JPH01199959A - δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを含有してなる液晶組成物 - Google Patents
δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを含有してなる液晶組成物Info
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Landscapes
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- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は強誘電性液晶もしくは強誘電性液晶の配合剤と
して有用な文献未記載の新規なδ−バレロラクトン壌金
含有光学活性体びこれを含有してなる液晶組成物に関す
る。
して有用な文献未記載の新規なδ−バレロラクトン壌金
含有光学活性体びこれを含有してなる液晶組成物に関す
る。
現在、表示材料として広く用いられている液晶はネマチ
ック相に騙するものであυ、受光型のため目が疲れない
、消費′成力が極めて少ない等の特徴を有しているもの
の、応答が遅い、見る角度によっては表示が見えなくな
る等の欠点を有している。
ック相に騙するものであυ、受光型のため目が疲れない
、消費′成力が極めて少ない等の特徴を有しているもの
の、応答が遅い、見る角度によっては表示が見えなくな
る等の欠点を有している。
このようなネマチック型液晶の特徴を有し、さらに発光
型表示素子に匹敵する高速応答性、高コントラストを有
するものとして強誘電性液晶を用いる表示デバイスやプ
リンターヘッドが検討されている。
型表示素子に匹敵する高速応答性、高コントラストを有
するものとして強誘電性液晶を用いる表示デバイスやプ
リンターヘッドが検討されている。
強誘電性液晶は1975年にマイヤー(R。
B、Mayer 1等によってその存在が初めて発宍さ
れたもので(J、Phyaique 56 、 L−6
9(1975) )、キラルスメクテツクC相(以下8
m“C相と略記する)を有するものであシ、その代表例
は式(2)%式% ノー2−メチルブチルシンナメート(以下DOBAMB
○と略記する)である。
れたもので(J、Phyaique 56 、 L−6
9(1975) )、キラルスメクテツクC相(以下8
m“C相と略記する)を有するものであシ、その代表例
は式(2)%式% ノー2−メチルブチルシンナメート(以下DOBAMB
○と略記する)である。
〔殆明力(解法しようとする間尾左・ンしかし上記DO
EAMB(:!やその後に提案されたいくつかの強誘電
性液晶材料の多くr1強誘電性を示す温度範囲(8m”
O相が存在する温度範囲)が狭く、単独では実用上使用
し難いものである。
EAMB(:!やその後に提案されたいくつかの強誘電
性液晶材料の多くr1強誘電性を示す温度範囲(8m”
O相が存在する温度範囲)が狭く、単独では実用上使用
し難いものである。
従って一般には多植のix電性液晶を混合し、8m”O
相を示す温度範囲を室温を中心に低温側及び高温側に拡
張する試みがなされている。このためには実用温度温域
にam”○相を有する強誘電性液晶が必要になる。又、
超高速応答が要求されるプリンターヘッド用としては、
従来開発嘔れてきた強請′成性液晶よシさらに大きな自
発分極を有する強誘電性液晶が求められている。
相を示す温度範囲を室温を中心に低温側及び高温側に拡
張する試みがなされている。このためには実用温度温域
にam”○相を有する強誘電性液晶が必要になる。又、
超高速応答が要求されるプリンターヘッド用としては、
従来開発嘔れてきた強請′成性液晶よシさらに大きな自
発分極を有する強誘電性液晶が求められている。
本発明の目的は化学的に安定で着色がなく、光安定性に
も優れ、大きな自発分極を示す強誘電性液晶の配合成分
として有用な新規な化合物を提供することにある。
も優れ、大きな自発分極を示す強誘電性液晶の配合成分
として有用な新規な化合物を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段]
即ち、本発明の要旨は、一般式(1)で示されるδ−バ
レロラクトン項を含有する光学活性体及びこれを含有し
てなる液晶組成物にある。
レロラクトン項を含有する光学活性体及びこれを含有し
てなる液晶組成物にある。
式(1)のRで示されるアルキル基の炭素数(n)が1
9以上の場合は中間原料として使用するA、
A。
9以上の場合は中間原料として使用するA、
A。
(1=1 or 2 )、の精製が比較的困難となり、
ラクトン環に結合したアルキル基の炭素a(m)が9以
上になると光学活性ラクトンの精製が比較的困難になシ
、いずれの場合も生産性が低下するばかりでなく、他の
液晶と混合した時自発分極の大きさを小さくするという
傾向にあり、好ましくない。
ラクトン環に結合したアルキル基の炭素a(m)が9以
上になると光学活性ラクトンの精製が比較的困難になシ
、いずれの場合も生産性が低下するばかりでなく、他の
液晶と混合した時自発分極の大きさを小さくするという
傾向にあり、好ましくない。
本発明の光学活性体の合成法を以下に示す。
(m=1〜8)ri光学活性βアセトキシカルボン酸と
光学活性α−アセトキシニ塩基酸のモノエステルとをコ
ルベ電解法で電極反応させ、次いで環化させることによ
り得られる。
光学活性α−アセトキシニ塩基酸のモノエステルとをコ
ルベ電解法で電極反応させ、次いで環化させることによ
り得られる。
即ち、メチルアルキルケトンをナトリウムノ・イドライ
ド存在下で炭酸ジエチルと反応させβケトカルボン酸エ
チルエステルとした後、CmH2m+1 cca、+
00(OOHtOHs%これを水酸化カリウムを用いて
加水分解し、CmH2m+100H,(])OH,CH
。
ド存在下で炭酸ジエチルと反応させβケトカルボン酸エ
チルエステルとした後、CmH2m+1 cca、+
00(OOHtOHs%これを水酸化カリウムを用いて
加水分解し、CmH2m+100H,(])OH,CH
。
次いでパン酵母を用いてβ位のカルボニル基を不斉環元
して光学活性βヒドロキシカルボン酸とし、 これをピリジン中で無水酢酸と反応させてβ−ア七トキ
シカルボン酸を得る。
して光学活性βヒドロキシカルボン酸とし、 これをピリジン中で無水酢酸と反応させてβ−ア七トキ
シカルボン酸を得る。
一方、8−(→−マリツク酸とアセチルクロリドと反応
させ、得られた生成物を無水エタノールと反応させるこ
とによυ光学活性α−アセトキシ2塩基酸のモノエチル
エステルを4る。
させ、得られた生成物を無水エタノールと反応させるこ
とによυ光学活性α−アセトキシ2塩基酸のモノエチル
エステルを4る。
(テトラヘドロン41、−13.2751〜275B(
1985)) こうして得られた光学活性βアセトキシカルボン酸と光
学活性a−アセトキシ2塩基酸のモノエチルエステルと
をコルベ電解法により電極反応させ、 H 得られた生成物をp−トルエンスルホ/酸の存在下に環
化することにより上記バレロラクトン誘導体を得ること
ができる。
1985)) こうして得られた光学活性βアセトキシカルボン酸と光
学活性a−アセトキシ2塩基酸のモノエチルエステルと
をコルベ電解法により電極反応させ、 H 得られた生成物をp−トルエンスルホ/酸の存在下に環
化することにより上記バレロラクトン誘導体を得ること
ができる。
H
(一般式(1)で示される化合物の会成)一般式(1)
で示される化合物は下記のルートで合成できる。
で示される化合物は下記のルートで合成できる。
(a) 一般式(1)におけるz中のYが−CO−で
ある場合 (a−1)Xが単結合の場合 (a−2)Xが一〇〇−の場合 (R,m、、1%に、ムいAtは上述の意味を有する)
(a−3)Xが−oaH,−o揚合 i)RがCnH2n+10−の場合 (n、j、に%m、AいAtは上述の意味を有する)1
1)RがC,H2,+IC0−ノ場合(n、 m、 L
、 k、ム8、ム、は上記の意味を有する)(a−4)
Xが−aH,o−の場合 (a−5)Xが一0C−の場合 υ (R%t%に、m、ム1、痴は上述の意味を有する)(
kl) 一般式(1)の2中のYが一〇−でるる場合
(b−t) Xが単結合の場合 (8%m、AいA、は上述の意味を有する)(b−2)
