JP2633338B2 - 側方がシアノ―置換されているテルフェニル - Google Patents

側方がシアノ―置換されているテルフェニル

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は側方がシアノ−置換されているテルフェニ
ル、特に液相混合物の成分として使用しうるものに係
る。本発明は、これらのテルフェニルを含有するこのよ
うな混合物及びこのような混合物を使用する電気光学デ
バイスにも係る。
液相材料はよく知られており、時計，計算機，ディス
プレイ等のような電気光学デバイスに一般的に使用され
ている。このような材料には２つの一般的な型がある。
M.F.Schieckel及びK.Fahrenshon“Defomation of nemat
ic liquid crystals with vertical orientation in el
ectrical fields"Appl Phys Lett（1971），19,3912に
記載されているような、電圧制御複屈折（ECB）効果の
ようなネマチック（Ｎ）相の電気光学特性を使用するも
のがある。又、スメクチック相で示される電気光学特性
を使用するものもある。後者の例には、例えばN.A.Clar
k及びS.T.Lagerwall Appl−Phys Lett（1980）36,899に
記載されたような、ある種のキラル傾斜スメクチック相
で示される強誘電性が含まれ、これにより高速及び双安
定性といった利点が得られる。キラルスメクチックC,F
及びＩ相（SC ＊,SF ＊及びSI ＊）（星印はキラル性を示
している）がこのような用途には最も好ましく、SC ＊は
粘度が低いために好ましい。スメクチック相のもう１つ
の電気光学効果はスメクチックＡ相（SA）で示される高
速スイッチング電傾効果（fast−switching electrocli
nic effect）である。
ネマチック及び強誘電性スメクチック液晶材料には一
般に、例えば製造の容易さ，光学的及び光化学的安定
性，低粘度及び有用な相（例えばN,SC,SF又はSI）が存
続する温度域の広さを含む多くの望ましい要件がある。
このような材料は一般的に化合物の混合物であり、これ
らの要件はその材料中に使用することを意図する化合物
又は混合物で求められている。
ECBデバイス及びSC ＊デバイスに使用する材料及び化
合物には多くの特定的な望ましい要件がある。例えば、
ECBデバイスに使用するためには、化合物及び材料は弾
性定数比k3/k1が高く、光学的異方性Δｎ及び負の誘電
異方性ΔＥが高いことが好ましい。SC ＊材料の強誘電性
効果を用いるデバイスでは、SC ＊相が存続する温度域よ
り高い温度でその化合物及び混合物がSA相を示すこと、
及びSB相のような望ましくない相が出現しないことが望
ましい。
一般式： ［式中、R1及びR2はアルキル又はアルコキシである］
の、EP−Ａ−0132377に記載されている、アルキル又は
アルコキシ末端フルオロテルフェニル（「FTP」）の中
で、広範なSC相を示す多くの化合物が知られている。い
くつかのFTP及びその混合物は広い温度範囲のSC相を示
すことが知られている。このことから、FTPsは強誘電性
スメクチック混合物の成分の優れた候補となっている。
例えば、PCT/GB 87/0441及びGB8627107に開示されてい
る混合物中へのそれらの使用を参照されたい。
本発明の目的は、液相混合物の成分として使用しうる
新規化合物及びそれらを含む新規液晶混合物を提供する
ことである。
本発明により、下記一般式I: ［式中、R1及びR2は水素、C1〜C15アルキル，アルコキ
シあるいは１つ以上のCH2基がO,COO,OOC,CHX,CX2,CH＝C
X、CX＝CH,CX＝CX（ここで、Ｘはフッ素又は塩素であ
る）,CRCN（ここでＲはアルキルである），もしくはＣ
≡Ｃで置換されているか又はアルキルもしくはアルコキ
シ鎖の末端CH3がCF3で置換されているアルキル又はアル
コキシから各々独立して選択され、ｎは０又は１であ
り、CN及びＦ（もし存在すれば）置換基は独立して、利
用しうる置換部位のいずれかに位置している］の側方が
シアノ置換されている新規なテルフェニルが提供され
る。
下記に述べる構造上の好適性は、特に、製造の容易さ
及び液晶混合物の成分としての使用及びそれを用いる電
気光学デバイスについての適合性に基いている。
式Ｉのテルフェニルの好ましい構造は下記の一般式I
A: を有するものであり、式中、R1及びR2は独立して、アル
キル，アルコキシ又はアルキニルで、このテルフェニル
は次の置換パターン： Ｄ＝CN），（Ａ＝CN），（Ｂ＝F,G＝CN），（Ａ＝CN,
B＝Ｆ），（Ｂ＝CN），（Ｃ＝CN,D＝Ｆ），（Ａ＝F,G＝
CN），（Ａ＝F,E＝CN），（Ｂ＝F,E＝CN），（Ｂ＝F,D
＝CN），（Ａ＝F,D＝CN），（Ａ＝F,C＝CN），（Ｂ＝F,
C＝CN），（Ａ＝F,B＝CN）のいずれか１つから選択した
置換パターンを有し、残りの側方置換部位は水素で占め
られている。
式I Aに含まれる構造を下記第１表に示す。
第１表に挙げた構造の中で、構造1.1、1.3、1.4、1.5、
1.6及び1.10が特に好ましく、1.1、1.3、1.4、1.10がと
りわけ好ましい。
式Ｉ、I A又は第１表の化合物の中で、R1及びR2は好
ましくは、独立して、炭素原子数３〜12個、特に３〜10
個のｎ−アルキル、ｎ−アルコキシ又はｎ−アルキニル
又は分枝もしく不対称置換した、光学活性体又はラセミ
体であってよいアルキル、アルコキシもしくはアルキニ
ルであるが、特にｎ−アルキル又はｎ−アルコキシであ
る。R1及びR2は同じでも異っていてもよい。
従って、式１の化合物中、R1とR2は下記第２表に挙げ
た次の好ましい基から独立して選択されうる。 第 ２ 表 ｎ−アルキル ｎ−アルコキシ ｎ−アルキニル C3H7 C3H7O C2H5C≡Ｃ C4H9 C4H9O C3H7C≡Ｃ C5H11 C5H11O C4H9C≡Ｃ C6H13 C6H13O C5H11C≡Ｃ C7H15 C7H15O C6H13C≡Ｃ C8H17 C8H17O C7H15C≡Ｃ C9H19 C9H19O C8H17C≡Ｃ C10H21 C10H21O C9H19C≡Ｃ C11H23 C11H12O C10H21C≡Ｃ C12H25 C12H25O 好ましい非対称置換アルキル及びアルコキシ基は２−
