JPH04171611A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH04171611A JPH04171611A JP30038390A JP30038390A JPH04171611A JP H04171611 A JPH04171611 A JP H04171611A JP 30038390 A JP30038390 A JP 30038390A JP 30038390 A JP30038390 A JP 30038390A JP H04171611 A JPH04171611 A JP H04171611A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
金属酸化物からなる透明導電膜の形成方法に関し、
透明導電膜の形成時間を短縮し、透明導電膜を有した各
種装置の生産性の向上を可能にすることを目的とし、 金属酸化膜から過剰の酸素を除去するための処理を含む
透明導電膜の形成方法において、還元ガスを電磁波の照
射によって励起し、プラズマ化した前記還元ガスによっ
て前記金属酸化膜を還元するように構成される。
種装置の生産性の向上を可能にすることを目的とし、 金属酸化膜から過剰の酸素を除去するための処理を含む
透明導電膜の形成方法において、還元ガスを電磁波の照
射によって励起し、プラズマ化した前記還元ガスによっ
て前記金属酸化膜を還元するように構成される。
本発明は金属酸化物からなる透明導電膜の形成方法に関
する。
する。
酸化インジウムを主成分とし数％の酸化スズを含むＩＴ
Ｏなとの金属酸化物からなる透明導電膜は、タッチパネ
ルやプラズマデイスプレィパネルの透明電極などとして
広く利用されている。
Ｏなとの金属酸化物からなる透明導電膜は、タッチパネ
ルやプラズマデイスプレィパネルの透明電極などとして
広く利用されている。
一般に、透明導電膜には、外部導体との接続のために、
銀ペーストの焼成などによって端子導電層が設けられる
。
銀ペーストの焼成などによって端子導電層が設けられる
。
ところが、金属酸化物は、端子導電層を設けるための熱
処理によって酸化し、その抵抗値が熱処理前に比べて１
０倍程度の値に増大してしまう。
処理によって酸化し、その抵抗値が熱処理前に比べて１
０倍程度の値に増大してしまう。
このため、透明導電膜の形成に際しては、金属酸化物の
抵抗値を下げるために過剰の酸素を除去する処理、すな
わち還元処理が不可欠となる。
抵抗値を下げるために過剰の酸素を除去する処理、すな
わち還元処理が不可欠となる。
従来においては、還元処理の方法として、金属酸化膜を
設けたガラス基板（基体）を真空チャンバー内に載置し
、ｌＸｌ０−”［Ｔｏｒｒ］程度の真空中で金属酸化膜
を４００°Ｃ程度の温度まで加熱し、この状態を６時間
程度保つことによって金属酸化膜から過剰の酸素を放出
させる方法、いわゆる真空焼成法が一般に用いられてい
た。
設けたガラス基板（基体）を真空チャンバー内に載置し
、ｌＸｌ０−”［Ｔｏｒｒ］程度の真空中で金属酸化膜
を４００°Ｃ程度の温度まで加熱し、この状態を６時間
程度保つことによって金属酸化膜から過剰の酸素を放出
させる方法、いわゆる真空焼成法が一般に用いられてい
た。
加熱には、通常はヒータ（電熱器）が用いられるが、加
熱時間を短縮するためにマイクロ波を照射することによ
って金属酸化膜を加熱する方法も知られている。
熱時間を短縮するためにマイクロ波を照射することによ
って金属酸化膜を加熱する方法も知られている。
また、真空チャンバー内に微量の還元ガスを導入し、加
熱された金属酸化膜と還元ガスとを化学的に反応させる
ことによって処理時間を短縮する方法も知られている。
熱された金属酸化膜と還元ガスとを化学的に反応させる
ことによって処理時間を短縮する方法も知られている。
金属酸化膜の還元が終了して所定抵抗値の透明導電膜が
形成された基体は、自然冷却によって所定温度まで下が
るのを待って真空ヂャンバーがら取り出される。
