JPH04180277A - 光信号発生回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、例えば光フアイバ通信のための光通信装置な
どに設けられる光信号送信回路のように、光信号を発生
するための光信号発生回路に関するものである。

（従来の技術） 従来、この種の技術としては、例えば実開昭６２−１７
７’１４３号公報に記載されるように、光出力発生用の
発光素子に駆動電流を流し、その駆動電流を変調するこ
とにより光信号を出力するものがあった。このような回
路では、発光素子に流す駆動電流に、有効な光出力を得
るためのしきい値（閾電流値）があり、このしきい値近
傍の直流のバイアス電流を予め発光素子に供給しておく
必要がある。このバイアス電流は、発光素子の動作点を
決定するが、変動を伴うと光出力を不安定にするため、
通常一定電流値に制御され、そのためにバイアス電流を
モニタする回路が光信号発生回路に設けられている。

第２図は、従来の光信号発生回路の一構成例を示す概略
の回路図である。

この光信号発生回路は、光出力発生用の発光素子１を有
している。

発光素子１は、例えばレーザダイオード等で構成され、
直流のバイアス電流ＩＢとそのバイアス電流ＩＢに重畳
される信号電流（スイッチング電流）ＩＳ−とからなる
駆動電流ＩＤの供給を受けて駆動し、該信号電流■蒲に
応じて光出力ｐｏ　　（光信号）を発生するものである
。発光素子１には、アノードに接地電位ＧＮＤが接続さ
れ、カソードに、モニタ抵抗２及びバイアス電流制御回
路３が順次直列接続されると共に、信号電流供給回路４
が接続されている。

モニタ抵抗２は、バイアス電流Ｉ８を検出（モ二り）す
るためのものであり、そのバイアス電流ＩＢを流し、そ
のバイアス電流ＩＢに応じた電圧降下を生じ、その電圧
降下によってバイアス電流ＩＢの検出結果ｖｍを出力す
る抵抗で構成されている。

バイアス電流制御回＃ｉ３は、モニタ抵抗２の検出結果
ｖｍにより生成される例えばバイアス電流制御電圧Ｖｉ
ｎに基づき、バイアス電流ＩＢが例えば発光素子１の閾
電流値近傍の一定電流値を保って供給されるように制御
する回路であり、例えばコレクタがモニタ抵抗２に接続
されかつベースにバイアス電流制御電圧Ｖｉｎが印加さ
れるバイアス電流制御用のＮＰＮ形トランジスタ３ａと
、トランジスタ３ａのエミッタ及び電源電位−ＶＥＥ間
に接続されたバイアス電流安定用の抵抗３ｂとで構成さ
れている。

信号電流供給回路４は、他から入力される発光制御信号
ＳＥＣに基づき発光素子１に信号電流ＩＳＷを供給する
回路であり、例えば接地電位ＧＮＤ及び電源電位−ＶＥ
Ｅ間に接続された差動増幅回路により構成され、例えば
発光制御信号ＳＥＣにより制御されるＮＰＮ形トランジ
スタ４ａ、基準電圧ＶＲＥＦが印加されたＮＰＮ形トラ
ンジスタ４ｂ、及び直流定電流源４ｃ等を有している。

次に、この光信号発生回路の動作を、第３図を参照しつ
つ説明する。ここで、第３図は、第１図の発光素子の電
流−光出力変換特性を示す図である。

バイアス電流制御回路３により、発光素子１に駆動電流
ＩＤとして、発光素子１の閾電流値近傍の電流値を有す
るバイアス電流１８分のみが流される。すると、モニタ
抵抗２では、バイアス電流ＩＢが流れてバイアス電流Ｉ
Ｂに応じた電圧降下が生じ、その電圧降下によりバイア
ス電流■８の検出結果ＶＩ１１が出力されて、その検出
結果ｖｌｌｌによりバイアス電流ＩＢのモニタが行われ
る。これにより、バイアス電流■８が一定電流値を保つ
ようにトランジスタ３ｂに印加されるバイアス電流制御
電圧Ｖｉｎが生成され、そのバイアス電流制御電圧Ｖｉ
ｎがトランジスタ３ｂに印加されて、バイアス電流制御
回Ｆ！＠３により、一定電流値を保つようにバイアス電
流ＩＢの制御が行われる。