メチルプチル、２−メチルブチルオキシ、３−メチルペ
ンチル、３−メチルペンチルオキシ、４−メチルヘキシ
ル、４−メチルペンチル、１−メチルヘプチル及び１−
メチルヘプチルオキシである。
好ましい非対称置換アルキニル基は次の通りである。
式Ｉの化合物は多くの合成経路、例えば添付図面１〜
11に示す合成経路Ａ−Ｆを介して製造しうる。経路Ｂは
いくつかの有用な中間体を提供する。これらの経路を使
って製造しうる各構造式の型は上記第１表を参照すると
次の通りである：構 造 経 路 1.1 A1,A2 1.2 C1 1.3 C1,C2 1.4 D1,D2 1.5 D3 1.6 D4 1.7 E1,E2 1.8 E1 1.9 E1 1.10 E1,E2 1.11 F1 1.12 F2 1.13 F3 1.14 F4 第Ｉ表の置換基R11及びR2が図１〜11に示すものと異
なる化合物を製造するための経路Ａ−Ｆの変法は有機合
成の専門家には明らかであろう。例えば、アルキル又は
アルコキシ基Ｒ、R1、R2、R11をその過フッ素化アナロ
グ又はアルキニル基もしくはアルキニルオキシ基による
置換が挙げられる。
全経路Ａ〜Ｆ及びその最終生成物は新規であるが、個
々のステップは公知の反応を使用している。
例えば、次のステップはテトラ−（トリフェニルホス
フィン）−パウジウム（Ｏ）の存在下でのハロ−フェニ
ル環とフェニルボロン酸との間の公知の結合反応を使用
する:A11,A23,A24,C14,C23,C25,D13,D22,D42,D44,E12,E
22,E23,F11,F21,F31,F32,F43,F44. これらのステップで使用するフェニルボロン酸につい
ては、公知の方法でハロフェニル前駆体から製造されう
る。この公知の方法では、先ずテトラヒドロフラン（TH
F）中のマグネシウムを使用してグリニヤール試薬を製
造し、次に硼酸トリ−イソプロピルと反応させてから塩
酸で加水分解する。この方法はステップB13,B22,C13,D4
1,D43,E11,F42に使用する。
経路D1,D2,D3及びD4では、ヘキサン中のｎ−ブチル−
リチウムを使用し、次に二酸化炭素と反応させてから加
水分解して側方CO2H基をフッ素化環に導入する。次に、
塩化オキサリル及びアンモニウムを使用してCO2H基を対
応のアミド基に変換し、次いで塩化チオニルを使用して
脱水する。
これらの経路に使用する他の公知の反応は次の通りで
ある： A21,F45−Ｎ−ブロモサクシンイミド／ジクロロメタン
０℃ A22,F46−（ｉ）NaNO2/HCl（ii）KI B11−フリーデルクラフツ反応、RCOCl/AlCl3 B12,F48−ヒドラジン水和物を介して（F48a＝直接使
用） B21,C11,D21,F41−RBr/アセトン/K2CO3 C12−Br2 C21,F47−Ｒ−Ｃ≡CH,ZnCl2;Pd（PPh3）４ C22−H2,Pd/C 標準試薬を除き、経路Ａ−Ｆからの出発材料は公知で
あるか、例えばBDH Ltd又はFluorochemから市販されて
いる。経路D3のテルフェニル出発部分の製造はEP−Ａ−
0132377に見出される。経路Ａ〜Ｆで、出発化合物が１
つ以上の他の経路で製造されうるときには、例えば経路
C2の（C13）はこの出発化合物がステップC13を介して製
造されうることを表すものとして示してある。
ステップD13,D22及びD43の生成物並びにステップD31
の出発化合物は本出願人のEP−0132377−Ｂ及び米国特
許第4,594,465号の特許請求の範囲により保護されてい
ることも挙げておく。
R1及び／又はR2がフッ素を含有している化合物を製造
するためには、適切なペルフルオロアルキル化合物を、
例えばステップB11又はB22等で出発点として使用しう
る。
R1及び／又はR2がCOO又はOCC基を含有する、例えば、
RCOO−（ここで、Ｒはアルキルである）である化合物
は、例えば、公知のBBr3との反応により式Ｉ又はI Aの
テルフェニル生成物からアルコキシである末端R1又はR2
を除去してから加水分解して−OHを残し、その次にカル
ボン酸RCOOH又は塩化アシルRCOClでこのフェノールをエ
ステル化することにより製造される。
R1及び／又はR2がアルキニルである化合物のＣ≡Ｃ基
は反応性官能基であり、例えばHgSO4/H2SO4又はBH3など
を使用して水和し、例えば末端−CO.CH2−Ｒ又は−CH2C
O.−Ｒ基を有する末端ケトン置換テルフェニルを生成さ
せることができる。このようなケトンを還元して対応の
アルコールすなわち−CH（OH）CH2−Ｒ又は−CH2CH（O
H）−Ｒを形成し、これをカルボン酸でエステル化して
対応のエステルを形成することができる。
或いは、ケトンをHCNと反応させ、シアンヒドリンに
変換して構造−C.CN.OH−CH2−Ｒ及び−CH2−C.CN.OH−
Ｒの末端基を残すことができる。次に、このようなシア
ンヒドリンを、例えば、カルボン酸Ｒ″−COOH（Ｒ″は
アルキルである）でエステル化して、構造： の１つ以上の末端置換基を有するテルフェニルを生成す
ることができる。
又、Ｃ Ｃ基とハロゲン又はハロゲン化水素を反応さ
せて、ハロゲン化した末端置換基R1及び／又はR2を有す
る式Ｉのテルフェニルを誘導することもできる。例え
ば、ステップC25の生成物中におけるようなアルキン置
換基Ｒ−Ｃ≡Ｃのよく知られている方法により、Ｒ−CX
2CX2−,R−CHX＝CHX−,R−CH2CH2−及びＲ−CX2CH2−
（ここで、Ｘは塩素のようなハロゲンである）を導くこ
とができる。
式Ｉの多くのテルフェニルは液晶相と高い負の誘導異
方性ΔＥとを示す。従って、これらは液晶材料の有用な
成分であり、これにより本発明の他の面によると、化合
物の少なくとも１つが式Ｉ、好ましくは式I Aのテルフ