Xが−CO−の場合 (R,に1t、m、A、、A、は上述の意味を有する)
(1)−3) Xが−004−の場合(R%t%に%
m1ムいA、は上述の意味を有する)(b−4) X
が−cH,o−の場合(R%t%に、 m、ム1、A、
は上述の意味を有する)O (b−5) xが一0C−の場合 0r2)である場合 本発明の化合物は従来の強誘電性液晶化合物に特有のア
ゾメチン結合を含まないため耐加水分解性等の化学的安
定性が向上するとともに着色もなくビニル迦を有するケ
イ皮酸系のものに比べて光安定性も向上し、このため、
表示用材料としての特性に優れる化合物である。
ある場合 (a−1)Xが単結合の場合 (a−2)Xが一〇〇−の場合 (R,m、、1%に、ムいAtは上述の意味を有する)
(a−3)Xが−oaH,−o揚合 i)RがCnH2n+10−の場合 (n、j、に%m、AいAtは上述の意味を有する)1
1)RがC,H2,+IC0−ノ場合(n、 m、 L
、 k、ム8、ム、は上記の意味を有する)(a−4)
Xが−aH,o−の場合 (a−5)Xが一0C−の場合 υ (R%t%に、m、ム1、痴は上述の意味を有する)(
kl) 一般式(1)の2中のYが一〇−でるる場合
(b−t) Xが単結合の場合 (8%m、AいA、は上述の意味を有する)(b−2)
Xが−CO−の場合 (R,に1t、m、A、、A、は上述の意味を有する)
(1)−3) Xが−004−の場合(R%t%に%
m1ムいA、は上述の意味を有する)(b−4) X
が−cH,o−の場合(R%t%に、 m、ム1、A、
は上述の意味を有する)O (b−5) xが一0C−の場合 0r2)である場合 本発明の化合物は従来の強誘電性液晶化合物に特有のア
ゾメチン結合を含まないため耐加水分解性等の化学的安
定性が向上するとともに着色もなくビニル迦を有するケ
イ皮酸系のものに比べて光安定性も向上し、このため、
表示用材料としての特性に優れる化合物である。
本発明の化合物のうち多くの物は実用源度範囲において
am”C相を示すばかシでなく、自発分極も数十nC/
am”〜数百no/crs”と極めて大きいので、実用
上有用である。
am”C相を示すばかシでなく、自発分極も数十nC/
am”〜数百no/crs”と極めて大きいので、実用
上有用である。
さらに、本発明の化合物のうち8m”O相を示さない化
合物も他の8mO相を有する液晶材料もしくは強誘電性
液晶材料と混合すると8mゞC相を示す温度範囲を拡大
し、自発分極も増大させるという特徴を有する。
合物も他の8mO相を有する液晶材料もしくは強誘電性
液晶材料と混合すると8mゞC相を示す温度範囲を拡大
し、自発分極も増大させるという特徴を有する。
次に、本発明の液晶組成物について説明する。
本発明の液晶組成物は式(1)の化合物t−1種以上含
有するものであるが、液晶組成物は単一の液晶化合物の
みから形成させるよシも複数の強誘電性液晶化合物ある
いはさらに配合用化合物と混合して得られる組成物とす
るとその使用温度範囲を拡張することができるので有利
である。
有するものであるが、液晶組成物は単一の液晶化合物の
みから形成させるよシも複数の強誘電性液晶化合物ある
いはさらに配合用化合物と混合して得られる組成物とす
るとその使用温度範囲を拡張することができるので有利
である。
この一般式(1)で示される化合物1種以上と混合可能
な他の強誘電性液晶の具体例としては以下に示す分子構
造を有するものを挙げることができる。
な他の強誘電性液晶の具体例としては以下に示す分子構
造を有するものを挙げることができる。
(n=6〜16の整数)
(n=8又Fij O)
C!鳥
(n=6〜14の整数)
(m=2〜5、n=8〜12の整数)
(L、m=1〜2、R1== Cn”2n+10−又は
CnH2n+1−(n=8〜10) (n=8〜18 〕 さらに以上に挙げたもの以外の強誘心注を示さない液晶
化合物であってもBmO相を有する化合物であればどん
なものでも式(1)で示される化合物と混合して用いる
ことができ、父上記の2種以上の化合物と混合してもよ
い。
CnH2n+1−(n=8〜10) (n=8〜18 〕 さらに以上に挙げたもの以外の強誘心注を示さない液晶
化合物であってもBmO相を有する化合物であればどん
なものでも式(1)で示される化合物と混合して用いる
ことができ、父上記の2種以上の化合物と混合してもよ
い。
〔実施例]
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
参考列1 β−アセトキシノナン酸の合成炭酸ジエチル
210Mt、オイル中に分散した60重量%濃度のナト
リウムノーイドライド12.8?及びジオキサ7100
−からなる溶液中に、ジオキサン100−にメチルへキ
シルケトン2r1.Ofを溶解した溶液をアルゴン雰囲
気下で滴下し、−夜還流させたのち溶媒を除去し、残食
を減圧蒸留すると、ヘキシルケト酢酸エチル2[LOt
が得られた。α65■ag、a5℃、収率62.5係。
210Mt、オイル中に分散した60重量%濃度のナト
リウムノーイドライド12.8?及びジオキサ7100
−からなる溶液中に、ジオキサン100−にメチルへキ
シルケトン2r1.Ofを溶解した溶液をアルゴン雰囲
気下で滴下し、−夜還流させたのち溶媒を除去し、残食
を減圧蒸留すると、ヘキシルケト酢酸エチル2[LOt
が得られた。α65■ag、a5℃、収率62.5係。
ヘキシルケト酢酸エチル15ft−エタノール75−1
蒸留水75sd及び水酸化カリウム5.022からなる
溶液中に溶解し、室温で7.5時間攪拌したのち、この
溶液に蒸留水St、蔗糖560?及びドライイースト1
68fを加え、50℃で16時間振盪したのちセライト
でP遇した。
蒸留水75sd及び水酸化カリウム5.022からなる
溶液中に溶解し、室温で7.5時間攪拌したのち、この
溶液に蒸留水St、蔗糖560?及びドライイースト1
68fを加え、50℃で16時間振盪したのちセライト
でP遇した。
沈殿をj虱乾したのち酢酸エチルで抽出し、抽出液を濃
縮した。またP液は塩酸を加えてpH1とし、食塩を加
えて飽和溶液としたのちクロロホルムで抽出し、抽出液
を濃縮し、前記の濃縮液と共にジエチルエーテルに溶解
し、1規定の水酸化す) IJウム溶液で2回抽出した
のち、再度塩酸及び食塩を加えpH1の飽和食塩水とし
、エーテルで5回抽出し、エーテル層を飽和食塩水で洗
浄したのち、硫酸マグネシウム上で脱水し、エーテルを
蒸発させたのちn−ヘキサンから再結晶すると、β−ヒ
ドロキシノナ7藪7.812が得られた。融点49.3
〜5[LOt、〔α〕聞・S−2α1° ((H=j、
j、0HO1,)。
縮した。またP液は塩酸を加えてpH1とし、食塩を加
えて飽和溶液としたのちクロロホルムで抽出し、抽出液
を濃縮し、前記の濃縮液と共にジエチルエーテルに溶解
し、1規定の水酸化す) IJウム溶液で2回抽出した
のち、再度塩酸及び食塩を加えpH1の飽和食塩水とし
、エーテルで5回抽出し、エーテル層を飽和食塩水で洗
浄したのち、硫酸マグネシウム上で脱水し、エーテルを
蒸発させたのちn−ヘキサンから再結晶すると、β−ヒ
ドロキシノナ7藪7.812が得られた。融点49.3
〜5[LOt、〔α〕聞・S−2α1° ((H=j、
j、0HO1,)。
このβ−ヒドロキシノナン酸i0tに無水ピリジン20
d及び無水酢酸五2−を水冷下で混合し、室温で1夜攪
拌したのち氷冷し、蒸留水5−を添加し、次いで1Mの
塩酸に溶解したのちエーテル抽出し、エーテル層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で脱水した。次い
でエーテルを蒸発させ濃縮すると、−一アセトキシノナ
ン酸14tが得られた。
d及び無水酢酸五2−を水冷下で混合し、室温で1夜攪
拌したのち氷冷し、蒸留水5−を添加し、次いで1Mの
塩酸に溶解したのちエーテル抽出し、エーテル層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で脱水した。次い
でエーテルを蒸発させ濃縮すると、−一アセトキシノナ
ン酸14tが得られた。
参考列2 β−アセトキシブタン酸の合成光学活性ポリ
ーβ−ヒドロヤシブチレート5Vを無水エタノール36
tj及び無水1.2−ジクロルエタン36−に4懸濁し
、浸硫11111.1 dを加えて57時間加熱還流さ
せた。冷却後、飽和食塩水15−を加え、セライトを懸
