JPH04158340A - 光波長変換素子及びその製造方法 - Google Patents
光波長変換素子及びその製造方法Info
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- JPH04158340A JPH04158340A JP2285517A JP28551790A JPH04158340A JP H04158340 A JPH04158340 A JP H04158340A JP 2285517 A JP2285517 A JP 2285517A JP 28551790 A JP28551790 A JP 28551790A JP H04158340 A JPH04158340 A JP H04158340A
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- G02F1/383—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure of the optical fibre type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体レーザ光等を例えばその半分の波長の
光に変換する光波長変換素子に関する。
光に変換する光波長変換素子に関する。
背景技術
光波長変換素子としては、矩形基板上面にチャンネル型
導波路を形成した導波路型光波長変換素子や、非線形結
晶のコアと該コアを囲繞するクラッドからなる光フアイ
バー形状でチェレンコフ放射型位相整合を用いる光波長
変換素子等が知られている。これら光波長変換素子の一
種としては、入射−次光の波長を半分に変換する第二高
調波発生素子（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｅｓ Ｇ
ｅｎｅｒａｔｏｒ ： Ｓ ＨＧ ）か知られている。
導波路を形成した導波路型光波長変換素子や、非線形結
晶のコアと該コアを囲繞するクラッドからなる光フアイ
バー形状でチェレンコフ放射型位相整合を用いる光波長
変換素子等が知られている。これら光波長変換素子の一
種としては、入射−次光の波長を半分に変換する第二高
調波発生素子（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｅｓ Ｇ
ｅｎｅｒａｔｏｒ ： Ｓ ＨＧ ）か知られている。
ファイバー型第二高調波発生素子のチェレンコフ放射方
式では、はとんど自動的に光の位相整合のとれた第二高
調波の発生が可能であるので、第二高調波発生素子は短
波長光源などに応用される。
式では、はとんど自動的に光の位相整合のとれた第二高
調波の発生が可能であるので、第二高調波発生素子は短
波長光源などに応用される。
第６図に示すように、短波長光源は、半導体レーザ１１
と、半導体レーザから放射される光を集光し第二高調波
発生素子１３の端面に光を注入するためのカップリング
レンズ１２と、コアを非線形光学結晶のガラスクラッド
て囲繞して構成したファイバー型第二高調波発生素子１
３と、第二高調波発生素子で変換され放射された第二高
調波の波面を整形し第二高調波を平行光束にするための
アキシコン１４とにより構成されている。
と、半導体レーザから放射される光を集光し第二高調波
発生素子１３の端面に光を注入するためのカップリング
レンズ１２と、コアを非線形光学結晶のガラスクラッド
て囲繞して構成したファイバー型第二高調波発生素子１
３と、第二高調波発生素子で変換され放射された第二高
調波の波面を整形し第二高調波を平行光束にするための
アキシコン１４とにより構成されている。
チェレンコフ放射方式によるファイバー型第二高調波発
生素子１３のコアに非線形光学結晶としてＤＭＮＰ （
３，５−ジメチル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾ
ール）を用いたものが知られ、この第二高調波発生素子
では、ＤＭＮＰ非線形光学結晶のＣ軸はファイバー軸方
向（伸長方向）に配向されている。実際、ブリッジマン
炉によりガラスキャピラリをクラッドとしてその軸の中
空通路の中にコアとしてＤＭＮＰの結晶を成長させると
、このＣ軸方位に結晶が成長する。即ち結晶の、ａ、ｂ
軸がファイバー軸に垂直な面内にあり、Ｃ軸がファイバ
ー軸に略一致した方向に特定される。