他からの発光制御信号ＳＥＣが信号電流供給回路４に与
えられると、信号電流供給回路４は、発光制御信号ＳＥ
Ｃに応じて発光素子１に信号電流ＩＳＷを供給する。す
ると、発光素子１に流れる駆動電流ＩＤが、バイアス電
流■８に信号電流ＩＳＷを重畳したものとなり、信号電
流Ｉｓ−に応じて発光素子１が発光し、例えば第３図に
示すような光出力（光信号）ｐｏが得られる。

従来の光信号発生回路では、モニタ抵抗２の電圧降下に
より、発光素子１に流れるバイアス電流ＩＢをモニタす
ることができ、光信号として一定の光出力ＰＯが得られ
るようにバイアス電流ＩＢを制御することができる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記構成の光信号発生回路では、次のよ
うな課題があった。

（ａ）従来の光信号発生回路では、例えば発光素子１の
劣化等に起因して過大なバイアス電流ＩＢが流れた場合
、トランジスタ３ａが飽和してしまい、このためにバイ
アス電流ＩＢの制御を効果的に行えない。

（ｂ）また、発光素子１を例えばレーザダイオードで構
成したような場合、通常バイアス電流■８は例えば数１
０ｍ八程反流す必要があるので、モニタ抵抗２の消費電
力が大きくなってしまう。

本発明は、前記従来技術が持っていた課題として、モニ
タ抵抗の消費電力が大きくなる点と、バイアス電流制御
回路における制御用トランジスタが過大なバイアス電流
により飽和してしまい、効果的なバイアス電流の制御が
行えない点について解決した光信号発生回路を提供する
ものである。

（課題を解決するための手段） 第１の発明は、前記課題を解決するために、バイアス電
流が供給され該バイアス電流に重畳される信号電流に応
じて光信号を発生する発光素子と、前記バイアス電流を
検出してその検出結果を出力するモニタ抵抗と、前記モ
ニタ抵抗の出力に基づき前記バイアス電流を一定電流値
に制御するバイアス電流制御回路と、発光制御信号に基
づき前記信号電流を供給する信号電流供給回路とを、備
えた光信号発生回路において、前記バイアス電流制御回
路と並列に、前記バイアス電流に応じて変化しかつ該バ
イアス電流よりも小さいモニタ電流を前記モニタ抵抗に
供給するモニタ電流供給回路を設け、前記モニタ電流が
供給された前記モニタ抵抗の検出出力に基づき前記バイ
アス電流制御回路及びモニタ電流供給回路を制御するよ
うに構成したものである。

第２の発明は、第１の発明において、前記バイアス電流
制御回路は、前記発光素子に直列接続され前記検出出力
に基づき制御される第１のトランジスタと、該第１のト
ランジスタに直列接続された第１の抵抗とで構成した。

さらに、前記モニタ電流供給回路は、前記モニタ抵抗に
直列接続されかつ前記第１のトランジスタの１　／　ｎ
倍のサイズを有し、前記検出出力に基づき制御される第
２のトランジスタと、該第２のトランジスタに直列接続
され前記第１の抵抗のｎ倍の抵抗値を有する第２の抵抗
とで構成したものである。

第３の発明は、第１の発明において、前記バイアス電流
制御回路は、前記発光素子に直列接続され所定のサイズ
を有し前記検出出力に基づき制御されるトランジスタと
、該トランジスタに直列接続され所定の抵抗値を有する
抵抗とを、所定数並列接続して構成した。よって、前記
各トランジスタは、同一のサイズを有して同一の特性を
持ち、各抵抗は同一の抵抗値を有する。さらに、前記モ
ニタ電流供給回路は、前記モニタ抵抗に直列接続されか
つ前記トランジスタの所定のサイズと同一のサイズを有
し、前記検出出力に基づき制御される他のトランジスタ
と、該他のトランジスタに直列接続されかつ前記抵抗の
所定の抵抗値と同一の抵抗値を有する他の抵抗とで構成
したものである。

なお、第２及び第３の発明において、トランジスタのサ
イズとしては、例えばバイポーラトランジスタの場合に
はエミッタサイズ等を設定し、例えばユニポーラトラン
ジスタの場合にはゲート寸法等が設定される。

（作用） 第１の発明によれば、以上のように光信号発生回路を構
成したので、前記モニタ電流供給回路は、前記モニタ抵
抗に、前記バイアス電流に応じて変化しかつ該バイアス
電流よりも小さいモニタ電流を供給するように働く。