濁して濾過した。Piを70−のエーテルで1回、20
−のエーテルで3回抽出し、残留物は100dのエーテ
ルで洗#’ L? ”Jliffl液にあわせ、飽和炭
酸水素す) IJウム溶液及び飽和食塩水で洗浄したの
ち硫虐マグネシウムで乾燥した。エーテルを除去したの
ち減圧蒸留すると、(R)−β−とドロキシブタン酸エ
チルエステル4.Ofが得られた。
ーβ−ヒドロヤシブチレート5Vを無水エタノール36
tj及び無水1.2−ジクロルエタン36−に4懸濁し
、浸硫11111.1 dを加えて57時間加熱還流さ
せた。冷却後、飽和食塩水15−を加え、セライトを懸
濁して濾過した。Piを70−のエーテルで1回、20
−のエーテルで3回抽出し、残留物は100dのエーテ
ルで洗#’ L? ”Jliffl液にあわせ、飽和炭
酸水素す) IJウム溶液及び飽和食塩水で洗浄したの
ち硫虐マグネシウムで乾燥した。エーテルを除去したの
ち減圧蒸留すると、(R)−β−とドロキシブタン酸エ
チルエステル4.Ofが得られた。
[α] H,i == + 4五9°。
(R)−β−ヒドロキシブタン酸エチルエステル4.O
fを水15−、エタノール15g11を及び水酸化す)
IJウムからなる混合液に溶解し、3時間加熱還流し
たのち冷却し、イオン交換樹脂(アンバーライトエR−
120B)を通したのち、溶媒を減圧除去した。残留物
に無水ピリジン10d及び無水酢酸5wtを加え、室温
で1夜攪拌した。反応液に希塩酸を加えpH1とし、食
塩で飽和したのち、クロロホルムで抽出し、抽出液を飽
和食塩水で洗浄したのち硫酸マグネシウム上で脱水した
。次いでクロロホルムを減圧除去すると、目的物五6t
が得られた。〔α〕ト=−−a 7°。
fを水15−、エタノール15g11を及び水酸化す)
IJウムからなる混合液に溶解し、3時間加熱還流し
たのち冷却し、イオン交換樹脂(アンバーライトエR−
120B)を通したのち、溶媒を減圧除去した。残留物
に無水ピリジン10d及び無水酢酸5wtを加え、室温
で1夜攪拌した。反応液に希塩酸を加えpH1とし、食
塩で飽和したのち、クロロホルムで抽出し、抽出液を飽
和食塩水で洗浄したのち硫酸マグネシウム上で脱水した
。次いでクロロホルムを減圧除去すると、目的物五6t
が得られた。〔α〕ト=−−a 7°。
参考例5 B−12)−アセトキシブタンデイオイッ
ク酸1−エチルエステル (8) −(−) −ffリックe1150 tc)’
7*fルクロリド160dを加え、55℃で4時間攪拌
還流したのち、真空下で浴液1c濃縮し、残査にベンゼ
ン100dを加え、さらに真空下でベンゼン及び酢酸を
除去し濃縮したのち室温まで冷却し、残査に無水エタノ
ール100dをガロえ、時折冷却しなから敏しく攪拌し
たのち、70〜75℃で10分間及び50〜55℃で1
0時間加熱した。次いで溶剤を減圧除去し、残置をシリ
カゲルカラムで塩化メチレン−メタノール(50:1)
を展開溶剤として分Pm槓製すると、B −(2)−ア
セトキシブタンデイオイック酸1−エチルエステル51
19tが得られた。融点50〜51℃、〔α〕π=−3
1.6° (c=t42、エタノール)。
ク酸1−エチルエステル (8) −(−) −ffリックe1150 tc)’
7*fルクロリド160dを加え、55℃で4時間攪拌
還流したのち、真空下で浴液1c濃縮し、残査にベンゼ
ン100dを加え、さらに真空下でベンゼン及び酢酸を
除去し濃縮したのち室温まで冷却し、残査に無水エタノ
ール100dをガロえ、時折冷却しなから敏しく攪拌し
たのち、70〜75℃で10分間及び50〜55℃で1
0時間加熱した。次いで溶剤を減圧除去し、残置をシリ
カゲルカラムで塩化メチレン−メタノール(50:1)
を展開溶剤として分Pm槓製すると、B −(2)−ア
セトキシブタンデイオイック酸1−エチルエステル51
19tが得られた。融点50〜51℃、〔α〕π=−3
1.6° (c=t42、エタノール)。
参考例4 (28,5R)−2−ヒドロキシ−5−ヘ
キシル−δ−バレロラクトン 参考例1及び参考例3で合成した(f()−β−アセト
キシノナン酸L89 f及びS −(2)−アセトキシ
ブタンデイオイックば1−エチルエステル7、14 f
をメタノールに溶解し、ナトリウムi2&2J9加え、
xanaao 定電位′1解装置VK−Bを用い、
20〜50℃、30V、1.5Aの条件下で7時間コル
ベ′α解を行った。電解終了後、3規定の水酸化ナトリ
ウム溶液4O−t−添加して1夜攪拌し、メタノールを
除去したのちエーテルで洗浄し、分離したアルカリ水溶
液層に塩酸を加えpH1としたのち食塩を添加して飽和
水溶液とし、クロロホルムで抽出し、硫酸マグネシウム
上で脱水したのちクロロホルムを蒸発させると、粗へ6
−シヒドロキシウ7デシルカルボンd t s tが得
られた。この生成物をベンゼン10mgに溶解し、触1
j!&量のp−)ルエンスルホン酸を加え、室温で2時
間攪拌したのち、エーテルに溶解し、重炭酸ソーダ飽和
水溶液で3回、次iで飽和食塩水で1回洗浄したのち、
硫酸マグネシウム上で脱水し、エーテルを蒸発させ濃縮
したものをシリカゲルカラムを用い、ヘキサン及び酢酸
エチルの混合液を展開溶剤として分@d1mL、、、n
−へ午サン及び[tlエテルの混合溶剤から再結晶する
と、(28,5R)−2−ヒドロキシ−5−へキシル−
δ−バレロラクトン24a1jlFが得られた。+→°
−。
キシル−δ−バレロラクトン 参考例1及び参考例3で合成した(f()−β−アセト
キシノナン酸L89 f及びS −(2)−アセトキシ
ブタンデイオイックば1−エチルエステル7、14 f
をメタノールに溶解し、ナトリウムi2&2J9加え、
xanaao 定電位′1解装置VK−Bを用い、
20〜50℃、30V、1.5Aの条件下で7時間コル
ベ′α解を行った。電解終了後、3規定の水酸化ナトリ
ウム溶液4O−t−添加して1夜攪拌し、メタノールを
除去したのちエーテルで洗浄し、分離したアルカリ水溶
液層に塩酸を加えpH1としたのち食塩を添加して飽和
水溶液とし、クロロホルムで抽出し、硫酸マグネシウム
上で脱水したのちクロロホルムを蒸発させると、粗へ6
−シヒドロキシウ7デシルカルボンd t s tが得
られた。この生成物をベンゼン10mgに溶解し、触1
j!&量のp−)ルエンスルホン酸を加え、室温で2時
間攪拌したのち、エーテルに溶解し、重炭酸ソーダ飽和
水溶液で3回、次iで飽和食塩水で1回洗浄したのち、
硫酸マグネシウム上で脱水し、エーテルを蒸発させ濃縮
したものをシリカゲルカラムを用い、ヘキサン及び酢酸
エチルの混合液を展開溶剤として分@d1mL、、、n
−へ午サン及び[tlエテルの混合溶剤から再結晶する
と、(28,5R)−2−ヒドロキシ−5−へキシル−
δ−バレロラクトン24a1jlFが得られた。+→°
−。
融点ニア&5〜77.0℃
元素分析値:
0% 耽 8%
実験値 6sB4 1α29 α06理論値
65.97 1107 0死魔光度:[α]%i=±
768° (クロロホルム中、o=1.1) ’)l−IJMR: J ppm 4.36C2H)、五21(IH)、1.51(14H
)、IIL89(311) 又、 (R)−β−アセトキシノナ/酸の代りに(R
)−β−アセトキシブタン酸を用いる以外は前述と同様
の方法により(2B、SR)−2−ヒドロキシ−5−メ
チル−J −バレロラクトンを合成した。
65.97 1107 0死魔光度:[α]%i=±
768° (クロロホルム中、o=1.1) ’)l−IJMR: J ppm 4.36C2H)、五21(IH)、1.51(14H
)、IIL89(311) 又、 (R)−β−アセトキシノナ/酸の代りに(R
)−β−アセトキシブタン酸を用いる以外は前述と同様
の方法により(2B、SR)−2−ヒドロキシ−5−メ
チル−J −バレロラクトンを合成した。
参fj flIJ 5 4/−デシルオキシりフェニル
−4−カルボン酸クロリドの合成 ”−M” (C””’M COCl、)4−ヒ
ドロキシ−4−シアノビフェニル3?、1−臭化デカン
2t4F、及び炭酸カリウム2.52をメチルインブチ
ルケトン50wt中に加え、50時間還流反応させた。
−4−カルボン酸クロリドの合成 ”−M” (C””’M COCl、)4−ヒ
ドロキシ−4−シアノビフェニル3?、1−臭化デカン
2t4F、及び炭酸カリウム2.52をメチルインブチ
ルケトン50wt中に加え、50時間還流反応させた。
これを冷却後、不溶解物t−F別し、F液を減圧下で濃