生素子１３のコアに非線形光学結晶としてＤＭＮＰ （
３，５−ジメチル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾ
ール）を用いたものが知られ、この第二高調波発生素子
では、ＤＭＮＰ非線形光学結晶のＣ軸はファイバー軸方
向（伸長方向）に配向されている。実際、ブリッジマン
炉によりガラスキャピラリをクラッドとしてその軸の中
空通路の中にコアとしてＤＭＮＰの結晶を成長させると
、このＣ軸方位に結晶が成長する。即ち結晶の、ａ、ｂ
軸がファイバー軸に垂直な面内にあり、Ｃ軸がファイバ
ー軸に略一致した方向に特定される。
このようなコアの結晶配向を持ったファイバー型光波長
変換素子で半導体レーザ波長（波長８３０〜８７０ｎｍ
）の光波長変換を試みる場合、入射−次光の偏光に対す
るコアの屈折率ｎ′Ｌ′に比べ、第二高調波光の偏光に
対するコアの屈折率０２°の値の方が幾分大きくなる。
変換素子で半導体レーザ波長（波長８３０〜８７０ｎｍ
）の光波長変換を試みる場合、入射−次光の偏光に対す
るコアの屈折率ｎ′Ｌ′に比べ、第二高調波光の偏光に
対するコアの屈折率０２°の値の方が幾分大きくなる。
このため、光波長変換効率の向上が阻害される。
発明の目的
本発明は、光波長変換素子における導波路の非線型光学
結晶の結晶軸方向を制御すること及び光波長変換効率の
高い光波長変換素子を提供することを目的とする。
結晶の結晶軸方向を制御すること及び光波長変換効率の
高い光波長変換素子を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の光波長変換素子は、非線形光学結晶からなる導
波路と該導波路に接する基板とからなる光波長変換素子
であって、前記非線形光学結晶の全ての誘電主軸は前記
導波路の伸長方向に対して傾斜していることを特徴とす
る。
波路と該導波路に接する基板とからなる光波長変換素子
であって、前記非線形光学結晶の全ての誘電主軸は前記
導波路の伸長方向に対して傾斜していることを特徴とす
る。
本発明の光波長変換素子製造方法は、少なくとも１つの
基板中に直線状の結晶導入溝と直線状の導波路溝とを所
定角度で交差させ連続した屈曲溝を形成し、前記屈曲溝
中に有機非線形光学材料の溶融液を注入し、前記溶融液
を前記結晶導入溝側る から前記導波路溝側へ向けて順に結晶化させこと八 を特徴とする。
基板中に直線状の結晶導入溝と直線状の導波路溝とを所
定角度で交差させ連続した屈曲溝を形成し、前記屈曲溝
中に有機非線形光学材料の溶融液を注入し、前記溶融液
を前記結晶導入溝側る から前記導波路溝側へ向けて順に結晶化させこと八 を特徴とする。
発明の作用
本発明によれば、導波路をなす非線形光学結晶の全ての
誘電主軸が導波路の伸長方向に対して傾斜させることが
でき、導波路の屈折率分散を変化させ、光波長変換素子
中の第二高調波の電界分布と励起非線型分極との重り積
分を大きくして光波長変換素子の光波長変換効率を向上
させることができる。
誘電主軸が導波路の伸長方向に対して傾斜させることが
でき、導波路の屈折率分散を変化させ、光波長変換素子
中の第二高調波の電界分布と励起非線型分極との重り積
分を大きくして光波長変換素子の光波長変換効率を向上
させることができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
第１図は、本発明による実施例の光波長変換効率子の斜
視図である。この第１図（ａ）に示す光波長変換素子は
、中心の矩形断面を有する導波路１と該導波路を囲繞す
る矩形断面形状の基板２ａ及びｂからなるチャネル型光
波長変換素子である。
視図である。この第１図（ａ）に示す光波長変換素子は
、中心の矩形断面を有する導波路１と該導波路を囲繞す
る矩形断面形状の基板２ａ及びｂからなるチャネル型光
波長変換素子である。
また、第１図（ｂ）に示す光波長変換素子は、中心の円
柱状−コア３と該コアを同心円状に囲繞する円筒状クラ
ッド層４からなるファイバー型光波長変換素子である。
柱状−コア３と該コアを同心円状に囲繞する円筒状クラ
ッド層４からなるファイバー型光波長変換素子である。
第１図（ａ）及び（ｂ）に示す本実施例の光波長変換素
子においては、非線形光学結晶の導波路またはコアの全
ての誘電主軸は導波路またはコアの伸長方向に対して傾
斜している。非線形光学結晶は互いに直交するａ軸、ｂ
軸及びａ軸の結晶軸を有し、導波路またはコアの伸長方