これにより、前記モニタ抵抗は、前記モニタ電流を流し
、そのモニタ電流に応じて電圧降下を生じ、この電圧降
下により前記バイアス電流の検出結果としての検出出力
を出力する。

この検出出力に基づき前記バイアス電流制御回路及びモ
ニタ電流供給回路が制御される。このため、前記モニタ
電流は、前記バイアス電流に応じて変化する電流値とで
き、前記モニタ抵抗は、前記バイアス電流に対して小さ
い電流値を有する該モニタ電流により該バイアス電流の
検出（モニタ）を行う。

また、前記モニタ抵抗に前記モニタ電流を流しそのモニ
タ抵抗の検出出力により前記バイアス電流のモニタが行
われるため、前記モニタ抵抗は、バイアス電流が流され
る前記発光素子及びバイアス電流制御回路を結ぶ経路中
に設けられずにすむようになる。

第２及び第３の発明によれば、以上のように光信号発生
回路を構成したので、前記第１の発明と同様の作用が得
られると共に、過大なバイアス電流によりトランジスタ
が飽和してしまうことが防がれるように働く。

従って、前記課題を解決できるのである。

（実施例） 第１図は、本発明の第１の実施例を示す光信号発生回路
の概略の回路図である。図中、第２図と共通の要素には
共通の符号が付されている。

この光信号発生回路は、第２図の光信号発生回路と同様
に構成される発光素子１及び信号電流供給回路４を有し
ている。ここで、発光素子１は、アノードが電源電位Ｖ
ＣＣに接続され、信号電流供給回路４は、電源電位ＶＣ
Ｃ及びＶＥＥ間に接続されると共に、出力側が発光素子
１のカソードに接続されている。さらに、発光素子ｌの
カソードには、電源電位ＶＥＥとの間にバイアス電流制
御回路１１が直列接続されている。

バイアス電流制御口ｆ？！１１は、例えばバイアス電流
制御電圧ＶＩＮに基づき、発光素子１に一定の電流値に
制御されたバイアス電流１Ｂを流すための回路であり、
例えばコレクタが発光素子１のカソードに接続され、ベ
ースがノードＮ１（入力端子）に接続されたＮＰＮ形ト
ランジスタｌｌａと、トランジスタｌｌａのエミッタと
電源電位ＶＥＥ間に接続されたバイアス電流安定用の抵
抗１１ｂとを有している。

さらに、電源電位ＶＣＣ及びＶＥＥ間には、モニタ抵抗
１２及びモニタ電流供給回路１３が直列に接続されてい
る。

モニタ抵抗１２は、バイアス電流ＩＢを検出（モニタ）
するためのものであり、バイアス電流ＩＢに応じて変化
しかつバイアス電流Ｔ６よりも小さいモニタ電流ＩＮを
流し、そのモニタ電流■Ｈに応じて電圧降下を生じ、そ
の電圧降下によりバイアス電流ＴＢの検出結果としての
検出出力ＶＨを出力する抵抗で構成されている。

モニタ電流供給回路１３は、モニタ電流ＩＭをモニタ抵
抗１２に流すための回路であり、バイアス電流制御回路
１１と並列に設けられており、例えばコレクタがモニタ
抵抗１２に接続され、ベースがノードＮ１に接続された
ＮＰＮ形トランジスタ１３ａと、トランジスタＬ３ａの
エミッタ及び電源電位ＶＥＥ間に接続された抵抗１３ｂ
とを有している。ここで、トランジスタ１３ａのエミッ
タサイズは、トランジスタｌｌａのエミッタサイズの１
　／　ｎ倍に設定されており、抵抗１３ｂの抵抗値は、
抵抗１１ｂの抵抗値のｎ倍に設定されている。

また、ノードＮ１には、モニタ制御回路１４が接続され
ている。

モニタ制御回路１４は、モニタ抵抗１２がらの検出出力
Ｖ）ｆと、例えば外部から入力される発光出力監視信号
Ｓｗ及び温度測定信号ＳＴとを受けて、発光出力監視信
号Ｓ−及び温度測定信号ＳＴを考慮して検出出力ＶＨに
基づきバイアス電流制御電圧ＶＩＮをノードＮ１を介し
て出力する回路であり、例えば電源電位■ＣＣ及びＶＥ
Ｅによる電源供給により機能し、例えばオペアンプ及び
時定数回路等を用いて構成されている。