縮した後、残留物にエタノールを加えて再結晶させ、4
−デシルオキシ−4′−シアノビフェニル52を得た。
縮した後、残留物にエタノールを加えて再結晶させ、4
−デシルオキシ−4′−シアノビフェニル52を得た。
この4−デシルオキシ−4′−シアノビフェニル5tを
得た。この4−デシルオキシ−4′−シアノビフェニル
4.1Fをエチレングリコール25−に浴解し、2N水
酸化ナトリウム2.5dを加え、4時間還流反応嘔せた
。反応液を氷冷した希塩酸中に投入し、析出物t−F別
した後、水、エタノールで洗浄し、乾燥した。乾燥物を
クロロホルムよシ再結晶させ、4′−デシルオキシビフ
ェニル−4−カルボン酸五at’54だ。
得た。この4−デシルオキシ−4′−シアノビフェニル
4.1Fをエチレングリコール25−に浴解し、2N水
酸化ナトリウム2.5dを加え、4時間還流反応嘔せた
。反応液を氷冷した希塩酸中に投入し、析出物t−F別
した後、水、エタノールで洗浄し、乾燥した。乾燥物を
クロロホルムよシ再結晶させ、4′−デシルオキシビフ
ェニル−4−カルボン酸五at’54だ。
このカルボン酸に塩化チオニル20ft”滴下し、2時
間還流反応させた後、未反応塩化チオニルを減圧下で留
去し、4′−デシルオキシビフェニル−4−カルボン酸
クロリドを定量的に得た。
間還流反応させた後、未反応塩化チオニルを減圧下で留
去し、4′−デシルオキシビフェニル−4−カルボン酸
クロリドを定量的に得た。
又、アルコキシ鎖長の異なる4′−アルコキシビフェニ
ル−4−カルボンも同様にして合成した。
ル−4−カルボンも同様にして合成した。
参JThJ6 a−ヒドロキシ−4′−デシルオキシビ
フェニルの合成 ビフェノールLOfをメタノール25mに溶解させて水
酸化ナトリウムt5f、水1−、メタノール5wtから
なる溶液をこれにmえ、加熱還流した。この溶液にn−
ブロムデカン5.4tのメタノール5−溶液を滴下し、
−夜還流させた後、減圧濃縮し、水、塩酸でpnを2〜
3に調整した。クロロホルムで5回抽出し、抽出層を飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾珠した後、
減圧濃縮し、シリカゲルカラムを用い精製し、4−ヒド
ロキシ−4′−デシルオキシピフェニル16ff得た。
フェニルの合成 ビフェノールLOfをメタノール25mに溶解させて水
酸化ナトリウムt5f、水1−、メタノール5wtから
なる溶液をこれにmえ、加熱還流した。この溶液にn−
ブロムデカン5.4tのメタノール5−溶液を滴下し、
−夜還流させた後、減圧濃縮し、水、塩酸でpnを2〜
3に調整した。クロロホルムで5回抽出し、抽出層を飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾珠した後、
減圧濃縮し、シリカゲルカラムを用い精製し、4−ヒド
ロキシ−4′−デシルオキシピフェニル16ff得た。
参m列7 p−ドデシルオキシフェニル−p′−カル
ボキシベンジルエーテル の合成 n−ペンタンで洗浄したナトリウムノーイドライド28
7qにジメチルホルムアミド(DMF)5dを加えNt
雰囲気下で攪拌しなからp−ドデシルオキシフェノ
ール2.Of’iD、MIF5dで希釈した溶液を滴下
し、1時間攪拌後、p−ブロムメチル安息香酸エチルエ
ステル2 ? ’i DMF5艷に溶解した溶液を加え
、3時間攪拌反応後氷冷した1規定塩酸水溶液中に投入
し、クロロホルムで抽出した。抽出液を濃縮後、析出し
た結晶をn−へキサンで洗浄、乾燥した。この結晶t−
エタノール、テトラヒドロフラン及び水からなる混合液
に溶解し、1規定NaOH5−を加え、60℃に加熱、
1時間反応させた後、冷却し、析出した結晶を戸別し、
続いてテトラヒドロフランに溶解し、1規定塩酸水溶液
を加え、再度結晶を析出させた。結晶を戸別後、水、エ
タノールで洗浄してp−ドデシルオキシフエニ/I/−
p’−f)ルボキシベンジルエーテルt1ft−得た。
ボキシベンジルエーテル の合成 n−ペンタンで洗浄したナトリウムノーイドライド28
7qにジメチルホルムアミド(DMF)5dを加えNt
雰囲気下で攪拌しなからp−ドデシルオキシフェノ
ール2.Of’iD、MIF5dで希釈した溶液を滴下
し、1時間攪拌後、p−ブロムメチル安息香酸エチルエ
ステル2 ? ’i DMF5艷に溶解した溶液を加え
、3時間攪拌反応後氷冷した1規定塩酸水溶液中に投入
し、クロロホルムで抽出した。抽出液を濃縮後、析出し
た結晶をn−へキサンで洗浄、乾燥した。この結晶t−
エタノール、テトラヒドロフラン及び水からなる混合液
に溶解し、1規定NaOH5−を加え、60℃に加熱、
1時間反応させた後、冷却し、析出した結晶を戸別し、
続いてテトラヒドロフランに溶解し、1規定塩酸水溶液
を加え、再度結晶を析出させた。結晶を戸別後、水、エ
タノールで洗浄してp−ドデシルオキシフエニ/I/−
p’−f)ルボキシベンジルエーテルt1ft−得た。
又、アルキル鎖長の異なる同族体も同様の方法で合成し
た。
た。
参考N8 p−y’ジルカルボキシフェニル−p′−
カルボキシベンジルエーテル の合成 p−ブロムメチル安息香酸sr、ジヒドロピラン10F
、及びI)−)ルエンスルホン酸ヒリジニウム塩585
qを塩化メチレンとT)IFの混合溶剤70dK溶解し
、室温で6時間反応させた後、炭酸水素ナトリウム飽和
水溶液、ついで飽和食塩水で洗浄後、濃縮し、n−ヘキ
サン−酢酸エチル−クロロホルム混合溶媒から再結晶さ
せてp−ブロムメチル安息香酸テトラヒドロピラニルエ
ステル40fiiた。n−ペンタンで洗浄したナトリウ
ムハイドライド2671qをDMIMOs/に溶解し、
N、雰囲気中でデシルカルボン!!p−ヒドロキシフェ
ニルエステルLB6f及びp−ブロムメチル安息香酸テ
トラヒドロピラニルエステル2ft−DM710dK溶
解した溶液を滴下し、1夜攪拌した後、反応液を水冷し
た1規定塩酸水溶液中に投入し、クロロホルムで抽出し
た。抽出液を濃縮後、エタ’ −ルテ希釈シ、p−)ル
エンスルホン酸ピリジニウム塩1’ 70 M9を加え
、55℃で1時間攪拌した。クロロホルムで希釈した後
、飽和食塩水で洗浄し、濃縮後、酢酸エチル及びクロロ
ホルムからなる混合溶媒から再結晶してp−デシルカル
ボキシフェニル−p′−カルボン酸ベンジルエーテル1
.2fを得た。
カルボキシベンジルエーテル の合成 p−ブロムメチル安息香酸sr、ジヒドロピラン10F
、及びI)−)ルエンスルホン酸ヒリジニウム塩585
qを塩化メチレンとT)IFの混合溶剤70dK溶解し
、室温で6時間反応させた後、炭酸水素ナトリウム飽和
水溶液、ついで飽和食塩水で洗浄後、濃縮し、n−ヘキ
サン−酢酸エチル−クロロホルム混合溶媒から再結晶さ
せてp−ブロムメチル安息香酸テトラヒドロピラニルエ
ステル40fiiた。n−ペンタンで洗浄したナトリウ
ムハイドライド2671qをDMIMOs/に溶解し、
N、雰囲気中でデシルカルボン!!p−ヒドロキシフェ
ニルエステルLB6f及びp−ブロムメチル安息香酸テ
トラヒドロピラニルエステル2ft−DM710dK溶
解した溶液を滴下し、1夜攪拌した後、反応液を水冷し
た1規定塩酸水溶液中に投入し、クロロホルムで抽出し
た。抽出液を濃縮後、エタ’ −ルテ希釈シ、p−)ル
エンスルホン酸ピリジニウム塩1’ 70 M9を加え
、55℃で1時間攪拌した。クロロホルムで希釈した後
、飽和食塩水で洗浄し、濃縮後、酢酸エチル及びクロロ
ホルムからなる混合溶媒から再結晶してp−デシルカル
ボキシフェニル−p′−カルボン酸ベンジルエーテル1
.2fを得た。
参考ff1J9 p−ドデシルオキシカルボニル−p
′−カルボキシベンジルエーテル の合成 n−ペンタンで洗浄したナトリウムハイドライド132
qt−DMF5st7!に溶解し、窒素雰囲気下でp−
ヒドロキシ安息香酸1.02 F及び参考例8の方法で
合成し7tp−ブロムメチル安息香酸テトラヒドロピラ
ニルエーテル2PヲDMIF10−に溶解した溶液を滴
下し、室温で1夜攪拌反応させた。反応液を1規定塩酸
水溶液中に投入し、参考例8と同様の方法で処理し、酢
酸エチルとクロロホルムの混合溶媒から再結晶させてp
−ドデシルオキシカルボニルフェニル−p′−カルボキ
シベンジルエーテルaooqを4た。
′−カルボキシベンジルエーテル の合成 n−ペンタンで洗浄したナトリウムハイドライド132
