JPH04165659A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH04165659A JPH04165659A JP2292888A JP29288890A JPH04165659A JP H04165659 A JPH04165659 A JP H04165659A JP 2292888 A JP2292888 A JP 2292888A JP 29288890 A JP29288890 A JP 29288890A JP H04165659 A JPH04165659 A JP H04165659A
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Links
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 27
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関し
、特に外部リードの構造に関する。
、特に外部リードの構造に関する。
従来この種の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム（
以下単にリードフレームという）は第４図に示すように
、半導体装置として組み上がった時に、外部リード３の
全面には、腐食防止と実装時の半田付性を良くするため
に厚さ５μｍ以上の半田付性の良い、例えば半田めつき
５か施された状態にされる。この半田めっきは、ＩＣペ
レット７を搭載する前のリードフレーム状態で施され、
この後アイランドにＩＣペレット７を搭載し、ＩＣペレ
ット７と内部リードを導電性細線にて接続し、次で樹脂
８にて封止し、その直後に外部り−ド３を成形し半導体
装置を完成させるのが一般的であった。
以下単にリードフレームという）は第４図に示すように
、半導体装置として組み上がった時に、外部リード３の
全面には、腐食防止と実装時の半田付性を良くするため
に厚さ５μｍ以上の半田付性の良い、例えば半田めつき
５か施された状態にされる。この半田めっきは、ＩＣペ
レット７を搭載する前のリードフレーム状態で施され、
この後アイランドにＩＣペレット７を搭載し、ＩＣペレ
ット７と内部リードを導電性細線にて接続し、次で樹脂
８にて封止し、その直後に外部り−ド３を成形し半導体
装置を完成させるのが一般的であった。
この従来のリードフレームを樹脂封止する為に封入の金
型６内部に置き、温度を上げ圧力をかけてはさみ込み、
この後半分溶融した樹脂８を圧入するわけであるが、こ
の温度を１７５℃前後に上げた金型６でこのリードフレ
ームをはさむと、第４図に示したように、金型６にはさ
まれた外部す−ド３上の半田めっき５か熱と圧力により
押しつぶされ、第５図のように、外部リート３の間に糸
状に半田の突出部９が広がって・くる。この為リード成
形後にこの突出部９の半田めっきがリート間に付着し、
電気的にショートされ、半導体装置の歩留りを下げると
いう欠点かあった。
型６内部に置き、温度を上げ圧力をかけてはさみ込み、
この後半分溶融した樹脂８を圧入するわけであるが、こ
の温度を１７５℃前後に上げた金型６でこのリードフレ
ームをはさむと、第４図に示したように、金型６にはさ
まれた外部す−ド３上の半田めっき５か熱と圧力により
押しつぶされ、第５図のように、外部リート３の間に糸
状に半田の突出部９が広がって・くる。この為リード成
形後にこの突出部９の半田めっきがリート間に付着し、
電気的にショートされ、半導体装置の歩留りを下げると
いう欠点かあった。
又リード成形中にもこの突出物か成形装置内で飛散し、
装置を汚すという欠点もあった。さらに封入金型内で半
田がつぶれると、封入金型に半田が付着し、封入型をも
汚すという欠点かあった。
装置を汚すという欠点もあった。さらに封入金型内で半
田がつぶれると、封入金型に半田が付着し、封入型をも
汚すという欠点かあった。
本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレームは、ア
イランドと、このアイランドの周辺部に設けられた内部
リードと、この内部リードと一体的に設けられタイバー
により連結され、かつめっきが施された外部リードとを
有する樹脂封止型半導体装置用リードフレームにおいて
、前記外部リードの先端部のめっきの厚さは他の部分よ
り厚く施されているものである。
イランドと、このアイランドの周辺部に設けられた内部
リードと、この内部リードと一体的に設けられタイバー
により連結され、かつめっきが施された外部リードとを
有する樹脂封止型半導体装置用リードフレームにおいて
、前記外部リードの先端部のめっきの厚さは他の部分よ
り厚く施されているものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１区及び第２図は本発明の第１の実施例を示す平面図
及び部分断面図である。
及び部分断面図である。
第１図及び第２図において、リードフレームはアイラン
ド１と、このアイランド１の周辺部に設けられた内部リ
ード２と、この内部リード２と一体的に設けられタイバ
ー４により連結された外部リード３とから主に構成され
るか、外部リード３に施されるめっき、例えば半田めっ
きは外部り−ド３の先端部では厚く、その他の部分では
薄くなっている。
ド１と、このアイランド１の周辺部に設けられた内部リ
ード２と、この内部リード２と一体的に設けられタイバ
ー４により連結された外部リード３とから主に構成され
るか、外部リード３に施されるめっき、例えば半田めっ
きは外部り−ド３の先端部では厚く、その他の部分では
薄くなっている。
このように構成された第１の実施例によれば、アイラン
ド１にＩＣペレットを固定した後の、樹脂封止の際に、
封入金型にてはさみ込む部分の外部リード３のみに３μ
ｍ以下の薄い半田めっき５Ａが設けられ、それ以外の外
部リード３の先端部に５μｍ以上の厚い半田めっき５Ｂ
が設けられているため、金型による半田めっきの突出部
の広がりは発生するととはなくなる。
ド１にＩＣペレットを固定した後の、樹脂封止の際に、
封入金型にてはさみ込む部分の外部リード３のみに３μ
ｍ以下の薄い半田めっき５Ａが設けられ、それ以外の外
部リード３の先端部に５μｍ以上の厚い半田めっき５Ｂ
