JPH04160030A - 液晶ディスプレイ基板用ガラス - Google Patents
液晶ディスプレイ基板用ガラスInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
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- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶デイスプレィ基板用ガラスに係り、特に、
ポリシリコンＴＰＴ （薄膜トランジスタ）形の電界効
果トランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動方式
の汎用液晶デイスプレィに用いる基板用ガラスとして好
適な、液晶デイスプレィ基板用ガラスに関する。
ポリシリコンＴＰＴ （薄膜トランジスタ）形の電界効
果トランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動方式
の汎用液晶デイスプレィに用いる基板用ガラスとして好
適な、液晶デイスプレィ基板用ガラスに関する。
［従来の技術］
液晶デイスプレィは、ＣＲＴ （カソードレイチューブ
、ブラウン管）に比べて消費電力が低く、低電圧で駆動
させることができ、軽量化や薄型化が容易である等の利
点を有している。中でも、ＴＰＴ（薄膜トランジスタ）
形の電界効果トランジスタを用いたアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶デイスプレィは、非常に多くの走査電
極を設けることができるために画素の高密度化や高精細
化が容易であり、デユーティ−比が高く、かつ透過表示
が可能なため、ＣＲＴに代わるフルカラーデイスプレー
として注目されている。
、ブラウン管）に比べて消費電力が低く、低電圧で駆動
させることができ、軽量化や薄型化が容易である等の利
点を有している。中でも、ＴＰＴ（薄膜トランジスタ）
形の電界効果トランジスタを用いたアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶デイスプレィは、非常に多くの走査電
極を設けることができるために画素の高密度化や高精細
化が容易であり、デユーティ−比が高く、かつ透過表示
が可能なため、ＣＲＴに代わるフルカラーデイスプレー
として注目されている。
このＴＦＴ形の電界効果トランジスタを用いたアクティ
ブマトリクス駆動方式の液晶デイスプレィは、ガラスや
石英等の透明基板上に形成する半導体トランジスタの材
質により、アモルファスシリコン（α−８ｉ）ＴＦＴ形
やポリシリコン（Ｐ−８１）ＴＦＴ形等に分けることが
でる。そして、Ｐ−３ｉ形はα−３ｉ形に比べて画素の
高密度化や高精細化が容易であり、かつ同一基板上に駆
動回路等を組み込むことが可能なため、研究開発の焦点
は次第にＰ−３ｉ形に移りつつある。
ブマトリクス駆動方式の液晶デイスプレィは、ガラスや
石英等の透明基板上に形成する半導体トランジスタの材
質により、アモルファスシリコン（α−８ｉ）ＴＦＴ形
やポリシリコン（Ｐ−８１）ＴＦＴ形等に分けることが
でる。そして、Ｐ−３ｉ形はα−３ｉ形に比べて画素の
高密度化や高精細化が容易であり、かつ同一基板上に駆
動回路等を組み込むことが可能なため、研究開発の焦点
は次第にＰ−３ｉ形に移りつつある。
α−３１ＴＦＴおよびＰ−３ｉＴＦＴは、いずれも、透
明基板上にα−８ｉ膜またはＰ−５ｉ膜を成膜した後、
フォトリソグラフィーに基づくバターニング工程を繰返
し行うことにより成形される。このため、ＴＰＴが形成
される透明基板には、ＴＰＴの材料の線膨張係数に近似
する線膨張係数を有することの他に、耐熱性に優れるこ
と、化学的耐久性に優れること等が要求される。
明基板上にα−８ｉ膜またはＰ−５ｉ膜を成膜した後、
フォトリソグラフィーに基づくバターニング工程を繰返
し行うことにより成形される。このため、ＴＰＴが形成
される透明基板には、ＴＰＴの材料の線膨張係数に近似
する線膨張係数を有することの他に、耐熱性に優れるこ
と、化学的耐久性に優れること等が要求される。
このような要求を満たす透明基板としては、シリカガラ