形成された基体は、自然冷却によって所定温度まで下が
るのを待って真空ヂャンバーがら取り出される。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
従来では、還元のために金属酸化膜が真空チャンバー内
で４００°Ｃ程度の比較的高温に加熱される。
で４００°Ｃ程度の比較的高温に加熱される。
ところが、真空中での自然冷却に際しては、基体の温度
は主に輻射冷却によって鋒下するので、冷却開始時点の
温度が高いほど冷却に長時間を要する。特に、加熱にヒ
ータを用いた場合には、真空チャンバーの内壁も加熱さ
れるので、冷却時間はいっそう長くなる。
は主に輻射冷却によって鋒下するので、冷却開始時点の
温度が高いほど冷却に長時間を要する。特に、加熱にヒ
ータを用いた場合には、真空チャンバーの内壁も加熱さ
れるので、冷却時間はいっそう長くなる。
したがって、従来においては、基体を真空チャンバーに
載置してから取り出すまでの時間、すなわち真空チャン
バーを用いる真空処理の１サイクル時間が１２〜１０［
ｈｌにもおよび、その結果、透明導電膜の形成に長時間
を要することになり、透明導電膜を有した各種装置の生
産性が低いという問題があった。
載置してから取り出すまでの時間、すなわち真空チャン
バーを用いる真空処理の１サイクル時間が１２〜１０［
ｈｌにもおよび、その結果、透明導電膜の形成に長時間
を要することになり、透明導電膜を有した各種装置の生
産性が低いという問題があった。
本発明は、上述の問題に鑑み、透明導電膜の形成時間を
短縮し、透明導電膜を有した各種装置の生産性の向上を
可能にすることを目的としている。
短縮し、透明導電膜を有した各種装置の生産性の向上を
可能にすることを目的としている。
上述の課題を解決するため、請求項Ｉの発明に係る方法
は、第１図〜第３図に示すように、金属酸化膜１１ａか
ら過剰の酸素を除去するための処理を含む透明導電膜１
１の形成方法において、還元ガス５を電磁波ＲＦの照射
によって励起し、プラズフ化した前記還元ガス５によっ
て前記金属酸化膜１１ａを特徴する 請求項２の発明に係る方法は、第１図〜第３図に示すよ
うに、金属酸化膜１１． ａを設けた基体１０を真空処
理槽２０内に配置し、前記真空処理槽２０内の排気を行
った後に前記金属酸化膜１１ａを電磁波ＲＦの照射によ
って加熱し、前記真空処理槽２０に還元ガス５を導入し
、前記還元ガス５を電磁波ＲＦの照射によって励起し、
プラズマ化した前記還元ガス５によって前記金属酸化膜
１１ａを特徴する 請求項３の発明に係る方法は、第２図〜第４図に示すよ
うに、真空処理槽２０に還元ガス５を導入し、前記還元
ガス５を電磁波ＲＦの照射によって励起し、前記金属酸
化膜１１ａを設けた基体１０を予め加熱して真空処理槽
２０内に配置し、プラズマ化した前記還元ガス５によっ
て前記金属酸化膜１１ａ′を還元する。
は、第１図〜第３図に示すように、金属酸化膜１１ａか
ら過剰の酸素を除去するための処理を含む透明導電膜１
１の形成方法において、還元ガス５を電磁波ＲＦの照射
によって励起し、プラズフ化した前記還元ガス５によっ
て前記金属酸化膜１１ａを特徴する 請求項２の発明に係る方法は、第１図〜第３図に示すよ
うに、金属酸化膜１１． ａを設けた基体１０を真空処
理槽２０内に配置し、前記真空処理槽２０内の排気を行
った後に前記金属酸化膜１１ａを電磁波ＲＦの照射によ
って加熱し、前記真空処理槽２０に還元ガス５を導入し
、前記還元ガス５を電磁波ＲＦの照射によって励起し、
プラズマ化した前記還元ガス５によって前記金属酸化膜
１１ａを特徴する 請求項３の発明に係る方法は、第２図〜第４図に示すよ
うに、真空処理槽２０に還元ガス５を導入し、前記還元
ガス５を電磁波ＲＦの照射によって励起し、前記金属酸
化膜１１ａを設けた基体１０を予め加熱して真空処理槽
２０内に配置し、プラズマ化した前記還元ガス５によっ
て前記金属酸化膜１１ａ′を還元する。
真空処理槽２０に導入された還元ガス５は、電磁波ＲＦ