が設けられているため、金型による半田めっきの突出部
の広がりは発生するととはなくなる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す部分断面図である
。この第２の実施例は第１の実施例とは異なり、外部リ
ートのうち、半導体装置を実装する基板と接触する外部
リード３の先端部のみに５μｍ以上の厚い半田めっき５
Ｂを設け、それ以外の外部リートの部分には３μｍ以下
の薄い半田めっき５Ａを設けたものである。
。この第２の実施例は第１の実施例とは異なり、外部リ
ートのうち、半導体装置を実装する基板と接触する外部
リード３の先端部のみに５μｍ以上の厚い半田めっき５
Ｂを設け、それ以外の外部リートの部分には３μｍ以下
の薄い半田めっき５Ａを設けたものである。
尚、半田めっきを施す場合は、従来と同様に、めっき不
要の部分をマスつて押えて外部リートのめっきする部分
に、めっき液を吹きつけてます薄い半田めっき５Ａを形
成し、次で外部リードの先端部のみを露出させてめっき
液を吹きつけて厚い半田めっき５Ｂを形成する。
要の部分をマスつて押えて外部リートのめっきする部分
に、めっき液を吹きつけてます薄い半田めっき５Ａを形
成し、次で外部リードの先端部のみを露出させてめっき
液を吹きつけて厚い半田めっき５Ｂを形成する。
以上説明したように本発明は、外部リードの先端部のめ
っきの厚さを他の部分より厚く形成することにより、樹
脂封止の際にリードフレームを封止金型ではさんでも、
この金型と接する部分の半田めっきは薄く形成されてい
る為に、半田のつぶれによる突出部は形成されることは
ないため、突出部による電気的ショートはなくなり、半
導体装置の歩留りは向上する。又、金型への半田の付着
及びリード成形装置内への半田クズの飛散もなくなる為
に、作業性の向上を計れるという効果も有する。さらに
部分的に半田の使用量が減る為に、材料削減という面で
もコストダウンを行える効果かある。
っきの厚さを他の部分より厚く形成することにより、樹
脂封止の際にリードフレームを封止金型ではさんでも、
この金型と接する部分の半田めっきは薄く形成されてい
る為に、半田のつぶれによる突出部は形成されることは
ないため、突出部による電気的ショートはなくなり、半
導体装置の歩留りは向上する。又、金型への半田の付着
及びリード成形装置内への半田クズの飛散もなくなる為
に、作業性の向上を計れるという効果も有する。さらに
部分的に半田の使用量が減る為に、材料削減という面で
もコストダウンを行える効果かある。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例の平面図及び
断面図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４
図及び第５図は従来例により樹脂封止した場合の部分断
面図及び平面図である。 １・・・アイランド、２・・・内部リード、３・・・外
部リード、４・・・タイバー、５Ａ・・・薄い半田めっ
き、５Ｂ・・・厚い半田めっき、６・・金型、７・・・
ＩＣペレット、８・・・樹脂、９・・・突出部。
断面図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４
図及び第５図は従来例により樹脂封止した場合の部分断
面図及び平面図である。 １・・・アイランド、２・・・内部リード、３・・・外
部リード、４・・・タイバー、５Ａ・・・薄い半田めっ
き、５Ｂ・・・厚い半田めっき、６・・金型、７・・・
ＩＣペレット、８・・・樹脂、９・・・突出部。
Claims (1)
- アイランドと、このアイランドの周辺部に設けられた
内部リードと、この内部リードと一体的に設けられタイ
バーにより連結され、かつめつきが施された外部リード
とを有する樹脂封止型半導体装置用リードフレームにお
いて、前記外部リードの先端部のめつきの厚さは他の部
分より厚く施されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292888A JPH04165659A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292888A JPH04165659A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04165659A true JPH04165659A (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=17787682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292888A Pending JPH04165659A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04165659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028154A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210859A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Hitachi Cable Ltd | 半導体リードフレーム |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP2292888A patent/JPH04165659A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210859A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Hitachi Cable Ltd | 半導体リードフレーム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028154A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム |
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