qt−DMF5st7!に溶解し、窒素雰囲気下でp−
ヒドロキシ安息香酸1.02 F及び参考例8の方法で
合成し7tp−ブロムメチル安息香酸テトラヒドロピラ
ニルエーテル2PヲDMIF10−に溶解した溶液を滴
下し、室温で1夜攪拌反応させた。反応液を1規定塩酸
水溶液中に投入し、参考例8と同様の方法で処理し、酢
酸エチルとクロロホルムの混合溶媒から再結晶させてp
−ドデシルオキシカルボニルフェニル−p′−カルボキ
シベンジルエーテルaooqを4た。
参考列104−(4’−デシルオキシベンゾイルオキシ
)安息香酸 の合成 P−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステル2.3fをピ
リジン10dK溶解し、p−デシルオキシ安息香酸クロ
リド3fをピリジン15−に溶解させた溶液を加え、室
温で一夜、攪拌反応させた。反応液を氷冷した希塩酸中
に注ぎ、析出した沈澱物を炉別した。乾燥後シリカゲル
カラムクロマトで精製して4− (4’−デシルオキシ
ベンゾイルオキシ)安息香酸ベンジルエステル42を得
た。これを酢酸エチル20−に溶解し、14 f (Z
) X’d/C3を加え、水素圧2 kglon”で−
夜接触還元した後、触媒を戸別し、反応液から酢酸エチ
ルを蒸発させて4−(4’−デシロキシベンゾイロヤシ
)安息香ra五2tを得た。
)安息香酸 の合成 P−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステル2.3fをピ
リジン10dK溶解し、p−デシルオキシ安息香酸クロ
リド3fをピリジン15−に溶解させた溶液を加え、室
温で一夜、攪拌反応させた。反応液を氷冷した希塩酸中
に注ぎ、析出した沈澱物を炉別した。乾燥後シリカゲル
カラムクロマトで精製して4− (4’−デシルオキシ
ベンゾイルオキシ)安息香酸ベンジルエステル42を得
た。これを酢酸エチル20−に溶解し、14 f (Z
) X’d/C3を加え、水素圧2 kglon”で−
夜接触還元した後、触媒を戸別し、反応液から酢酸エチ
ルを蒸発させて4−(4’−デシロキシベンゾイロヤシ
)安息香ra五2tを得た。
参考列11 テレフタル酸モノ(4−デシルオキシフェ
ニル)エステル の合成 テレ7タロイルジクロリド1.71 fを乾燥ベンゼン
10sdに溶#l、ベンジルアルコールzsr、)ジエ
チルアミン5WItt−訓え室温で一夜攪拌反応させた
。反応液を氷冷した希塩酸中に注ぎ、エチルアセテート
を加えて抽出した。
ニル)エステル の合成 テレ7タロイルジクロリド1.71 fを乾燥ベンゼン
10sdに溶#l、ベンジルアルコールzsr、)ジエ
チルアミン5WItt−訓え室温で一夜攪拌反応させた
。反応液を氷冷した希塩酸中に注ぎ、エチルアセテート
を加えて抽出した。
抽出液を水洗後、MgBo、上で乾燥させた。エチルア
セテートを蒸発させた後、エタノールから再結晶してテ
レフタル酸ベンジルエステル五2f を得り。このテレ
フタル酸ベンジルエステルL7Fをアセトン20−に溶
解しエタノールと水1:1の混合液に溶解した等モルの
水酸化ナトリウムを加え一夜攪拌した。アセトンを蒸発
させた後、希塩酸、酢酸エチルを加え抽出した。
セテートを蒸発させた後、エタノールから再結晶してテ
レフタル酸ベンジルエステル五2f を得り。このテレ
フタル酸ベンジルエステルL7Fをアセトン20−に溶
解しエタノールと水1:1の混合液に溶解した等モルの
水酸化ナトリウムを加え一夜攪拌した。アセトンを蒸発
させた後、希塩酸、酢酸エチルを加え抽出した。
抽出液を水洗後、 Mg80.上で乾燥させ、酢酸エテ
ルを蒸発させた後残渣をアセトンと水の混合溶液から再
結品格せてテレフタル酸モノベンジルエステルLofを
得た。これに塩化チオニルの を加え酸クロリドとした後、未反応金塩化チオニルを減
圧留去し、ついでピリジン10d、A−デシルオキシフ
ェノールt2fft加え反応させ参考列10と同様の方
法でテレフタル酸ベンジル−4−デシルオキシフェニル
ニステルトシタ後Pd10で接触還元し、テレフタル酸
モノ(4−7’シルオキシフエニル)エステルt69を
得た。
ルを蒸発させた後残渣をアセトンと水の混合溶液から再
結品格せてテレフタル酸モノベンジルエステルLofを
得た。これに塩化チオニルの を加え酸クロリドとした後、未反応金塩化チオニルを減
圧留去し、ついでピリジン10d、A−デシルオキシフ
ェノールt2fft加え反応させ参考列10と同様の方
法でテレフタル酸ベンジル−4−デシルオキシフェニル
ニステルトシタ後Pd10で接触還元し、テレフタル酸
モノ(4−7’シルオキシフエニル)エステルt69を
得た。
参JNJ12 2−(4−ヒドロキシフェニル)−5−
オクチルオキシピリミジン 常法に従い4−ヒドロキシベンズアミジン塩酸塩とβ−
ジメチルアミノ−α−オクチルオキシアクロレインとか
らナトリウムメトキシドを触媒として合成した。
オクチルオキシピリミジン 常法に従い4−ヒドロキシベンズアミジン塩酸塩とβ−
ジメチルアミノ−α−オクチルオキシアクロレインとか
らナトリウムメトキシドを触媒として合成した。
参考列134−ヒドロキシ安息香cIR−s−クロロ−
a−トy−シロキシフェニル エステル の合成 りクルハイドロ中ノンをエタノール中、1当量の水酸化
カリウムを触媒としてドデシルプロミドと反応させて3
−クロロ−4−ドデシルオキシフェノールを得九。この
3−クロロ−4−ドデシルオキシフェノール五1tと2
.4−アセトキシ安息香酸クロリド2−02とをピリジ
ン中で反応させた後、常法によシ処理し4−アセトキシ
安1iL香m 5− /クロー4−ドデシルオΦシと フェニルエステル4tを得た。これをTHFIPメタノ
ールとの混合液に溶解し、当量の1NLion を加
えアセトキシ基を選択脱離させて4−ヒドロキシ安息香
酸−3−クロロ−4−ドデシルオキシフェニルエステル
を得た。
a−トy−シロキシフェニル エステル の合成 りクルハイドロ中ノンをエタノール中、1当量の水酸化
カリウムを触媒としてドデシルプロミドと反応させて3
−クロロ−4−ドデシルオキシフェノールを得九。この
3−クロロ−4−ドデシルオキシフェノール五1tと2
.4−アセトキシ安息香酸クロリド2−02とをピリジ
ン中で反応させた後、常法によシ処理し4−アセトキシ
安1iL香m 5− /クロー4−ドデシルオΦシと フェニルエステル4tを得た。これをTHFIPメタノ
ールとの混合液に溶解し、当量の1NLion を加
えアセトキシ基を選択脱離させて4−ヒドロキシ安息香
酸−3−クロロ−4−ドデシルオキシフェニルエステル
を得た。
参考列14−3−クロル−4−ヒドロキシ安息香酸−4
’−ドデシルオキシカルボ ニルフェニルエステル の合成 4−アセトキシ安息香酸クロリド2.O2をピリジン1
0−に溶解し、ドデシルアルコール2.42を加え室温
で一夜攪拌反応させた後、常法により処理し4−アセト
キシ安息香酸ドデシルエステル2.41を得た。参考例
15と同様の方法でアセトキシ基を選択脱離させて4−
ヒドロキシ安息香酸ドデシルエステルを定量的に得た。
’−ドデシルオキシカルボ ニルフェニルエステル の合成 4−アセトキシ安息香酸クロリド2.O2をピリジン1
0−に溶解し、ドデシルアルコール2.42を加え室温
で一夜攪拌反応させた後、常法により処理し4−アセト
キシ安息香酸ドデシルエステル2.41を得た。参考例
15と同様の方法でアセトキシ基を選択脱離させて4−
ヒドロキシ安息香酸ドデシルエステルを定量的に得た。
こnをピリジン20dに溶解し、3−クロル−4−ベン
ジルオキ、シ安息香酸クロリド2.22をピリジン20
−に溶解した溶液を加え、室温で一夜攪拌反応させた後
、常法により処理して5−クロル−4−ベンジルオキシ
安息香酸−4’−1’テシルオキシカルボニルフエニル
エステル五5tを得た。これを参考t110と同様の方
法で接触還元し5−クロル−4−ヒドロキシ安息香酸−
4’−ドデシルオキシカルボニルフェニルエステル2.
7fを得た。
ジルオキ、シ安息香酸クロリド2.22をピリジン20
−に溶解した溶液を加え、室温で一夜攪拌反応させた後
、常法により処理して5−クロル−4−ベンジルオキシ
安息香酸−4’−1’テシルオキシカルボニルフエニル
エステル五5tを得た。これを参考t110と同様の方
法で接触還元し5−クロル−4−ヒドロキシ安息香酸−
4’−ドデシルオキシカルボニルフェニルエステル2.