向に対してａ軸が所定角度αだけ傾いているからである
。
子においては、非線形光学結晶の導波路またはコアの全
ての誘電主軸は導波路またはコアの伸長方向に対して傾
斜している。非線形光学結晶は互いに直交するａ軸、ｂ
軸及びａ軸の結晶軸を有し、導波路またはコアの伸長方
向に対してａ軸が所定角度αだけ傾いているからである
。
特に、ファイバー型光波長変換素子でチェレンコフ放射
方式を用いるものにおいては、クラッドとコアの境界の
存在を考慮しクラツド径を実際のファイバーのように有
限にし電磁界を解析して見ると、第二高調波がクラッド
を伝播する離散的なモードの重ね合わせで表される。さ
らに、第二高調波の変換効率は基本波によって励起され
る非線形分極と第二高調波の電界との重なり積分で表さ
れ、これを大きな値にすることが変換効率を向上させる
。
方式を用いるものにおいては、クラッドとコアの境界の
存在を考慮しクラツド径を実際のファイバーのように有
限にし電磁界を解析して見ると、第二高調波がクラッド
を伝播する離散的なモードの重ね合わせで表される。さ
らに、第二高調波の変換効率は基本波によって励起され
る非線形分極と第二高調波の電界との重なり積分で表さ
れ、これを大きな値にすることが変換効率を向上させる
。
発明者は、ＤＭＮＰをコアに用いた素子で非線形分極と
第二高調波の電界との重なり積分を大きくしようとする
場合、コアの伸長方向に伝播する一次光の偏光に対する
屈折率をｎ″′とし第二高調波の偏光に対する屈折率を
ｎ２ωとしたとき、ｎω〉ｎ−“なる関係を実現しなけ
ればならない事を見出たし、入射−次光及び変換された
第二筒１１１！Ｊ波の振動面を適当なコア結晶軸（主誘
電軸）に対応させ、かかる結晶軸の配向方向を変化させ
ることによって、この関係を満たすようにした。
第二高調波の電界との重なり積分を大きくしようとする
場合、コアの伸長方向に伝播する一次光の偏光に対する
屈折率をｎ″′とし第二高調波の偏光に対する屈折率を
ｎ２ωとしたとき、ｎω〉ｎ−“なる関係を実現しなけ
ればならない事を見出たし、入射−次光及び変換された
第二筒１１１！Ｊ波の振動面を適当なコア結晶軸（主誘
電軸）に対応させ、かかる結晶軸の配向方向を変化させ
ることによって、この関係を満たすようにした。
チャネル型光波長変換素子の製造工程を説明する。第２
図（ａ）のように、第１ガラス基板５上に途中で屈曲し
た溝６を作り、その屈曲部の交角θを、所望の結晶のａ
軸（誘電主軸ではＸ軸）と導波路の伸長方向との成す角
に設定する。屈曲した溝６は、その一方の直線状溝を結
晶導入用溝６ａとし、他方を導波路溝６ｂとからなる。
図（ａ）のように、第１ガラス基板５上に途中で屈曲し
た溝６を作り、その屈曲部の交角θを、所望の結晶のａ
軸（誘電主軸ではＸ軸）と導波路の伸長方向との成す角
に設定する。屈曲した溝６は、その一方の直線状溝を結
晶導入用溝６ａとし、他方を導波路溝６ｂとからなる。
次に、第２図（ｂ）のように、この第１ガラス基板５上
に第２ガラス基板７を張合わせて屈曲溝６を覆い、ガラ
ス一体基板を形成する。
に第２ガラス基板７を張合わせて屈曲溝６を覆い、ガラ
ス一体基板を形成する。
その後、結晶導入用溝６ａと他方を導波路溝６ｂとから
なる屈曲溝６中に有機非線形光学結晶材料の溶融液を注
入する。そして、第３図に示すように、Ｃ軸方向に結晶
が成長し易いことを利用し、結晶導入溝６ａの端から結
晶成長させる。屈曲部６Ｃに達するまでは、結晶のａ軸
が結晶導入溝６３の伸長方向に一致し成長する。屈曲部
６Ｃから先は結晶のａ軸は結晶導入溝６ａの伸長方向を
保ちつつ導波路溝６ｂの伸長方向と一致しないが、結晶
は切れ目なく成長し、第３図に示すように結局、屈曲部
以降は導波路溝６ｂの伸長方向と結晶のａ軸とは一定の
角（１８０−θ）を成す。したがって、コアの誘電主軸
のＸ軸は導波路溝の伸長方向に対してこの所定角度だけ
傾斜する。
なる屈曲溝６中に有機非線形光学結晶材料の溶融液を注
入する。そして、第３図に示すように、Ｃ軸方向に結晶
が成長し易いことを利用し、結晶導入溝６ａの端から結
晶成長させる。屈曲部６Ｃに達するまでは、結晶のａ軸
が結晶導入溝６３の伸長方向に一致し成長する。屈曲部
６Ｃから先は結晶のａ軸は結晶導入溝６ａの伸長方向を
保ちつつ導波路溝６ｂの伸長方向と一致しないが、結晶
は切れ目なく成長し、第３図に示すように結局、屈曲部
以降は導波路溝６ｂの伸長方向と結晶のａ軸とは一定の
角（１８０−θ）を成す。したがって、コアの誘電主軸