の照射によって励起される。
の照射によって励起される。
励起されてプラズマ化した還元ガス５は、化学的に活性
であるので、温度が比較的低く且つ真空度が低い状態の
もとて金属酸化膜１１ａと還元ガス５との還元反応が進
行し、金属酸化膜１１ａは過剰の酸素を放出して低抵抗
の透明導電膜１１となる。
であるので、温度が比較的低く且つ真空度が低い状態の
もとて金属酸化膜１１ａと還元ガス５との還元反応が進
行し、金属酸化膜１１ａは過剰の酸素を放出して低抵抗
の透明導電膜１１となる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第５図は本発明に係るＩＴ○膜１１を有したタッチパネ
ル１の部分断面図である。
ル１の部分断面図である。
タッチパネル１は、ガラス基板１０、ガラス基板１０の
表面（図の上面）及び裏面をそれぞれ覆うＩＴＯ膜１１
，１１、銀などからなる中間導電層１２、半田ハンプ１
３、及び保護膜１４．１５から構成され、静電容量方式
の座標入力手段としてＣＲＴデイスプレィなどの画面の
前面に装着されて使用される。
表面（図の上面）及び裏面をそれぞれ覆うＩＴＯ膜１１
，１１、銀などからなる中間導電層１２、半田ハンプ１
３、及び保護膜１４．１５から構成され、静電容量方式
の座標入力手段としてＣＲＴデイスプレィなどの画面の
前面に装着されて使用される。
半田ハンプ１３は、図示しないフレキシブル基板の端子
（外部端子）との接続のためにガラス基板１０の周縁に
沿って多数設けられる。中間導電層１２は、半田バンプ
１３とＩＴＯ膜１１とを接合するために設けられる。
（外部端子）との接続のためにガラス基板１０の周縁に
沿って多数設けられる。中間導電層１２は、半田バンプ
１３とＩＴＯ膜１１とを接合するために設けられる。
保護膜１５上の任意の点（座標）に指などを触れる（タ
ッチする）と、表面側のＩＴＯ膜１１はタッチされた点
で人体の静電容量を介して接地され、各半田ハンプ１３
と接地ラインとの間の抵抗値が変化し、この変化を検出
することによって画面上の座標が入力される。なお、裏
面側のＩＴＯ膜１１はデイスプレィ装置からのノイズの
形容を除くためのシールド電極とされる。
ッチする）と、表面側のＩＴＯ膜１１はタッチされた点
で人体の静電容量を介して接地され、各半田ハンプ１３
と接地ラインとの間の抵抗値が変化し、この変化を検出
することによって画面上の座標が入力される。なお、裏
面側のＩＴＯ膜１１はデイスプレィ装置からのノイズの
形容を除くためのシールド電極とされる。
りフチパネル１の製造に際しては、蒸着又はスパッタリ
ング薄着によってガラス基板１０に設けたＩＴＯ膜１１
の上に、二酸化珪素の蒸着によって保護膜１４を形成す
る。
ング薄着によってガラス基板１０に設けたＩＴＯ膜１１
の上に、二酸化珪素の蒸着によって保護膜１４を形成す
る。
次に、中間導電層１２を形成するために銀ペーストをス
クリーン印刷によって塗布し、続けて表面例の保護膜１
４上に水ガラスを塗布する。
クリーン印刷によって塗布し、続けて表面例の保護膜１
４上に水ガラスを塗布する。
そして、大気中で４５０〜４８０°Ｃ程度の熱処理を行
う。これにより、銀ペーストから溶剤が蒸発して中間導
電層１２が形成され、また、水ガラスが焼成されて保護
膜１５が形成される。
う。これにより、銀ペーストから溶剤が蒸発して中間導
電層１２が形成され、また、水ガラスが焼成されて保護
膜１５が形成される。
しかし、この熱処理によって、ＩＴＯ膜１１は大気中の
酸素と反応してさらに酸化し、その抵抗値が熱処理前の
１０倍程度の値に増大してしまう。
酸素と反応してさらに酸化し、その抵抗値が熱処理前の
１０倍程度の値に増大してしまう。
そこで、ＩＴＯ膜１１の抵抗値を下げるために、後述す
るように、プラズマ化した水素ガス５によってＩＴＯ膜
１１に含まれる酸素を除去する真空処理を行う。
るように、プラズマ化した水素ガス５によってＩＴＯ膜
１１に含まれる酸素を除去する真空処理を行う。