ェニルである化合物の混合物の液晶材料が提供される。
このような液晶材料はネマチック又はスメクチック液
晶材料でありうる。
従って、ネマチック液晶材料は、化合物の少なくとも
１つが式Ｉのテルフェニル、好ましくはネマチック液晶
相を示す式Ｉのテルフェニルである化合物の混合物であ
りうる。式Ｉのテルフェニルは高い負のΔＥを有してい
るために、ネマチック液晶相を示し、例えば低いΔＥ又
は正のΔＥを有する他の化合物と混合して中間のΔＥの
混合物を提供するのに有用でありうる。液晶業界でよく
知られているように、ネマチック液晶材料のΔＥの記号
（すなわち＋ve又は−ve）はその材料を使用する電気光
学デバイスの種類に応じて選択される。従って、本発明
の高い負のΔＥを有する化合物が得られることは非常に
有利である。特に、本発明テルフェニルはECB効果を用
いる液晶混合物に有用であろう。
本発明のこの面によるネマチック液晶材料に含まれう
る他の化合物の一般的な種類は液晶業界の専門家にはよ
く知られていよう。ΔＥの低い化合物のいくつかの例を
下記に挙げる。
正のΔＥを有する化合物のいくつかの例を下記に挙げ
る。
ここで、Ｒ及びR1は独立してC1〜C8アルキル又はアル
コキシを表わし、ＸはＦ又はＨを表わす。
本発明のこの面のネマチック液晶混合物はEP−Ａ−82
300891に記載されているような多色性色素及び／又は１
つ以上の光学活性化合物を含ませてコレステリック相の
出現を誘導することもできる。
限定的にではないが、典型的には、本発明のこの面の
ネマチック液晶混合物は次のものを含んでいる： 式Ｉの化合物 ５〜95wt％ ΔＥの低い化合物 ０〜95wt％ ＋veΔＥの高い化合物 ０〜95wt％ 光学活性化合物 ０〜 5wt％ 多色性色素 ０〜 5wt％ 重量パーセントの総和は100wt％となる。
本発明は、化合物の少なくとも１種が式Ｉ、好ましく
は式I Aそして特定的には第Ｉ表の式1.1又は1.4のテル
フェニルである２種以上の化合物の混合物であるスメク
チック液晶材料も提供する。この混合物は、更に、一緒
になって又は別々にスメクチック相を示す１種以上の化
合物も含んでいるのが好ましい。スメクチック相は好ま
しくはSC,SF又はSIである。
好ましくは、本発明のこの面の混合物は１種以上の式
Ｉのテルフェニルと１種以上の式II: ［式中、R3及びR4は独立して、水素、各々が１〜12個の
炭素を含有しているアルキル及びアルコキシから選択
し、ｐは１又は２でありえ、フルオロ置換基は利用しう
る側方置換位置のいずれかにあってもよい］のFTPを含
有する。本発明のこの面の好ましいFTP′ｓは式II A,II
B又はII Cを有する。
［式中、R3とR4は上記と同義であり、Ｘ及びＹは独立し
て水素及びフッ素から選択され、Ｘ及びＹの少なくとも
一方はフッ素である］。好ましくは、R3及びR4は炭素原
子数３〜12個、特に３〜10個のｎ−アルキル他はｎ−ア
ルコキシである。
R3とR4は同じでも異っていてもよい。上記のように、
R3及びR4を選択しうる好ましいｎ−アルキル及びｎ−ア
ルコキシは、R1及びR2が選択されるものである。しか
し、混合物中のR1及びR2の組合せはR3及びR4のものと一
致する必要はない。
式II A中のＸは水素であり、Ｙはフッ素であるのが好
ましい。このようなFTPsの製造は例えばEP−Ａ−013237
7に記載されている。ｐが２である、例えば式II B及びI
I CのFTPsの製法は88年３月16日出願のGB−Ａ−8806220
に記載されており、その内容は参考として本明細書に含
むものとする。
本発明のこの面のスメクチック液晶材料は、例えば室
温でSC相を示してよく、１種以上の式II AのFTPsと１種
以上の本発明のテルフェニルとの混合物又は１種以上の
式II BのFTP′ｓ及び／もしくは１種以上の式II CのFT
P′ｓ及び１種以上の本発明のテルフェニルの混合物で
ありうる。
１種以上の式 IIのFTPsに１種以上の式Ｉの化合物を
加えると、FTPが示す望ましくないSBを抑制することが
多く、FTPに比べ広い温度域に亘りSC相を示す混合物が
得られる結果ともなりうるこのことは特に式II AのFT
P′ｓで認められる。これらの効果は式Ｉの化合物対FT
P′ｓの比がかなり低いときに示され得、例えば、式Ｉ
の化合物対FTPの重量比が典型的に1:20〜1:5の範囲のと
きに示され得る。
SC相を示し、本発明のこの面の混合物に使用しうる他
の化合物は次の公知化合物である。
［式中、RA,RB及びRCは独立して１〜12個の炭素原子を
含み、RA及びRBは独立してｎ−アルキル又はｎ−アルコ
キシであり、RCは独立してｎ−アルキルである］。
本発明のこの面のスメクチック混合物は、混合物がSC
＊相を示すようにさせること及び／又は混合物のPSを増
加させるために光学活性化合物を１種以上混合すること
ができる。このようにして製造される混合物はPS値を示
す強誘電性混合物であり、本発明のもう１つの面であ
る。このような混合物に本発明テルフェニルを使用する
と有利なPS値及びスイッチング時間が得られる。
このように使用しうる多くの光学活性化合物が知られ
ている。好ましい光学活性化合物はPCT GB 85/0512に記
載されている化合物、例えば EP−Ａ−0110299に記載されている化合物、例えば PCT/GB 87/00280に記載されている化合物、例えば であり、特に、COOC＊Ｈ（CN）Ｒ基（Ｒはアルキルであ
る）を含むPCT/GB 87/00441に記載されている化合物、
例えば ［式中、RAは炭素原子数５〜12個のｎ−アルキル又はｎ
−アルコキシ基であり、（Ｆ）はフェニル環がフルオロ
置換基を有しうることを示し、RBはＣ１〜４ｎ−アルキ
ル、シクロアルキル又は式： （ここで、ａは０及び１〜６の整数でありえ、ｂ及びｃ
の各々は１〜６の整数であり、好ましくはａが０でｂ又
はｃの少なくとも一方が１である）の分枝アルキルであ
る］である。
化合物VII中の好ましい基RBはメチル、−CH（C
H3）２、−CH.CH3.CH2CH3及びシクロヘキシルである。
このような混合物に添加剤を使用するとさらに多くの