のＸ軸は導波路溝の伸長方向に対してこの所定角度だけ
傾斜する。
その後、この導波路溝６ｂ中の結晶が導波路を形成する
ので、第２図（Ｃ）のように、ガラス−体基板の導波路
溝６ｂの存在する部分を切断して、チャネル型光波長変
換素子を得る。この素子においては、コアの誘電主軸の
Ｘ軸が導波路伸長方向に対して傾斜しているので、コア
の全ての誘電主軸は導波路の伸長方向に対して所定角度
だけ傾斜している。
ので、第２図（Ｃ）のように、ガラス−体基板の導波路
溝６ｂの存在する部分を切断して、チャネル型光波長変
換素子を得る。この素子においては、コアの誘電主軸の
Ｘ軸が導波路伸長方向に対して傾斜しているので、コア
の全ての誘電主軸は導波路の伸長方向に対して所定角度
だけ傾斜している。
次に、ファイバー型光波長変換素子の製造工程を説明す
る。まず、第４図（ａ）及び（ｂ）に示すように、直線
状の結晶導入溝だけを有し一対の張合わせガラス一体基
板８を作成し、この一体基板８とガラスキャピラリ９と
を接着する。この場合、第４図（ａ）に示すように、結
晶導入溝６ａを端面に対して直角に作った一体基板８と
、キャピラリ軸９ａが端面に対して傾斜するよう斜めに
切断したガラスキャピラリ９とを用いるか、又は第４図
（ｂ）に示すように、結晶導入溝６ａを端面に対して斜
めに作った一体基板８と、キャピラリ軸９ａが端面に対
して直角になるガラスキャピラリ９とを用いる。又、結
晶導入溝及びキャピラリ軸は一体基板及びガラスキャピ
ラリの端面に対してそれぞれ傾斜したものを用いてもよ
い。そして、結晶導入溝６ａが露出する一体基板８の端
面とガラスキャピラリ９の端面とを、ガラスキャピラリ
軸９ａ及び結晶導入溝６ａが一定の角θを成して接続さ
れるように春−姦龜配置し位置合わせをした後、両者を
接着する。次に、上記実施例と同様に結晶導入溝６ａと
ガラスキャピラリ９とを鈍角のＶ字状に置き、結晶導入
溝６ａ側から結晶成長させ、必要部分を切断して、ファ
イバー型光波長変換素子を得る。
る。まず、第４図（ａ）及び（ｂ）に示すように、直線
状の結晶導入溝だけを有し一対の張合わせガラス一体基
板８を作成し、この一体基板８とガラスキャピラリ９と
を接着する。この場合、第４図（ａ）に示すように、結
晶導入溝６ａを端面に対して直角に作った一体基板８と
、キャピラリ軸９ａが端面に対して傾斜するよう斜めに
切断したガラスキャピラリ９とを用いるか、又は第４図
（ｂ）に示すように、結晶導入溝６ａを端面に対して斜
めに作った一体基板８と、キャピラリ軸９ａが端面に対
して直角になるガラスキャピラリ９とを用いる。又、結
晶導入溝及びキャピラリ軸は一体基板及びガラスキャピ
ラリの端面に対してそれぞれ傾斜したものを用いてもよ
い。そして、結晶導入溝６ａが露出する一体基板８の端
面とガラスキャピラリ９の端面とを、ガラスキャピラリ
軸９ａ及び結晶導入溝６ａが一定の角θを成して接続さ
れるように春−姦龜配置し位置合わせをした後、両者を
接着する。次に、上記実施例と同様に結晶導入溝６ａと
ガラスキャピラリ９とを鈍角のＶ字状に置き、結晶導入
溝６ａ側から結晶成長させ、必要部分を切断して、ファ
イバー型光波長変換素子を得る。
更に、第５図に示すように、２つのガラスキャピラリ１
９，９を用いて、一方のガラスキャピラリ１９のキャピ
ラリ軸１９ａを結晶導入溝として上記実施例と同様にし
てファイバー型光波長変換素子を得ることができる。
９，９を用いて、一方のガラスキャピラリ１９のキャピ
ラリ軸１９ａを結晶導入溝として上記実施例と同様にし
てファイバー型光波長変換素子を得ることができる。
ここで具体的に、第４図のように行ない、ファイバー型
光波長変換素子を作成した。クラッドガラスとなるガラ
スキャピラリにＳＦ４ガラスを、コアに非線形光学結晶
としてＤＭＮＰを用い、第４図（ｂ）に示すように、結
晶導入溝を端面に対して斜めに作った一体基板とキャピ
ラリ軸が端面に対して直角になるガラスキャピラリ９と
を用いて、第１図に示すガラスキャピラリ軸及び結晶導
入溝が屈曲角１５５度を成すように接着し行なった。結
果として、結晶のｂ軸（誘電主軸ではＹ軸）がファイバ
ー軸と垂直な面内にあり、ａ軸（誘電主軸では２軸）、
ｃ軸（誘電主軸ではＸ軸）がファイバー軸を含む面内に
あり、Ｃ軸がファイバー軸（伸張方向）に対し２５度傾
いているファイバー型光波長変換素子を得、コアの直径
１．４μｍの時、１％の変換効率を得た。（但し一次光