真空処理によってＩＴＯ膜１１の抵抗値を上述の熱処理
前の値又はそれ以下の値に下げた後、中間導電層１２上
に半田を盛り上げて半田ハンプ１３を形成し、タッチパ
ネル１を完成させる。
前の値又はそれ以下の値に下げた後、中間導電層１２上
に半田を盛り上げて半田ハンプ１３を形成し、タッチパ
ネル１を完成させる。
第２図は本発明に係る真空処理装置２の概略の構成を示
す図である。
す図である。
真空処理装置２は、真空チャンバー２０、真空ポンプ３
１、排気用のバルブ３２、マグネトロン３５、導波管３
６、ガスボンへ３７、調圧弁３８、及び真空度測定器４
１などから構成されている。
１、排気用のバルブ３２、マグネトロン３５、導波管３
６、ガスボンへ３７、調圧弁３８、及び真空度測定器４
１などから構成されている。
真空チャンバー２０には、導波管３６から内部にマイク
ロ波ＲＦを導くための窓部２■が設げられている。また
、ガスボンへ３７には、水素と窒素とを１対９の割合で
混合した還元ガス５が充填されている。
ロ波ＲＦを導くための窓部２■が設げられている。また
、ガスボンへ３７には、水素と窒素とを１対９の割合で
混合した還元ガス５が充填されている。
次に、真空処理装置２を用いて行う上述の真空処理につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明に係る真空処理の一例を示す図、第３図
は製造段階のタッチパネル１ａの部分断面図である。
は製造段階のタッチパネル１ａの部分断面図である。
第２図をも参照しつつ、まず、ガラス基板１０に中間導
電層１゛２及び保護膜１４．１５を設けた段階のタッチ
パネルｌａ（被処理物）を真空チャンバー２０の内部に
固定する［第１図（ａ）］。
電層１゛２及び保護膜１４．１５を設けた段階のタッチ
パネルｌａ（被処理物）を真空チャンバー２０の内部に
固定する［第１図（ａ）］。
このとき、例えばガラス基板１０の表面側を窓部２１に
対向させる。
対向させる。
真空ポンプ３１による排気を行い、真空チャンバー２０
の内部をｌＸｌ０−”［Ｔｏｒｒ］程度の真空状態とす
る〔第１図（ｂ）〕。
の内部をｌＸｌ０−”［Ｔｏｒｒ］程度の真空状態とす
る〔第１図（ｂ）〕。
続いて、抵抗値が増大した状態のＩＴＯ膜１１ａを還元
反応に適した温度に予熱するため、マグネトロン３５を
作動させ、数千ＭＨｚ程度の周波数のマイクロ波ＲＦを
タッチパネル１ａに向けて照射する。マイクロ波ＲＦは
、保護膜１４．１５及びガラス基板１０を透過し、ガラ
ス基板１０の表裏面のＩＴＯ膜１１ａを同時に加熱する
。マグネトロン３５の出力設定及びタッチパネル１ａの
大きさや数にもよるが、通常は５分程度の時間が経過す
ると、ＩＴＯ膜１１ａは２００〜２５０°Ｃの温度に達
する〔第１図（Ｃ）］。
反応に適した温度に予熱するため、マグネトロン３５を
作動させ、数千ＭＨｚ程度の周波数のマイクロ波ＲＦを
タッチパネル１ａに向けて照射する。マイクロ波ＲＦは
、保護膜１４．１５及びガラス基板１０を透過し、ガラ
ス基板１０の表裏面のＩＴＯ膜１１ａを同時に加熱する
。マグネトロン３５の出力設定及びタッチパネル１ａの
大きさや数にもよるが、通常は５分程度の時間が経過す
ると、ＩＴＯ膜１１ａは２００〜２５０°Ｃの温度に達
する〔第１図（Ｃ）］。
次に、真空度を測定しつつ調圧弁３８を操作し、真空チ
ャンバー２０内での分圧が例えば０．１〜２［Ｔｏｒｒ
］程度となるように還元ガス５を真空チャンバー２０内
に導入する〔第１図（ｄ）〕。
ャンバー２０内での分圧が例えば０．１〜２［Ｔｏｒｒ
］程度となるように還元ガス５を真空チャンバー２０内
に導入する〔第１図（ｄ）〕。
このとき、マイクロ波ＲＦの照射を継続しておく。
真空チャンバー２０に導入された還元ガス５は、マイク
ロ波ＲＦにより励起されてプラズマ状態となる。
ロ波ＲＦにより励起されてプラズマ状態となる。
プラズマ化した還元ガス５は、化学的に活性状態にある
ので、２００〜２５０°Ｃの温度下においても、プラズ
