて酸ハライドとし、その
後、塩基の存在下でフェノール(2)と反応させて得る
こともできる。
ここで用いたカルボン酸(I)のうち、X、Yのうち一
方がハロゲン原子または低級アルキル基であり、他方が
水素原子のものは市販されており、容易に入手すること
ができる。また、X、Yのうち一方がアルコキシ基であ
り、他方が水素原子のものは、次式に従い得ることがで
きる。
すなわち、市販の2−ヒドロキシ安息香酸または3−ヒ
ドロキシ安息香酸をアルキル化することにより容易に得
ることができる。尚、アルキル基Rの炭素数は、実用上
の見地から、1以上18以下が好ましい。
また、ここで用いたフェノール(2)は、次式に従い得
ることができる。
(式中、Halはハロゲン原子である)CJI3 上記反応式に示すように、まず、2−メチル−1−アル
カノールを出発原料とし、これを酸化剤で酸化する。こ
こで、光学活性を有する化合物を得るためには、光学活
性を有する2−メチル−1−アルカノールを出発原料と
して用いれば良い。この場合には、ラセミ化を起こさな
いで酸化できる酸化剤を選定する。この様な酸化におい
ては、特に、酸性条件下、過マンガン酸カリウムを用い
て行うことが最も簡便である。
次に、得られた2−メチルアルカン酸を無機ノ\ロゲン
化物、例えば、塩化チオニル、五塩化リン、三塩化リン
または塩化ホスホリル等と反応させて酸ハロゲン化物と
する。
しかる後、この酸ハロゲン化物を、無水塩化アルミニウ
ムまたは三フッ化ホウ素等のルイス酸触媒の存在下、4
−メトキシビフェニルとフリーデルクラフッ反応させて
対応するカルボニル化合物とする。
次いで、このカルボニル化合物を無水臭化アルミニウム
等と反応させて、脱メチル化することにより、目的とす
るフェノール(2)とし、これを用いることができる。
(実施例) 次に、本発明を実施例により具体的に説明する。
ル)ビフェニル 4−ヒドロキシ−4’−(2−メチルオクタノイル)ビ
フェニルの合成 蒸留水330Idに濃硫酸46.4 g及び(−)−2
−メチル−1−オクタツール21.2 g (I47m
mol)を加えた後、反応温度を20〜28°Cに保ち
ながら、少量つづ7時間かけて過マンガン酸カルシウム
63゜4 g (401mmol)を加えた。得られた
反応混合物を氷水270−に移し、亜硫酸水素ナトリウ
ム52 gを加え、次いで塩酸を加えてpHを1以下に
した後、エーテルで抽出し、次いでエーテル層を10%
の水酸化ナトリウム水溶液で抽出した。この抽出物に塩
酸を加え、pHを1以下にした後、クロロホルムで再度
抽出した。これを水洗し、乾燥、濃縮後、減圧蒸留によ
り精製して、(+L2−メチルオクタン酸15.3 g
(収率64%)を得た。
次に、得られた(+)−2−メチルオクタン酸20.0
1 g (I26,6mmol)に塩化チオニル12d
 (I64,5mmo1)を加え、60°Cで1時間、
70°Cで1時間半攪拌した。室温まで冷却後、過剰の
塩化チオニルを減圧上留去することにより、(十L2−
メチルオクタン酸クロリド22.35 gを得た。
得られた(+)−2−メチルオクタン酸クロリド22.