の導波パワー４０［ＩＩＷ、ファイバー長さＩｎｍ）こ
のようにして、ファイバー型光波長変換素子におけるコ
アの結晶配向の制御は可能となった。 ゛発明の効
果 以上の如く、本発明によれば、非線形光学結晶からなる
導波路と該導波路に接する基板とからなる光波長変換素
子において、非線形光学結晶の全ての誘電主軸を導波路
の伸長方向に対して傾斜させているので、導波路の屈折
率分散を変化させ、光波長変換素子中の第二高調波の電
界分布と励起非線型分極との重り積分を大きくして光波
長変換素子の光波長変換効率を向上させることができる
。
光波長変換素子を作成した。クラッドガラスとなるガラ
スキャピラリにＳＦ４ガラスを、コアに非線形光学結晶
としてＤＭＮＰを用い、第４図（ｂ）に示すように、結
晶導入溝を端面に対して斜めに作った一体基板とキャピ
ラリ軸が端面に対して直角になるガラスキャピラリ９と
を用いて、第１図に示すガラスキャピラリ軸及び結晶導
入溝が屈曲角１５５度を成すように接着し行なった。結
果として、結晶のｂ軸（誘電主軸ではＹ軸）がファイバ
ー軸と垂直な面内にあり、ａ軸（誘電主軸では２軸）、
ｃ軸（誘電主軸ではＸ軸）がファイバー軸を含む面内に
あり、Ｃ軸がファイバー軸（伸張方向）に対し２５度傾
いているファイバー型光波長変換素子を得、コアの直径
１．４μｍの時、１％の変換効率を得た。（但し一次光
の導波パワー４０［ＩＩＷ、ファイバー長さＩｎｍ）こ
のようにして、ファイバー型光波長変換素子におけるコ
アの結晶配向の制御は可能となった。 ゛発明の効
果 以上の如く、本発明によれば、非線形光学結晶からなる
導波路と該導波路に接する基板とからなる光波長変換素
子において、非線形光学結晶の全ての誘電主軸を導波路
の伸長方向に対して傾斜させているので、導波路の屈折
率分散を変化させ、光波長変換素子中の第二高調波の電
界分布と励起非線型分極との重り積分を大きくして光波
長変換素子の光波長変換効率を向上させることができる
。
また、本発明の光波長変換素子製造方法によれば、基板
中に屈曲溝を形成し、屈曲溝中に有機非線形光学材料の
溶融液を注入し、この溶融液を結晶導入溝側から導波路
溝側へ向けて順に結晶化させているので、導波路溝中に
おいて、その伸長方向に対して傾斜した結晶軸及び誘電
主軸を有した非線形光学結晶を形成できるので、光波長
変換素子の製造において、一定の結晶軸方向にとられれ
ない自由度の大きい結晶が得られる。
中に屈曲溝を形成し、屈曲溝中に有機非線形光学材料の
溶融液を注入し、この溶融液を結晶導入溝側から導波路
溝側へ向けて順に結晶化させているので、導波路溝中に
おいて、その伸長方向に対して傾斜した結晶軸及び誘電
主軸を有した非線形光学結晶を形成できるので、光波長
変換素子の製造において、一定の結晶軸方向にとられれ
ない自由度の大きい結晶が得られる。
第１図は本発明による光波長変換素子の斜視図、第２図
は本発明による光波長変換素子製造用の部材の斜視図、
第３図は一体化ガラス基板の平面図、第４図は結晶導入
溝を有するガラス基板と導波路溝を有するガラスキャピ
ラリとの結合体の平面図、第５図は２つのガラスキャピ
ラリの結合体の平面図、第６図はファイバー型光波長変
換素子を用いた短波長光源の概略図である。 主要部分の符号の説明 ５．７・・・・・・ガラス基板 ６ａ・・・・・・結晶導入溝 ６ｂ・・・・・・導波路溝 ９・・・・・・ガラスキャピラリ ４・・・・・・クラッド ３・・・・・・コア ト・・・・・導波路 ２ａ、 ２ｂ・・・・・・基板 出願人 パイオニア株式会社
は本発明による光波長変換素子製造用の部材の斜視図、
第３図は一体化ガラス基板の平面図、第４図は結晶導入
溝を有するガラス基板と導波路溝を有するガラスキャピ
ラリとの結合体の平面図、第５図は２つのガラスキャピ
ラリの結合体の平面図、第６図はファイバー型光波長変
換素子を用いた短波長光源の概略図である。 主要部分の符号の説明 ５．７・・・・・・ガラス基板 ６ａ・・・・・・結晶導入溝 ６ｂ・・・・・・導波路溝 ９・・・・・・ガラスキャピラリ ４・・・・・・クラッド ３・・・・・・コア ト・・・・・導波路 ２ａ、 ２ｂ・・・・・・基板 出願人 パイオニア株式会社
Claims (6)
- （１）非線形光学結晶からなる導波路と該導波路に接す
る基板とからなる光波長変換素子であって、前記非線形
光学結晶の少なくとも２つの誘電主軸は前記導波路の伸
長方向に対して傾斜していることを特徴とする光波長変