マを構成する水素イオンとＩＴＯ膜１１ａ中の酸素との
化学反応が活発に起こり、これによってＩＴＯ膜１１ａ
中の酸素が水となって放出され、ＩＴＯ膜１１ａは迅速
に還元される。
ので、２００〜２５０°Ｃの温度下においても、プラズ
マを構成する水素イオンとＩＴＯ膜１１ａ中の酸素との
化学反応が活発に起こり、これによってＩＴＯ膜１１ａ
中の酸素が水となって放出され、ＩＴＯ膜１１ａは迅速
に還元される。
そして、還元反応を継続させるように、真空ポンプ３１
による排気と還元ガス５の導入を並行して行いつつ、マ
グネトロン３５の出力を調節し、真空度と温度とを一定
とした状態を３０〜４０分保持する〔第１図（ｅ）］。
による排気と還元ガス５の導入を並行して行いつつ、マ
グネトロン３５の出力を調節し、真空度と温度とを一定
とした状態を３０〜４０分保持する〔第１図（ｅ）］。
その後、マイクロ波ＲＦの照射、還元ガス５の導入、及
び排気を停止し、真空チャンバー２０の内部でタッチパ
ネル１ａの自然冷却を行う〔第１図（ｆ）］。
び排気を停止し、真空チャンバー２０の内部でタッチパ
ネル１ａの自然冷却を行う〔第１図（ｆ）］。
タッチパネル１ａの温度が所定の温度まで下がると、タ
ッチパネル１ａを真空チャンバー２０から取り出して後
工程に送る〔第１図（ｇ）〕。
ッチパネル１ａを真空チャンバー２０から取り出して後
工程に送る〔第１図（ｇ）〕。
本本実例では、冷却開始時点のタッチパネル１ａの温度
は、従来の４００°Ｃに比べてほぼ２分の１であるので
、自然冷却に要する時間も従来のほぼ２分の１となる。
は、従来の４００°Ｃに比べてほぼ２分の１であるので
、自然冷却に要する時間も従来のほぼ２分の１となる。
したがって、プラズマ化した還元ガス５によって迅速に
還元反応が進行することと相まって、真空処理の１サイ
クル時間は３時間以内となる。
還元反応が進行することと相まって、真空処理の１サイ
クル時間は３時間以内となる。
第４図（ａ）〜（ｇ）は真空処理の他の例を示す図であ
る。
る。
第４図においては、所定の真空状態とした真空チャンバ
ー２０に還元ガス５を導入し、還元ガス５をマイクロ波
ＲＦの照射によってプラズマ化する。
ー２０に還元ガス５を導入し、還元ガス５をマイクロ波
ＲＦの照射によってプラズマ化する。
そして、別途に設けた図示しない加熱手段によって予め
加熱しておいたタッチパネルＩａを窓部２１に対向する
ように配置し、すなわちプラズマ化した還元ガス５中に
タッチパネル１ａを搬送し、ＩＴＯ膜１１ａを還元する
。
加熱しておいたタッチパネルＩａを窓部２１に対向する
ように配置し、すなわちプラズマ化した還元ガス５中に
タッチパネル１ａを搬送し、ＩＴＯ膜１１ａを還元する
。
還元が終了すると、マイクロ波ＲＦの照射を受けない位
置にタッチパネル１ａを移し、タッチパネル１ａの自然
冷却を行う。そして、所定時間の経過後に、真空チャン
バー２０の真空度を保持可能に設けられた図示しないサ
ブチャンバーからタッチパネル１ａを取り出す。
置にタッチパネル１ａを移し、タッチパネル１ａの自然
冷却を行う。そして、所定時間の経過後に、真空チャン
バー２０の真空度を保持可能に設けられた図示しないサ
ブチャンバーからタッチパネル１ａを取り出す。
つまり、真空チャンバー２０の内部を、予熱部、還元反
応部、冷却部とに分け、これら各部に順に送るようにタ
ッチパネル１ａを搬送することにより、流れ作業の形式
（ライン形式）で真空処理を進める。これによれば、タ
ッチパネル１を大量生産する場合に、真空処理の作業効
率を高めることができる。
応部、冷却部とに分け、これら各部に順に送るようにタ
ッチパネル１ａを搬送することにより、流れ作業の形式
（ライン形式）で真空処理を進める。これによれば、タ
ッチパネル１を大量生産する場合に、真空処理の作業効
率を高めることができる。
上述の実施例によれば、従来に比べてタッチパネル１ａ
の加熱温度が低く、また、真空処理時間も短いので、中
間導電層１２の組成変化が抑えられ、中間導電層１２と