機能を満しうる。例えば、追加の光学活性化合物、例え
ば、PCT GB 87/00223に記載されている光学活性アミド
化合物、例えば 又はGB 8703103の光学活性テルフェニル、例えば ［式中、RA,RB及びRCは独立して、炭素原子数１〜12個
のｎ−アルキル又はｎ−アルキシであり、ＤはＦ又はCl
であり、ＸはOOCCH（CH3）OR″,OCH（CH3）COOR″又はC
OOCH（CH3）Ｒ″ （ここで、Ｒ″は炭素原子数１〜12個のＮ−アルキルで
ある）である］を含ませてSC ＊相のピッチを調整するこ
とができる 添加剤は、SC ＊の温度以上の温度でSA相を形成させ
て、電気光学デバイスの電極で混合物を整列（alignmen
t）させることを助ける機能も果しうる。
添加剤はSA又はSBのような望ましくない相を抑制して
作動温度域から離れた温度でこれらが発生するようにす
ることもでき、例えば ［式中、RA及びRBは独立して炭素原子数１〜12個のｎ−
アルキル又はｎ−アルコキシである）がある。
限定的なものではないが、典型的には、本発明のこの
面のスメクチックＣ液晶材料は次の組成を有する混合物
である。
本発明のネマチック及び強誘電性スメクチック液晶混
合物は、例えば上記の２つのAppl.Phys.Lett.の参考文
献に記載されているこのような材料を使用する公知の型
の液晶電気光学ディスプレーデバイスのいずれにも使用
しうる。
このような液晶電気光学デバイスの構成及び操作方法
はよく知られている。一般的に、このようなデバイスは
２つの実質的に平行な基体を含み、その少なくとも１つ
は光学的に透明であり、その向い合う表面上には電極を
有しており、その間に液晶材料をはさんでいる。電極を
介して液晶材料に電圧をかけると液晶材料の光学特性が
変化し、可視的な効果が生れる。このようなデバイスの
好適な大きさ、電圧及び他のパラメータは当業者には明
らかであろう。
ここで、例示のためだけに、本発明のテルフェニルの
製造経路を示す添付の第１〜第11図及び液晶デバイスの
断面図を示す第12図を参照して、本発明を説明する。
次の実施例中、温度は全て℃である。略号はＮ＝ネマ
チック、SA＝スメクチックＡ、SC＝スメクチックＣ、Ｓ
？及びＳ??＝未同定スメクチック相、Ｉ＝等方性液体、
Ｋ＝固体結晶である。（ ）内に示される液晶の転移は
過冷却により見られる仮想転移である。
製造実施例 実施例１ 経路A1、A2、B1及びB2を使用して構造1.1の次の化合
物を製造した： 経路B1 ステップB11 塩化アルミニウムの存在下でのブロモベンゼンと塩化
ｎ−ペンタノイル（C4H9COCl）との間のフリーデル−ク
ラフツ反応により化合物 を製造した。
ステップB12 ジエチレングリコール（250ml）中のステップB11の生
成物（77.1g、0.32モル）、ヒドラジン水和物（46.4g、
0.93モル）及び水酸化カリウム（59.0、1.05モル）の混
合物を130℃に２時間加熱した。過剰のヒドラジン水和
物を留去し、温度を２時間200℃に上昇させた。冷却し
た混合物を18％の塩酸に注ぎ入れ、生成物をエーテル中
に抽出し（２回）、合せたエーテル抽出物を水で洗い、
乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空下に除去し、残渣を
蒸留すると無色の液体が生成した。生成物が上記化合物
であることをnmr,ir及びMSで確認した。収量58.1g（80
％）、沸点145〜148℃（200mmHg）。
ステップB13 無水THF（85ml）中のステップB12の生成物（24.0g、
0.11モル）とマグネシウム（2.95g、0.12モル）とから
製造したグリヤール試薬溶液を、乾燥窒素下で、無水TH
F（25ml）中の撹拌し、冷却した（−78℃）硼酸トリ−
イソプルピル（39.8g、0.21モル）の溶液に滴加した。
撹拌混合物を室温に一晩温め、室温で10％塩酸（120m
l）と共に１時間撹拌した。生成物をエーテル中に抽出
し（２回）、合せたエーテル相を水で洗い、乾燥させた
（MgSO4）。溶媒を真空下で除去すると、軟い淡白色の
固体が得られた。収量19.3g（95％）。生成物が上記化
合物であることを上記のように確認した。
経路B2 ステップB21 室温で、アセトン（600ml）中の４−ブロモフェノー
ル（71.0g、0.41モル）と炭酸カリウム（120.0g、0.87
モル）の撹拌混合物にアセトン（150ml）中の１−ブロ
モヘキサン（60.0g、0.36モル）の溶液を滴加した。撹
拌混合物を還流（90〜95℃）下で43時間（すなわち、gl
c分析により１−ブロモヘキサンのないことが明らかと
なるまで）加熱した。生成物をエーテル中に（２回）抽
出し、合せたエーテル抽出物を水、50％水酸化ナトリウ
ム、水で洗い、乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空下で
除去し、残渣を蒸留すると無色の液体が得られた。収量
79.4g（86％）、0.1mmHgでの沸点100〜110℃。生成物が
上記化合物であることを上記のように確認した。
ステップB22 無水THF（220ml）中のステップB21の生成物（72.0g、
0.28モル）とマグネシウム（7.75g、0.32モル）から製
造したグリニヤール試薬の溶液を、乾燥窒素下で、撹拌
し、冷却した（−78℃）無水THF（40ml）中の硼酸トリ
−イソプロピル（109.1g、0.58モル）の溶液に滴加し
た。撹拌混合物を一晩、室温に温め、室温で1.0％塩酸
（320ml）と共に１時間撹拌した。生成物をエーテル中
に抽出し（２回）、合せたエーテル抽出物を水で洗い、
乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空下に除去すると、無
色の固体が得られた。収量61.2g（99％）。融点80〜85
℃。生成物の上記化合物であることは上記のように確認
した。
経路A1 ステップA11 室温で、ベンゾニトリル（10.0g、0.097モル）と塩化
アルミニウム（42.0g、0.31モル）の混合物に臭素（44.