ここで、モニタ制御回ｉ１４に発光出力監視信号ＳＷ及
び温度測定信号８丁を入力する構成を例示した。これは
、周囲温度が変化したり、経時変化による光出力の低下
が生じても、発光素子１の光信号の光出力を一定に保つ
必要があるため、発光素子１の光出力を受光素子でモニ
タし、周囲温度を温度センサでモニタすることにより、
光信号の光出力が一定になるようにバイアス電流ＩＢを
設定するための構成である。

次に、動作を説明する。

バイアス電流制御回路１１で、トランジスタ１１ａがバ
イアス電流制御電圧ＶＩＮにより制御され、発光素子１
には、駆動電流ＩＤとして発光素子１の閾電流値近傍の
電流値を有するバイアス電流１Ｂが流れる。また発光制
御信号ＳＥＣを受けた信号電流供給回路４が、発光制御
信号ＳＥＣに応じて発光素子１へ信号電流Ｉｓ−を供給
する。すると、バイアス電流ＩＢに信号電流Ｉｓ−が重
畳された駆動電流ＩＯが発光素子１を流れ、その信号電
流■卵に応じて発光素子１が発光して例えば第３図に示
されるように光出力Ｐｏを出力する。

一方、モニタ電流供給回路１３では、トランジスタ１３
ａがバイアス電流制御電圧ＶＩＮにより制御され、モニ
タ抵抗１２にバイアス電流１．Ｂに応じて変化するモニ
タ電流ＩＨを流す。この時、トランジスタ１３ａのエミ
ッタサイズをトランジスタ１１ａの１　／　ｎ倍に設定
しており、抵抗１３ｂの抵抗値を抵抗１１ｂのｎ倍に設
定しているため、モニタ電”ＢＨは、バイアス電流１Ｂ
よりも小さく、１　／　ｎ倍となる。

モニタ電流ＩＮが供給されたモニタ抵抗１２は、モニタ
電流ＩＮがバイアス電流■８に応じて変化するに伴って
、モニタ電流ＩＮに応じた電圧降下を生じ、その電圧降
下によってバイアス電流１Ｂの検出結果としての検出出
力ＶＨをモニタ制御回路１４へ出力する。

検出出力ＶＨを入力したモニタ制御回路１４は、発光出
力監視信号ＳＷ及び温度測定信号ＳＴ等を考慮して検出
出力Ｖ）ｌに基づきノードＮ１を介してバイアス電流制
御電圧ＶＩＮを出力する。このバイアス電流制御電圧Ｖ
ＩＮによってバイアス電流制御口１ｉ’！ｉｌｌ及びモ
ニタ電流供給回路１３が制御されるため、モニタ抵抗１
２にバイアス電流工８に応じて変化するモニタ電流ＩＮ
が流され、バイアス電流Ｉ８が閾電流値に応じた一定電
流値に制御される。

本実施例では、次のような利点を有している。

（Ａ＞本実施例において、モニタ電流供給回Ｂ１３のト
ランジスタ１３ａは、バイアス電流制御回路１１のトラ
ンジスタｌｌａの１　／　ｎ倍のエミッタサイズのトラ
ンジスタで構成し、抵抗１３ｂは、抵抗１１ｂのｎ倍の
抵抗値に設定した。

以上の設定により、モニタ制御回路１４から出力される
バイアス電流制御電圧ＶＩＮは、抵抗１１ｂの抵抗値を
Ｒ１１、抵抗１３ｂの抵抗値をＲ１３とすると、次式（
１）のように表わされる。

ＶＩＮ＝ＶＴｆ１ｎ　　［ＩＢ／（ｎ−ＩＳ　）］＋Ｉ
Ｂ　　・Ｒ１１ ＝ＶＴ、ｌ！ｎ　　［ＩＮ／ＩＳ　］ 十ＩＭ・Ｒ１３・・・（１） ここで、Ｖ丁は熱電圧であり、ＩＳはトランジスタの飽
和電流である。

この（１）式を、 Ｒ１１：□　　　　　　　　・・・（２〉を用いて、Ｉ
）ｌについて解くと、 Ｂ ＩＭ＝□　　　　　　　・・・（３） が得られる。また、モニタ抵抗１２の抵抗値をＲ１２と
すると、モニタ抵抗１２の両端の電圧降下値Ｖは、 ■８ Ｖ＝ＩＮ　−Ｒ１２＝□・Ｒ１２・・・（４）となる。