ＴＴＯ膜１１との間の接合強度を５０［ｋｇ／平方セン
チメ−１−ル］以上とすることができ、電気的な接続の
信頼性の高いタッチパネル１が得られる。
の加熱温度が低く、また、真空処理時間も短いので、中
間導電層１２の組成変化が抑えられ、中間導電層１２と
ＴＴＯ膜１１との間の接合強度を５０［ｋｇ／平方セン
チメ−１−ル］以上とすることができ、電気的な接続の
信頼性の高いタッチパネル１が得られる。
上述の実施例によれば、マイクロ波ＲＦの照射によって
タッチパネル１ａの予熱を行うので、予熱を短時間で完
了することができるとともに、局所的な加熱が可能とな
る。
タッチパネル１ａの予熱を行うので、予熱を短時間で完
了することができるとともに、局所的な加熱が可能とな
る。
上述の実施例によれば、単一のマグネトロン３５によっ
てタッチパネル１ａの予熱と還元ガス５の励起とをを行
うので、真空処理装置２の簡単化を図ることができる。
てタッチパネル１ａの予熱と還元ガス５の励起とをを行
うので、真空処理装置２の簡単化を図ることができる。
上述の実施例においては、タッチパネル１の透明電極と
してのＩＴＯ膜１１の形成方法を例示したが、プラズマ
デイスプレィパネルやＬＣＤなどの製造において、ネサ
膜などの金属酸化物からなる透明導電膜の形成にも本発
明を適用することができる。
してのＩＴＯ膜１１の形成方法を例示したが、プラズマ
デイスプレィパネルやＬＣＤなどの製造において、ネサ
膜などの金属酸化物からなる透明導電膜の形成にも本発
明を適用することができる。
本発明によれば、透明導電膜の形成時間を短縮すること
ができ、透明導電膜を有した各種装置の生産性の向上が
可能となる。
ができ、透明導電膜を有した各種装置の生産性の向上が
可能となる。
請求項２の発明によれば、金属酸化膜の加熱時間を短縮
することができるとともに、透明導電膜を形成するため
の装置の簡単化が可能となる。
することができるとともに、透明導電膜を形成するため
の装置の簡単化が可能となる。
請求項３の発明によれば、透明導電膜の形成をライン形
式とすることができ、透明導電膜を有した各種装置を大
量に製造する場合に、その生産性を高めることが可能と
なる。
式とすることができ、透明導電膜を有した各種装置を大
量に製造する場合に、その生産性を高めることが可能と
なる。
第１図は本発明に係る真空処理の一例を示す図、第２図
は本発明に係る真空処理装置の概略の構成を示す図、 第３図は製造段階のタッチパネルの部分断面図、第４図
は本発明に係る真空処理の他の例を示す図、 第５図は本発明に係るＩＴＯ膜を有したタッチパネルの
部分断面図である。 図において、 ５は還元ガス、 １０はガラス基板（基体）、 １１はＩＴＯ膜（透明導電膜）、 １１ａは製造段階のＩＴＯ膜（金属酸化膜）、２０は真
空チャンバー（真空処理槽）、ＲＦはマイクロ波（電磁
波）である。 本発明に係る真空処理の一例を示す図 第１図 ５・・・還元ガス ２０・・・真空チャンバー（真空処理槽）ＲＦ・・・マ
イクロ波（電磁波） 本発明に係る真空処理装置の概略の構成を示す図１０・
・・ガラス基板（基体） １１ａ・・・製造段階のＴＴＯ膜（金属酸第と凶 １ａ製造段階のタッチパネル 製造段階のタッチパネルの部分断面図 第３図
は本発明に係る真空処理装置の概略の構成を示す図、 第３図は製造段階のタッチパネルの部分断面図、第４図
は本発明に係る真空処理の他の例を示す図、 第５図は本発明に係るＩＴＯ膜を有したタッチパネルの
部分断面図である。 図において、 ５は還元ガス、 １０はガラス基板（基体）、 １１はＩＴＯ膜（透明導電膜）、 １１ａは製造段階のＩＴＯ膜（金属酸化膜）、２０は真
空チャンバー（真空処理槽）、ＲＦはマイクロ波（電磁
波）である。 本発明に係る真空処理の一例を示す図 第１図 ５・・・還元ガス ２０・・・真空チャンバー（真空処理槽）ＲＦ・・・マ
イクロ波（電磁波） 本発明に係る真空処理装置の概略の構成を示す図１０・