0g、0.275モル）を滴加した。混合物を70℃で3.5時間加
熱し、氷／水中に注いだ。生成物をエーテル中に抽出し
（２回）、合せたエーテル抽出物をチオ硫酸ナトリウム
で洗い、乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空下で除去す
ると淡白色の固体（23.4g）（glc分析によると３つの成
分の存在が明らかになった）が得られた。これをベンゼ
ンから再結晶させると無色の結晶が得られた。収量3.1g
（12％）。融点144〜145℃（lit 144〜145℃）。生成物
が上記化合物であることを上記のように確認した。
注：粗生成物のglc分析は出発物質及び３−ブロモベン
ゾニトリルと思われるものの存在を示しているので、収
率が低かった理由は使用した反応時間が不充分であり、
温度が低く過ぎたことであると思われた。
ステップA12 ベンゼン（30ml）中の2,5−ジブロモベンゾニトリル
（1.40g、5.36モル）及びテトラキス−（トリフェニル
ホスフィン）パラジウム（０）（0.3749g、0.325ミリモ
ル）と2M炭酸ナトリウム（30ml）の撹拌混合物に、乾燥
窒素下、室温で、エタノール（50ml）中の４−ペンチル
フェニルボロン酸（B13）（2.88g、0.015モル）の溶液
を滴加した。撹拌混合物を還流（90〜95℃）下で18時間
（すなわち、glc分析により出発物質が存在しないこと
が示されるまで）加熱し、冷却し、30％過酸化水素（5m
l）と共に室温で１時間撹拌した。混合物を濾過し、濾
液エーテルで（２回）洗い、合せたエーテル相を水で洗
い、乾燥させた（MgSO4）。溶媒を乾燥下で除去し、残
渣をカラムクロマトグラフィー［シリカゲル／石油留分
（沸点40〜60℃）−ジクロロメタン2:1］で精製すると
無色の固体が得られ、これをエタノールから再結晶させ
ると無色の微細な結晶が得られた。収量1.13g（53
％）、生成物が上記化合物であることを上記のように確
認した。生成物は次のような液晶転移を示した（℃）： Ｋ−I 40.0、SA−Ｎ（33.5）、Ｎ−Ｉ（38.0） ステップA12 乾燥窒素下、室温で、ベンゼン（30ml）中の2,5−ジ
ブロモベンゾニトリル（1.30g、4.98ミリモル）及びテ
トラキス−（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（０）（0.3554g、0.308ミリモル）と2M炭酸ナトリウム
（30ml）との撹拌混合物に、エタノール（70ml）中の４
−ヘキサオキシフェニルボロン酸（B22）（3.33g、0.01
5モル）の溶液を滴加した。撹拌混合物を還流（90〜95
℃）下で21時間（すなわち、glc分析により出発物質が
存在しないことを明らかにするまで）加熱し、冷却し、
30％過酸化水素（5ml）と共に室温で１時間撹拌した。
混合物を濾過し、濾液をエーテルで（２回）抽出し、エ
ーテル相を合せて水で洗い、乾燥させた（MgSO4）。溶
媒を真空下で除去し、残渣をカラムクロマトグラフィー
［シリカゲル／石油留分（沸点40〜60℃）−ジクロロメ
タン2:1］で精製すると無色の固体が得られ、これをエ
タノールから再結晶させると無色の結晶が得られた。収
量0.87g（38％）。
経路A2 上に例示した経路Ｂを使用して製造した４−アルキル
及び４−アルコキシフェニルボロン酸を使用し、経路A2
を介して式1.1の化合物を製造した。
ステップA21 乾燥窒素化で、撹拌し、冷却した（−10〜０℃）の無
水ジクロロメタン（150ml）中の２−アミノベンゾニト
リル（25.00g、0.21モル）の溶液にＮ−ブロモサクシン
イミド（NBS）（37.71g、0.21モル）を少しずつ40分間
に亘り加えた。混合物を０℃で１時間10分（glc分析で
反応完了が明らかになるまで）撹拌し、大量の水で洗っ
た。水性層をジクロロメタンで洗い、合せた有機層を水
で洗い、乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空下で除去し
て赤紫色の固体（39g、94％）を得た。融点＝92〜94℃ ステップA22 ２−アミノ−５−ブロモベンゾニトリル（25.00g、0.
13モル）と36％（濃）HCl（110ml）との撹拌混合物を穏
和に温めて溶液を得、次に−５℃に冷却し、温度を−５
℃に維持しながら水（50ml）中の亜硝酸ナトリウム（1
0.50g、0.15モル）を滴加した。混合物を０℃で30分間
撹拌し、シクロヘキサンを加え、５〜10℃でヨウ化カリ
ウム（43.5g、0.26モル）の溶液を滴加した。混合物を
室温で２〜３時間（又は、便利であれば一晩）撹拌し、
次に10分間穏和に温めて確実に反応を完了させた。生成
物をエーテル中に（２回）抽出し、合せたエーテル抽出
物をメタ重亜硫酸ナトリウム、10％水酸化ナトリウム、
水で順次洗い、乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空除去
すると、砂色の固体（35g、87％）が得られた。融点113
〜114℃。
ステップA23 エタノール（可能な最少量20ml）中の４−ヘキサオ
キシフェニルボロン酸（ステップB22参照）（1.56g、7.
03ミリモル）の溶液を、ベンゼン（30ml）中の５−ブロ
モ−２−イオドベンゾニトリル（1.80g、5.84ミリモ
ル）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（０）（本明細書中以後はTTPと略す）（0.3572g、
0.31ミリモル）と2M炭酸ナトリウム（30ml）との撹拌混
合物に滴加した。撹拌混合物を還流（95℃）下で１時間
45分（すなわち、glc分析で満足すべき出発物質−生成
物比（1:10）が得られるまで）加熱した。生成物をエー
テルで抽出し（２回）、エーテル抽出物を合わせてブラ
インで洗滌し乾燥させた（MgSO4）。溶媒を真空下で除
去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／
石油留分（沸点40〜60℃）−ジクロロメタン、1:1）で
精製すると無色の固体（1.72g、82％）が得られた。
５−ブロモ−２−イオドベンゾニトリル 2.50g、8.12ミ
リモル ４−オクトキシフェニルボロン酸（経路B2を介して）2.
44g、9.76ミリモル TTP 0.4927g、0.43ミリモル 方法は上記のものと同じであった。混合物を還流（95
℃）下で２時間再加熱した。カラムクロマトグラフィー
［シリカゲル／石油留分（沸点48〜60℃）−メタン、1:
1］で精製すると無色の固体（2.50g、80％）が得られ
た。
５−ブロモ−２−イオドベンゾニトリル3.50 ｇ、0.00
1 モル ４−ペンチルフェニルボロン酸（経路B1）2.53 ｇ、0.