7fを得た。
参考例154−ドデシルオキシ安息香酸−4′−ヒドロ
キシフェニルエステル の合成 4−ドデシルオキシ安息香酸クロリド五25tとハイド
ロキノンモノペンジルエーテル2.02をピリジン30
d中反応させ4−ドデシルオ=? シ安息香酸−4’−
ベンジルオキシフェニルエステル4.42を得た。これ
を参考例10と同様の方法で接触還元して4−ドデシル
オキシ安息香m−4’−ヒドロキシフェニルエステル已
62を得た。
キシフェニルエステル の合成 4−ドデシルオキシ安息香酸クロリド五25tとハイド
ロキノンモノペンジルエーテル2.02をピリジン30
d中反応させ4−ドデシルオ=? シ安息香酸−4’−
ベンジルオキシフェニルエステル4.42を得た。これ
を参考例10と同様の方法で接触還元して4−ドデシル
オキシ安息香m−4’−ヒドロキシフェニルエステル已
62を得た。
参考列1(S 4−(4’−へブチルオキシベンジル
オキシ)安息香酸 の合成 4−へグチルオキシベンジルアルコール2.2fと4−
ヒドロキシ安息香酸エチルエステルt7fをベンゼン2
0−に溶解し、アゾジカルボン酸ジエチル1.8F、)
リフェニルホスフイン2.6tを加え攪拌反応させた後
、反応液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで分anI製して4− (4’−へグチルオキシベン
ジルオキシ)安息香酸エチルエステルAI ff得た。
オキシ)安息香酸 の合成 4−へグチルオキシベンジルアルコール2.2fと4−
ヒドロキシ安息香酸エチルエステルt7fをベンゼン2
0−に溶解し、アゾジカルボン酸ジエチル1.8F、)
リフェニルホスフイン2.6tを加え攪拌反応させた後
、反応液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで分anI製して4− (4’−へグチルオキシベン
ジルオキシ)安息香酸エチルエステルAI ff得た。
これをエタノール20−に溶解し、2N−KOH水溶液
42+dを加え加水分解させた後、常法にて処理し、4
−(4’−へグチルオキシベンジルオキシ)安息香酸2
.72を得た。
42+dを加え加水分解させた後、常法にて処理し、4
−(4’−へグチルオキシベンジルオキシ)安息香酸2
.72を得た。
参考[HJj7 a’−デシルオキシ−全一フルオロ
4−ヒドロヤンビフェi−ル 4−デシルオキシビフェノールS5t@塩化メチレフ5
0Mに溶解し、N−フルオロ−45−ジクロロピリジニ
ウムトリフレート五22を加えアルゴン雰囲気下、5時
間還流反応させた。
4−ヒドロヤンビフェi−ル 4−デシルオキシビフェノールS5t@塩化メチレフ5
0Mに溶解し、N−フルオロ−45−ジクロロピリジニ
ウムトリフレート五22を加えアルゴン雰囲気下、5時
間還流反応させた。
ヨウ化カリウムα2fを加え\未反応のN−フルオロ−
へ5−ジクロロピリジニウムトリフレートを失活させ、
エテルエーテル8’Qwtを加え不溶解物を戸別した後
、反応液を濃縮し、シリtルzorを得た。
へ5−ジクロロピリジニウムトリフレートを失活させ、
エテルエーテル8’Qwtを加え不溶解物を戸別した後
、反応液を濃縮し、シリtルzorを得た。
参考ff1Jta 2−(4−ヒドロキシフェニル)
−5−へキシルピリミジン 常法に従い、4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸
塩と2−ヘキシルマロン酸ジエチルとをナトリウムメト
キシドを触媒としてカップリング嘔せ、次いでオキシ塩
化リンで塩素置換した後Pd10で接触還元することに
より合成した。
−5−へキシルピリミジン 常法に従い、4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸
塩と2−ヘキシルマロン酸ジエチルとをナトリウムメト
キシドを触媒としてカップリング嘔せ、次いでオキシ塩
化リンで塩素置換した後Pd10で接触還元することに
より合成した。
参考列19 ヒドロキノンモノ−(4−オクチルオキシ
カルボニル)ペンジルエ ーテル の合成 4−ブロモメチル安息香酸クロリド2.52をベンゼン
30mに溶解し、n−オクチルアルコールt57f及び
トリエチルアミン5−を加え室温で一夜攪拌させた。酢
酸エチル3〇−及び2 kl −110t10−を加え
有機層を分離し死後、水洗し、硫酸マグネシウム上で乾
燥した。溶剤を留去した後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて分S精製し、4−ブロモメチル安息香酸
オクチルエステル五0ff4fC,。
カルボニル)ペンジルエ ーテル の合成 4−ブロモメチル安息香酸クロリド2.52をベンゼン
30mに溶解し、n−オクチルアルコールt57f及び
トリエチルアミン5−を加え室温で一夜攪拌させた。酢
酸エチル3〇−及び2 kl −110t10−を加え
有機層を分離し死後、水洗し、硫酸マグネシウム上で乾
燥した。溶剤を留去した後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて分S精製し、4−ブロモメチル安息香酸
オクチルエステル五0ff4fC,。
60僑油性ナトリウムハライド[Latをn−ペンタン
で洗浄後、乾燥し、DMF溶液中に懸濁させ、この溶液
にヒドロギノンモノアセテート1.52ft−DMIF
15−に溶解した溶液を滴下し、2時間攪拌した。次い
で4−ブロモメチル安息香酸オクチルエステル五3tを
DMFで希釈した溶液を滴下し、−夜室温で攪拌反応さ
せた。反応液を水中に注ぎ、不溶物t−戸別した後、ク
ロロホルムに溶解し、希塩酸、水で洗浄後、MgBO,
上で乾燥させた。溶媒を留去した後、THFとメタノー
ルの混合溶媒に溶解し、INlN−Li0E2sを加え
常法によシ脱アセチル化させ、ヒドロキノンモノ−(4
−オクチルオキシカルボニル)ベンジルエーテル2.l
ft−m7’c。
で洗浄後、乾燥し、DMF溶液中に懸濁させ、この溶液
にヒドロギノンモノアセテート1.52ft−DMIF
15−に溶解した溶液を滴下し、2時間攪拌した。次い
で4−ブロモメチル安息香酸オクチルエステル五3tを
DMFで希釈した溶液を滴下し、−夜室温で攪拌反応さ
せた。反応液を水中に注ぎ、不溶物t−戸別した後、ク
ロロホルムに溶解し、希塩酸、水で洗浄後、MgBO,
上で乾燥させた。溶媒を留去した後、THFとメタノー
ルの混合溶媒に溶解し、INlN−Li0E2sを加え
常法によシ脱アセチル化させ、ヒドロキノンモノ−(4
−オクチルオキシカルボニル)ベンジルエーテル2.l
ft−m7’c。
参JMJ2o a −(a−ウンデシルカルボキシベ
ンゾイルオキシ)安息香酸 の合成 4−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステル2.32とラ
ウリン酸クロリド2.52から常法に従い4−ウンデシ
ルカルボキシ安息香酸ベンジルエーテル五5tを得た。
ンゾイルオキシ)安息香酸 の合成 4−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステル2.32とラ
ウリン酸クロリド2.52から常法に従い4−ウンデシ
ルカルボキシ安息香酸ベンジルエーテル五5tを得た。
pa/cを触媒として水素圧2 K97an”で接触還
元し、4−ウンデシルカルボキシ安息香酸2.8 Fを
得た。チオニルクロリドにて4−ウンデシルカルボキシ
安息香酸クロリドとし、4−ヒドロキシ安息香酸ベンジ
ルエステルL8tと反応させ4−(4−ウンデシルカル
ボキシベンゾイルオキシ)安息香酸ベンジルエステルと
した後P d / Oを触媒として水素圧2 kl/c
m”で接触還元し、ベンジル基を除去しテ4−(4’−
ウンデシルカルボキシベンゾイルオキシ)安息香酸五o
fを得た。
元し、4−ウンデシルカルボキシ安息香酸2.8 Fを
得た。チオニルクロリドにて4−ウンデシルカルボキシ
安息香酸クロリドとし、4−ヒドロキシ安息香酸ベンジ
ルエステルL8tと反応させ4−(4−ウンデシルカル
ボキシベンゾイルオキシ)安息香酸ベンジルエステルと
した後P d / Oを触媒として水素圧2 kl/c
m”で接触還元し、ベンジル基を除去しテ4−(4’−
ウンデシルカルボキシベンゾイルオキシ)安息香酸五o
fを得た。
参考例214′−ウンデシルカルボ中シビフェニルカル
ボン酸 の合成 4′−ヒドロキシビフェニルカルボン酸2.142をベ
ンゼン2〇−中に懸濁し、ラウリン酸クロリド15F及
びトリエテルアずン5−を加え80℃で4時間還流反応
させた後、クロロホルム゛を加え、希塩酸ついで蒸留水
で洗浄し、有機層を分離した。この有機層を硫酸マグネ
シウム上で乾燥させた後、@縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて分離精製して4′−ウンデシルカ
ルボキシビフェニルカルボン酸五〇?を得九。
ボン酸 の合成 4′−ヒドロキシビフェニルカルボン酸2.142をベ
ンゼン2〇−中に懸濁し、ラウリン酸クロリド15F及
びトリエテルアずン5−を加え80℃で4時間還流反応
させた後、クロロホルム゛を加え、希塩酸ついで蒸留水
で洗浄し、有機層を分離した。この有機層を硫酸マグネ
シウム上で乾燥させた後、@縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて分離精製して4′−ウンデシルカ
ルボキシビフェニルカルボン酸五〇?を得九。
実施911
参考例4と同様の方法で合成した(28,5R)−2−
ヒドロキシ−5−へキシル−δ−バレロラクトン150
qと参考例5と同様の方法で合成したp−デシルオキシ
ビフェニル力ルポ7酸762Q及びトリフェニルホスフ
ィン295qtテトラヒドロ7ラン50dK:溶解し、
アゾジカルボン酸ジエチル170μLを加え1夜攪拌反
応させた後、濃縮し、シリカゲルカラムを用い、n−ヘ
キサン−酢酸エテル−クロロホルムを展開溶剤として分
離精製し、酢酸エチルよυ再結晶させて(2R,5B
)−2−[(4’−デシルオキシピフェニル)−4−カ
ルボニルオー? シ] −5−ヘギシルーδ−バレロラ
クトン50H1を得た。第1図にこの化合物の8Mft
スペクトルを示す。この化合物を偏光顕微鏡下で加熱、
融解させて相転移挙動を調べたところ以下に示すような
相転移を示した。
ヒドロキシ−5−へキシル−δ−バレロラクトン150
qと参考例5と同様の方法で合成したp−デシルオキシ
ビフェニル力ルポ7酸762Q及びトリフェニルホスフ
ィン295qtテトラヒドロ7ラン50dK:溶解し、
アゾジカルボン酸ジエチル170μLを加え1夜攪拌反
応させた後、濃縮し、シリカゲルカラムを用い、n−ヘ
キサン−酢酸エテル−クロロホルムを展開溶剤として分
離精製し、酢酸エチルよυ再結晶させて(2R,5B
)−2−[(4’−デシルオキシピフェニル)−4−カ
ルボニルオー? シ] −5−ヘギシルーδ−バレロラ
クトン50H1を得た。第1図にこの化合物の8Mft
スペクトルを示す。この化合物を偏光顕微鏡下で加熱、
融解させて相転移挙動を調べたところ以下に示すような
相転移を示した。
ここで0ryst、は結晶、Sm”Cは中シルスメクチ
ックC相、工8oはアイソトロピック相、8m!は未同
定のスメクチック相を示し、矢印はその相への転移、矢