上式（３）式及び（４）式から分かるように、モニタ電
流ＩＮは、バイアス電流■８の１　／　ｎ倍となり、モ
ニタ抵抗１２による電圧降下値は、バイアス電流■８が
流れた場合の１　／　ｎ倍となる。

従って、本実施例の光信号発生回路では、モニタ抵抗１
２による消費電力を小さくすることができる。

（Ｂ）また、本実施例では、モニタ電流供給回路１３を
バイアス電流制御回路１１と並列に設け、そのモニタ電
流供給回路１１にモニタ抵抗１２を接続し、そのモニタ
抵抗１２には、バイアス電流１Ｂではなく、バイアス電
流工８に応じて変化しかつバイアス電流ＩＢよりも小さ
いモニタ電流■Ｈを流すようにしてバイアス電流ＩＢの
モニタを行うようにしている。

そのため、第１図の光信号発生回路では、バイアス電流
ＩＢが流れる経路であって、発光素子１及びバイアス電
流制御回路１１を含む経路中に、モニタ抵抗１２を設け
ずにすみ、例えば発光素子１とバイアス電流制御回路１
１のトランジスタ１１ａとの間からモニタ抵抗をなくせ
るので、トランジスタｌｌａの飽和を防ぐ効果が期待で
きる。

（Ｃ）本実施例では、バイアス電流制御回路１１及びモ
ニタ電流供給回１１１３の相対精度を利用してバイアス
電流工８の検出（モニタ）を行うようにしているので、
集積回路化に適し、効果的な検出精度が得られる回路構
成を実現できる。

第４図は、本発明の第２の実施例を示す光信号発生回路
のバイアス電流制御回路の概略の回路図である。図中、
第１図と共通の要素には共通の符号が付されている。

このバイアス電流制御回路２１は、例えば第１図の光信
号発生回路においてバイアス電流制御回路１１に代えて
設けられるものであり、発光素子１のカソード及び電源
電位ＶＥＥ間に並列接続されるＮ個の３端子回路２１−
１〜２１−Ｎで構成されている。各３端子回路２１−１
〜２１−Ｎは、それぞれ互いに直列接続されたＮＰＮ形
トランジスタ２ｌ−１ａ及び抵抗２ｌ−１ｂ、ＰＮＰＮ
上形ンジスタ２ｌ−２ａ及び抵抗２ｌ−２ｂ、・・・、
ＰＮＰＮ上形ンジスタ２ｌ−Ｎａ及び抵抗２ｌ−Ｎｂを
有している。

ここで、各トランジスタ２ｌ−１ａ〜２ｌ−Ｎａは、そ
れぞれコレクタが発光素子１のカソードに、エミッタが
各抵抗２ｌ−１ｂ〜２ｌ−Ｎｂにそれぞれ接続されると
共に、ゲートがノードＮ１に共通接続されている。また
、各トランジスタ２ｌ−１ａ〜２ｌ−Ｎａは、それぞれ
モニタ電流供給回路１３のトランジスタ１３ａと同一の
エミッタサイズを有して同一の特性を持ち、各抵抗２ｌ
−１ｂ〜２ｌ−Ｎｂは、それぞれモニタ電流供給回路１
３の抵抗１３ｂと同一の抵抗値を有している。

従って、互いに接続されたＮ個の３端子回路は、エミッ
タサイズがＮ倍のトランジスタと１／Ｎ倍の抵抗値の抵
抗とから構成される３端子回路と等価である。

この第２の実施例では、第１の実施例と同様の作用・効
果が得られる。

なお、本発明は、図示の実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。その変形例としては、例えば次のよう
なものが挙げられる。

（Ｉ）上記第１及び第２の実施例では、発光素子１、信
号電流供給回路４、バイアス電流制御回路１１．２１、
モニタ抵抗１２、モニタ電流供給回路１３、及びモニタ
制御回路１４等の構成の変形が可能である。また、各回
路構成の変形等に応じて動作例の変更等も可能である。

例えばバイアス電流制御回路１１．２１及びモニタ電流
供給回路１３は、他の回路構成を適宜設計することによ
り、ＰＮＰ形トランジスタで構成したり、あるいはＭＯ
ＳＦＥＴ等のユニポーラトランジスタ等で構成するよう
にしてもよい。例えばユニポーラトランジスタ等で構成
する場合には、上記実施例でエミッタサイズに関して行
った設定を例えばゲート寸法等に関して行うようにする
。