スがあるが、高価であるため、汎用の液晶デイスプレィ
用基板としては不適である。このため、α−３ｉＴＦＴ
形の汎用液晶デイスプレィにおいては、シリカガラスに
代わるものとして、バリウム硼珪酸無アルカリガラスが
多用されている。
スがあるが、高価であるため、汎用の液晶デイスプレィ
用基板としては不適である。このため、α−３ｉＴＦＴ
形の汎用液晶デイスプレィにおいては、シリカガラスに
代わるものとして、バリウム硼珪酸無アルカリガラスが
多用されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、バリウム硼珪酸無アルカリガラスをＰ−
３ｉＴＦＴ形の液晶デイスプレィの基板として使用した
場合、Ｐ−３ｉＴＦＴはα−３ｉＴＦＴより高温下で形
成されるために、耐熱性の面で難点が生じる。
３ｉＴＦＴ形の液晶デイスプレィの基板として使用した
場合、Ｐ−３ｉＴＦＴはα−３ｉＴＦＴより高温下で形
成されるために、耐熱性の面で難点が生じる。
したがって本発明の目的は、Ｐ−Ｓｉの線膨張係数と近
似する線膨張係数を有し、かつ、Ｐ−３ｉＴＦＴ形の液
晶デイスプレィの基板として使用可能な歪点、Ｐ−８ｉ
ＴＦＴの成形過程で多用される弗酸および硝酸に対する
良好な耐性、実用的な熔融性、および実用的な成形性を
有し、Ｐ−８ｉＴＦＴ形の汎用液晶デイスプレィの基板
として好適な、液晶デイスプレィ基板用ガラスを提供す
ることにある。
似する線膨張係数を有し、かつ、Ｐ−３ｉＴＦＴ形の液
晶デイスプレィの基板として使用可能な歪点、Ｐ−８ｉ
ＴＦＴの成形過程で多用される弗酸および硝酸に対する
良好な耐性、実用的な熔融性、および実用的な成形性を
有し、Ｐ−８ｉＴＦＴ形の汎用液晶デイスプレィの基板
として好適な、液晶デイスプレィ基板用ガラスを提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり
、本発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスは、ＳｉＯ！
、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ１０３ 、ＭｇＯ。
、本発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスは、ＳｉＯ！
、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ１０３ 、ＭｇＯ。
ＣａＯ１ＳｒＯ，およびＢａＯを合量で９５モル％以上
含有し、モル％表示による各成分の含有量が ＳｉＯ２ ６２％以上６８％以下Ｂ２０３
８％以以上１亢 Ｍｇ０ １％以上５％以下Ｃａ０
３％以以上７以以下ＳｒＯ １％以上
３％未満Ｂａ０ １％以以上３朱 であることを特徴とするものである。
含有し、モル％表示による各成分の含有量が ＳｉＯ２ ６２％以上６８％以下Ｂ２０３
８％以以上１亢 Ｍｇ０ １％以上５％以下Ｃａ０
３％以以上７以以下ＳｒＯ １％以上
３％未満Ｂａ０ １％以以上３朱 であることを特徴とするものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスは、上述のよう
に、Ｓ ｉ０２ 、Ｂ２ ０ａ 、Ａｊ！ｔ ０３、Ｍ
ｇＯ１ＣａＯＳＳｒＯ１およびＢａＯを合量で９５モル
％以上含有し、各成分の含有量は、モル％表示でそれぞ
れ上記の値に限定される。これらの限定理由は、以下の
通りである。
に、Ｓ ｉ０２ 、Ｂ２ ０ａ 、Ａｊ！ｔ ０３、Ｍ
ｇＯ１ＣａＯＳＳｒＯ１およびＢａＯを合量で９５モル
％以上含有し、各成分の含有量は、モル％表示でそれぞ
れ上記の値に限定される。これらの限定理由は、以下の
通りである。
ＳｉＯ２の含有量が６８モル％を超えると粘性が高くな
って熔融性が低下し、６２モル％未満では得られるガラ
スの歪点が低下し過ぎる。
って熔融性が低下し、６２モル％未満では得られるガラ
スの歪点が低下し過ぎる。
また、Ｂ！ ０３の含有量が１２モル％以上では得られ
るガラスの歪点が低下し過ぎると共に耐硝酸性が低下し
、８モル％未満では粘性が高くなって熔融性が低下する