013 モル TTP 0.6421g、0.56ミリモル 方法は上記のものと同じであった。混合物を還流（29
5℃）下で２時間再加熱した。カラムクロマトグラフィ
ー（シリカゲル／石油留分（沸点40〜60℃）−ジクロロ
メタン、1:1）及び蒸留（Kugel rohr、0.1mlHg）で精製
すると淡黄色の液体（2.67g、74％）が得られた。
ステップA24 ４−ブロモ−２−シアノ−４′−ペンチルビフェニル
（A23（３）） 0.34 ｇ、1.0 ミリモル ４−ヘキソキシフェニルボロン酸（B22）0.44 ｇ、1.9
8ミリモル TTP 0.1645g、0.14ミリモル ４−ブロモ−２−シアノ−４′−ヘキソキシビフェニル
（A23（１）） 1.50 g、4.19ミリモル ４−ペンチルフェニルボロン酸（B13） 1.05 g、5.47ミ
リモル TTP 0.314g、0.27ミリモル ４−ブロモ−２−シアノ−４′−ペンチルビフェニル
（A23（３）） 1.30 g、3.96ミリモル ４−オクトシフェニルボロン酸（経路B22を介して）1.1
9 g、4.76ミリモル TTP 0.265g、0.23ミリモル ４−ブロモ−２−シアノ−４′−オクトキシビフェニル
（A23（２）から） 1.48 ｇ、3.83ミリモル ４−ペンチルフェニルボロン酸（B13から） 1.01 ｇ、
5.26ミリモル TTP 0.2812g、0.34ミリモル 各例で使用した方法は上記ステップA23の方法であっ
た。混合物を還流下で、（２）では17時間、（１）及び
（３）では21時間、（４）では22時間、すなわちglc分
析で完全な反応が明らかになるまで加熱した。生成物を
カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／石油留分（沸
点40〜60）−ジクロロメタン1:1）で精製して固体を
得、それをエタノールから再結晶させた。（２）の生成
物は淡黄色だったので活性炭で脱色した。
収量： （１）無色の結晶（0.26g、61％） （２）無色のプレート（0.80g、44％） （３）無色の結晶（1.18g、66％） （４）無色の固体（1.16g、67％） 実施例２ 経路C1を使用して構造1.3の次の化合物を製造した： ステップC11 ２−ヒドロキシベンゾニトリル Ａ 7.50g、0.063ミリ
モル Ｂ 8.10g、0.068ミリモル １−ブロモ−オクタン Ａ 14.00g、0.127モル １−ブロモヘキサン Ｂ 13.50、0.082モル 炭酸カリウム Ａ 17.50、0.127モル Ｂ 18.77g、0.136モル 実験手順は上記ステップB21と同じであった。収量:A1
3.90g（96％）沸点130〜135゜（0.05mmHg）;B13.11g（9
5％）沸点115〜118゜（0.1mmHg）。
ステップC12 臭素 Ａ 18.70g、0.117モル Ｂ 19.32g、0.12 モル C11生成物 Ａ 13.50g、0.058モル Ｂ 12.25g、0.060モル 室温で、15分かけて、クロロホルム（30ml）中のC11
生成物の撹拌溶液に臭素を添加した。撹拌溶液を42時間
（glcが反応の完了を示すまで）還流した。冷却した溶
液をメタ重亜流酸、水で洗い、次に乾燥させた（MgS
O4）。溶媒を真空下で除去すると、淡白色の固体が得ら
れた。収量:A17.50g（97％）融点36〜37゜、B16.10g（9
5％）低融点約15゜。
ステップC13 ４′−ブロモ−４−ペンチルビフェニル 9.35 g マグネシウム 0.871g 硼酸トリ−イソプロピル 11.66 g 実験手順はステップB13及びB22と同じであった。粗収
量は8.29g、100％であった。
ステップC14 （Ａ）C12生成物（Ａ） 1.55g、5.00ミリモル C13生成物 1.75g、6.53ミリモル TPP 0.38g、0.33ミリモル （Ｂ）C12生成物（Ｂ） 1.55g、5.50ミリモル C13生成物 1.91g、7.13ミリモル TPP 0.39g、0.34ミリモル 実験手順は上記ステップA23と同じであった。粗生成
物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／石油留分
（沸点40〜60゜）：ジクロロメタン2:1）で精製し無色
の固体を得、これをエタノール−酢酸エチル（2:1）か
ら再結晶させて無色の結晶を得た。収量:A1.85g（82
％）、B1.10g（47％）。
実施例３ 経路E1を使用して構造1.10の化合物： を製造した。液晶転移はK48.0 SA118.0 Ｉであった。
ステップE11 ４′−ブロモ−２−フルオロ−４−ペンチルビフェニル
9.90 g マグネシウム 0.871g 硼酸イソプロピル 11.66 g 実験手順は上記ステップB13と同じであった。粗収量:
8.85g、100％。
ステップE12 ５−ブロモ−２−オクトキシベンゾニトリル（C12A）1.
30g、4.19ミリモル E11生成物 1.56g、5.45ミリモル TTP 0.28g、0.24モル 実験手順は上記ステップA23と同じであった。粗生成
物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／石油留分
（沸点40〜60゜）−ジクロロメタン2:1）で精製して無
色の固体を得、これをエタノールから再結晶させると無
色の結晶が得られた。
実施例４ 経路D2を使用して構造1.4の次の化合物を製造した： ステップD21 （Ａ）４−ブロモ−３−フルオロフェノール 6.00g １−ブロモ−オクタン 7.30g 炭酸カリウム 10.00g （Ｂ）４−ブロモ−３−フルオロフェノール 10.00g １−ブロモヘキサン 10.37g 炭酸カリウム 14.50g 実験手順は上記ステップB21と同じであった。収量:A
無色の液体、沸点140〜142゜（0.5mmHg）として9.01g、
96％;B13.71g、96％。
ステップD22 （Ａ）ステップD21生成物 2.00g、6.60ミリモル ステップC13生成物 2.30g、8.58ミリモル TTP 0.60g、0.52ミリモル （Ｂ）ステップD21生成物 1.50g、5.45ミリモル ステップD13生成物 1.90g、7.10ミリモル TTP 0.50g、0.43ミリモル 実験手順は上記ステップA23と同じであった。粗生成
物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／石油留分
（沸点40〜60゜）−ジクロロメタン、3:1）で精製する
と無色の固体が得られ、これをエタノール−酢酸エチル
（2:1）から再結晶させると無色結晶が得られた。収量:
A2.30g、78％;B1.46g、64％。
これらの生成物は次のような液晶相を示す。
（Ａ）K69.0（SK25.0 SJ43.0）SC119.0 N158.0 Ｉ （Ｂ）K83.5（SK48.5 SJ62.0）SC105.0 N166.0 Ｉ ステップD23 （Ａ）ステップD22生成物 1.50g、3.36ミリモル ｎ−ブチルリチウム ヘキサン中10.0M 0.50ml、5.00ミ