゛　　また、第１図及び第２図で示される光信号発生回
路では、例えば前記公報に記載されるインピーダンス変
換用のインピーダンス回路の付加などのように、他の回
路構成を付加したりすることが可能である。

（ＩＩ）本発明の光信号発生回路は、光ファイノく通信
等に限定されず、光信号を発生させる必要がある種々の
装置等に対して幅広く適用が可能である。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、前記バイ
アス電流制御回路と並列に、前記モニタ電流供給回路を
設け、該モニタ電流供給回路によって前記モニタ抵抗に
前記モニタ電流を流し、そのモニタ抵抗の検出出力に基
づき、前記バイアス電流制御回路及びモニタ電流供給回
路を制御するように構成したので、前記バイアス電流を
モニタするにあたって、前記モニタ抵抗の消費電力を小
さくできる。

また、前記バイアス電流制御回路及びモニタ電流供給回
路をトランジスタを用いて構成した場合に、過大電流に
よるトランジスタの飽和を防ぐという効果が期待できる
。

特に、第２及び第３の発明では、バイアス電流供給回路
とモニタ電流供給回路の相対精度を利用してバイアス電
流の検出（モニタ）を行うようにしているので、集積回
路化に適し、効果的な検出精度が得られる回路構成を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す光信号発生回路の
概略の回路図、第２図は従来の光信号発生回路の一構成
例を示す概略の回路図、第３図は第１図の発光素子の電
流−光出力変換特性を示す図、第４図は本発明の第２の
実施例を示す光信号発生回路のバイアス電流制御回路の
概略の回路図である。 １・・・発光素子、４・・・信号電流供給回路、１１゜
２１・・・バイアス電流制御回路、ｌｌａ、１３ａ。 ２１−１　ａ〜２１−Ｎａ・・−トランジスタ、１１ｂ
。 １３ｂ、２ｌ−１ｂ〜２ｌ−Ｎｂ・・・抵抗、１２・・
・モニタ抵抗、１３・・・モニタ電流供給回路、１Ｂ・
・・バイアス電流、ＩＳＷ・・・信号電流、Ｉ）ｌ・・
・モニタ電流、Ｖ）４・・・検出出力、ＶＩＮ・・・バ
イアス電流制御電圧、ＳＥＣ・・・発光制御信号。 従来の光信号発生回路 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、バイアス電流が供給され該バイアス電流に重畳され
   る信号電流に応じて光信号を発生する発光素子と、前記
   バイアス電流を検出してその検出結果を出力するモニタ
   抵抗と、前記モニタ抵抗の出力に基づき前記バイアス電
   流を一定電流値に制御するバイアス電流制御回路と、発
   光制御信号に基づき前記信号電流を供給する信号電流供
   給回路とを、備えた光信号発生回路において、 前記バイアス電流制御回路と並列に、前記バイアス電流
   に応じて変化しかつ該バイアス電流よりも小さいモニタ
   電流を前記モニタ抵抗に供給するモニタ電流供給回路を
   設け、 前記モニタ電流が供給された前記モニタ抵抗の検出出力
   に基づき前記バイアス電流制御回路及びモニタ電流供給
   回路を制御することを特徴とする光信号発生回路。 ２、請求項１記載の光信号発生回路において、前記バイ
   アス電流制御回路は、 前記発光素子に直列接続され前記検出出力に基づき制御
   される第１のトランジスタと、該第１のトランジスタに
   直列接続された第１の抵抗とで構成し、 前記モニタ電流供給回路は、 前記モニタ抵抗に直列接続されかつ前記第１のトランジ
   スタの１／ｎ倍のサイズを有し、前記検出出力に基づき
   制御される第２のトランジスタと、該第２のトランジス
   タに直列接続され前記第１の抵抗のｎ倍の抵抗値を有す
   る第２の抵抗とで構成した光信号発生回路。 ３、請求項１記載の光信号発生回路において、前記バイ
   アス電流制御回路は、 前記発光素子に直列接続され所定のサイズを有し前記検
   出出力に基づき制御されるトランジスタと、該トランジ
   スタに直列接続され所定の抵抗値を有する抵抗とを、所
   定数並列接続して構成し、前記モニタ電流供給回路は、 前記モニタ抵抗に直列接続されかつ前記所定のサイズを
   有し、前記検出出力に基づき制御される他のトランジス
   タと、該他のトランジスタに直列接続されかつ前記所定
   の抵抗値を有する他の抵抗とで構成した光信号発生回路
   。