印近傍に記載した温度に七の相への転移温度を示す。
ックC相、工8oはアイソトロピック相、8m!は未同
定のスメクチック相を示し、矢印はその相への転移、矢
印近傍に記載した温度に七の相への転移温度を示す。
実施例2
参考例4と同様の方法で合成した(2El、5R)−2
−ヒドロキシ−5−へキシル−δ−バレロラクトン67
岬、参考列8と同様の方法で合成したp−デシルカルボ
キシフェニル−p′−カルボキシベンジルエーテル42
0q及びトリフェニルホスフィン400IIIをベンゼ
ン2011!7!に溶解レアゾジカルボン酸ジエチル2
00μtを滴下して1夜攪拌反応させた後、反応液を濃
縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製
した後酢酸エチルより再結晶させて目的物70tqを得
九。このものが式 で示される目的物であることμNMRスペクトルによυ
確認した。
−ヒドロキシ−5−へキシル−δ−バレロラクトン67
岬、参考列8と同様の方法で合成したp−デシルカルボ
キシフェニル−p′−カルボキシベンジルエーテル42
0q及びトリフェニルホスフィン400IIIをベンゼ
ン2011!7!に溶解レアゾジカルボン酸ジエチル2
00μtを滴下して1夜攪拌反応させた後、反応液を濃
縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製
した後酢酸エチルより再結晶させて目的物70tqを得
九。このものが式 で示される目的物であることμNMRスペクトルによυ
確認した。
この化合物のNMRスペクトルを第2図に示す。
示差走査熱量計及び偏光顕微鏡を用い本化合物の相転移
挙動を測定した結果を以下に示す。
挙動を測定した結果を以下に示す。
三角波法を用い、セル厚50μm1周波数100Hz、
ピーク電圧±100vの条件下で測定したこの化合物の
自発分極の温度依存性を第3図に示す。
ピーク電圧±100vの条件下で測定したこの化合物の
自発分極の温度依存性を第3図に示す。
実施例3〜18
1)−7’ジルカルボキシフェニル−p′−カルボキシ
ベンジルエーテル420qの代、すに第1表に示した化
合物を所定量用い、バレロラクトン誘導体を第1表に記
載の量用いた以外は実m列2と同様にして比1表に示し
た化合物を合成し、これらの相転移温度を調べた。その
結果を第1衣に示す。
ベンジルエーテル420qの代、すに第1表に示した化
合物を所定量用い、バレロラクトン誘導体を第1表に記
載の量用いた以外は実m列2と同様にして比1表に示し
た化合物を合成し、これらの相転移温度を調べた。その
結果を第1衣に示す。
実施例20
常法に従い3−クロロ−4−ヒドロキシ安息香酸とドデ
シルプロミドとを水酸化ナトリウムを含むエタノール−
水温@rm液中で反応させ3−クロロ−4−ドデシルオ
キシ安息香酸とした後、チオニククロリドと反応させ3
−クロロ−4−ドデシルオキシ安息香酸クロリドを得た
。
シルプロミドとを水酸化ナトリウムを含むエタノール−
水温@rm液中で反応させ3−クロロ−4−ドデシルオ
キシ安息香酸とした後、チオニククロリドと反応させ3
−クロロ−4−ドデシルオキシ安息香酸クロリドを得た
。
(2日、5R)−2−ヒドロキシ−5−へキシル−δ−
バレロラクトン100j9と4−ベンジルオキシ安息香
dR200岬とをベンゼン20+dK溶解し、アゾジカ
ルボン酸ジエチル190■及びトリフェニルホスフィン
250qを加え室温で一夜攪拌反応させた後、反応液を
減圧下に濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により分S精製し、2−(4’−ベンジルオキシベンゾ
イルオキシ)−5−ヘキシル−δ−ノくレロラクトン1
20qを得た。これをpa/cを触媒として水素圧2
kg7cm”で接触還元し、2−(4′−ヒドロキシベ
ンゾイルオキシ)−5−ヘヤシルーδ−バレロラクトン
トシた後ペンセフ20−に溶解し、前述の3−クロロ−
4−ドデシルオキシ安息香酸クロリド200II9、ト
リエチルアミン200ay、M、N−ジメチルアミノピ
リジノ2111ayを加え一夜攪拌反応させた。反応液
を常法通シ処理し、目的物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで分am製した後、エタノールより再結晶し
て(2R,5暑)−2−(4−(5’−クロロ−42−
ドデシルオキシベンゾイルオキシ)−ベンゾイロキシ)
−5−へキシル−δ−バレロラクトン 80qを得た。この化合物が目的物であることはMMR
,赤外吸収スペクトルにより確認した。
バレロラクトン100j9と4−ベンジルオキシ安息香
dR200岬とをベンゼン20+dK溶解し、アゾジカ
ルボン酸ジエチル190■及びトリフェニルホスフィン
250qを加え室温で一夜攪拌反応させた後、反応液を
減圧下に濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により分S精製し、2−(4’−ベンジルオキシベンゾ
イルオキシ)−5−ヘキシル−δ−ノくレロラクトン1
20qを得た。これをpa/cを触媒として水素圧2
kg7cm”で接触還元し、2−(4′−ヒドロキシベ
ンゾイルオキシ)−5−ヘヤシルーδ−バレロラクトン
トシた後ペンセフ20−に溶解し、前述の3−クロロ−
4−ドデシルオキシ安息香酸クロリド200II9、ト
リエチルアミン200ay、M、N−ジメチルアミノピ
リジノ2111ayを加え一夜攪拌反応させた。反応液
を常法通シ処理し、目的物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで分am製した後、エタノールより再結晶し
て(2R,5暑)−2−(4−(5’−クロロ−42−
ドデシルオキシベンゾイルオキシ)−ベンゾイロキシ)
−5−へキシル−δ−バレロラクトン 80qを得た。この化合物が目的物であることはMMR
,赤外吸収スペクトルにより確認した。
この化合物の相転移温度は以下に示すとおりであった。
6[L/I;
実施列21
参考列6と同様の方法で合成した4−ヒドロヤシ−4′
−デシルオ中シビフェニル22−6tt水ピジピリジン
50溶かした溶液に4−アセトキシ安息香酸クロリド5
?を加え、室温で4時間攪拌した後、反応液を氷水中に
投入し、クロロホルムで抽出した。抽出液を、飽和硫酸
調水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水
で順次洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥した後、濃縮
し、濃縮物をクロロホルムから再結晶して al−(a
#−デシルオキシ)ビフェニル−4−アセトキシベンゾ
エートL7fを得た。
−デシルオ中シビフェニル22−6tt水ピジピリジン
50溶かした溶液に4−アセトキシ安息香酸クロリド5
?を加え、室温で4時間攪拌した後、反応液を氷水中に
投入し、クロロホルムで抽出した。抽出液を、飽和硫酸
調水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水
で順次洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥した後、濃縮
し、濃縮物をクロロホルムから再結晶して al−(a
#−デシルオキシ)ビフェニル−4−アセトキシベンゾ
エートL7fを得た。
この4′−(4′−デシルオキシ)ビフェニル−4−ア
セトキシベンゾエートtOfをテトラヒドロフラン10
0−に溶解し、メタノール10−1水4−及び1規定の
水酸化リチウム水溶液2−を加え、室温で2時間攪拌し
た後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、クロロホ
ルムで抽出した。抽出液を硫酸マグネシウム上で乾燥し
た後、濃縮し、濃縮物をクロロホルムから再結晶シテ4
′−(4′−デシルオキシ)ビフェニル−4−ヒドロキ
シベンゾエートα6tf、4fc。この4’−(4’−
デシルオキシ)ビフェニル−4−ヒドロキシベンゾエー
トα63と、参考914と同様の方法で合成した( 2
8.5R)−2−ヒドロキシ−5−へキシル−δ−バレ
ロラクトン180q及びトリフェニルホスフィン400
■をテトラヒドロフラン20−に溶解し、この溶液にア
ゾジカルボン酸ジエチル200μtを加え室温で一夜攪
拌反応させた後、反応液を濃縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離精製した後酢酸エチルから再結
晶させて目的物150岬を得た。
セトキシベンゾエートtOfをテトラヒドロフラン10
0−に溶解し、メタノール10−1水4−及び1規定の
水酸化リチウム水溶液2−を加え、室温で2時間攪拌し
た後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、クロロホ
ルムで抽出した。抽出液を硫酸マグネシウム上で乾燥し
た後、濃縮し、濃縮物をクロロホルムから再結晶シテ4
′−(4′−デシルオキシ)ビフェニル−4−ヒドロキ
シベンゾエートα6tf、4fc。この4’−(4’−
デシルオキシ)ビフェニル−4−ヒドロキシベンゾエー
トα63と、参考914と同様の方法で合成した( 2
8.5R)−2−ヒドロキシ−5−へキシル−δ−バレ
ロラクトン180q及びトリフェニルホスフィン400
■をテトラヒドロフラン20−に溶解し、この溶液にア
ゾジカルボン酸ジエチル200μtを加え室温で一夜攪
拌反応させた後、反応液を濃縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離精製した後酢酸エチルから再結
晶させて目的物150岬を得た。
この化合物が下記化学式
で表わされる物質であることは元素分析、IJMRスペ
クトル、工R−スペクトルによシ確認した。
クトル、工R−スペクトルによシ確認した。
以下に分析データを示す。
元素分析
0俤 H%
実測値 7417 &34理論値 7
A 40 11L 53工RVmI!Lx
295[]〜2850z−’ (S )、1720cm
−”(B )、1600crtt−’ (8)、149
5an−’(s)、1250cm−’(8)、1205
cm−(m)、1190cm−” (m)、1165t
M−’C日)、107051−” C日) 1B−11MRδ(CDC4,) (L8〜1.0
(3H,t )、1.1〜L4(55H,m)、五9〜
405 (2E、 t )、43〜46 (I E、
m )、47〜49 (I H。
A 40 11L 53工RVmI!Lx
295[]〜2850z−’ (S )、1720cm
−”(B )、1600crtt−’ (8)、149
5an−’(s)、1250cm−’(8)、1205
cm−(m)、1190cm−” (m)、1165t
M−’C日)、107051−” C日) 1B−11MRδ(CDC4,) (L8〜1.0
(3H,t )、1.1〜L4(55H,m)、五9〜
405 (2E、 t )、43〜46 (I E、
m )、47〜49 (I H。
t)、 6tS〜1L2(12H,m)実施例2と同様
の方法で測定したこの化合物の相転移挙動は以下に示す
通シであった。
の方法で測定したこの化合物の相転移挙動は以下に示す
通シであった。
8m!