・・ガラス基板（基体） １１ａ・・・製造段階のＴＴＯ膜（金属酸第と凶 １ａ製造段階のタッチパネル 製造段階のタッチパネルの部分断面図 第３図
Claims (3)
- （１）金属酸化膜（１１ａ）から過剰の酸素を除去する
ための処理を含む透明導電膜（１１）の形成方法におい
て、還元ガス（５）を電磁波（ＲＦ）の照射によって励
起し、プラズマ化した前記還元ガス（５）によって前記
金属酸化膜（１１ａ）を還元することを特徴とする透明
導電膜の形成方法。 - （２）金属酸化膜（１１ａ）から過剰の酸素を除去する
ための処理を含む透明導電膜（１１）の形成方法におい
て、前記金属酸化膜（１１ａ）を設けた基体（１０）を
真空処理槽（２０）内に配置し、前記真空処理槽（２０
）内の排気を行った後に前記金属酸化膜（１１ａ）を電
磁波（ＲＦ）の照射によって加熱し、前記真空処理槽（
２０）に還元ガス（５）を導入し、前記還元ガス（５）
を電磁波（ＲＦ）の照射によって励起し、プラズマ化し
た前記還元ガス（５）によって前記金属酸化膜（１１ａ
）を還元することを特徴とする透明導電膜の形成方法。 - （３）金属酸化膜（１１ａ）から過剰の酸素を除去する
ための処理を含む透明導電膜（１１）の形成方法におい
て、真空処理槽（２０）に還元ガス（５）を導入し、前
記還元ガス（５）を電磁波（ＲＦ）の照射によって励起
し、前記金属酸化膜（１１ａ）を設けた基体（１０）を
予め加熱して真空処理槽（２０）内に配置し、プラズマ
化した前記還元ガス（５）によって前記金属酸化膜（１
１ａ）を還元することを特徴とする透明導電膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30038390A JPH04171611A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30038390A JPH04171611A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171611A true JPH04171611A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17884124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30038390A Pending JPH04171611A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853819A (en) * | 1994-08-30 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically conductive layer formed by a glow discharge process |
| JP2010138023A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Kyoto Univ | 金属酸化物の還元方法 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP30038390A patent/JPH04171611A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853819A (en) * | 1994-08-30 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically conductive layer formed by a glow discharge process |
| JP2010138023A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Kyoto Univ | 金属酸化物の還元方法 |
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