と共に、得られるガラスの耐弗酸性が低下する。
るガラスの歪点が低下し過ぎると共に耐硝酸性が低下し
、８モル％未満では粘性が高くなって熔融性が低下する
と共に、得られるガラスの耐弗酸性が低下する。
Ａｌ２Ｏ２の含有量が１３モル％を超えると得られるガ
ラスの耐失透性が低下すると共に、このガラスに弗酸を
接触させたときに、弗酸によりガラス表面が白濁し易く
なる。一方、Ａｌｔ Ｏ３の含有量が９モル％未満では
得られるガラスの歪点が低下し過ぎる。
ラスの耐失透性が低下すると共に、このガラスに弗酸を
接触させたときに、弗酸によりガラス表面が白濁し易く
なる。一方、Ａｌｔ Ｏ３の含有量が９モル％未満では
得られるガラスの歪点が低下し過ぎる。
ＭｇＯは、得られるガラスの膨張係数と粘性とを低下さ
せる成分としてアルカリ土類酸化物中で最も効果的な成
分である。ため、１モル％以上含有させる必要があるが
、５モル％を超えて含有させると得られるガラスの耐失
透性が低下する。
せる成分としてアルカリ土類酸化物中で最も効果的な成
分である。ため、１モル％以上含有させる必要があるが
、５モル％を超えて含有させると得られるガラスの耐失
透性が低下する。
また、ＣａＯはＭｇＯとほぼ類似した作用を有するため
３モル％以上必要であるが、７モル％を超えて含有させ
ると得られるガラスの耐失透性が低下する。
３モル％以上必要であるが、７モル％を超えて含有させ
ると得られるガラスの耐失透性が低下する。
ＳｒＯおよびＢａＯは共に、得られるガラスの耐失透性
を向上させる成分として効果的な成分であるため、それ
ぞれ１モル％以上必要であるが、粘性を高めて熔融性を
低下させると共に得られガラスの歪点を低下させ、かつ
膨張係数を大きくさせる成分でもあるため、含有量はそ
れぞれ３モル％未満に限定され、両者の合量も５モル％
以下に限定される。
を向上させる成分として効果的な成分であるため、それ
ぞれ１モル％以上必要であるが、粘性を高めて熔融性を
低下させると共に得られガラスの歪点を低下させ、かつ
膨張係数を大きくさせる成分でもあるため、含有量はそ
れぞれ３モル％未満に限定され、両者の合量も５モル％
以下に限定される。
そして、これらの成分の合量は、前述したように、９５
モル％以上に限定される。各成分の含有量が上述の範囲
内にあっても、これらの成分の合量が９５モル％未満で
は所望の特性が害られなくなるため、好ましくない。
モル％以上に限定される。各成分の含有量が上述の範囲
内にあっても、これらの成分の合量が９５モル％未満で
は所望の特性が害られなくなるため、好ましくない。
ガラスの成分およびその含有量、ならびに各成分の合量
を上述のように規定することにより、Ｐ−３ｉの線膨張
係数と近似する線膨張係数を有し、かつＰ−８ｉＴＦＴ
形の液晶デイスプレィの基板として使用可能な歪点を有
するガラス、すなわち、１００〜３００℃における平均
線膨張係数が３４Ｘ １０−７〜３９ Ｘ １０−０−
７ｄｅ’ ・ｃ＋ｎ−”で、歪点が６３０℃以上である
ガラスを得ることができる。
を上述のように規定することにより、Ｐ−３ｉの線膨張
係数と近似する線膨張係数を有し、かつＰ−８ｉＴＦＴ
形の液晶デイスプレィの基板として使用可能な歪点を有
するガラス、すなわち、１００〜３００℃における平均
線膨張係数が３４Ｘ １０−７〜３９ Ｘ １０−０−
７ｄｅ’ ・ｃ＋ｎ−”で、歪点が６３０℃以上である
ガラスを得ることができる。
そしてこのガラスは、熔融性および成形性にも優れたガ
ラスである。
ラスである。
また、本発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスは、前述
したＳｉＯ２ＳＢ２０ａ、Ａｆｙ ０３、Ｍｇ０ＳＣａ
Ｏ１ＳｒＯ，およびＢａＯ以外の成分（以下、副成分と
いう）を、総量で５モル％以下含有することができる。
したＳｉＯ２ＳＢ２０ａ、Ａｆｙ ０３、Ｍｇ０ＳＣａ
Ｏ１ＳｒＯ，およびＢａＯ以外の成分（以下、副成分と
いう）を、総量で５モル％以下含有することができる。
副成分としては、ＺｎＯ，ＰｂＯ５Ｌａ２０ａ、ＺｒＯ
２５Ａｓ２０３ 、およびｓｂ２ ｏ３からなる群より
選択される少なくとも１種を含有させることが好ましい