35 g (I26,6mmol)にニトロヘンゼン2
5dを加え、0°Cに冷却した後、無水臭化アルミニウ
ム33.80 g (I26,6mmol)を加え、室
温で30分間攪拌した。次いで、再び0°Cに冷却し、
4−メトキシビフェニル15.53 g (84,4m
mol)を加えた後、室温で1時間攪拌した。
得られた反応混合物を氷にあけ、ジクロロメタンで抽出
し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄した。しかる後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を留去して得られた油状物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製して、白
色結晶の(+)−4−メトキシ−4’−(2−メチルオ
クタノイル)ビフェニルs、2qg(収率30%)を得
た。
次に、得られた(+)−4−メトキシ−4’ −(2−
メチルオクタノイル)ビフェニル8.29 g (25
,6111IIlO1)に乾燥トルエン70dを加え、
0°Cに冷却した後、無水臭化アルミニウム39.62
 g (I48,4mmol)を加え、室温で2日間攪
拌した。この反応混合物を、氷にあけ、ジクロロメタン
で抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去して得られた油状物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製して、(+L4−ヒドロ
キシー4’−(2−メチルオクタノイル)ビフェニル7
.21g(収率91%)を得た。
■’H−NMR(90MHz、 CDCj23中、TM
S基準、δ値):60.7〜2.0  13 Hm δ1.20    3Hd    J=7Hz63.4
8    18m δ6.92    2Hd    J=9Hzδ7.5
0    2Hd    J=9Hzδ7.60   
 2Hd    J=9Hzδ7.98    2Hd
    J=9Hz■IR(KBr 、 cm−’) 
: 3600.2910.2840.1670.1590■
 旋光度(CHCfi中、25°C)(α) o = 
+6.10° (c = 2.0 g/1001dl)
2−フルオロ′自、  −4’−(2−メチルオクタノ
イル50a+fのナス型フラスコに、市販の2−フルオ
ロ安息香酸202.4 mg(I.45 mmol) 
、4−ヒドロキシ−4’−(2−メチルオクタノイル)
ビフェニル400.2■(I.29 mmol)、ジシ
クロへキシルカルボジイミド302.1 mg(I.4
7 mn+ol) 、4−ジメチルアミノピリジン17
.6  mg(0.14mmol)及び乾燥ジクロロメ
タン10mAを取り、室温で18時間攪拌した。生した
固体をろ過で除き、溶媒を留去して得られた粗結晶をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製す
ることにより、前記の理化学的性質を有する2−フルオ
ロ安息香酸−4’−(2−メチルオクタノイル)ビフェ
ニル457.3 mg(収率82χ)を得た。
ル)ビフェニル 50mfのナス型フラスコに、市販の3−フルオロ安息
香酸200.O mg(I.43 mmol) 、実施
例1で得られた4−ヒドロキシ−4’−(2−メチルオ
クタノイル)ビフェニル399.8mg(I.29 m
mol)、ジシクロへキシルカルボジイミド312.7
 mg(I.52mmol)、4−ジメチルアミノピリ
ジン16.8  B(0.14mmol)及び乾燥ジク
ロロメタン10n+42を取り、室温で18時間tli
1.拌した。生じた固体をろ過で除き、溶媒を留去して
得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
及び再結晶で精製することにより、前記の理化学的性質
を有する3−フルオロ安息香酸−4′〜(2−メチルオ
クタノイル)ビフェニル445.2 mg(収率80%
)を得た。
ビフェニル 50mlのナス型フラスコに、市販の2−クロロ安息香
酸283.1 mg(I.81 mmol) 、実施例
1で得られた4−ヒドロキシ−4’−(2−メチルオク
タノイル)ビフェニル505.0mg(I.63 mm
ol)、ジシクロへキシルカルボジイミド372.1 
mg(I.81mmol)、4−ジメチルアミノピリジ
ン23.4  mg(0.19mmol)及び乾燥ジク
ロロメタン8 +nj2を取り、室温で20時間攪拌し
た。
生じた固体をろ過で除き、溶媒を留去して得られた粗結
晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で
精製することにより、前記の理化学的性質を有する2−
クロロ安息香酸−4’−(2−メチルオクタノイル)ビ
フェニル571.2 mg(収率78%)を得た。
ビフェニル 50mfのナス型フラスコに、市販の3−クロロ安息香
酸280.6 mg(I.79 mmol) 、実施例
1で得られた4−ヒドロキシ−4’−(2−メチルオク
タノイル)ビフェニル504.2mg(I.63 a+
mol)、ジンク0ヘキシルカルボジイミド378.0
 mg(I.83mmol)、4−ジメチルアミノピリ
ジン17.8  mg(0.15mmol)及び乾燥ジ
クロロメタン8tagを取り、室温で20時間攪拌した
生じた固体をろ過で除き、溶媒を留去して得られた粗結
晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で
精製することにより、前記の理化学的性質を有する3−
クロロ安息香酸−4’ −(2−メチルオクタノイル)
ビフェニル597.3 mg(収率82%)を得た。
ビフェニル 50nf!のナス型フラスコに、市販のオルト− トル
イル酸241.5 mg(I.78 mmol) 、実
施例1で得られた4−ヒドロキシ−4’−(2−メチル
オクタノイル)ビフェニル500.2mg(I.61 
mmol)、ジシクロへキシルカルボジイミド372.
0 mg(I.81mmol)、4−ジメチルアミノピ
リジン19.5  mg(0.16mmol)及び乾燥
ジクロロメタン8 mlを取り、室温で5時間撹拌した
。住じた固体をろ過で除き、溶媒を留去して得られた粗
結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶
で精製することにより、前記の理化学的性質を有するオ
ルト トルイル酸−4’ −(2−メチルオクタノイル
)ビフェニル363.4 mg(収率53χ)を得た。
ビフェニル 53mfのナス型フラスコに、市販のメタ−トルイル酸
241.2 mg(I,77mmol) 、実施Ji!