換素子。 - （２）前記導波路は円柱状コアであり、前記基板は前記
コアを囲繞するクラッドであり、前記導波路の伸長方向
に伝播する一次光である偏光に対する屈折率をｎ＾ωと
し第二高調波である偏光に対する屈折率をｎ＾２＾ωと
したとき、前記円柱状コアがｎ＾ω＞ｎ＾２＾ωを満た
す非線形光学結晶からなることを特徴とする請求項１記
載の光波長変換素子。 - （３）少なくとも１つの基板中に直線状の結晶導入溝と
直線状の導波路溝とを所定角度で交差させ連続した屈曲
溝を形成し、 前記屈曲溝中に有機非線形光学材料の溶融液を注入し、 前記溶融液を前記結晶導入溝側から前記導波路溝側へ向
けて順に結晶化させることを特徴とする光波長変換素子
の製造方法。 - （４）前記基板はガラスからなることを特徴とする請求
項３記載の製造方法。 - （５）前記基板は１対の基板であり、一方の基板に端面
から露出する前記結晶導入溝を形成し、他方の基板に端
面から露出する前記導波路溝を形成し、前記結晶導入溝
と前記導波路溝とが前記屈曲溝を形成するように前記両
端面を接合することを特徴とする請求項４記載の製造方
法。 - （６）前記導波路溝を形成した他方の基板はガラスキャ
ピラリであることを特徴とする請求項５記載の製造方法
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285517A JP2895204B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 光波長変換素子及びその製造方法 |
| US07/699,582 US5119384A (en) | 1990-10-22 | 1991-05-14 | Optical wavelength converter and method of manufacturing the same |
| EP19910305175 EP0482736A3 (en) | 1990-10-22 | 1991-06-07 | Optical wavelength converter and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285517A JP2895204B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 光波長変換素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158340A true JPH04158340A (ja) | 1992-06-01 |
| JP2895204B2 JP2895204B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=17692559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2285517A Expired - Fee Related JP2895204B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 光波長変換素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5119384A (ja) |
| EP (1) | EP0482736A3 (ja) |
| JP (1) | JP2895204B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012068620A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-04-05 | Canon Inc | 電磁波発生素子、電磁波検出素子、時間領域分光装置 |
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| US5278930A (en) * | 1991-08-14 | 1994-01-11 | Pioneer Electronic Corporation | Fiber type wavelength converter |
| JPH05173212A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光波長変換モジュール |