。そして、モル％表示による各副成分の含有量は Ｚｎ０ ２％以下ＰｂＯ１％以下 Ｌａ２Ｏ３１％以下 Ｚｒ０１ １％以下Ａｓ２Ｏ３２％
以下 ５ｂｙ０３ ２％以下 であることが特に好ましい。なお、これら各副生分の含
有量の範囲は、いずれも０％を含む。
２５Ａｓ２０３ 、およびｓｂ２ ｏ３からなる群より
選択される少なくとも１種を含有させることが好ましい
。そして、モル％表示による各副成分の含有量は Ｚｎ０ ２％以下ＰｂＯ１％以下 Ｌａ２Ｏ３１％以下 Ｚｒ０１ １％以下Ａｓ２Ｏ３２％
以下 ５ｂｙ０３ ２％以下 であることが特に好ましい。なお、これら各副生分の含
有量の範囲は、いずれも０％を含む。
ＺｎＯは得られるガラスの膨張係数を上げずに粘性を低
下させ、かつ耐失透性を向上させる成分として効果的で
あるが、得られるガラスの歪点を低下させると共に耐硝
酸性を低下させる成分でもあるため、含有させる場合は
２モル％以下が特に好ましい。
下させ、かつ耐失透性を向上させる成分として効果的で
あるが、得られるガラスの歪点を低下させると共に耐硝
酸性を低下させる成分でもあるため、含有させる場合は
２モル％以下が特に好ましい。
ＰｂＯは得られるガラスの耐失透性を向上させる成分と
して効果的であるが、得られるガラスの歪点を低下させ
ると共に熔解時の粘性を上げる成分でもあるため、含有
させる場合は１モル％以下が特に好ましい。
して効果的であるが、得られるガラスの歪点を低下させ
ると共に熔解時の粘性を上げる成分でもあるため、含有
させる場合は１モル％以下が特に好ましい。
Ｌａ２Ｏ３は得られるガラスの歪点を低下させずに耐失
透性を向上させる成分として効果的であるが、高価であ
ると共に得られるガラスの耐硝酸性を低下させる成分で
もあるため、含有させる場合は１モル％以下が特に好ま
しい。
透性を向上させる成分として効果的であるが、高価であ
ると共に得られるガラスの耐硝酸性を低下させる成分で
もあるため、含有させる場合は１モル％以下が特に好ま
しい。
Ｚｒ０ｔは得られるガラスの歪点を上げ、耐弗酸性およ
び耐硝酸性を向上させる成分として効果的であるが、得
られるガラスの耐失透性を低下させる成分でもあるため
、含有させる場合は１モル％以下が特に好ましい。
び耐硝酸性を向上させる成分として効果的であるが、得
られるガラスの耐失透性を低下させる成分でもあるため
、含有させる場合は１モル％以下が特に好ましい。
Ａｓ２Ｏ３および５ｂ２ｏ３は、それぞれ脱泡剤として
必要な成分であるが、白金るつぼや通電装置等の熔融装
置を損傷させるため、含有させる場合は、それぞれ２モ
ル％以下が特に好ましい。
必要な成分であるが、白金るつぼや通電装置等の熔融装
置を損傷させるため、含有させる場合は、それぞれ２モ
ル％以下が特に好ましい。
本発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスは、各成分の原
料として、ガラスの原料として一般に使用される酸化物
、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を用い、これらの原料を
所定の酸化物換算組成となるように秤量、混合した後、
通常のガラス熔融装置を用いて１５００〜１６００℃で
熔融し、脱泡、均質化を行ってから所定の形状に成形、
徐冷することにより得られる。
料として、ガラスの原料として一般に使用される酸化物
、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を用い、これらの原料を
所定の酸化物換算組成となるように秤量、混合した後、
通常のガラス熔融装置を用いて１５００〜１６００℃で
熔融し、脱泡、均質化を行ってから所定の形状に成形、
徐冷することにより得られる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
原料として珪石粉、硼酸、アルミナ、炭酸マグネシウム
、炭酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、炭酸バリウム
および亜砒酸を用い、これらを酸化物換算量で表−１に
示す組成となるように秤量、混合した後、１６００℃で
熔融し、脱泡、均質化を行ってから板状に成形、徐冷し