Al lで得られた4−ヒドロキシ−4’−(2−メチ
ルオクタノイルア s− ニル508.4mg(I.6
4 mmol)、ジシクロヘキシルカルボジイミド37
0.1 mg(I.80mmol)、4−ジメチルアミ
ノピリジ:/17.6  mg(0.14mmol)及
び乾燥ジクロロメタン8iを取り、室温で5時間攪拌シ
タ。
生した固体をろ過で除き、溶媒を留去して得られた粗結
晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で
精製することGこより、前言己の理イし学的性質を有す
るメタ− トルイル オクタノイル)ビフェニル470.2 yng(収率6
7%)を得た。
キシ安息香酸13.80 g(I00 mmol) 、
オクチルフ゛ロミド20.OOg ( 103.6mm
ol) 、水酸化ナトリウム8、80g(220 mm
ol) 、エタノール100  mf、蒸留水50mf
を取り、6時間加熱還流した。エタノールを留去した後
、濃塩酸25mlを加えて析出した固体を、エタノール
から再結晶して、白色結晶の3=オクチルオキシ安息香
酸6.30g (収率25χ)を得た。
■’H−NMR(60MHz,  CDCl2中、TM
S基準、δ(直):60、85     3Hm 6 1、2〜2.0  12 8  mδ4.00  
    2H  t     J=7Hz67、2〜7
.52HR1 δ7.66      1 H  br.sδ7.72
      18m 610、57      18s ■IR(KBrScm−’) : 3200〜2400、2910、2840、1680、
1600、1585、1450、1310、1240、
1040、7503−オクチルオキシ =.   *’
−<2−メチルオフノイル)ビフェニルの人 50mnのナス型フラスコに、得られた3−オクチルオ
キシ安息香酸444.Omg(I.78 mmol)、
実施例1で得られた4−ヒドロキシ−4’−(2−メチ
ルオクタノイル)ビフェニル504.9mg(I.63
 mmol)、ジシクロへキシルカルボジイミド382
.0 mg(I.85mmo+)、4−ジメチルアミノ
ピリジン19.9  mg(0.16mmol)及び乾
燥ジクロロメタン8 mlを取り、室温で15時間撹拌
した。生じた固体をろ過で除き、溶媒を留去して得られ
た粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再
結晶で精製することにより、前記の理化学的性質を有す
る3−オクチルオキシ安息香酸−4’−(2−メチルオ
クタノイル)ビフェニル584、2 mg(収率66χ
)を得た。
下記式(3) 、 (4)及び(5)として示す公知の
非光学活性液晶化合物を下記に示す割合で混合して、母
体液晶混合物へを作成した。
CaH+ 7o−@ー@ーC6HI 3  (3)  
40.Owt%c,H,、o煩x)cloI(21  
(4)  40.Oivt%C9HI90至÷C品 (
5)  20.0wt%この液晶組成物Aは、以下に示
す相転移挙動を示した。
8°C   46°C   58°C   64°CC
r−+Scー+SAー+N−+1 (Crは結晶相、ScはスメクチックC相、SAはスメ
クチックA相、Nはネマチック相、■は等吉相を示す。
) この液晶組成物へは、不斉炭素を有する化合物を含まな
いので、強誘電的な挙動は示さない。
次に、この液晶組成物Aと次式で表わされる実施例4の
化合物とを下記に示す割合で混合して液晶組成物Bを作
成した。
液晶組成物 A          90 wt%この
液晶組成物Bは、以下に示す相転移挙動を示した。
0°C39°C58°C62°C Cr−+Sc″→SA−+Ch−+I (Sc”はキシルスメクチックC相、chはコレステリ
ック相を示す。) 実施例4の化合物を添加しても、母体液晶のスメクチッ
クA相−スメクチックC相の相転移温度は、高々7°C
しか低下していないことが確かめられた。
また、この液晶組成物を、ポリイミドを塗布しラビング
処理を施した透明電極付きガラス板からなる厚さ3μm
のセルに注入し、等方性液体の状態から、ゆるやかに降
温し、コレステリック相を配向させた。更に温度を下げ
、スメクチックA相を経てキシルスメクチックC相の状
態にし、そのセルをクロスニコルの偏光顕微鏡で観察し
ながらセルに電界を印加すると、明瞭なスイッチング動
作が観測された。
上記セルに、25°Cで30 Vppの矩形波を印加し
、透過光量をフォトダイオードで測定し、光スイッチン
グ動作を検出したところ、その透過光量が10%から9
0%まで変化するのに要する時間は、80μsと非常に
高速であった。
実施例8の液晶組成物Aと、次式で表わされる実施例5
の化合物を下記に示す割合で混合して液晶組成物Cを作
成した。