| JP3272250B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2002-04-08 | 沖電気工業株式会社 | 波長変換装置 |
| JP4660999B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置 |
| US20050050562A1 (en) * | 2003-04-02 | 2005-03-03 | Staar S.A. | Information carrier loading device |
| FR2947108B1 (fr) * | 2009-06-19 | 2011-12-02 | Centre Nat Rech Scient | Generateur et systeme laser a sous-cavites couplees |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6263922A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Toshiba Corp | ２次高調波発生器 |
| US4820011A (en) * | 1986-07-07 | 1989-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device, and a method of making the same |
| JPS63269134A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子の製造方法 |
| US4909595A (en) * | 1987-09-14 | 1990-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion method and optical wavelength converter module |
| US4925263A (en) * | 1987-11-05 | 1990-05-15 | Polaroid Corporation | Proton-exchanged waveguides for sum-frequency generation |
| JPH01172936A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子の製造方法 |
| JPH01265235A (ja) * | 1988-04-16 | 1989-10-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光第二高調波発生素子及びその製造方法 |
| JPH03291636A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ファイバ−型波長変換素子および光波長変換モジュール |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2285517A patent/JP2895204B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-14 US US07/699,582 patent/US5119384A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-07 EP EP19910305175 patent/EP0482736A3/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012068620A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-04-05 | Canon Inc | 電磁波発生素子、電磁波検出素子、時間領域分光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0482736A3 (en) | 1993-01-20 |
| JP2895204B2 (ja) | 1999-05-24 |
| EP0482736A2 (en) | 1992-04-29 |
| US5119384A (en) | 1992-06-02 |
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