て、１２０×１５０Ｘ５０＋ｍ−の板状を呈する本発明
の液晶デイスプレィ基板用ガラスを得た。
、炭酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、炭酸バリウム
および亜砒酸を用い、これらを酸化物換算量で表−１に
示す組成となるように秤量、混合した後、１６００℃で
熔融し、脱泡、均質化を行ってから板状に成形、徐冷し
て、１２０×１５０Ｘ５０＋ｍ−の板状を呈する本発明
の液晶デイスプレィ基板用ガラスを得た。
得られたガラスの１００〜３００℃における平均線膨張
係数（以下、α１００〜３００という）、歪点、および
１５００℃における粘度を表−１に示す。
係数（以下、α１００〜３００という）、歪点、および
１５００℃における粘度を表−１に示す。
また、得られたガラスの耐弗酸性および耐硝酸性を以下
の要領で評価した。
の要領で評価した。
・耐弗酸性
得られたガラスを研摩して得た試料を２５℃の５％ＨＦ
水溶液に３時間浸漬し、乾燥後、試料の重量減を単位面
積、単位時間当りの量に換算して、その耐弗酸性を評価
した。
水溶液に３時間浸漬し、乾燥後、試料の重量減を単位面
積、単位時間当りの量に換算して、その耐弗酸性を評価
した。
・耐硝酸性
耐弗酸性の評価の場合と同様にして得た試料を８０℃の
３０％ＨＮＯ３水溶液に３時間浸漬し、乾燥後、試料の
重量減を単位面積、単位時間当りの量に換算して、その
耐硝酸性を評価した。
３０％ＨＮＯ３水溶液に３時間浸漬し、乾燥後、試料の
重量減を単位面積、単位時間当りの量に換算して、その
耐硝酸性を評価した。
これらの各換算値も表−１に示す。
さらに、得られたガラス約１００ｇを容量１００ｃｃの
白金坩堝に入れ、この白金坩堝に白金製の蓋をして１１
００℃で２４時間放置し、放置後のガラス内部における
結晶（失透）発生の有無を顕微鏡観察して、その耐失透
性を評価した。この顕微鏡観察結果も表−１に示す。
白金坩堝に入れ、この白金坩堝に白金製の蓋をして１１
００℃で２４時間放置し、放置後のガラス内部における
結晶（失透）発生の有無を顕微鏡観察して、その耐失透
性を評価した。この顕微鏡観察結果も表−１に示す。
実施例２〜５
原料として珪石粉、硼酸、アルミナ、炭酸マグネシウム
、炭酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、炭酸バリウム
、亜鉛華、硝酸鉛、酸化ランタン、酸化ジルコニウム、
亜砒酸および酸化アンチモンを用い、これらを酸化物換
算量で表−１に示す組成となるように秤量、混合した後
、１５００〜１６００℃で熔融し、脱泡、均質化を行っ
てから板状に成形、徐冷して、実施例１と同一形状の液
晶デイスプレィ基板用ガラスをそれぞれ得た。
、炭酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、炭酸バリウム
、亜鉛華、硝酸鉛、酸化ランタン、酸化ジルコニウム、
亜砒酸および酸化アンチモンを用い、これらを酸化物換
算量で表−１に示す組成となるように秤量、混合した後
、１５００〜１６００℃で熔融し、脱泡、均質化を行っ
てから板状に成形、徐冷して、実施例１と同一形状の液
晶デイスプレィ基板用ガラスをそれぞれ得た。
得られた各ガラスのα１００〜３００・歪点・および１
５００℃における粘度を表−１に示す。
５００℃における粘度を表−１に示す。
また、得られた各ガラスの耐弗酸性および耐硝酸性を実
施例１と同様にして評価した。このときの各換算値も表
−１に示す。
施例１と同様にして評価した。このときの各換算値も表
−１に示す。
さらに、得られた各ガラスの耐失透性を実施例１と同様
にして評価した。このときの各顕微鏡観察結果も表−１
に示す。
にして評価した。このときの各顕微鏡観察結果も表−１
に示す。
比較例１
表−１に示すように、従来よりα−８ｉＴＦＴ形の液晶
デイスプレィの基板として多用されているバリウム硼珪
酸無アルカリガラスに類似する組成のガラスを得た。
デイスプレィの基板として多用されているバリウム硼珪
酸無アルカリガラスに類似する組成のガラスを得た。
得られたガラスのα１００〜３００ 、歪点、および１
５００℃における粘度を表−１に示す。