液晶組成物 A         90wt%この液晶
組成物Cは、以下に示す相転移挙動を示した。
0’C39°C54°C61°C Cr−+Sc1→SA−+Ch−+1 実施例5の化合物を添加しても、やはり、母体液晶のス
メクチック^相−スメクチックC相の相転移温度は、高
々7°Cしか低下していない。
また、この液晶組成物を、ポリイミドを塗布しラビング
処理を施した透明電極付きガラス板からなる厚さ3μm
のセルに注入し、等方性液体の状態から、ゆるやかに降
温し、コレステリック相を配向させた。更に温度を下げ
、スメクチックA相を経てキシルスメクチックC相の状
態にし、そのセルをクロスニコルの偏光顕微鏡で観察し
ながらセルに電界を印加すると、明瞭なスイッチング動
作が観測された。
上記セルに、25°Cで30 Vppの矩形波を印加し
、透過光量をフォトダイオードで測定し、光スイツチン
グ動作を検出したところ、その透過光量が10%から9
0%まで変化するのに要する時間は、132μsと非常
に高速であワた。
実施■刊 液晶組成物の作成 実施例8の液晶組成物Aと、次式で表わされる実施例7
の化合物を下記に示す割合で混合して液晶組成物りを作
成した。
液晶組成物 A         90 wt%この液
晶組成物りは、以下に示す相転移挙動を示した。
1°C42°C54°C60°C (:、1−+SC” −+  5A−+(:i −) 
 1実施例4の化合物を添加しても、母体液晶のスメク
チックA相−スメクチックC相の相転移温度は、高々4
°Cしか低下していない。
また、この液晶組成物を、ポリイミドを塗布しラビング
処理を施した透明電極付きガラス板からなる厚さ3μm
のセルに注入し、等方性液体の状態から、ゆるやかに降
温し、コレステリック相を配向させた。更に温度を下げ
、スメクチックA相を経てキシルスメクチックC相の状
態にし、そのセルをクロスニコルの偏光顕微鏡で観察し
ながらセルに電界を印加すると、明瞭なスイッチング動
作が観測された。
上記セルに、25°Cで30 vppの矩形波を印加し
、透過光量をフォトダイオードで測定し、光スイツチン
グ動作を検出したところ、その透過光量が10%から9
0%まで変化するのに要する時間は、104μsと非常
に高速であった。
比較■ オルト位またはメタ位の置換基の効果を更に明らかにす
るために、母体液晶に下記式で表わされる公知の光学活
性エステル化合物(6)(国際公開番号8810751
8号)を添加した際の、その光学活性な添加材料として
の性能を評価、比較した。
実施例8の液晶組成物へと、この光学活性エステル化合
物(6)とを下記に示す割合で混合して液晶組成物Eを
作成した。
光学活性エステル化合物(6)   10 wt%液晶
組成物A         90 wt%この液晶組成
物Eは、以下に示す相転移挙動を示した。
0°C21’C66°C68°C Cr−+Sc”→ SA−+Ch−+1上記のように化
合物(6)を添加すると、母体液晶のスメクチックへ相
−スメクチックC相の相転移温度は、25°Cも大幅に
低下した。
(発明の効果) 本発明の化合物は、その光学活性体が液晶材料の添加剤
として利用でき、その添加剤は、非光学活性液晶材料に
光学活性液晶材料としての性質を付与する際、非光学活
性液晶材料に対し、相転移温度を大きく乱すなどの好ま
しくない影響を与えずに、自発分極が大きく応答速度が
速い強誘電性液晶材料とするのに極めて優れた効果を奏
するものである。
この様にして得られた光学活性液晶は、一般にキラルス
メクチック液晶となり、例えば、液晶テレビ等のデイス
プレィ用、光プリンターヘッド、光フーリエ変換素子、
ライトバルブ等、液晶やエレクトロケミクロミズムを利
用するオプトエレクトロニクス関連素子の素材として有
用な材料となる。
特許出願人  日本鉱業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記の一般式( I )、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、X、Yのうち一方はハロゲン原子、低級アルキ
    ル基またはアルコキシ基であり、他方は水素原子、nは
    2〜16の整数である)で表される新規なエステル化合
    物。 2、下記の一般式( I )、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、X、Yのうち一方はハロゲン原子、低級アルキ
    ル基またはアルコキシ基であり、他方は水素原子、nは
    2〜16の整数、■は光学活性が誘起された炭素原子を
    示す)で表わされる新規なエステル化合物からなること
    を特徴とする液晶材料添加剤。
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