ここで8mXは不明のスメクチック相を示す。
実施列2と同様の条件で測定したこの化合物の自発分極
の温度依存性を第4図に示す。
の温度依存性を第4図に示す。
実施列22
実施913で合成した化合物と実施列4で合成し之化合
物全それぞれ5011IIづつ混合溶解し、液晶組成物
を作成した。この組成物の自発分極を実施列1と同様の
方法で測定した。結果を第5図に示す。それぞれ単独で
は15℃というような極めて狭い温度範囲でしか強誘電
相(8m”0相)を示さなかったが、混合によフ強誘電
相が拡張され、又これらの化合物は自発分極も大きいこ
とが明らかとなった。
物全それぞれ5011IIづつ混合溶解し、液晶組成物
を作成した。この組成物の自発分極を実施列1と同様の
方法で測定した。結果を第5図に示す。それぞれ単独で
は15℃というような極めて狭い温度範囲でしか強誘電
相(8m”0相)を示さなかったが、混合によフ強誘電
相が拡張され、又これらの化合物は自発分極も大きいこ
とが明らかとなった。
実施例25
参考列4と同様の方法で合成した(28.5R)−2−
とドロヤシ−5−へキシル−δ−バレロラクトン100
q、4−ヒドロキシ−4′−デシルオキシビフェニル2
60岬及びトリフェニルホスフィン200岬をTHF5
0mに溶解し、ついでアゾジカルボン酸ジエチル150
μtを滴下した後室温で一夜攪拌反応させた。反応液を
濃縮後シリカゲルカラムクロマトクラフィーで分離’l
fl’j!A L、酢酸エテルより再結晶させて目的物
40qを得た。このものが下記化学式で示される物質で
あることはNMRスペクトルによシ同定した。この化合
物は以下に示すように液晶性を示さなかった。
とドロヤシ−5−へキシル−δ−バレロラクトン100
q、4−ヒドロキシ−4′−デシルオキシビフェニル2
60岬及びトリフェニルホスフィン200岬をTHF5
0mに溶解し、ついでアゾジカルボン酸ジエチル150
μtを滴下した後室温で一夜攪拌反応させた。反応液を
濃縮後シリカゲルカラムクロマトクラフィーで分離’l
fl’j!A L、酢酸エテルより再結晶させて目的物
40qを得た。このものが下記化学式で示される物質で
あることはNMRスペクトルによシ同定した。この化合
物は以下に示すように液晶性を示さなかった。
この化合物10Mgを強誘電性液晶DOBAMEO(p
−デシロキシフェニルベンジリデンアミノケイ皮酸(8
) −2−メチルブチルエステル90岬に溶解し実施例
2と同じ条件で自発分極を測定したところ最大15nO
/α2を示し、強誘電性液晶への添加剤として有効であ
ることが判明した。
−デシロキシフェニルベンジリデンアミノケイ皮酸(8
) −2−メチルブチルエステル90岬に溶解し実施例
2と同じ条件で自発分極を測定したところ最大15nO
/α2を示し、強誘電性液晶への添加剤として有効であ
ることが判明した。
実施列24
第2表に示す本発明の化合物を以下に示すよりな了ルコ
Φシピリミジン同族列からなる強誘電性を示さない液晶
組成物に20 mob%混合し、強誘電性液晶組成物を
作成した。
Φシピリミジン同族列からなる強誘電性を示さない液晶
組成物に20 mob%混合し、強誘電性液晶組成物を
作成した。
アルフキシピリミジン同族列からなる液晶組成物< (
A)、 (B)l (cLΦ)l)、及び使)の等モル
混合物) 組成物の相転移温度は下記の通りであった。
A)、 (B)l (cLΦ)l)、及び使)の等モル
混合物) 組成物の相転移温度は下記の通りであった。
作成した本発明による強請′区性液晶組成物の相転移温
度を第2表に示す。
度を第2表に示す。
表に示すとおシ、本発明の化分物中単独では強誘電性を
示さない化合物も、他のスメクチックC相を示す化合物
と混合することにより強誘電性を発現するという有用な
効果を有することがわかる。
示さない化合物も、他のスメクチックC相を示す化合物
と混合することにより強誘電性を発現するという有用な
効果を有することがわかる。
〔発明の効果]
以上述べたように本発明の光学活性体はその化学構造か
ら見ても明らかなように化学的に安定で、看色がなく、
光安定性に[A大きな自発分極を示す強誘電性液晶ある
いは強誘電性液晶用配合成分として有用であシ、本発明
の液晶組成物は実用温度範囲を含む広い温度範囲で強誘
電性液晶性を示し、しかも自発分極が大きいという特徴
を有する。
ら見ても明らかなように化学的に安定で、看色がなく、
光安定性に[A大きな自発分極を示す強誘電性液晶ある
いは強誘電性液晶用配合成分として有用であシ、本発明
の液晶組成物は実用温度範囲を含む広い温度範囲で強誘
電性液晶性を示し、しかも自発分極が大きいという特徴
を有する。
第1図及び第2図は本発明の光学活性体の一態様のIJ
MRスペクトルを示し、第3図、第4図、第5図及び第
6図は自発分極の温度依存性を示す。 手続補正書 平成 1年 3月15日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 \゛ 1、事件の表示 ゝ−特願昭
63−261905号 2、発明の名称 δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを
含有してなる液晶組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都中央区京橋二丁目3番19号 (603)三菱レイヨン株式会社 取締役社長 永井彌太部 4、代理人 〒104東京都中央区京橋二丁目3番
19号自発補正 1)明細書第54頁第12行のr (2R,5S)Jを
r (2R,5R)Jに訂正する。 2)明細書第62頁第7行のr (2R,5S)Jをr
(2R,5R)Jに訂正する。
MRスペクトルを示し、第3図、第4図、第5図及び第
6図は自発分極の温度依存性を示す。 手続補正書 平成 1年 3月15日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 \゛ 1、事件の表示 ゝ−特願昭
63−261905号 2、発明の名称 δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを
含有してなる液晶組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都中央区京橋二丁目3番19号 (603)三菱レイヨン株式会社 取締役社長 永井彌太部 4、代理人 〒104東京都中央区京橋二丁目3番
19号自発補正 1)明細書第54頁第12行のr (2R,5S)Jを
r (2R,5R)Jに訂正する。 2)明細書第62頁第7行のr (2R,5S)Jをr
(2R,5R)Jに訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式(1)で示されるδ−パレロラクトン環を含
有する光学活性体。 ▲数式、化学式、表等があります▼…(1) 〔式(1)において、 m:1〜8の整数 Z:▲数式、化学式、表等があります▼ 〔l、k:各々1又は2でかつ2≦ l+k≦3を満足するもの X:単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、 −CH_2O−又は−OCH_2_− Y:▲数式、化学式、表等があります▼又は−O− A_1、A_2:−H、−F又は−Cl〕 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼ R:−C_nH_2_n_+_1、−OC_nH_2_
n_+_1、▲数式、化学式、表等があります▼、又は
▲数式、化学式、表等があります▼ n:1〜18の整数 *印は不斉炭素であることを示す。 2)一般式(1)で示されるδ−パレロラクトン環を含
有する光学活性体を含有してなる液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式(1)中、Z、m、R、*は上述の意味を有す
る。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261905A JPH01199959A (ja) | 1987-10-23 | 1988-10-18 | δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを含有してなる液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26771287 | 1987-10-23 | ||
JP62-267712 | 1987-10-23 | ||
JP63261905A JPH01199959A (ja) | 1987-10-23 | 1988-10-18 | δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを含有してなる液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01199959A true JPH01199959A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=26545296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63261905A Pending JPH01199959A (ja) | 1987-10-23 | 1988-10-18 | δ−バレロラクトン環を含有する光学活性体及びこれを含有してなる液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01199959A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0409066A2 (en) * | 1989-07-12 | 1991-01-23 | Mitsubishi Rayon Company, Ltd. | Optically active compound for liquid crystal and its use |
JP2006008632A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | 6員環ラクトン骨格を有する液晶性化合物及び液晶組成物 |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63261905A patent/JPH01199959A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0409066A2 (en) * | 1989-07-12 | 1991-01-23 | Mitsubishi Rayon Company, Ltd. | Optically active compound for liquid crystal and its use |
US5149462A (en) * | 1989-07-12 | 1992-09-22 | Mitsubishi Rayon Company Ltd. | Optically active compound |
JP2006008632A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | 6員環ラクトン骨格を有する液晶性化合物及び液晶組成物 |
JP4735928B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2011-07-27 | Dic株式会社 | 6員環ラクトン骨格を有する液晶性化合物及び液晶組成物 |
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