リモル （Ｂ）ステップD22生成物 1.25g、2.99ミリモル ｎ−ブチルリチウム ヘキサン中2.5M 1.20ml、 3.00ミリモル 乾燥窒素下で、撹拌しながら、−78℃にて冷却して、
無水THF（80ml）中の適切なD22生成物の溶液にｎ−ブチ
ルリチウムの溶液を滴加した。混合物をこれらの条件下
に、（Ａ）では６時間、（Ｂ）では５時間維持した。次
に、混合物を固体CO2/エーテルスラリー中に注いだ。10
％塩酸を加え、水性相をエーテルで洗い、合せたエーテ
ル抽出物をを水で洗い、乾燥させた（MgSO4）。溶媒を
真空下で除去すると、無色の固体が得られた。収量：
（Ａ）1.65g、（Ｂ）1.45g（tlc分析ではいくらかの出
発物質の存在が示された）。
ステップD24 （Ａ）ステップD23生成物 1.65g、3.37 ミリモル 塩化オキサリル 1.00g、7.87 ミリモル 35％アンモニア 30ml DMF ８滴 塩化チオニル 4.10g、0.034ミリモル （Ｂ）ステップD23生成物 1.45g、3.14 ミリモル 塩化オキサリル 0.80g、6.30 ミリモル 35％アンモニア 25ml DMF ２滴 塩化チオニル 3.70g、0.03 ミリモル 室温で、無水ベンゼン（30ml）中のステップD23生成
物及びDMFの撹拌溶液に、無水ベンゼン（30ml）中の塩
化オキサリルの溶液を滴加した。混合物を室温で一晩撹
拌し、過剰の塩化オキサリルとベンゼンを真空下で除去
した。残渣をジグリム（10ml）に溶解し、ゆっくりと撹
拌した35％アンモニアに滴加した。得られた沈殿を濾別
し、真空（0.1mmHg）下で乾燥させ（CaCl2）、無色の固
体を得た。無水DMF（30ml）中の塩化チオニルの溶液を
無水DMF（30ml）中のこの固体の撹拌溶液に滴加した。
混合物を室温で一晩撹拌し、氷／水上に注いだ。生成物
をエーテル中に（２回）抽出し、合せたエーテル抽出物
を水、炭酸水素ナトリウム、水で洗い、乾燥させた（Mg
SO4）。溶媒を真空下で除去し、残渣をカラムクロマト
グラフィー［シリカゲル／石油留分（沸点40〜60゜）−
ジクロロメタン、2:1］で精製すると無色の固体が得ら
れた。これを、（Ａ）では酢酸エチルから、そして
（Ｂ）ではエタノール−酢酸エチル（2:1）から再結晶
させて無色の結晶を得た。収量A:0.21g、D22生成物に基
き13％;B0.20g、D22生成物に基き15％。
液晶混合物の実施例 実施例５ ２種の式1.1のシアノ−テルフェニル、すなわち、R1
とR2の両者がｎ−ペンチルである（Ａ）及びR1とR2の両
者がｎ−ヘキシルオキシである（Ｂ）と式： のFTPの混合物の特性を純粋なFTPの特性と共に下記に挙
げる。
これらの結果から、FTPに本発明のシアノテルフェニ
ルを混合すると、FTPのSB相を抑制し、場合により加熱
においてFTPのSC相が出現する温度を低下させ、SC相が
存続する温度域を広げることが明らかである。
以下の実施例では、示した略号により次の混合物及び
化合物を表わす； 混合物H1 （すなわち、上記の式II A（Ｙ＝Ｆ）のFTPの混合物）
この混合物は次の液晶転移を示す。
K31.8 Ｓ？40.4 Ｓ??50.6 SC107 N160 Ｉ 混合物H2 （すなわち、上記の式II BとII CのFTPの混合物） この混合物は次の液晶転移温度を示す： ＜20 SC96.9 N146.2 Ｉ 混合物H3 （すなわち、式III Aの化合物の混合物） この混合物は次の液晶転移温度を示す： Ｓ？41.5 SC87 SA120.7 N134.5 Ｉ （すなわち、上記式VII） 実施例６ 混合物H1＋10％ K13 SC88.4 N134.3 Ｉ シアノテルフェニルの添加により、純粋なH1と比べ、
SC域が増加し、低温の望ましくないスメクチック相が除
去される。
実施例７ 混合物H1＋10％ K16.5 SC96.4 N153 Ｉ SC域が増加し、より低いスメクチック相が除去され
る。
実施例８ 混合物H3＋10％ ＜−20 SC66 SA106.6 N124 Ｉ 純粋なH3よりずっと低い温度に過冷却しても、より低
いスメクチック相はなかった。
実施例９ 混合物H2 72 wt％ ドーパント１ 6.25wt％ ドーパント２ 3.75wt％ ＜20 SC ＊90 SA124 N133 Ｉ この混合物は室温SC ＊相と液晶デバイス中での整列
（alignment）を助けるより高温でのSA相を示す。30℃
での、０ボルトACバイアスによる種々のピーク電圧での
スイッチング応答時間（μ秒）、及び２μｍのポリイミ
ド配列セルを使用した種々の温度での自発分極Psを下記
に示す。
30℃での円錐角度（cone angle）は23゜であることが
判った。
実施例10 混合物H2 72 wt％ ドーパント１ 5.8wt％ ドーパント２ 4.2wt％ 20 SC ＊ 91.5 SA 123.7 N 133.7 I 1.9μｍのポリイミド配列セルを使用した、30℃にお
ける、種々のACバイアス電圧でのスイッチング応答時間
（μ秒）を下記表に示す。円錐角度は23゜であった。
６μｍのポリイミド配列セルを使用して種々の温度で
のPsを測定し、下表に示した。
実施例11（比較例） 液晶混合物への本発明テルフェニルの使用の利点を説
明するために、本発明テルフェニルを含まず混合物H2を
含み、ドーパント１及び２の割合が実施例９及び10の混
合物に使用したものと同じ又は非常に近い２つの混合物
を製造し、これらを下記混合物9A及び10Aとした。
9A 10A 混合物H2 90 wt％ 90 wt％ ドーパント１ 6.25wt％ 5.63wt％ ドーパント２ 3.75wt％ 4.37wt％ これらの特性は次のようであった： 9A:20SC ＊90.4 SA 109.6 N 133 Ｉ 10A:20SC ＊93 SA 109.6 N 133 Ｉ 即ち、これらの２つの混合物は各々実施例９及び10の
混合物とほぼ同じ温度まで有用なSC ＊相を保持する。
30℃では、混合物9A及び10Aは示した電圧（Vmin）及
びACバイアスで次のようなPs及び最小スイッチング応答
時間（Tmin）（μ秒）を示した。混合物９及び10につい
ての対応の値も比較のために示した。
この表から、本発明テルフェニルを含有する混合物９
及び10は、このようなテルフェニルを含まない対応の混
合物9A及び10Aと比べより高いPs及びより速いスイッチ
ング時間を有している。
ここで、液晶シャッターの断面図である添付図面第12
図を参照して、本発明の実施態様である液晶材料及びデ
バイスへの式Ｉの化合物の使用例を記す。
第12a図中、液晶セルは、表面上に例えば酸化すず又
は酸化インジウムの透明な電導層３を有するガラススラ
イド２と、表面上に透明な電導層５を有するガラススラ
イド４との間の、ネマチック又はキラルスメクチックＣ
相を示す液晶材料の層１を有する。層3,5を有するスラ