５００℃における粘度を表−１に示す。
また、得られたガラスの耐弗酸性および耐硝酸性を実施
例１と同様にして評価した。このときの各換算値も表−
１に示す。
例１と同様にして評価した。このときの各換算値も表−
１に示す。
さらに、得られたガラスの耐失透性を実施例１と同様に
して評価した。このときの顕微鏡観察結果も表−１に示
す。
して評価した。このときの顕微鏡観察結果も表−１に示
す。
（以下余白）
表−１から明らかなように、実施例１〜５で得られた本
発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスのαｔｏｏ−３０
０は３６Ｘ１０−７〜３９Ｘ１０−７ｄｅｇ−１・薗−
１であり、Ｐ−３ｉの線膨張係数と近似している。また
、各ガラスの歪点はいずれも６３０℃以上であり、Ｐ−
５ｉＴＦＴ形の液晶デイスプレィの基板として使用可能
なものである。
発明の液晶デイスプレィ基板用ガラスのαｔｏｏ−３０
０は３６Ｘ１０−７〜３９Ｘ１０−７ｄｅｇ−１・薗−
１であり、Ｐ−３ｉの線膨張係数と近似している。また
、各ガラスの歪点はいずれも６３０℃以上であり、Ｐ−
５ｉＴＦＴ形の液晶デイスプレィの基板として使用可能
なものである。
また、１５００℃における粘度はいずれのガラスでも１
０３ポイズ未満であり、実用的な熔融性を有しているこ
とがわかる。
０３ポイズ未満であり、実用的な熔融性を有しているこ
とがわかる。
さらに、５％ＨＦ水溶液に浸漬した場合の重量減が７〜
９１１ｇ／ｃシ・ｈｒ、３０％ＨＮＯ３水溶液に浸漬し
た場合の重量減が４Ｘ１０−２〜１２×１０−２■ｇ／
ｃ−・ｈｒであり、それぞれ、耐弗酸性および耐硝酸性
に優れていることがわかる。なお、５％ＨＦ水溶液によ
る処理中および３０％ＨＮＯ３水溶液による処理中のい
ずれにおいても、ガラス表面が白濁する現象は見られな
かった。
９１１ｇ／ｃシ・ｈｒ、３０％ＨＮＯ３水溶液に浸漬し
た場合の重量減が４Ｘ１０−２〜１２×１０−２■ｇ／
ｃ−・ｈｒであり、それぞれ、耐弗酸性および耐硝酸性
に優れていることがわかる。なお、５％ＨＦ水溶液によ
る処理中および３０％ＨＮＯ３水溶液による処理中のい
ずれにおいても、ガラス表面が白濁する現象は見られな
かった。
また、いずれのガラスにおいても、１１００℃で２４時
間放置した後に結晶の発生は認められなかった。このこ
とから各ガラスの失透温度は１１００℃以下であり、実
用的な成形性を有していることがわかる。
間放置した後に結晶の発生は認められなかった。このこ
とから各ガラスの失透温度は１１００℃以下であり、実
用的な成形性を有していることがわかる。
一方、比較例１のバリウム硼珪酸無アルカリガラスは、
耐弗酸性、耐硝酸性、熔融性および成形性は問題ないが
、実施例１〜５で得られた本発明の液晶デイスプレィ基
板用ガラスに比べると歪点が低く、αｔｏｏ〜３００も
大きい。
耐弗酸性、耐硝酸性、熔融性および成形性は問題ないが
、実施例１〜５で得られた本発明の液晶デイスプレィ基
板用ガラスに比べると歪点が低く、αｔｏｏ〜３００も
大きい。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の液晶デイスプレィ基板用
ガラスは、Ｐ−３ｉＯ線膨張係数と近似する線膨張係数
を有し、かつ、Ｐ−８ｉＴＦＴ形の液晶デイスプレィの
基板として使用可能な歪点、Ｐ−３ｉＴＰＴの成形過程
で多用される弗酸および硝酸に対する良好な耐性、実用
的な熔融性、および実用的な成形性を有している。
ガラスは、Ｐ−３ｉＯ線膨張係数と近似する線膨張係数
を有し、かつ、Ｐ−８ｉＴＦＴ形の液晶デイスプレィの
基板として使用可能な歪点、Ｐ−３ｉＴＰＴの成形過程
で多用される弗酸および硝酸に対する良好な耐性、実用
的な熔融性、および実用的な成形性を有している。
したがって本発明を実施することにより、Ｐ−３ｉＴＦ
Ｔ形の汎用液晶デイスプレィの基板として好適な、液晶
デイスプレィ基板用ガラスを提供することが可能となる
。
Ｔ形の汎用液晶デイスプレィの基板として好適な、液晶
デイスプレィ基板用ガラスを提供することが可能となる
。
Claims (3)