イド2,4は各々ポリイミドポリマーのフィルム6,7で被覆
されている。セルを作る前に、フィルム６及び７は所定
の方向に柔いティッシュでこすり、こする方向がセルの
構築の際に平行となるようにする。例えばポリメチルメ
タクリレートのスペーサ８は必要な距離、例えば５μス
ライド2,4を離している。スライド2,4とスペーサ８の間
の空間を液晶材料１で満たし、公知の方法で真空下でス
ペーサ８をシールすることによりスライド2,4間に液晶
材料１を導入する。
液晶材料の層１に好適な材料は例えば上記実施例９及
び10の混合物であり、フィルム６と７の間の間隔は約２
μｍである。
図面の簡単な説明 第１〜11図は本発明テルフェニルの製造経路であり、
第12図は液晶デバイスの断面図である。
１……液晶層、2,4……ガラススライド、3,5……透明電
導層、6,7……フィルム、８……スペーサ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/42 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/42 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 レイシー，デビツド イギリス国、ノース・ハンバーサイド・ エイチ・ユー・18・９・エヌ・エヌ、ハ ル、キルダイル・クロース・19 (72)発明者 ハード，マイケル イギリス国、ノース・ハンバーサイド・ エイチ・ユー・４・７・ビー・ゼツト、 ハル、アンラビイ・パーク・ロード・サ ウス・222 (72)発明者 トーイン，ケネス・ジヨンソン イギリス国、ノース・ハンバーサイド・ エイチ・ユー・６・８・キユー・ダブリ ユ、ハル、ホール・ロード・25

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式 ［式中、R1及びR2は水素、C1〜C15アルキル、アルコキ
    シあるいは１つ以上のCH2基がＯ、COO、OOC、CHX、C
    X2、CH＝CX、CX＝CH、CX＝CX（ここで、Ｘはフッ素又は
    塩素である）、CRCN（ここでＲはアルキルである）、も
    しくはＣ≡Ｃで置換されているか又はアルキルもしくは
    アルコキシ鎖の末端CH3がCF3で置換されているアルキル
    又はアルコキシから各々独立して選択され、ｎは０又は
    １であり、CN及びＦ（もし存在すれば）置換基は独立し
    て、利用しうる置換部位のいずれかに位置している］を
    特徴とする側方がシアノ置換されてるいるテルフェニ
    ル。
  2. 【請求項２】一般式： ［式中、R1及びR2は独立して、アルキル、アルコキシ又
    はアルキニルである］を有するものであり、このテルフ
    ェニルが次の置換パターン：（Ｄ＝CN），（Ａ＝CN），
    （Ｂ＝F,G＝CN），（Ａ＝CN,B＝Ｆ），（Ｂ＝CN），
    （Ｃ＝CN,D＝Ｆ），（Ａ＝F,G＝CN），（Ａ＝F,E＝C
    N），（Ｂ＝F,E＝CN），（Ｂ＝F,D＝CN），（Ａ＝F,D＝
    CN），（Ａ＝F,C＝CN），（Ｂ＝F,C＝CN），（Ａ＝F,B
    ＝CN）のいずれか１つから選択した置換パターンを有
    し、残りの側方置換部位は水素で占められていることを
    特徴とする請求項１のテルフェニル。
  3. 【請求項３】R1及びR2は独立して、炭素原子数３〜12の
    ｎ−アルキル又はｎ−アルキコシから選択されることを
    特徴とする請求項２のテルフェニル。
  4. 【請求項４】式： を特徴とする請求項３のテルフェニル。
  5. 【請求項５】式： を特徴とする請求項３のテルフェニル。
  6. 【請求項６】下記の２つの式： から選択することを特徴とする請求項３のテルフェニ
    ル。
  7. 【請求項７】式： を特徴とする請求項３のテルフェニル。
  8. 【請求項８】式： を特徴とする請求項３のテルフェニル。
  9. 【請求項９】化合物の少なくとも１種が請求項１のテル
    フェニルであることを特徴とする、化合物の混合物であ
    る液晶材料。
  10. 【請求項１０】化合物の少なくとも１種が請求項２のテ
    ルフェニルであることを特徴とする、化合物の混合物で
    ある液晶材料。
  11. 【請求項１１】化合物の少なくとも１種が式： ［式中、R1及びR2は独立して、C3〜C12n−アルキル、又
    はｎ−アルコキシである］のテルフェニルであることを
    特徴とする請求項10の液晶材料。
  12. 【請求項１２】化合物の少なくとも１種が式： ［式中、R1及びR2は独立して、C3〜C12n−アルキル、又
    はｎ−アルコキシである］のテルフェニルであることを
    特徴とする請求項10の液晶材料。
  13. 【請求項１３】化合物の少なくとも１種が下記の２つの
    式： ［式中、R1及びR2は独立して、C3〜C12n−アルキル、又
    はｎ−アルコキシである］から選択した式を有するテル
    フェニルであることを特徴とする請求項10の液晶材料。
  14. 【請求項１４】材料が更に１種以上の一般式： ［式中、R3及びR4は独立して、水素、各々が１〜12個の
    炭素原子を有するアルキル及びアルコキシから選択さ
    れ、ｐは１又は２でありえ、フルオロ置換基は利用しう
    る側方置換位置のいずれにあってもよい］のフッ素化テ
    ルフェニルを含有することを特徴とする請求項９から13
    のいずれかの液晶材料。
  15. 【請求項１５】フッ素化テルフェニルが、式： の１つ以上から選択した式を有することを特徴とする請
    求項14の液晶材料。
  16. 【請求項１６】混合物が更に１種以上の式： ［式中、RA及びRCは独立して１〜12個の炭素原子を含有
    し、RAはｎ−アルキル又はｎ−アルコキシであり、RCは
    ｎ−アルキルである］の化合物を含有することを特徴と
    する請求項９から13のいずれかの液晶材料。
  17. 【請求項１７】混合物が更に１種以上の式： ［式中、RAはC5〜C12のｎ−アルキル又はｎ−アルコキ
    シであり、（Ｆ）はフェニル環が１つのフルオロ置換基
    を有しうることを示し、R3はC1〜C4のｎ−アルキル，シ
    クロアルキル又は式： （式中、ａは０又は１〜６の整数であり、ｂ及びｃの各
    々は１〜６の整数である）の分枝アルキル基である］の
    光学活性化合物を含有することを特徴とする請求項９又
    は10の液晶材料。
  18. 【請求項１８】向い合った表面上に電極を有し、少なく
    とも一方が光学的に透明である２枚の実質的に平行な基
    体の形の、請求項９又は10の液晶材料を含む液晶電気光
    学ディスプレイデバイス。
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