- （１）ＳｉＯ＿２、Ｂ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯを合量で９５モル
％以上含有し、モル％表示による各成分の含有量が ＳｉＯ＿２６２％以上６８％以下 Ｂ＿２Ｏ＿３８％以上１２％未満 Ａｌ＿２Ｏ＿３９％以上１３％以下 ＭｇＯ１％以上５％以下 ＣａＯ３％以上７％以下 ＳｒＯ１％以上３％未満 ＢａＯ１％以上３％未満 ＳｒＯ＋ＢａＯ２％以上５％以下 であることを特徴とする液晶ディスプレイ基板用ガラス
。 - （２）ＳｉＯを、Ｂ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの他に、ＺｎＯ、Ｐ
ｂＯ、Ｌａ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、Ａｓ＿２Ｏ＿３、
およびＳｂ＿２Ｏ＿３からなる群より選択される少なく
とも１種を総量で５モル％以下含有することを特徴とす
る請求項（１）記載の液晶ディスプレイ基板用ガラス。 - （３）ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｌａ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、
Ａｓ＿２Ｏ＿３、およびＳｂ＿２Ｏ＿３からなる群より
選択される少なくとも１種を総量で５モル％以下含有し
、モル％表示による各成分の含有量がＺｎＯ２％以下 ＰｂＯ１％以下 Ｌａ＿２Ｏ＿３１％以下 ＺｒＯ＿２１％以下 Ａｓ＿２Ｏ＿３２％以下 Ｓｂ＿２Ｏ＿３２％以下 であることを特徴とする請求項（２）記載の液晶ディス
プレイ基板用ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28689590A JP2644622B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 液晶ディスプレイ基板用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28689590A JP2644622B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 液晶ディスプレイ基板用ガラス |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7038281A Division JP2719504B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 液晶ディスプレイ基板用ガラス |
| JP3827995A Division JPH07277762A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 液晶ディスプレイ基板用ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160030A true JPH04160030A (ja) | 1992-06-03 |
| JP2644622B2 JP2644622B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17710389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28689590A Expired - Lifetime JP2644622B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 液晶ディスプレイ基板用ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644622B2 (ja) |
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1990
- 1990-10-24 JP JP28689590A patent/JP2644622B2/ja not_active Expired - Lifetime
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